- LDMOS简介及其技术详解

飞利浦第三代 0.8 微米超低失真 LDMOS 技术采用非统一参杂 （doping） 方式，称之为分散 Vt 概念，与传统的 LDMOS 比较，补偿线性提升了 5 到 8dB，使得这项技术特别适合应用于 3G 基站内的 MCPA 驱动器，同时比上一代 LDMOS 产品的功率增益要高 2 dB。

飞利浦第四代 LDMOS 技术将效能进一步提升，这种新型的 0.6 微米工艺提升了 50% 的功率密度以及 6 % 到 8 % 的 W-CDMA 效率，功率增益则也比先前的 0.8 微米技术提高了 2 dB。

飞利浦的第五代 LDMOS 技术将效能提升到全新的境界，它为 W-CDMA 放大器效率奠定了新标准，同时提供所有移动电话标准的主要优势，例如 0.4 微米工艺技术为 W-CDMA 带来超过 30% 的效率，并为 PCS/DCS 带来 17dB 的增益，此外，低记忆效应也可以使用最新的数字预失真 （DPD， Pre-Distortion） 系统，高线性度则可以改善多载波功率放大器。我们的第五代技术同时也将热阻抗由第四代的 0.76 降低到 0.5 K/W，这将可以提升可靠度、缩小基站的尺寸并节省功率与冷却成本，第五代的 LDMOS 比第四代高了 20% 的功率密度，让我们能够推出在单端式封装上达 150W CW 运作的器件。

我们的第五代

LDMOS 采用专利的四层金属堆栈来进一步提升可靠度与平均无故障时间 （MTTF），而宽厚的 AlCu 金属化方式也比传统的 LDMOS 在相同 MTTF 下高了 25°C 的接点温度运作，如果使用于 160°C 的标准晶体管接点温度上，这项技术比传统 W-CDMA 运作应用的 LDMOS 可靠度高上四倍，MTTF 将超过 1000 年。

我们的 0.14 微米工艺能力可将技术更进一步优化，将 LDMOS 效能带到 LDMOS 效率的理论极限，在此之后，新的器件架构将着重于如何让 LDMOS 为新型态晶体管运作优化，并强化如 Doherty 等概念。

运作面：

绝佳的稳定性，由于负汲极电流温度常数，所以不受热散失的影响

比双载子更能忍受较高的负载未匹配现象 （VSWR），提高现场实际应用的可靠度

卓越的射频稳定度，在闸极与汲极间内置隔离层，可以降低回授电容

在平均无故障时间 （MTTF） 上有相当好的可靠度

LDMOS 的优势

技术面：

卓越的效率，可降低功率消耗与冷却成本

卓越的线性度，可将信号预校正需求降到最低

优化超低热阻抗，可缩减放大器尺寸与冷却需求并改善可靠度

卓越的尖峰功率能力，可带来最少数据错误率的高 3G 数据率

高功率密度，使用较少的晶体管封装

超低感抗、回授电容与串流闸阻抗，目前可让 LDMOS 晶体管在双载子器件上提供 7 bB 的增益改善

直接源极接地，提升功率增益并免除 BeO 或 AIN 隔离物质的需求

在 GHz 频率下拥有高功率增益，带来更少设计步骤、更简易更具成本效益的设计 （采用低成本、低功率驱动晶体管）。