DS1685/DS1687为一款实时时钟(RTC)，设计作为工业标准的DS1285、DS1385、DS1485以及DS1585 PC RTC的替代产品。
2012-10-19 14:04:46
2148 
富士通半导体（上海）有限公司今日宣布其低功耗铁电随机存取存储器FRAM又添小封装成员－SON-8封装的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供标准封装SOP-8，SON-8是为该产品添加的新型封装。
2012-11-27 10:00:234212 赛普拉斯非易失性随机存取存储器 (NVRAM) 可确保工业系统处于“零数据风险”状态，无论是在正常运行还是故障发生期间均可以完成安全可靠的数据备份。
2017-10-25 10:19:2610429 
双数据速率同步动态随机存取存储器。哇！真够拗口的。很多人甚至可能都不认识这个全称；它通常缩写为 DDR 存储器。图 1 是 PC 中使用的 DDR 模块图。在该图中，我在其中一个 DDR 芯片上画
2018-04-02 09:21:218085 STM32处理器内部集成了实时时钟控制器（RTC）,因此在实现实时时钟功能时，无须外扩时钟芯片即可构建实时时钟系统。
2023-07-22 15:41:202616 
在同步动态随机存取存储器（SDRAM)的工作模式中，以数据读取速率来分类，有单倍数据速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、双倍数据速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
有源程序的，HC6800开发板，研究的自改端口14 RTC实时时钟(DS1302).zip
2018-06-28 05:19:49
有源程序的，HC6800开发板，研究的自改端口DS1302电路图.jpg 14 RTC实时时钟(DS1302).zip
2018-07-05 01:47:08
Access Memory：铁电随机存取存储器，简称铁电存储器)。把FRAM归类为非易失性存储器是可以，但是FRAM的高速读写性质又与SRAM、DRAM更为接近，它也是一种RAM。于是，存储器的分类令人
2012-01-06 22:58:43
，用于存放正在执行的程序和数据。CPU可以直接进行随机读写，访问速度较高。RAM：（Random Access Memory），随机存取存储器，是一种可读/写存储器，一般用于计算...
2021-07-26 08:08:39
设计（重点）位扩展（位并联法）字节扩展（地址串联法）【1】存储器的层次结构【2】存储器的分类这里我们拣SRAM和DRAM来讲【3】SRAM基本原理：静态随机存取存储器(SRAM)：所谓...
2021-07-29 06:21:48
蓝桥杯单片机比赛系列5实时时钟RTCRTC原理相关电路时钟寄存器代码解释修改代码自写代码实现代码RTC原理相关电路实时时钟芯片采用DS1302，需要三个引脚和单片机相连。DS1302有自己的指令协议
2022-01-17 07:40:19
实时时钟rtc的工作原理，一 RTC 概述 1.定义：RTC的英文全称是Real-Time Clock,翻译过来是实时时钟芯片。RTC芯片是一种能提供日历/时钟（世纪、年、月、时、分、秒）及数据存储
2021-07-27 08:15:25
合适的器件。本还重点讨论了内置MEMS谐振器的DS3231M，用于替代晶振方案。 实时时钟RTC DS323x高精度实时时钟的功耗考虑DS3231/DS3232通过设置温度更新周期，能够在保持较高时钟
2014-03-14 11:05:03
富士通半导体（上海）有限公司供稿铁电随机存储器（FRAM） RFID由于存储容量大、擦写速度快一直被用作数据载体标签。内置的串行接口可将传感器与RFID连接在一起，从而丰富了RFID应用。
2019-07-26 07:31:26
铁电存储器FRAM是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器DRAM的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器
2020-05-07 15:56:37
铁电存储器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁——一种非易失性的RAM。相对于其它类型的半导体技术
2011-11-19 11:53:09
什么是FRAM?FRAM（铁电随机存取存储器）是被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的特点，在高速读写入、高读写耐久性
2014-06-19 15:49:33
Keil编译后生成bin文件占用内部Flash的大小，RAM，ROM，Code，RO-data，RW-data，ZI-data名词解释RAMRAM又称随机存取存储器，存储的内容可通过指令随机读写访问
2022-01-26 06:05:59
ARM体系结构中主要半导体存储器嵌入式系统使用的存储器有多种类型，按其存取特性可分为随机存取存储器和只读存储器；按照所处的物理位置可分为片内存储器和片外存储器以及外部存储设备；按照存取
2021-12-17 07:26:46
地擦除，而EEPROM可以单个字节擦除。SRAM是静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。注意：SRAM和SDRAM是不相同的，SDRAM是同步动态随机
2022-03-02 07:20:19
MT47H64M16NF-25E:M动态随机存取存储器：规格：存储器类型易失存储器格式DRAM技术SDRAM - DDR2存储容量1Gb （64M x 16）存储器接口并联时钟频率400MHz写
2020-06-30 16:26:14
静态随机存取存储器SRAM是什么？有何优缺点？动态随机存取存储器DRAM是什么？有何优缺点？
2021-12-24 07:04:20
sram存储原理是依靠，概念静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据
2021-07-27 06:06:26
【作者】：方洁;陈伟;【来源】：《电子设计工程》2010年02期【摘要】：为避免电路系统在上电或断电后出现计时不准确的异常状况,提出采用高精度时钟芯片DS3231的解决方案。介绍DS3231的特点
2010-04-24 09:01:26
MIKROE-2768，FRAM 2 CLICK Board带有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。铁电随机存取存储器或F-RAM是非易失性的，并且执行类似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
怎么随机存取存储器ram中的存储单元
2023-09-28 06:17:04
什么是静态随机存取存储器？SRAM是由哪些部分组成的？
2021-10-09 08:37:59
字节的静态随机存取存储器。它通过简单的串行接口与微处理器通信。实时时钟/日历提供秒、分、小时、日、月、星期和年的信息。对于少于31天的月份，月末日期会自动调整，包括闰年的更正。时钟以24小时制或12小时制运行，带有上午/下午指示器。3.地址命令字节MSB(位7)必须是逻辑1。如果为0，对DS130
2022-01-17 08:30:02
MT48LC16M16A2P-6A:G是一种高速CMOS动态随机存取存储器，包含268435456位。它内部配置为具有同步接口的四组DRAM（所有信号都记录在时钟信号CLK的正边缘
2023-02-02 13:49:53
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，动态随机存取存储器 16Gb低VDDQ移动低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一种高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
铁电存储器的高精度实时时钟优势分析
2010-12-11 16:34:27
38 DS3234 高精度、SPI总线RTC，集成晶体和SRAM
DS3234是一款低成本、超高精度、采用SPI™总线的实时时钟(RTC)，集成了温度补偿晶体振荡器(TCXO)和晶体
2008-11-27 18:01:342659 
第三十一讲 随机存取存储器
9.3 随机存取存储器9.3.1 RAM的基本结构和工作原理
9.3.2 RAM的存储单元一、
2009-03-30 16:36:571139 
概述随着DS32X35系列产品的发布，Maxim能够提供无需电池的非易失存储器。这些器件采用了铁电随机存取存储器(FRAM)技术，FRAM是非易失存储器，其读/写操作与RAM类似。该系列器
2009-04-17 09:42:43700 
摘要：DS3231/DS3232通过设置温度更新周期，能够在保持较高时钟精度的同时大大降低器件的电流损耗。
概述随着DS3231超高精度、I²C*兼容的集成RTC/TCXO/晶振的
2009-04-21 11:20:331186 
名称 RAM（随机存取存储器） RAM -random access memory 随机存储器 定义 存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无
2010-06-29 18:16:592215 DS3231是低成本、高精度I2C实时时钟(RTC)，具有集成的温补
2010-11-12 09:17:514211 
DS3231M是低成本、高精度I²C实时时钟(RTC)。该器件包含电池输入端，断开主电源时仍可保持精确计时。集成微机电
2010-12-02 09:27:405280 
赛普拉斯半导体公司日前宣布推出新的串行非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)，该存储器具有I2C和SPI接口，可用于仪表、工业和汽车应用
2011-04-06 19:06:011420 QDR联盟日前宣布推出业界最快的四倍数据率(QDR) SRAM(静态随机存取存储器)。这些新型存储器将被命名为QDRII+ Xtreme并将以高达633兆赫兹(MHz)的时钟频率允许
2011-04-27 10:20:321917 Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布，现已在IBM的新生产线上广泛制造其最新铁电随机存取存储器 (F-RAM) 产品的样片FM24C64C具有低功率运作特性，有效电流为100 µA (在100 kHz下)，典型
2011-07-22 09:38:011523 DS1346/DS1347的SPI™兼容的实时时钟(RTC)含有一个实时时钟/日历和31 × 8位静态随机存取存储器(SRAM)。
2011-08-19 09:55:331600 
据美国物理学家组织网近日报道，美国科学家们正在研制一种新的计算机存储设备铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)，其将比现在的商用存储设备更快捷，且比占主流的闪存能耗更低。
2011-10-19 09:47:40725 本文介绍了Maxim的几款实时时钟(RTC)芯片，列出了DS3231、DS3232、DS3234、DS32B35和DS32C35之间的性能差异
2012-04-12 10:50:0914061 DS1339A串行实时时钟(RTC)是一种低功耗时钟/日期有两个可编程定时闹钟和可编程方波输出设备。
2012-08-07 15:09:332880 
所谓「随机访问」，指的是当存储器中的讯息被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置无关。相对的，存取顺序访问（SequenTIal Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系（如磁带）。
2018-06-28 12:17:0011795 美国芯片设计商Rambus宣布与中国存储器解决方案供应商兆易创新（GigaDevice）合作建立一个在中国的合资企业Reliance Memory，以实现电阻式随机存取存储器（RRAM）技术的商业化
2018-05-17 10:34:005566 随机存取存储器（random access memory，RAM）又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存（内存）。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。
2018-05-17 17:04:5819726 本文档的主要内容详细介绍的是STM32同步动态随机存取存储器（SDRAM）的源代码程序资料免费下载
2018-08-31 15:53:3921 随机存取存储器（randomaccessmemory，RAM）又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存（内存）。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。本视频主要介绍了随机存取存储器的最大特点。
2018-11-24 10:59:1143325 随机存取存储器（RAM）特点：包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器），当关机或断电时，其中的 信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存（内存的主体部分），SRAM主要用于高速缓存存储器。
2019-01-07 16:46:4915156 本文档的主要内容详细介绍的是使用DSP进行静态随机存取存储器SRAM的读写实验报告书免费下载。
2019-08-02 17:39:284 我们许多人都知道，随机存取存储器（Random Access Memory，缩写：RAM；也叫主存）是与电脑的中央处理器直接交换数据的内部存储器。
2020-01-13 11:50:271949 新兴的非易失性存储器技术主要有五种类型：闪存（Flash），铁电随机存取存储器（FeRAM），磁性随机存取存储器（MRAM），相变存储器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 因此“内部快取记忆体”应运而生，也就是静态随机存取存储器。它通常以六个联结晶状体所构成，不需要去更新。静态随机存取储存器是计算机系统中最快的存储器，但也是最贵的，也占用了比动态随机存取储存器多三倍的空间。
2020-06-24 15:45:582764 SRAM（Static Random Access Memory），即静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据
2020-07-16 10:44:034771 
铁电存储器（FRAM，ferroelectric RAM）是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器（DRAM）的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。
2020-12-03 11:53:166108 UG-1755：评估ADG5401F故障保护，6Ω随机存取存储器，带0.6kΩ反馈通道的单刀单掷开关
2021-03-23 00:21:254 ADG7421F：低压故障保护和检测，20Ω随机存取存储器，双单掷开关数据表
2021-05-14 18:27:144 中应用最为广泛的消费类电子产品之一。它为人们提供精确的实时时间,或者为电子系统提供精确的时间基准,目前实时时钟芯片大多采用精度较高的晶体振荡器作为时钟源。对于STM32F的RTC实时时钟提供了一个日历时钟，两个可编程闹钟中断和一个具有中断功能的可编程唤醒标
2021-12-04 18:06:0617 字节的静态随机存取存储器。它通过简单的串行接口与微处理器通信。实时时钟/日历提供秒、分、小时、日、月、星期和年的信息。对于少于31天的月份，月末日期会自动调整，包括闰年的更正。时钟以24小时制或12小时制运行，带有上午/下午指示器。3.地址命令字节MSB(位7)必须是逻辑1。如果为0，对DS130
2022-01-18 09:27:051 国产SRAM芯片厂商伟凌创芯EMI7256器件是256Kb串行静态随机存取存储器，内部组织为32K字，每个字8位。最大时钟20MHz，采用最先进的CMOS技术设计和制造，以提供高速性能和低功耗
2022-04-24 15:59:18573 
富士通半导体存储器解决方案有限公司推出12Mbit ReRAM(电阻式随机存取存储器)MB85AS12MT，这是富士通ReRAM产品系列中密度最大的产品。
2022-04-24 16:06:021133 VDSR4M08XS44XX1V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器使用4Mbit。该模块采用VDIC高密度SIP技术制造，由一个SRAM芯片堆叠而成采用CMOS工艺。它被组织为512K×8bit宽的数据接口。可以选择块单独配备专用的#CE。
2022-06-08 14:33:241 VDSR32M322XS68XX8V12-II是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器包含33554332位。该SiP模块采用VDIC非常密集的SiP技术制造，可堆叠八个采用CMOS工艺
2022-06-08 14:27:150 VDSR32M322xS68XX8V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器包含33554332位。该SiP模块采用VDIC非常密集的SiP技术制造，可堆叠八个采用CMOS工艺（6晶体管
2022-06-08 14:24:161 VDSR20M40XS84XX6V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器20Mbit。该芯片采用VDIC高密度SIP技术制造，堆叠六个SRAM芯片，采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）。它被组织为两个256Kx40bit宽的独立块数据接口。可以使用专用的#CSn单独选择每个块。
2022-06-08 14:22:580 VDSR16M32XS64XX4V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器包含16777216位。该SiP模块采用VDIC非常密集的SiP技术制造，可堆叠四个采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）的4-Mbit SRAM芯片。它分为两部分512K x 32位宽数据接口的独立块。
2022-06-08 14:20:001 VDSR16M32XS64XX4C12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器包含6.777.216位。该SiP模块采用VDIC非常密集的SiP技术制造，可堆叠四层采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）的4-Mbit SRAM组。它分为两部分512Kx32bit宽数据接口的独立块。
2022-06-08 14:18:520 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的产品。静态随机存取存储器8.388.608位。它由两个4Mbit的银行组成。
2022-06-08 11:48:581 VDSR4M08XS44XX1C12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器使用4Mbit。该模块采用VDIC高密度SIP技术制造，由一个SRAM芯片堆叠而成采用CMOS工艺。它被组织为512K×8bit宽的数据接口。可以选择块单独配备专用的#CE
2022-06-08 11:47:382 VDMR64M08XS54XX4V35是一款4×16777216位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术，该模具堆叠四个16 Mbit MRAM模具。它被组织为四个2Mx的独立模具8位宽的数据接口。
2022-06-08 10:32:292 VDMR20M40XS84XX5V35是一款5×4194304位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术它被组织为512K x 8bit宽数据接口的五个独立模具。
2022-06-08 10:31:022 VDMR16M08XS54XX4V35是一款4 x 4194304位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SIP制造技术，该设备堆叠4个4-Mbit MRAM模具。它由四个512K x的独立模具组成8位宽的数据接口。
2022-06-08 10:28:211 VDMR16M08XS44XX1V35是一款1 x 16777216位磁阻随机存取存储器。该器件采用VDIC高密度SiP技术制造，可堆叠16 Mbit MRAM芯片。它是有组织的作为一个2M x 8bit宽数据接口的独立模具。
2022-06-08 10:26:541 VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术，该模具堆叠八个1-Mbit MRAM模具。它由八个128K的独立模具组成8比特宽的数据接口。
2022-06-08 10:25:441 VDMR4M08XS44XX4V35是一款4×1048576位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术，该模具堆叠四个1-Mbit MRAM模具。它由四个128K x的独立模具组成8位宽的数据接口。
2022-06-08 10:20:131 VDMR4M08XS44XX1V35是一款4、194、304位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术它被组织为512K x 8bit宽数据接口的一个独立模块。
2022-06-07 16:04:271 VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术它被组织为一个128K x 16位宽数据接口的独立模块。
2022-06-08 10:18:481 W9825G6KH是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），由4M字×4组×16位组成。W9825G6KH提供高达每秒200兆字的数据带宽。为了完全符合个人计算机行业标准，W9825G6KH
2022-09-29 11:42:060 在过去几十年内，易失性存储器没有特别大的变化，主要分为DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器)。它在任何时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质(可称作系统内存)。
2022-11-29 15:56:463115 
，对晶体进行高精度的温度补偿能够提高这些器件的时钟精度。本文列出了几款RTC(DS3231、DS3232、DS3234、DS32B35和DS32C35)的性能差异，帮助用户查找合适的器件。 DS3231 DS3231是一款精密的I²C接口实时时钟，集成了温度补偿晶体振荡器(TCXO)和晶体，以下列出了这
2022-12-11 19:55:071387 主要的非易失性存储器技术包括电池备份SRAM、EEPROM和闪存。FRAM以类似于传统SRAM的速度提供非易失性存储。功能操作类似于串行EEPROM，主要区别在于其在写入和耐用性方面的卓越性能。存储器以I²C接口的速度读取或写入。在写入期间，无需轮询设备以查找就绪条件。
2023-01-11 15:24:35483 
相变随机存取存储器具有低电压操作、编程速度快、功耗小和成本低等特点。
2023-02-01 10:16:15699 在当前计算密集的高性能系统中，动态随机存储器（DRAM）和嵌入式动态随机存取存储器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的动态快速读/写存储器。
2023-02-08 10:14:39547 
实时时钟(RTC: Real-Time Clock)是集成电路，通常称为时钟芯片。目前实时时钟芯片大多采用精度较高的晶体振荡器作为时钟源。
2023-05-08 10:45:451654 
无论是在网飞上看电影、玩电子游戏，还是单纯地浏览数码照片，你的电脑都会定期进入内存获取指令。没有随机存取存储器（RAM），今天的计算机甚至无法启动。
2023-05-30 15:19:55317 ADI是实时时钟(RTC)产品的引领者，已经设计了多款在市场上炙手可热的实时时钟产品，这些产品提供完全集成的高精度、温度补偿RTC方案。多数情况下，RTC的精度主要取决于晶振频率随温度的变化。因此
2023-01-05 14:02:11921 
本文将介绍芯片设计中动态随机存取存储器（DRAM）的相关知识，包括其工作原理、分类以及在现代电子设备中的应用。
2023-10-23 10:07:34820 ，VM）两大类。例如，人们熟知的闪速存储器 ( Flash Memory，简称 Flash）就属于 NVM，静态随机存取存储器 (Static Random Access Memory， SRAM）和动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)则属于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 20世纪70 年代到 90年代中期，动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是异步接口，这样它可以随时响应控制输入信号的变化从而直接影响
2023-11-17 09:26:27382 低功耗双倍速率同步动态随机存取存储器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)简称为 LPDDR，是DDR SDRAM 的一种，由于广泛用于移动
2023-11-21 09:37:36257 
英飞凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，扩展其集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线。这款新产品的设计初衷是为了满足航空和其他极端环境中的高性能计算需求。
2024-01-24 17:11:39359 众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且
2023-09-27 10:00:51
电子发烧友App
工商网监
评论