开关损耗

一文读懂MOSFET开关损耗介绍

MOSFET的操作可以分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流通过通道，但通道电阻相对较高。通道上的电压和通过通道...

2024-06-13 标签：MOSFET晶体管开关损耗 1218 0

使用Cauer网络仿真热行为与对开关损耗影响的评估

过去，仿真的基础是行为和具有基本结构的模型，它们主要适用于简单集成电路技术中使用的器件。但是，当涉及到功率器件时，这些简单的模型通常无法预测与为优化器件...

2023-12-29 标签：安森美SiC热仿真 1738 0

mos管带载不到十秒钟就冒烟的原因是什么？

Ton和Toff已经接近图二要求的时间，MOS管24V时带载27欧，输出功率21.3W，输出电压正常，MOS管基本不发热。 总结一：MOS管发热原因小结...

2023-12-11 标签：电路设计限流电阻开关损耗 837 0

功率MOSFET管应用问题汇总

问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散...

2023-12-03 标签：负载开关功率MOSFET管MOSFET管 971 0

如何平衡MOSFET提高电源效率的优化方案

MOSFET 的选择关乎效率，设计人员需要在其传导损耗和开关损耗之间进行权衡。传导损耗发生在在 MOSFET 关闭期间，由于电流流过导通电阻而造成；开关...

2023-11-15 标签：MOSFET变换器寄生电容 530 0

MOSFET与IGBT的本质区别

由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但耐压能力没有IGBT强。

2023-08-25 标签：二极管MOSFETIGBT 926 0

详解MOS管的米勒效应、开关损耗、导通损耗、续流损耗

要比喻的话，三极管像绿皮车，MOS管像高铁。

2023-08-21 标签：MOSFET场效应管MOS管 3148 0

MOS管的开关损耗计算

MOS 管的开关损耗对ＭOS 管的选型和热评估有着重要的作用，尤其是在高频电路中，比如开关电源，逆变电路等。

2023-07-23 标签：MOSFETMOS管功率损耗 3931 0

差分探头在测量开关损耗中的应用

开关损耗是电力电子设备中的一个重要性能指标，它直接影响到设备的效率和热管理。差分探头作为一种高精度的测量工具，在开关损耗的测量中发挥着关键作用。本文将介...

2024-08-09 标签：差分探头开关损耗 284 0

SiC MOSFET的设计挑战——如何平衡性能与可靠性

碳化硅（SiC）的性能潜力是毋庸置疑的，但设计者必须掌握一个关键的挑战：确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。

2023-05-04 标签：MOSFETSiC开关损耗 620 0

利用示波器探头进行开关损耗测试

如今的开关电源技术很大程度上依托于电源半导体开关器件，如MOSFET和IGBT。这些器件提供了快速开关速度，能够耐受没有规律的电压峰值。同时在On或Of...

2022-06-20 标签：MOSFET示波器探头 2070 0

深度剖析半导体热阻数据

半导体器件并不完美——所有二极管和晶体管都因开关和导通而产生功率损耗。开关损耗发生在结的通断状态之间的间隔期间，此时器件端子上既有电压又有电流流过。传导...

2022-04-21 标签：电子设备半导体器件开关损耗 3488 0

开关损耗测量中的注意事项及影响因素解析

功率损耗是开关器件性能评估的重要环节，也是工程师在选配时重点关注的一项高级功能。虽然很多实验室配备了功率损耗测量环境，对设备和探头也投入不菲，但如果工程...

2021-12-15 标签：示波器探头开关损耗 677 0

175W Slim-TV SPS解决方案（安富利）

Avnet Design Service电源实验室开发出薄板电视SPS电源解决方案。满负荷工作条件下，电源模块输出总功率达175 W。解决方案提供多种组...

2012-08-01 标签：电源安富利电源模块 1890 0

理解MOSFET开关损耗和主导参数

为了使MOSFET整个开关周期都工作于ZVS，必须利用外部的条件和电路特性，实现其在开通过程的ZVS。如同步BUCK电路下侧续流管，由于其寄生的二极管或...

2012-04-12 标签：MOSFET开关损耗 6.2万 1