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标签 > 高速开关
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为什么EliteSiC M3S技术是高速开关应用的更优选择?
安森美汽车电源部应用工程师碳化硅(SiC)具有比硅(Si)更高的介电击穿场强、能带隙和热导率,电力电子设计人员可以利用这些特性来开发比硅基IGBT器件效...
肖特基二极管在某些场合中可以替代普通二极管,但在选择二极管时需要根据具体的应用需求、电路性能和参数要求来进行综合考虑。
CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET:高速开关和改进的dv/it能力
摘要:CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET,采用SGT IV MOSFET技术。它具有快速开关和改进的dv/it能力,...
森国科近期推出的650V/60A IGBT(型号:KG060N065LD-R),凭借其业界领先的低传导损耗和高速开关性能,在电力电子领域引起了广泛关注。
新品 | 用于高速开关应用的1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET
新品用于高速开关应用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增强型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半桥模块,...
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