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标签 > 相变存储器

相变存储器

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相变存储器,简称PCM,相变存储器就是利用特殊材料在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来存储数据的。相变存储器通常是利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的一种信息存储装置。

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相变存储器简介

  相变存储器,简称PCM,相变存储器就是利用特殊材料在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来存储数据的。相变存储器通常是利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的一种信息存储装置。

  相变存储器材料具有存取速度快和可靠性高等优点,有比其他存储器更广阔的应用空间和更好的发展趋势,有望替代目前被公众熟知的传统存储技术。

  相变存储器适用于固线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式应用设备:比如应用在航天器领域中的嵌入系统中、用在智能电表中可以对其储存构架进行进一步整合等。另外,根据相变存储器存在的一些不足,在提高存储密度、降低成本和提高耐写能力方面需要进一步的研究,才能更好的推动相变存储器的应用与发展。

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