本内容讲解了氮化镓在射频通信中应用。氮化镓并非革命性的晶体管技术,与现有技术相比，氮化镓(GaN)的优势在于更高的漏极效率、更大的带宽、更高的击穿电压和更高的结温操作
2011-12-12 15:19:28
1774 氮化镓、MMIC、射频SoC以及光网络技术的并行发展共同助力提高设计和成本效率。5G的出现促使人们重新思考从半导体到基站系统架构再到网络拓扑的无线基础设施。在半导体层面上，硅基氮化镓的主流商业化
2019-07-31 07:47:23
无线传输技术都有哪些，各有什么优缺点，新手求助
2012-11-07 11:12:07
无线耳机分成哪几种类型？调频无线耳机的技术原理是什么？有什么优缺点？红外无线耳机的技术原理是什么？有什么优缺点？
2021-06-16 08:04:06
，以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。
因此，氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面，氮化镓还被用于蓝光激光技术（最明显
2023-06-15 15:50:54
从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
封装技术的效率。三维散热是GaN封装的一个很有前景的选择。
生活更环保
为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会
2019-03-14 06:45:11
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域，随着技术的进步以及人们的需求，氮化镓产品已经走进了我们生活中，尤其在充电器中的应用逐步布局开来，以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
的选择。 生活更环保 为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会，使其在高电压应用中的贡献远远超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
，并且顺丰包邮。 2022 年 5 月 15 日，联想官方在电商平台发起氮化镓快充价格战，YOGA 65W 双口 USB-C 氮化镓充电器到手价仅需 59.9元。这是一款正儿八经的大功率氮化镓充电器
2022-06-14 11:11:16
现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了，氮化镓充电器看起来很小，但是功率一般很大，可以给手机平板，甚至笔记本电脑充电。那么氮化镓到底是什么，氮化镓充电器有哪些优点，下文简单做个分析。一、氮化镓
2021-09-14 08:35:58
相信最近关心手机行业的朋友们都有注意到“氮化镓（GaN）”，这个名词在近期出现比较频繁。特别是随着小米发布旗下首款65W氮化镓快充充电器之后，“氮化镓”这一名词就开始广泛出现在了大众的视野中。那么
2025-01-15 16:41:14
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
% 的峰值效率，以及 19dB 的增益。在无线基站市场，该性能使得氮化镓可以撼动LDMOS在基站功率放大器领域几十年来的主导地位，并对基站性能和运营成本产生了深远的影响。氮化镓提供的显著技术优势(包括能源效率
2017-08-15 17:47:34
的关键时刻。硅基氮化镓相比于LDMOS技术的性能优势已经过验证，这推动了其在最新一代4G LTE基站中广泛应用，并使其定位为最适合未来5G无线基础设施的实际促技术，其轰动性市场影响可能会远远超出手机连接领域
2018-08-17 09:49:42
ADC技术有哪些分类？优缺点是什么？
2021-10-18 08:36:19
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
LED技术的优缺点介绍
2021-01-01 06:05:25
电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革，特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动，这将对无线
2017-08-30 10:51:37
可以做得更大，成长周期更短。MACOM现在已经在用8英寸晶圆生产氮化镓器件，与很多仍然用4英寸设备生产碳化硅基氮化镓的厂商不同。MACOM的氮化镓技术用途广泛，在雷达、军事通信、无线和有线宽带方面都有
2017-09-04 15:02:41
是硅基氮化镓技术。2017 电子设计创新大会展台现场演示在2017年的电子设计创新大会上，MACOM上海无线产品中心设计经理刘鑫表示，硅衬底有一些优势，材料便宜，散热系数好。且MACOM在高性能射频领域
2017-07-18 16:38:20
MIMO的主要技术有哪几种？它们有什么优缺点？MIMO技术在3G中的应用是什么？
2021-05-26 06:29:49
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
`UWB室内定位技术原理及优缺点室内定位技术在现今市场正处于蓬勃发展的状态，除了常见的蓝牙、WIFI、地磁等，UWB技术也极为重要，而它的定位原理和优缺点分别是什么呢？什么是UWB技术？UWB技术
2021-02-14 22:07:42
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
，在半桥拓扑结构中结合了频率、密度和效率优势。如有源钳位反激式、图腾柱PFC和LLC。随着从硬开关拓扑结构到软开关拓扑结构的改变，初级FET的一般损耗方程可以最小化，从而提升至10倍的高频率。
氮化镓功率芯片前所未有的性能表现，将成为第二次电力电子学革命的催化剂。
2023-06-15 15:53:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化镓相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度。此外，氮化镓比硅基半导体器件，可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
。[color=rgb(51, 51, 51) !important]在5G的关键技术Massive MIMO应用中，基站收发信机上使用大数量（如32/64等）的阵列天线来实现了更大的无线数据流量和连接可靠性
2019-07-08 04:20:32
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
如何带工程师完整地设计一个高效氮化镓电源，包括元器件选型、电路设计和PCB布线、电路测试和优化技巧、磁性元器件的设计和优化、环路分析和优化、能效分析和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品？
2021-06-15 06:30:55
手持式无线电中。因此，供应商相信手机中将来也会用上氮化镓器件。商业应用虽然已经用在了基站里面，但普通手机要用上射频氮化镓技术，还需要等待很长的时间。一方面，移动运营商正在竭力满足爆炸式增长的数据流量需求。根据
2016-08-30 16:39:28
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
阻碍业界在各种应用中采纳氮化镓器件，例如氮化镓器件不仅使能激光雷达应用，而且在硅MOSFET以前占据主导地位的传统应用中，如数据中心和车载电子，也逐渐转用氮化镓器件。本文将揭穿关于氮化镓技术的最常见误解
2023-06-25 14:17:47
物联网无线连接技术有哪些？以太网、串口通信技术、Modbus、GPRS、NFC、 LoRa有哪些优缺点？
2021-06-16 07:25:23
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
红外与蓝牙技术有什么不同？有什么优缺点？
2021-06-02 07:08:04
的应用，但是人们对于蓝牙技术并没有过多的认识，除了在手机蓝牙的传输功能与语音功能的应用外，对于无线打印机、无线会议等蓝牙应用没有足够的认识。因此，在未来的蓝牙技术发展中，应对蓝牙技术进行宣传，将成
2020-06-23 14:51:49
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
现在氮化镓材料技术比较成熟，芯源的MOS管也是用的氮化镓材料技术嘛？
2025-11-14 07:25:48
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
nfc技术参数及优缺点分析。nfc近场通信技术，又称近距离无线通信，是一种短距离的高频无线通信技术，允许电子设备之间进行非接触式点对点数据传输（在十厘米内）交换数据。
2017-12-13 17:34:1427827 随着氮化镓（GaN）技术在射频（RF）中的应用逐渐增多以及LTE基站在中国的广泛部署，射频氮化镓的市场规模在2015年增长将近50%。
2018-04-23 11:53:001610 物联网应用已经深入我们生活，方方面面都能出现物联网项目应用。那么，物联网无线连接技术有哪些呢？本文以6类无线技术为例，深刻分析各类优缺点。
2019-01-21 10:00:196207 氮化镓功率器件及其应用(四)TI氮化镓器件在无桥PFC设计中的应用(下)
2019-04-03 06:20:003498 
氮化镓功率器件及其应用(三)TI氮化镓器件在无桥PFC设计中的应用(上)
2019-04-03 06:14:005722 
氮化镓是一种新型半导体材料，它具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性，在早期广泛运用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信，被誉为第三代半导体材料。随着技术突破成本得到控制，目前氮化镓还被广泛运用到消费类电子等领域，充电器便是其中一项。
2020-04-08 17:28:3383364 现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了，氮化镓充电器看起来很小，但是功率一般很大，可以给手机平板，甚至笔记本电脑充电。那么氮化镓到底是什么，氮化镓充电器有哪些优点，下文简单做个分析。一、氮化镓
2021-11-07 13:36:00
43 本文重点讨论氮化镓功率器件在阵列雷达收发系统中的应用。下面结合半导体的物理特性，对氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的特点加以说明。
2022-04-24 16:54:336942 
氮化镓不仅受到近距离无线充电的欢迎，比如高合汽车采用GaN无线充电，而且远距离无线输电也在采用氮化镓技术。
2022-12-08 11:50:013286 什么是氮化镓技术 氮化镓（GaN：Gallium Nitride）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子
2023-02-03 14:14:454122 氮化镓工艺技术是什么意思？ 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度
2023-02-05 10:24:522352 样的背景下，一种新型的功率半导体——氮化镓（GaN）的出现，那么氮化镓工艺优点和缺点有哪些呢？ 氮化镓是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，该化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3．4电子伏特，
2023-02-05 11:31:314543 氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体，也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外，氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键，该化学键产生的能隙达到3.4 电子伏特。
2023-02-05 15:38:1810907 
硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 15:47:337276 
硅基氮化镓是一个正在走向成熟的颠覆性半导体技术，硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 16:44:264975 
氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓
2023-02-09 16:59:577656 
3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。
2023-02-12 17:32:164700 硅基氮化镓技术原理是指利用硅和氮化镓的特性，将其结合在一起，形成一种新的复合材料，以满足电子元件、电子器件和电子零件的制造要求。硅基氮化镓具有良好的热稳定性和电磁屏蔽性，可以用于制造电子元件、电子器件和电子零件，而氮化镓则可以提供良好的电子性能和绝缘性能。
2023-02-14 14:46:582278 硅基氮化镓充电器是一种利用硅基氮化镓材料作为电池正极材料的充电器，具有高功率密度、高安全性和高可靠性等优点。
2023-02-14 15:41:074637 氮化镓属于第三代半导体材料，相对硅而言，氮化镓间隙更宽，导电性更好，将普通充电器替换为氮化镓充电器，充电的效率更高。
2023-02-14 17:35:509676 氮化镓技术是谁突破的技术 作为支撑“新基建”建设的关键核心器件，氮化镓应用范围非常广泛，氮化镓在数据中心，新能源汽车等领域都有运用。那么这么牛的氮化镓技术是谁突破的技术？ 氮化镓技术是谁突破的技术
2023-02-16 17:48:445869 氮化镓功率器件是一种用于控制电子设备功率的器件，它可以提供高效率、低噪声和高稳定性的功率控制。它们可以用于控制电源、电池充电器、电源管理系统、电源调节器、电源滤波器等应用。
2023-02-19 17:20:4811086 
氮化镓可以取代砷化镓。氮化镓具有更高的热稳定性和电绝缘性，可以更好地抵抗高温和电磁干扰，因此可以替代砷化镓。
2023-02-20 16:10:1429358 本文档介绍了D类音频功放的典型设计，概述了氮化镓器件在D类音频功放中的基础应用，并简单介绍了氮化镓器件在D类音频功放设计中，相较于硅基器件所带来的优势。
2023-04-19 10:23:466814 
、显示等领域。 2. 激光器：氮化镓可制成激光器器件，用于通信、材料加工等领域。 3. 太阳能电池：氮化镓可用于制造高效率的太阳能电池。 4. 无线通讯：氮化镓的高频特性使其成为高速无线通讯的理想材料。 5. 集成电路：氮化镓可制成高性能的微波射频
2023-06-02 15:34:4613934 相对于传统的硅材料，氮化镓电源在高功率工作时产生的热量较少，因为氮化镓具有较低的电阻和较高的热导率。这意味着在相同功率输出下，氮化镓电源相对于传统的硅电源会产生较少的热量。
2023-07-31 15:16:2310675 氮化镓功率器以氮化镓作为主要材料，具有优异的电特性，例如高电子迁移率、高饱和漂移速度和高击穿电场强度。这使得氮化镓功率器具有低导通电阻、高工作频率和高开关速度等优势，能够在较小体积下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:561030 随着科学技术的不断进步，电力电子设备的应用越来越广泛，而氮化镓（GaN）材料在提高能源效率方面发挥着重要作用。本文将讨论氮化镓材料的特性，氮化镓在电力电子设备中的应用，以及氮化镓解决方案如何实现更高的能效。
2023-10-13 16:02:051619 
不，氮化镓功率器（GaN Power Device）与电容是不同的组件。氮化镓功率器是一种用于电力转换和功率放大的半导体器件，它利用氮化镓材料的特性来实现高效率和高功率密度的电力应用。
2023-10-16 14:52:442510 氮化镓芯片是什么？氮化镓芯片优缺点 氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片是一种用氮化镓物质制造的芯片，它被广泛应用于高功率和高频率应用领域，如通信、雷达、卫星通信、微波射频等领域。与传统的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011012 随着科技的发展，电子产品已经成为了我们生活中的必需品。而为了保持这些产品的正常运行，需要一种高效、快速、安全的充电方式。氮化镓充电器就是一种基于氮化镓半导体材料的先进充电技术。下面我们将详细介绍氮化
2023-11-24 10:57:4610261 
的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下，产生紫光(405nm)激光。 GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为17
2023-11-24 11:05:117185 氮化镓（GaN）MOS管是一种基于氮化镓材料的金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）。它具有许多优点和局限性，下面将详细介绍这些优点和局限性。 优点： 高电子流动性：氮化镓具有很高的电子流
2024-01-09 17:26:4911222 、电子设备领域： 1.1 功率放大器：氮化镓技术在功率放大器的应用中具有重要的意义。相比传统的硅基功率放大器，氮化镓功率放大器具有更高的功率密度、更高的效率和更宽的频率范围。因此，它们广泛用于射频通信、雷达、无线电和太赫
2024-01-09 18:06:363962 随着信息技术和通信领域的不断发展，对高性能芯片的需求也越来越大。作为半导体材料中的重要组成部分，氮化镓芯片因其优异的性能在近年来受到了广泛关注。本文将详细介绍氮化镓芯片的基本原理及其应用领域，并
2024-01-10 09:25:573843 氮化镓芯片（GaN芯片）是一种新型的半导体材料，在目前的电子设备中逐渐得到应用。它以其优异的性能和特点备受研究人员的关注和追捧。在现代科技的进步中，氮化镓芯片的研发过程至关重要。下面将详细介绍氮化镓
2024-01-10 10:11:392150 氮化镓（GaN）芯片是一种新型的功率半导体器件，具有很多优点和一些缺点。以下是关于氮化镓芯片的详细介绍。 优点： 1.高频率特性：GaN芯片具有优秀的高频特性，可以实现高频率工作，适合用于射频和微波
2024-01-10 10:16:526207 本文要点氮化镓是一种晶体半导体，能够承受更高的电压。氮化镓器件的开关速度更快、热导率更高、导通电阻更低且击穿强度更高。氮化镓技术可实现高功率密度和更小的磁性。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)是两种
2024-07-06 08:13:181988 
GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）作为一种先进的功率半导体器件，在电力电子、高频通信、汽车电子等多个领域展现出了显著的优势，但同时也存在一些缺点。以下是对GaN HEMT优缺点的详细分析：
2024-08-15 11:09:204135
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