科锐首席执行官Gregg Lowe表示：“英飞凌具有很好的美誉度，是我们长期且优质的商业伙伴。这项协议的签署，体现了科锐SiC碳化硅晶圆片技术的高品质和我们的产能扩充，同时将加速SiC碳化硅基方案更为广泛的采用，这对于实现更快、更小、更轻、更强大的电子系统至关重要。”
2018-04-04 09:00:59
7450 电子发烧友讯 11月20日消息，科锐（Cree）和意法半导体（ST）将多年的碳化硅晶圆供应协议扩展至超过5亿美元。该扩展使Cree先进的150mm碳化硅裸片和外延片原始协议的价值翻了一番，并将在几年
2019-11-20 10:04:106045 的各种碳化硅（SiC）材料的供应安全。 据了解，碳化硅是高效而强大的功率半导体，尤其是光伏、工业电源和电动汽车充电基础设施等领域半导体不可或缺的基础材料。双方达成的这一协议意味着，为满足日益增长的半导体需求，英飞凌给必不可少的SiC基材争取到更多的回旋余地。 该公司工业
2021-05-07 10:58:401576 10月21日，正海集团有限公司（以下简称：正海集团）和全球领先的碳化硅芯片/模组供应商ROHM Co., Ltd.（以下简称：罗姆）在上海市闵行区召开合资公司发布会。
2021-10-23 08:00:002527 碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点，被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14
的正向损耗小。 (2)碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如，商用的硅肖特基的电压小于300V，而第一个商用的碳化硅肖特基二极管的击穿电压已达到600V。 (3)碳化硅有高的热导率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
2020年初与罗门子公司SiCrystal就SiC晶圆供应达成了协议，仅举出一些战略举措。这一战略对意法半导体来说非常有效，因此意法半导体成为快速增长的SiC市场的关键参与者。为了不只流口水，现在让我们
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
本帖最后由 ewaysqian 于 2024-2-21 14:26 编辑
碳化硅MOS具有宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻和抗辐射性能等独特特点，在电子器件领域有着
2022-02-17 14:36:16
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、载流子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点，可以用来制造
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅压敏电阻的主要特点自我修复。用于空气/油/SF6 环境。可配置为单个或模块化组件。极高的载流量。高浪涌能量等级。100% 活性材料。可重复的非线性特性。耐高压。基本上是无感的。碳化硅圆盘压敏电阻每个
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高达1400℃的温度下，仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。碳化硅化学和物理稳定性，碳化硅的硬度和耐腐蚀性均较高。是陶瓷材料中高温强度好的材料
2021-01-12 11:48:45
精细化，集成化方向发展。 在新技术驱动下，汽车电子行业迎来新一轮技术革命，行业整体升级。在汽车大量电子化的带动之下，车用电路板也会向上成长。车用电路板稳定订单和高毛利率的特点吸引诸多碳化硅基板从业者
2020-12-16 11:31:13
碳化硅的颜色，纯净者无色透明，含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝，浅绿等色，少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射，在紫外光下发黄、橙黄色光，无
2019-07-04 04:20:22
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用，如汽车制动器和离合器，以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备，如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
明显优势，可以用来做成高耐压的肖特基二极管，目前650V-1700V碳化硅肖特基二极管在消费、工业、汽车、军工等领域有广泛应用。 03 碳化硅肖特基二极管结构简析 肖特基二极管：以金属为阳极，以N
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使功率半导体器件效率更高，运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
用于一些高压、高温、高效率及高功率密度的应用场合。碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性，开始受到人们的关注和研究。自从碳化硅1824年被瑞典科学家Jns Jacob Berzelius发现以来，直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
）法”和“氨热法”。“Na Flux（钠助溶）法”的优势是可使晶圆实现较大的尺寸、较高的质量；“氨热法”的优势是可提高晶圆质量。二者融合后，可以获得比碳化硅成本更低的的氮化镓晶圆。据森教授表示，使用由
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
组件来实现产品设计。也因为消费性市场存在可观的潜在需求，相较于碳化硅组件基本上是整合组件制造商(IDM)的天下，氮化镓制程已经吸引台积电等晶圆代工业者投入。不过，氮化镓阵营的业者也有问鼎大功率
2021-09-23 15:02:11
大功率适配器为了减小对电网的干扰，都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器，基本也离不开碳化硅二极管，第三代半导体材料几乎都是同时出现，强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极管
2023-02-22 15:27:51
的平行引导，整个封装的换向电感为15nH。 这使得 SEMITRANS 3 非常适合使用中等开关速度和高达 25 kHz 频率的中功率和高功率碳化硅设计。全碳化硅半桥拓扑结构的额定电流为 350A
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。 该器件将传统
2023-02-28 16:48:24
通时由电容驱动的栅极 - 源极电压，其源于半桥配置中第二个碳化硅MOSFET的高dv/dt开关。 硅MOSFET设计中在此类问题一般可以通过栅极驱动器和硅MOSFET栅极之间插入一个高阻值电阻，或找到
2023-03-14 14:05:02
家族中的新成员。 相较于前两代二极管，基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管在沿用6英寸晶圆工艺基础上，实现了更高的电流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向导通压降。 基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管继承
2023-02-28 17:13:35
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
，导通电阻更低；碳化硅具有高电子饱和速度的特性，使器件可工作在更高的开关频率；同时，碳化硅材料更高的热导率也有助于提升系统的整体功率密度。碳化硅器件的高频、高压、耐高温、开关速度快、损耗低等特性，使电力
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
晶圆由 Wolfspeed 提供，图片由 Wolfspeed 提供另一家电源开关和射频设备领域的领先企业 Wolfspeed 正在莫霍克河谷为基于碳化硅的元件建造一个200毫米的晶圆制造厂。这家
2022-07-07 11:34:54
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面，具体如下
2023-02-27 16:03:36
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系统可靠性大大增强，稳定的超快速本体二极管，因此无需外部续流二极管。三、碳化硅半导体厂商SiC电力电子器件的产业化主要以德国英飞凌、美国Cree公司、GE、ST意法半导体体和日本罗姆公司、丰田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
具体来说，在新能源发电系统中，采用碳化硅技术能够达到的更高的效率意味着其能够更早地替代传统的石化燃料发电。英飞凌为光伏串组串逆变器的升压和逆变部分提供量身定制的模块系列，可以提升的逆变器效率和性能。在充电桩应用中，英飞凌的全碳化硅解决方案大幅提升功率密度，从而使充电设备变得更加轻巧便捷。
2018-05-04 09:05:019155 科锐（Nasdaq: CREE）宣布与意法半导体（NYSE: STM）签署多年协议，将为意法半导体STMicroelectronics生产和供应Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圆片。
2019-01-14 15:24:583929 科锐（Nasdaq: CREE）宣布与意法半导体（NYSE: STM）签署多年协议，将为意法半导体STMicroelectronics生产和供应Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圆片。
2019-01-15 10:26:284098 第三代半导体材料碳化硅的发展在功率器件市场成为绝对的焦点。全球功率器件龙头厂商英飞凌持续投入碳化硅器件的研发生产，并打入多个应用市场。日前，在英飞凌科技举办的媒体见面会上，该公司大中华区工业功率控制事业部副总裁于代辉和工业功率控制事业部总监马国伟博士介绍了英飞凌碳化硅SiC市场的最新进展。
2019-07-02 16:33:216460 意法半导体与罗姆集团旗下的SiCrystal公司签署一了份碳化硅（SiC）晶圆长期供应协议。
2020-01-17 09:07:481306 英飞凌科技股份公司与GT Advanced Technologies（GTAT）已经签署碳化硅（SiC）晶棒供货协议，合同预期五年。
2020-11-13 11:48:48992 随着新能源汽车的逐渐升温，碳化硅摩拳擦掌，似乎要挑战逆变器功率器件IGBT 的霸主地位。市场方面，领头羊 CREE 与大众等数家公司签署长期供货协议，并于 2019 年宣布未来 5 年投资 10
2020-12-07 14:15:093691 来源：中国电子报 日前，国际碳化硅大厂安森美宣布，其在捷克Roznov扩建的碳化硅工厂落成，未来两年内产能将逐步提升。另一家碳化硅大厂Wolfspeed也表示将在美国北卡罗来纳州建造一座价值数十
2022-10-08 17:02:25873 意法半导体将于意大利兴建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）衬底制造厂，以支持意法半导体客户对汽车及工业碳化硅组件与日俱增的需求，协助其向电气化迈进并达到更高效率。新厂预计2023年开始投产，以实现碳化硅衬底的供应在对内采购及行业供货间达到平衡。
2022-10-08 17:04:031350 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF 解决方案的领先供应商 Qorvo, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）与半导体晶圆制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，双方已签署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供应协议。
2022-11-09 10:53:29550 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物
2023-02-02 14:50:021981 碳化硅技术龙头企业 碳化硅市场格局 碳化硅产业链分为SiC衬底、EPI外延片、器件、模组等环节，目前全球碳化硅市场基本被国外垄断，根据Yole数据显示，Cree、英飞凌、罗姆约占据了90％的SiC
2023-02-02 15:02:543931 当地时间12日，英飞凌宣布，正在扩大与碳化硅（SiC）供应商合作，已与Resonac签署一份新采购合作长单，补充并扩大了双方2021年签订的合同。
2023-02-02 15:19:54230 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 【 2023 年 02 月 09 日，德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）持续扩大与碳化硅（SiC）供应商的合作。英飞凌是一家总部位于德国的半导体
2023-02-09 17:51:29535 
中国规模较小的碳化硅（SiC）供应链参与者将发现2023年是其相对艰难的一年。
2023-02-13 12:48:291143 英飞凌科技持续扩大与碳化硅（SiC）供应商的合作。英飞凌是一家总部位于德国的半导体制造商，此次与Resonac Corporation（原昭和电工）签署了全新的多年期供应和合作协议。
2023-02-17 09:31:15198 碳化硅模块上车高湿测试 2021年碳化硅很“热”。比亚迪 半导体 、派恩杰、中车时代电气、基本半导体等国内碳化硅功率器件供应商的产品批量应用在汽车上，浙江金华、安徽合肥等地碳化硅项目开始
2023-02-21 09:26:45
2 意法半导体（ST）宣布与采埃孚科技集团公司(ZF)签署碳化硅器件长期供应协议。从 2025 年起，采埃孚将从意法半导体采购碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51931 援引英飞凌科技股份公司2023年5月3日官网消息： 【英飞凌公司正推动其碳化硅（SiC）供应商体系多元化，并与中国碳化硅材料供应商北京天科合达半导体股份有限公司签订了一份长期供货协议，以确保获得更多
2023-05-04 14:21:06438 点击蓝字 关注我们 智能电源和智能感知技术的领导者 安森美 （ onsemi ，美国纳斯达克上市代号：ON）和豪华智能纯电品牌 极氪智能科技 （ ZEEKR ）宣布双方签署长期供应协议（LTSA
2023-05-11 20:16:29276 
电气化的强劲增长 除了产能投资外，两家公司还将在进一步 优化主驱逆变器系统 方面达成合作 纬湃科技（Vitesco Technologies） 和 安森美（onsemi） 今天宣布了一项价值19亿美元（17.5亿欧元）的 碳化硅产品10年期供应协议 ，以实现纬湃科技在电气化技术方面的提升。纬
2023-06-02 19:55:01348 
纬湃科技首席执行官Andreas Wolf说：“高能效碳化硅功率半导体正处于需求量激增的起步阶段。因此我们必须与安森美一起打造完整的碳化硅价值链。通过这项投资，我们在未来十年甚至更长时间内都能确保该项关键技术的供应。”
2023-06-06 15:03:47602 
近日，德国碳化硅大厂——英飞凌透露，他们正在考虑去美国建工厂。而此前，另一家德国碳化硅企业——博世也宣布去美国生产碳化硅。
2023-06-16 11:39:44124 
长达 10 年的供应协议要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞萨电子供应规模化生产的 150mm 碳化硅裸晶圆和外延片，这将强化公司致力于从硅向碳化硅半导体功率器件产业转型的愿景。
2023-07-06 10:36:37277 协议。英飞凌将建设并保留向现代/起亚供应碳化硅及硅功率模块和芯片的产能直至 2030 年。现代/起亚将出资支持这一产能建设和产能储备。 英飞凌与现代汽车和起亚签署了碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半导体长期供货协议 现代汽车集团执行副总裁兼全球战略办公室（GSO）负责人 Heung Soo
2023-11-09 14:07:51177 
第三代半导体碳化硅材料生产及研究开发企业作为中国电科集团的“12大创新平台之一，山西烁科晶体有限公司聚焦碳化硅单晶衬底领域，已成为国内实现碳化硅衬底材料供应链自主创新的供应商之一。
2023-12-11 10:46:37464 12 月 22 日消息，据意法半导体官微消息，该公司与理想汽车签署了一项碳化硅（SiC）长期供货协议。
2023-12-24 10:35:24564 2023年5月，英飞凌与天科合达签订了长期协议，以确保获得更多而且具有竞争力的碳化硅材料供应。天科合达主要为英飞凌供6英寸的碳化硅衬底，同时还将提供8英寸碳化硅材料，助力英飞凌向8英寸SiC晶圆的过渡。
2024-01-11 16:38:33388 
英飞凌与韩国SK Siltron子企业SK Siltron CSS最近达成了一项重要协议。根据该协议，SK Siltron CSS将为英飞凌提供6英寸碳化硅（SiC）晶圆，以支持英飞凌在SiC半导体生产方面的需求。
2024-01-17 14:08:35228 ）与全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed 公司（美国纽约证券交易所上市代码：WOLF）于今日宣布扩大并延伸现有的长期 150mm 碳化硅晶圆供应协议（原先的协议签定于 2018 年 2 月）。
2024-01-24 09:51:01240 英飞凌和美国碳化硅制造商Wolfspeed近日共同发表声明，延长并扩大了已于2018年2月签订的150毫米碳化硅晶圆长期供应合同。该合作内容还包含了一份多年的产能预留协议。
2024-01-24 14:26:31303 英飞凌科技（Infineon Technologies）与美国半导体制造商Wolfspeed近日宣布，双方将扩大并延长现有的晶圆供应协议。这一协议的扩展将进一步加强英飞凌与Wolfspeed之间的合作关系，以满足市场对碳化硅（SiC）晶圆产品日益增长的需求。
2024-01-24 17:19:52441 为了满足不断增长的碳化硅器件需求，我们正在落实一项多供应商战略，从而在全球范围内保障对于 150mm 和 200mm 碳化硅晶圆的高品质、长期供应优质货源
2024-01-25 11:13:5583 1月23日，山东有研硅半导体表示已与山东粤海金于1月17日正式签署了《碳化硅衬底片业务合作协议》，该协议旨在充分发挥双方各自优势，创新业务合作模式，共同拓展碳化硅衬底片市场与客户。
2024-01-29 14:36:57459 技术领域的领导者Wolfspeed（NYSE代码：WOLF）近日宣布扩展并延长双方最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。经过此次扩展，双方的合作又新增了一项多年期产能预订协议。这不仅有助于提升英飞凌总体供应链的稳定性，还能帮助满足汽车、太阳能和电动汽车应用以及储
2024-01-30 14:19:1677 
协议。这份协议最初签订于2018年2月（当时Wolfspeed以Cree的名字为人所知）。扩展的合作包括一个多年的产能预留协议。这对英飞凌的供应链稳定性至关重要，也考虑到了碳化硅半导体产品在汽车、太阳能、电动车（EV）应用以及能源存储系统越来越大的需求。 英飞凌的
2024-01-30 17:06:00180 
英飞凌科技与Wolfspeed近日宣布，将扩展并延长双方最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。这一合作旨在满足不断增长的市场需求，并提升英飞凌供应链的稳定性。
2024-01-31 17:31:14442 英飞凌科技与Wolfspeed宣布，将扩展并延长他们最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。经过这次扩展，双方的合作新增了一项多年期产能预订协议。这一合作不仅有助于提升英飞凌总体供应链的稳定性，还能满足汽车、太阳能和电动汽车应用以及储能系统对碳化硅半导体产品日益增长的需求。
2024-02-02 10:35:33334 近日，国内领先的半导体企业芯动半导体与国际知名半导体供应商意法半导体成功签署碳化硅（SiC）芯片战略合作协议。这一协议的达成，标志着双方在SiC功率模块领域的合作迈出了坚实的一步，将共同推动SiC芯片在新能源汽车市场的广泛应用。
2024-03-15 09:44:43100 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近期国内碳化硅衬底供应商陆续获得海外大厂的订单，4月底，天岳先进在2022年年报中披露去年公司与博世集团签署了长期协议，公司将为博世供应碳化硅衬底产品
2023-05-06 01:20:002328 
上涨。 近期，包括罗姆、安森美、Wolfspeed、博世、三安光电、天岳先进等国内外企业纷纷披露碳化硅项目最新进展，其中多起投资金额超百亿元人民币。就在这几日，市场消息显示，瑞萨电子与Wolfspeed签署10年碳化硅晶圆供应协议，碳化
2023-07-07 01:15:00943 碳化硅衬底长期供货协议。ST还与三安合资建设碳化硅器件工厂，并由三安配套供应碳化硅衬底。 另一方面产能扩张速度也较快，今年以来国内碳化硅衬底产能逐步落地，多家厂商的扩产项目都在2023年实现量产或是在产能爬坡过程中。与之
2024-01-08 08:25:342171 
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