氮化镓

氮化镓知识

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  泰克先进半导体实验室 远山半导体发布新一代高压氮化镓功率器件

  氮化镓功率器件因其高速开关能力、高功率密度和成本效益而成为市场的热门选择。然而，由于工作电压和长期可靠性的制约，这些器件

  2024-11-01 标签： 半导体 功率器件 氮化镓 85 0

• 氮化镓快充芯片U8765的主要特性

  相信大家都清楚，轻载或空载状态下，开关损耗在转换效率中占主导地位。所以为了降低待机功耗，大部分电源芯片都采取载轻降频的控

  2024-10-30 标签： 氮化镓 GaN 快充芯片 89 0

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  英飞凌携手AWL-Electricity通过氮化镓功率半导体优化无线功率

  英飞凌近日宣布与总部位于加拿大AWL-Electricity建立合作关系，后者是兆赫级电容耦合谐振式功率传输技术的领导者

  2024-10-29 标签： 英飞凌 半导体 氮化镓 89 0

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  远山半导体氮化镓功率器件的耐高压测试

  氮化镓（GaN），作为一种具有独特物理和化学性质的半导体材料，近年来在电子领域大放异彩，其制成的氮化镓功率芯片在功率转换

  2024-10-29 标签： 半导体 功率器件 氮化镓 150 0

• 日本罗姆半导体加强与台积电氮化镓合作,代工趋势显现

  近日，日本功率器件大厂罗姆半导体（ROHM）宣布，将在氮化镓功率半导体领域深化与台积电的合作，其氮化镓产品将全面交由台积

  2024-10-29 标签： 台积电 氮化镓 功率半导体 209 0

• 德州仪器日本会津工厂启动氮化镓功率半导体生产

  德州仪器（TI）宣布，其位于日本会津的工厂已正式启动氮化镓（GaN）功率半导体的生产。这一举措，加上TI在德克萨斯州达拉

  2024-10-26 标签： 德州仪器 氮化镓 GaN 476 0

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  氮化镓晶圆在划切过程中如何避免崩边

  9月，英飞凌宣布成功开发出全球首款12英寸（300mm）功率氮化镓（GaN）晶圆。12英寸晶圆与8英寸晶圆相比，每片能多

  2024-10-25 标签： 半导体 晶圆 氮化镓 364 0

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  纳微十年，氮化镓GaNSlim上新，持续引领集成之势

  电子发烧友网报道（文/黄晶晶）十年前纳微半导体作为氮化镓行业的先锋，成功地将氮化镓功率器件带入消费电子市场，帮助客户打造

  2024-10-23 标签： 氮化镓 GaN 功率芯片 605 0

• 日本企业加速氮化镓半导体生产,力推电动汽车续航升级

  日本公司正积极投入大规模生产氮化镓（GaN）功率半导体器件，旨在提升电动汽车的行驶里程。尽管氮化镓与碳化硅（SiC）在电

  2024-10-22 标签： 电动汽车 SiC 氮化镓 417 0

• 英飞凌与AWL-Electricity合作,利用氮化镓功率半导体优化无线功率

  10月16日，中国网络空间安全协会发布了一篇题为《警惕！英特尔产品网络安全风险凸显，系统排查刻不容缓》的文章，读后引人深

  2024-10-22 标签： 英飞凌 氮化镓 车联网 266 0

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