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标签 > 闸极驱动器
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WPT实现高效率的一个主要障碍是电池的热极限。通常,电池需要恒定的电压和电流输入来充电,但这会将电池加热到危险的程度。
Diodes新系列高侧/低侧闸极驱动器采用 SO-8封装以提供更高效能
Diodes公司推出全新系列的高电压、高速闸极驱动器,适用于转换器、变频器、马达控制,以及 D 类功率放大器等应用。
德州仪器 (TI) 宣佈针对绝缘闸双极性电晶体 (insulated-gate bipolar transistors;IGBT) 与MOSFET推出...
Diodes推出专为IGBT设计的ZXGD3006E6闸极驱动器
Diodes公司推出专为开关高功率IGBT设计的ZXGD3006E6闸极驱动器(gate driver) ,有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的...
2011-07-06 标签:DiodesIGBTZXGD3006E6 1445 0
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