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标签 > 肖特基势垒二极管
肖特基势垒二极管,又称热载流子二极管。利用金属-半导体(M-S)接触特性制成,有点接触型和面结合型两种管芯结构。
肖特基势垒二极管利用金属-半导体(M-S)接触特性制成,由于金属-半导体接触的电流运输主要是依靠多数载流子(电子),其电子迁移率高,且M-S结可以在亚微米尺度上精确制造加工,使得肖特基势垒二极管能运用到亚毫米波、太赫兹波频段。肖特基势垒二极管有两种管芯结构:点接触型和面结合型。点接触型管芯用一根金属丝压接在N型半导体外延层表面上形成金半接触。面结合型管芯先要在N型半导体外延层表面上生成二氧化硅保护层,再用光刻的办法腐蚀出一个小孔,暴露出N型半导体外延层表面,淀积一层金属膜(一般采用金属泪或钛,称为势垒金属)形成金半接触,再蒸馏或电镀一层金属(金、银等)构成电极。
SiC产品和Si产品的两点比较 SiC肖特基势垒二极管的特征
我们从SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)的结构开始介绍。如下图所示,为了形成肖特基势垒,将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。结构与Si肖特...
类别:IC datasheet pdf 2022-05-25 标签:二极管肖特基势垒二极管
类别:IC datasheet pdf 2022-05-25 标签:二极管肖特基势垒二极管
东芝研讨会解读肖特基势垒二极管的特性、选型、使用要点和电路设计的技巧
在开关电源特别是高频开关电源中,肖特基势垒二极管可谓是不可缺少的整流高手。肖特基势垒二极管由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成,作为一种低功耗、超高...
特瑞仕开始提供功率半导体SiC肖特基势垒二极管850V/10A样品
特瑞仕半导体是专注于电源IC的模拟CMOS专业集团,Phenitec Semiconductor是特瑞仕半导体的子公司,此产品是由Phenitec Se...
Diodes推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD)
产品组合包含 DIODES DSCxxA065 系列,共有十一项 650V 额定电压 (4A、6A、8A 和 10A) 的产品,以及 DIODES DS...
一提到低功耗、大电流、超高速的半导体器件,你会率先想到哪种器件?不少工程师表示,当然是肖特基势垒二极管了!肖特基势垒二极管是用其发明人肖特基博士(Sch...
英飞凌推出全新650V CoolSiC™ Hybrid IGBT 单管,进一步提高效率
由于 IGBT反并联SiC 肖特基势垒二极管,在 dv/dt 和 di/dt 值几乎不变下,CoolSiC™ Hybrid IGBT能大幅降低开关损耗。
Microchip推出最新一代汽车用700 和 1200V 碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)
Microchip新推出的器件通过了AEC-Q101认证,对于需要在提高系统效率的同时保持高质量的电动汽车电源设计人员来说,可以最大限度地提高系统的可靠...
ROHM面向车载系统开发出200V耐压肖特基势垒二极管“RBxx8BM/NS200”
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),面向包括xEV在内的动力传动系统等车载系统,开发出200V耐压的超低IR※1肖特基势垒二极管※2(以下...
美高森美继续扩大碳化硅产品组合提供 下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V肖特基势垒二极管器件
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号...
2012年10月10日,德国纽必堡讯——英飞凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基势垒二极管,壮大其SiC(碳化硅)产品阵容。
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