功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-25 11:27:53
晶体管参数测量技术报告摘 要晶体管的参数是用来表征管子性能优劣和适应范围的指标，是选管的依据。为了使管子安全可靠的工作，必须注意它的参数。本文主要论述以AduC812为核心的晶体管参数测试系统，该系
2012-08-02 23:57:09
小日本写的晶体管电路设计（上下册）两本书非常不错，我已经全部看完了才来发帖的，非常不错，语言非常朴实。
2012-09-02 23:32:49
晶体管电路设计
2012-10-25 10:14:21
从事电子设计7年了，发觉这两本书挺好的，发上来给大家分享一下附件晶体管电路设计（上）放大电路技术的实验解析.pdf42.5 MB晶体管电路设计（下）FET_功率MOS_开关电路的实验解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不错的晶体管电路设计书籍！`
2016-11-08 14:12:33
《晶体管电路设计与制作》是“图解实用电子技术丛书”之一。本书首先对各种模拟电路的设计和制作进行详细叙述；然后利用可在微机上使用的模拟器“SPICE”对设计的结果进行模拟。《晶体管电路设计与制作》中介
2018-01-15 12:46:03
的设计，运算放大电路的设计与制作。下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。本书面向实际需要，理论联系实际，通过大量具体的实验，通俗易懂地介绍晶体管电路设计的基础知识。1．1 学习晶体管电路
2009-11-20 09:41:18
列出使用VBE的测试方法。VBE测定法 硅晶体管的情况下 基极-发射极间电压：VBE根据温度变化。图1. 热电阻测量电路由此，通过测定VBE，可以推测结温。通过图1的测定电路，对晶体管输入封装功率：PC
2019-04-09 21:27:24
课题：晶体管β参数测试电路的设计要求用Proteus仿真，采用适当的A/D芯片，最好串行转换，液晶显示。已尝试用发光二级管显示档位的方法，如图，但是仿真不出来。请大神们指导一下，万分感谢!
2019-11-30 18:30:55
晶体管交直流参数对电路设计的影响是什么？
2021-04-23 06:25:38
什么是电阻测量法？晶体管共发射极电路特点有哪些？
2021-09-27 08:33:35
及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。 按电流容量分类 晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管按工作频率分类 晶体管按
2010-08-12 13:59:33
` 《晶体管电路设计（下）》是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管／FET电路设计技术的基础知识和基本实验，内容包括FET放大电路、源极跟随器电路、功率
2019-03-06 17:29:48
= Ib(1+β)Re,根据欧姆定律,电路的输入阻抗为Vi/Ib=Ib(1+β)Re/Ib=Re(1+β)。从此式可见电路的输入阻抗是Re的1+β倍，电路的输出阻抗等于Rc与Re的并联总阻抗.经上述分析得出结论：晶体管射随电路具有较高的输入阻抗和较低的输出阻抗。思维稿
2009-09-17 08:33:13
一、晶体管开关电路：是一种计数地接通-断开晶体管的集电极-发射极间的电流作为开关使用的电路，此时的晶体管工作在截止区和饱和区。当需要输出大的负载电流时，由于集电极电流(负载电流)是放大基极电流而来
2021-10-29 09:25:31
，发射极E接红表笔；PNP管的集电极C接红表笔，发射极E接黑表笔。正常时，锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10Kω（用R×100档测，电阻值大于2kΩ），锗大功率晶体管的电阻值为1.5k
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改变晶体管的放大倍数？有的器件有放大倍数改变的参数。另外，不同的仿真模型参数不同如何改变？
2014-02-28 08:42:03
在合理设置静态工作点和输入为交流小信号的前提下，晶体管可等效为一个线性双端口电路。如图Z0212所示。 晶体管的端口电压和电流的关系可表示为如图Z0213所示。 h 参数
2021-05-13 07:56:25
IC一般不能超出ICM。(3) 集电极最大允许功耗PCMPCM是指晶体管参数变化不超出规定允许值时的最大集电极耗散功率。使用晶体管时，实际功耗不允许超过PCM，通常还应留有较大余量，因为功耗过大往往是
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分类主要以最大额定值的集电极功率PC进行区分的方法。大体分为小信号晶体管和功率晶体管，一般功率晶体管的功率超过1W。ROHM的小信号晶体管可以说是业界第一的。小信号晶体管最大
2019-04-10 06:20:24
相关的参数，以及双极晶体管的集电极-发射极相关的参数。 基本工作特性比较 这三种晶体管的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相对于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作开关，因此一般尽量在Vce/Vds较低的条件下使用。这是在使用的电路条件下，探讨哪种晶体管最适合时的代表特性之一。
2020-06-09 07:34:33
，MOSFET中有称为“导通电阻”的参数，尤其是处理大功率时是重要的特性。但双极晶体管中没有“导通电阻”这个参数。世界上最早的晶体管是双极晶体管，所以可能有人说表达顺序反了，不过近年来，特别是电源电路中
2018-11-28 14:29:28
100V到700V，应有尽有．几年前，晶体管的开关能力还小于10kW。目前，它已能控制高达数百千瓦的功率。这主要归功于物理学家、技术人员和电路设计人员的共同努力，改进了功率晶体管的性能。如(1)开关晶体管
2018-10-25 16:01:51
得到了晶体管的h参数后，就可以画出晶体管的线性等效电路，图Z0214是晶体管的h参数等效电路。 关于h参数等效电路，应注意以下几点： （1）电压的参考极性为上正下负，电流的参考正方向是流入为正
2021-05-25 07:25:25
晶体管的电参数可分为哪几种？晶体管的电参数在实际使用中有何意义？
2021-06-08 06:11:12
功率、集电极最大电流、最大反向电压、电流放大系数等参数及外地人形尺寸等是否符合应用电路的要求。 2．末级视放输出管的选用彩色电视机中使用的末级视放输出管，应选用特征频率高于80MHZ的高频晶体管
2012-01-28 11:27:38
列出使用VBE的测试方法。VBE测定法 硅晶体管的情况下 基极-发射极间电压：VBE根据温度变化。图1. 热电阻测量电路由此，通过测定VBE，可以推测结温。通过图1的测定电路，对晶体管输入封装功率：PC
2019-05-09 23:12:18
级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路
2010-08-12 13:57:39
电子，雷达和微波应用生产全系列AM晶体管。 这些AM晶体管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶体管覆盖60 MHz至3.0 GHz的范围，功率
2018-07-17 15:08:03
脉冲功率。 在没有外部调谐的情况下，所有设备都在宽带RF测试夹具中100％屏蔽了大信号RF参数。硅双极匹配50欧姆210W输出功率经过100％大功率射频测试C级操作IB0607S10功率晶体管
2021-04-01 10:07:29
500W的峰值脉冲功率。 该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。 发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。 所有设备都针对大信号RF参数进行了100％筛选。硅双极
2021-04-01 09:41:49
500W的峰值脉冲功率。 该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。 发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。 所有设备都针对大信号RF参数进行了100％筛选。硅双极
2021-04-01 10:29:42
至少800W的峰值脉冲功率。 该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。 发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。 所有设备都针对大信号RF参数进行了100％筛选。硅双
2021-04-01 10:11:46
ILD2731M60功率晶体管ILD2735M120功率晶体管IB2856S250功率晶体管IB2856S30功率晶体管IB2856S65功率晶体管IB2931MH155功率晶体管深圳市立年电子科技有限公司 --射频微波一站式采购产台联系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 09:48:36
。IB3042-5产品详情:IB3042-5用于传统雷达系统设计的Si-Bipolar，VDMOS和LDMOS RF和微波功率晶体管Integra的预匹配，Si-Bipolar，Si-LDMOS
2019-04-15 15:12:37
详情:IB3042-5用于传统雷达系统设计的Si-Bipolar，VDMOS和LDMOS RF和微波功率晶体管Integra的预匹配，Si-Bipolar，Si-LDMOS和Si-VDMOS射频和微波
2019-05-14 11:00:13
IB0810M50功率晶体管IB0912L200功率晶体管IB0912L30功率晶体管深圳市立年电子科技有限公司 --射频微波一站式采购产台联系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:03:31
IGN1011L1000R2功率晶体管深圳市立年电子科技有限公司 --射频微波一站式采购产台联系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:35:32
晶体管IB450S300功率晶体管IB450S500功率晶体管IDM500CW200功率晶体管IDM500CW300功率晶体管深圳市立年电子科技有限公司 --射频微波一站式采购产台联系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 09:57:55
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的场效应晶体管的特性测量”。电路和普通的测量场效应晶体管特性的电路基本一样，只是需要能够调整晶体管的迁移率等特性，想问下LABVIEW能实现这种仿真吗？我在库里没找到晶体管，能帮忙指出在哪可以找到吗？谢谢！实在是太菜鸟了，请见谅。能建立下图这种电路就行。
2014-04-11 12:06:22
配对电路以产生连续功率。用于重型电机以控制电流。用于机器人应用。IX. PNP 晶体管的优势为了提供电流，使用PNP晶体管。由于它产生的信号以负电源轨为基准，因此简化了电路设计。与NPN晶体管相比，它们
2023-02-03 09:44:48
能够在高输出功率电平下承受严苛的负载失配状况而不降低性能或造成器件故障。当晶体管工作在负载失配状态下时，它的输出功率有很大一部分会被反射进器件，此时功率必须在晶体管中耗散掉。但在比较不同耐用性的晶体管时，重要的是检查不同器件制造商达到其耐用性结果的条件，因为不同制造商的测试条件可能有很大变化。
2019-06-26 07:11:37
继前篇内容，继续进行各功率晶体管的比较。本篇比较结构和特征。功率晶体管的结构与特征比较下图是各功率晶体管的结构、耐压、导通电阻、开关速度的比较。使用的工艺技术不同结构也不同，因而电气特征也不同。补充
2018-11-30 11:35:30
主要参数 晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。 耗散功率也称集电极
2010-08-13 11:35:21
本帖最后由 生还者 于 2020-8-20 03:57 编辑
《晶体管电路设计与制作》分为两部分。第一部分介绍单管和双管电路，主要目的是理解晶体管的基本工作机制。第二部分介绍各种晶体管应用电路
2020-08-19 18:24:17
本帖最后由 王栋春 于 2021-1-5 22:40 编辑
《晶体管电路设计与制作》是“图解实用电子技术丛书”之一。本书首先对各种模拟电路的设计和制作进行详细叙述；然后利用可在微机
2021-01-05 22:38:36
放大电路的设计与制作，下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。《晶体管电路设计》(上)面向实际需要，理论联系实际，通过大量具体的实验，通俗易懂地介绍晶体管电路设计的基础知识
2017-07-25 15:29:55
`内容简介《射频微波功率场效应管的建模与特征》首先回顾了一般商用微波射频晶体管的种类和基本构造，介绍了高功率场效应管的集约模型的构成；描述了功率管一般电气参数的测量方法，着重讨论对功率管的封装法兰
2017-09-07 18:09:11
`内容简介《射频微波功率场效应管的建模与特征》首先回顾了一般商用微波射频晶体管的种类和基本构造，介绍了高功率场效应管的集约模型的构成；描述了功率管一般电气参数的测量方法，着重讨论对功率管的封装法兰
2018-01-15 17:57:06
。这是一项极限参数，加在场效应晶体管上的工作电压必需小于BUDS。（6）耗散功率耗散功率PDSM也是—项极限参数，是指场效应晶体管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率。运用时场效应晶体管实践功耗应小于
2019-04-04 10:59:27
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
类型。3.2 晶体管的种类及其特点》巨型晶体管GTR是一种高电压、高电流的双极结型晶体管（BJT），因此有时被称为功率BJT。特点：电压高，电流大，开关特性好，驱动功率高，但驱动电路复杂;GTR和普通双极结型
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
的微小变化非常敏感。由于这个原因，达林顿通常用于触摸和光传感器。光电达林顿专为光敏电路而设计。 输出侧通常是高功率、低增益的。使用非常高功率的晶体管，它可以控制电机，电源逆变器和其他大电流设备。中等功率
2023-02-16 18:19:11
电路的设计与制作，下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。《晶体管电路设计(下)》是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管／FET电路设计技术
2017-06-22 18:05:03
PNP晶体管在哪里使用？放大电路采用PNP晶体管。达林顿对电路采用PNP晶体管。机器人应用利用了PNP晶体管。PNP 晶体管用于控制大功率应用中的电流。如何控制PNP晶体管？首先，为了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
ULN2003是什么？ULN2003的主要特点是什么？ULN2003达林顿晶体管集成电路有哪些应用？怎样去设计一种ULN2003达林顿晶体管集成电路？
2021-08-11 09:17:12
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
管子多用于集成放大电路中的电流源电路。
请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析？按照我的理解，在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时，如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的电源回路中
2024-01-21 13:47:56
MOS场效应晶体管。所选场效应晶体管的主要参数应符合应用电路的具体要求。小功率场效应晶体管应注意输入阻抗、低频跨导、夹断电压（或开启电压）、击穿电压待参数。大功率场效应晶体管应注意击穿电压、耗散功率
2021-05-13 07:10:20
晶体管等多种类型。三、晶体管的主要参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。（一）电流放大系数电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力
2012-07-11 11:36:52
）需要几毫安才能上电，并且可以由逻辑门输出驱动。然而，螺线管、灯和电机等大功率电子设备比逻辑门电源需要更多的电力。输入晶体管开关。 晶体管开关操作和操作区域 图 1 中图表上的蓝色阴影区域表示饱和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
为了改善晶体管的开关特性，减小晶体管的损耗，在晶体管基极驱动电路的设计上会采取一些加速措施。如下： 加速电路一 在加速电路一中，并联在RB两端的电容CB称为加速电容，数值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
常用晶体管参数手册
2012-08-20 08:43:44
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
什么是电信号？常见的晶体管的电路符号有哪几种？
2021-10-29 07:04:27
)条件下，数字晶体管中流过的电流值定义为IO。如您所知，绝对最大额定值被定义为"不能同时提供2项以上"，仅用IC标记没有问题，但结合客户实际使用状态，合并标记为IO。因此电路
2019-04-22 05:39:52
标记为IO。因此电路设计探讨中此IO即为绝对最大额定值。GI和hFE的区别hFE: 作为晶体管的直流电流增幅率GI: 作为数字晶体管的直流电流增幅率解说GI和hFE都表示发射极接地直流电流放大率。数字
2019-04-09 21:49:36
本帖最后由 太子的空间 于 2016-11-29 21:07 编辑
最全的晶体管参数查询软件
2016-11-21 20:57:47
有没有关于晶体管开关的电路分享?
2021-03-11 06:23:27
的IC。2. 按功率分类主要以最大额定值的集电极功率PC进行区分的方法。大体分为小信号晶体管和功率晶体管，一般功率晶体管的功率超过1W。ROHM的小信号晶体管可以说是业界第一的。小信号晶体管最大
2019-05-05 01:31:57
和500KHz的半桥LLC谐振转换器的拓扑结构。在较高频率下，无源谐振电路（例如变压器、谐振电感器和谐振电容器）的尺寸明显减小，从而提高了功率密度。此外，还需要考虑功率晶体管（Q1和Q2）的选择，以权衡
2023-02-27 09:37:29
电子产品中，近年来逐渐被晶体管和集成电路所取代，但目前在一些高保真音响器材中，仍然使用电子管作为音频功率放大器件。 而晶体管是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多
2016-01-26 16:52:08
设计工程师可以考虑的选项之一。应用晶体管并联技术在最大限度提升变换器输出功率的同时，也带来了电路设计层面的挑战。 并联晶体管的设计挑战 在应用晶体管并联技术时，首先需要考虑的是并联晶体管的通态电阻
2021-01-19 16:48:15
导读：近日，英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率（700瓦），适用于工作频率范围为1200 MHz~1400 MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少
2018-11-29 11:38:26
双极性晶体管与MOSFET对比分析哪个好？
2021-04-20 06:36:55
请问能帮忙分析这个电路晶体管如何be如何负偏置吗？貌似VCC会对Vin造成直流干扰吧？在Vin和Lb间要加一个隔直电容吧？
2019-04-15 06:36:28
上面这段怎么理解啊，这个是铃木的晶体管电路上面的，
2019-04-04 02:43:43
`作者：Mountain 毕业于燕山大学，获学士学位。工作5年多，一直从事医疗检测及分析仪器设备相关的硬件电路设计工作。最初接到李老师的邀请要写一篇晶体管使用心得的时候，内心着实惶恐了一阵，毕竟
2016-06-03 18:29:59
，使得同等功率量级固态发射机的体积、成本大大降低，电路形式也随之简化。这一切极大地推动了固态发射机在各个领域的应用。微波晶体管输出功率提高意味着它的输入、输出阻抗变小，尤其是未进行内匹配的晶体管，这给
2019-07-04 07:15:45
微波晶体管放大器,微波晶体管放大器是什么意思
微波晶体管放大器是工作在微波频率范围的晶体管放大器.它的一般性能请见”晶体管放大器”条目
2010-03-05 10:08:15
869 晶体管耗散功率,晶体管耗散功率是什么意思
晶体管耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大
2010-03-05 17:34:108109 微波晶体管放大器分析与设计，教材，有需要的下来看看
2016-07-20 11:40:38
0 前言：微波晶体管功率放大器工作状态与低频晶体管功率放大器一样，有甲类、甲乙类、乙类及丙类四种工作状态，分类的方法也相同。不同的工作状态适用不同的需要。匹配电路元件可以是集中参数、半集中参数及分布参数。
2023-02-17 11:28:550 微波晶体管按功能分类可分为微波低噪声晶体管和微波大功率晶体管，低噪声晶体管和大功率晶体管被用于设计低噪声放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271640 
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