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标签 > 硅二极管
硅二极管死区电压约0.5伏,锗的0.1伏,正向压降硅0.6~0.7伏,锗0.2~0.3伏,硅反向电流小,耐压高,锗相反。
硅二极管与锗二极管的区别主要如下:在电流相同时,锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。根据实验研究,锗二极管正向在0.2V就开始有电流了,而硅二极管要到0.5V才开始有电流,也就是说两者达到导通的起始电压不同。在反向电压下,硅管的漏电流要比锗管的漏电流小得多。开始导通后,锗管电流增大速度较慢,硅管电流增大速度相对较快。
硅二极管的导通电压是一个关键的参数,它决定了二极管何时开始导电。在大多数情况下,硅二极管的导通电压被称为“门槛电压”或“开启电压”,并且这个值通常是 0...
硅二极管的死区电压是一个关键的电学参数,它决定了二极管开始导通所需的最小正向电压。 一、死区电压的定义 死区电压,也称为开启电压或阈值电压,是指二极管在...
硅二极管和锗二极管是两种常见的半导体二极管,它们在电子电路中有着广泛的应用。这两种二极管的主要区别在于它们的材料和特性,包括反向饱和电流。 1. 二极管...
硅二极管和锗二极管是两种常见的半导体二极管,它们在电子电路中有着广泛的应用。这两种二极管的主要区别在于它们的材料和一些电气特性。 引言 在电子工程领域,...
硅二极管的正向压降是指在二极管导通时,其两端的电压差。这个值对于硅二极管来说通常在0.6V到0.7V之间,但这个值会受到温度、电流和制造工艺等因素的影响...
二极管是一种半导体器件,其核心功能是允许电流只能单向流动。这一特性使得二极管在电子电路中扮演了多种角色,包括限幅功能。
二极管反向截止的条件是什么? 二极管反向截止是指在一定的电压条件下,二极管内部的电流无法流动,电流被完全阻断的状态。这种状态是二极管的一种基本性质,也...
为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大? 硅二极管和锗二极管是电子学中非常常见的两种二极管。二极管的死区电压是指当二极管处于反向偏置状态时,为...
1948年6月26日,贝尔实验室申请了肖克利发明的双极型晶体管的专利,这是他一次在会议上感到无聊时偶然迸发的非凡设想。1949年4月7日,贝尔实验室的G...
超高效率600V H系列整流器扩展硅二极管性能 为协助电源厂商以更低成本克服高性能系统的各种挑战, Qspeed半导体公司推出H系列组件Qspeed...
Qspeed硅二极管能协助克服高成本、低性能的电源设计挑战 基于项目的各种限制约束,设计人员在元器件选型过程通常会作出这样或那样的折衷。譬如,在设计一个电源
硅和锗两种二极管的特性曲线差异 1) 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多,锗管为mA级,硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要
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