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标签 > 紫外激光
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紫外激光剥离,适用于chip last或RDL-first扇出型晶圆级封装
临时键合需要键合(bonding)和剥离(debonding)两种工艺。从扇出型晶圆级封装(fan-out wafer-level packaging,...
激光诱导损伤阈值(LIDT)定义了光学器件在不造成损伤的情况下可以处理的最大激光辐射量。这是将光学元件集成到激光器中时要考虑的最重要的规范之一。 紫外激...
GaN性能优异,在光电子、微电子器件应用广泛,发展潜力巨大;进一步发展,需提升材料质量,制备高质量氮化镓同质衬底。
激光是上个世纪60年代的重要发明之一,它具有良好的单色性、方向性、强相干性和高功率密度性等优点。随着行业的发展,激光器的种类越来越多。
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