- 提高48V 配电性能

MCM 模块能够提供大电流，其可紧挨着处理器部署，可以在主板上，也可以在处理器基板上。这种近距离布置不仅可最大限度降低 PDN 损耗，而且还可减少电源所需的处理器基板 BGA 引脚。

这种架构及其性能都可通过 PRM 及 VTM 中使用的专有拓扑增强。PRM 使用零电压开关拓扑，而 VTM 则使用专有谐振高频率正弦振幅转换器 (SAC) 拓扑。转换为 PoL 电压，可使用零电压和零电流开关。VTM 实际上是一款 DC-DC 变压器，电压以 1/K 的比率降低，电流则按 K 因数增加。VTM也叫电流倍增器，是一种高电流密度 PoL 转换器。（新产品目前可达到 2A/mm2。）它可紧挨着处理器布置，因为它采用创新 ChiP 封装技术并支持高密度集成磁组件。

这种水平的高电流密度可为设计人员提供极大的灵活性。工程师可根据处理器电流，在横向供电或纵向供电（LPD 及 VPD）之间做出选择。在 LPD 中，电流倍增器布置在 AI 处理器的几毫米范围内，可在同一个基板上，也可以直接在主板上，从而可将 PDN 电阻降至大约 50µΩ。

纵向供电 (VPD) 可进一步消除配电损耗及 VR PCB 板面占用。VPD 与 Vicor LPD 解决方案类似，在电流倍增器或 GCM 模块中增加了对旁路电容的集成。

为了进一步提高性能，VPD 将电流倍增器移到了处理器的正下方，在那里其输出功率引脚位图与其上方的处理器电源引脚的间距和位置非常吻合。此外，电流倍增器封装还集成高频率大容量电容器，其一般位于主板或基板上的处理器的正下方。这种电流倍增器叫齿轮传动电流倍增器(GCM)。VPD 可将 PDN 电阻降至令人难以置信的5 至 7µΩ，从而可帮助 AI 处理器实现其真正的性能。

对于如此复杂的电源问题，一个整体的设计方法才能确保获得成功的高性能结果。需要对架构、拓扑以及封装进行创新，才能解决最艰巨的电源挑战。提高 PDN 的电压，可解决大量系统性能挑战。降低 PDN 电阻是开启新一代 HPC 电源大门、兑现 AI 承诺的关键。