最近，中国微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺研究上取得重要进展。微电子所殷华湘研究员的课题组，利用低温低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上实现了全金属
2017-01-06 13:59:21
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日前，中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺研究上取得重要进展。微电子所殷华湘研究员的课题组利用低温低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上实现了全金属
2017-01-13 09:27:373045 中科院微电子所超高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片的年轻研究团队紧张而期待。由他们设计的一款IGBT芯片，在合作伙伴——上海华虹NEC电子有限公司的工艺线上流片完成，要进行超高压
2011-12-06 10:36:221687 的技术、项目经验积累，着笔SiC相关设计的系列文章，希望能给到大家一定的参考，并期待与您进一步的交流。 本文作为系列文章的第五篇，主要针对SiC MOSFET相关应用中的EMI改善方案做一些探讨。 对设计人员而言，成功应用 SiC MOSFET 的关键在于深入了解 SiC MOSFE
2022-08-30 09:31:001210 
近日，国内第三代半导体新锐企业芯塔电子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET，器件各项性能达到国际领先水平。此举标志着芯塔电子在第三代半导体领域取得了重大进展，进一步
2022-08-29 15:08:57879 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361220 有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。 因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。 如果
2023-02-07 16:40:49
。如果是相同设计，则与芯片尺寸成反比，芯片越小栅极电阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此栅极电容小，但内部栅极电阻增大。例如，1200V 80mΩ产品（S2301为裸芯片
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在给栅极-源极间施加18V电压、SiC-MOSFET导通的条件下，电阻更小的通道部分（而非体二极管部分）流过的电流占支配低位。为方便从结构角度理解各种状态，下面还给出了MOSFET的截面图
2018-11-27 16:40:24
”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，这里给出了DMOS结构，不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。如果
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外，包括MOSFET在内的SiC功率元器件的开发与发展日新月异，如果有不明之处或希望
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET，还可以从这里了解SiC-SBD、全SiC模块的应用实例。SiC-MOSFET应用实例1：移相DC/DC转换器下面是演示机，是与功率Power Assist Technology Ltd.联合制
2018-11-27 16:38:39
的稳健性、可靠性、高频应用中的瞬时振荡以及故障处理等问题。这就需要工程师深入了解SiC MOSFET的工作特征及其对系统设计的影响。如图1所示，与同类型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
需求。如前所述，考虑到器件的长期演变，多个SiC MOSFET供应商拥有足够可靠的器件这一事实已经取得了巨大的进步。图5，经YoleDéveloppement的“2016 Power SiC”报告［13
2023-02-27 13:48:12
MOSFET上进行了加速栅极氧化物寿命测试。两个测试结果之间的密切一致证实了SiC MOSFET是可靠的器件，当在T = 175°C和V GS = 25V 下工作时，预计寿命超过100年。点击显示大图图2加速
2019-07-30 15:15:17
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。如果
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
载流子器件（肖特基势垒二极管和MOSFET）去实现高耐压，从而同时实现 "高耐压"、"低导通电阻"、"高频" 这三个特性。另外，带隙较宽，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高温下也可以稳定工作。
2019-07-23 04:20:21
/电子设备实现包括消减待机功耗在内的节能目标。在这种背景下，削减功率转换时产生的能耗是当务之急。不用说，必须将超过Si极限的物质应用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的开关损耗降低85
2018-11-29 14:35:23
Sic MOSFET 主要优势.更小的尺寸及更轻的系统.降低无源器件的尺寸/成本.更高的系统效率.降低的制冷需求和散热器尺寸Sic MOSFET ，高压开关的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
连接步进电机接线方法三张最实用的步进电机接线图
2021-02-04 06:32:01
引言：前段时间，Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火，现在我们结合最新的市场进展，针对其中使用的碳化硅SiC器件，来了解一下SiC器件的未来需求。我们从前一段时间的报道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
近日，微电子所纳米加工与新器件集成技术研究室（三室）在阻变存储器研究工作中取得进展，并被美国化学协会ACS Nano杂志在线报道。 基于二元氧化物材料的电阻式随机存储器（ReRAM）具有低廉的价格
2010-12-29 15:13:32
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
LCOS是微电子学、光学和视频显示技术相结合的新技术。我国LCOS微显示芯片的研究始于1998年，南开大学信息学院光电子所在教育部和天津市科委的支持下，在国内率先开展了LCOS微显示器芯片技术的研究，取得了重大进展，自主研制成功我国第一枚LCOS微显示芯片。
2019-09-12 09:11:53
，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率电子和模拟
2023-03-29 15:06:13
基本的软件参考代码设计。通过结合Semtech LoRa®器件远距离、低功耗、灵敏度高等特点，以及复旦微电子MCU在表计、工业等场景的应用优势，双方提供了一个组网更灵活、现场部署更方便、具有更高
2023-02-13 17:44:32
微电子学概论 张兴 2000年 01月版
2019-06-13 07:39:09
cadence讲义_IC设计_清华微电子所
2012-08-12 17:30:13
的量产化，并于 2010 年全球首家成功实现了 SiC-MOSFET 的量产。罗姆希望通过本次研讨会，让更多同行了解 SiC 的优点和特性，更好地应用 SiC 功率器件。研讨会的演讲概要如下： 1
2018-07-27 17:20:31
项目名称：SiC MOSFET元器件性能研究试用计划：申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验，熟悉MOSET各种性能和应用，掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
是48*0.35 = 16.8V，负载我们设为0.9Ω的阻值，通过下图来看实际的输入和输出情况：图4 输入和输出通过电子负载示数，输出电流达到了17A。下面使用示波器测试SIC-MOSFET管子的相关
2020-06-10 11:04:53
项目名称：基于Sic MOSFET的直流微网双向DC-DC变换器试用计划：申请理由本人在电力电子领域（数字电源）有五年多的开发经验，熟悉BUCK、BOOST、移相全桥、LLC和全桥逆变等电路拓扑。我
2020-04-24 18:08:05
``首先感谢罗姆公司提供的开发板试用机会，本人作为高校学生，一直从事电源管理方向的研究，想向大功率的方向发展。SiC作为第三代半导体为功率电子的发展提供了很大的潜力，现在比较成熟的SiC器件制造厂商
2020-05-19 16:03:51
`收到了罗姆的sic-mosfet评估板，感谢罗姆，感谢电子发烧友。先上几张开箱图，sic-mos有两种封装形式的，SCT3040KR，主要参数如下：SCT3040KL，主要参数如下：后续准备搭建一个DC-DC BUCK电路，然后给散热器增加散热片。`
2020-05-20 09:04:05
;Reliability (可靠性) " ，始终坚持“品质第一”SiC元器有三个最重要的特性：第一个高压特性，比硅更好一些；而是高频特性；三是高温特性。 罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET对应
2020-07-16 14:55:31
项目名称：SiC mosfet 测试试用计划：申请理由：公司开发双脉冲测试仪对接触到Sic相关的资料。想通过此次试用进一步了解相关性能。试用计划：1、测试电源输入输出性能。2、使用公司设备测试Sic器件相关参数。3、编写测试报告。
2020-04-21 15:54:54
）本身化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小，因此SiC（碳化硅）器件与传统的Si（硅）器件相比存在三方面优势：更高的击穿电压强度；更低的损耗；更高的热导率（当然材料成本也高出不少）。这些特性意味着
2020-05-28 22:32:38
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域，如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再生能源、能源等存储系统、工业和电网基础设施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58:36
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
微电子三级封装是什么？新型微电子封装技术介绍
2021-04-23 06:01:30
。由于SiC功率元器件在节能和小型化方面非常有效，因此，希望在这里能加深对元器件的了解，以帮助大家更得心应手地使用它。关键要点:・SiC功率元器件是能够降低损耗，并高温环境的工作特性优异的新一代低损耗
2018-11-29 14:39:47
科技有限公司已可以提供商业化的SOI材料。在SOI器件和电路研制方面有中国科学院微电子研究所、中国电子科技集团公司第58所、航天时代集团第七七一研究所、中国科学院半导体所等。 中国科学院微电子研究所在
2011-07-06 14:11:29
岗位职责：1.负责工艺技术的研发；2.负责工艺设计、产品设计及设计文件的编制、更改、编目；3.负责研发样品的管理和工程样片的测试、分析、评价；4.研究SiC功率器件方面的最新进展，包括研究文献、新设
2018-03-12 14:55:36
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
SiC MOSFET器件芯片部分出现电学失效现象：共16个器件，其中5个正常，11个失效。其中失效情况：芯片漏电，及部分芯片烧毁，送测样品图如下：金鉴工程师随机抽取其中一个漏电失效MOS管器件芯片样品进行
2018-11-02 16:25:31
虽然电动和混合动力电动汽车（EV]从作为功率控制器件的标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）衬底和工艺技术的FET的转变代表了提高EV的效率和整体系统级特性的重要步骤
2019-08-11 15:46:45
，损耗更低，高温环境条件下工作特性优异，有望成为新一代低损耗元件。②SiC功率元器件SiC是在热、化学、机械方面都非常稳定的化合物半导体，对于功率元器件来说的重要参数都非常优异。作为元件，具有优于Si
2017-07-22 14:12:43
电子皮肤的触觉感知、智能机械手等方面有重要潜在应用。”他说。与此同时，作为柔性可穿戴电子，器件与柔软组织间的机械不匹配是该领域需要解决的关键科学问题之一。针对上述关键科学问题，该团队研发了一种具有褶皱核
2018-09-21 11:53:21
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
SiCMOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
低电压，反之亦然。它是由PMOS与NMOS组成的。上图是或门他们是由左边的PMOS和NMOS组成，右边的红色的框是一个CMOS非门取反。以下三张图是或门的其他三种情况。与门如上图所示是由这些MOS管组成
2023-02-15 14:35:23
电源管理半导体的新进展1979年电力电子学会在我国成立，此后，人们开始把用于大功率方向的器件称为电力半导体。由于微电子学把相关的器件称为微电子器件，从而也有了电力电子器件之称。电力半导体和电力
2009-12-11 15:47:08
阻并提高可靠性。东芝实验证实，与现有SiC MOSFET相比，这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1]，可将导通电阻[2]（RonA）降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能，降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18
。这就使得MOSFET在SiC功率电子器件中具有重要的意义。2000年研制了国内第一个SiCMOSFETt31。器件最大跨导为0.36mS/mm，沟道电子迁移率仅为14cm2/(V·s)。反型层迁移率低
2017-06-16 10:37:22
SiC-MOSFET用作开关而专门设计的电源用IC。这意味着SiC-MOSFET的栅极驱动与Si-MOSFET是不同的。您可能马上会问“有什么不同呢？”，在介绍电源IC之前，先来了解一下SiC-MOSFET
2018-11-27 16:54:24
的两种SiC功率MOSFET，电流强度为45A，输出电阻小于100微欧姆。这些元件将采用HiP247新型封装，该封装是专为SiC功率元件而设计，以提升其散热性能。SiC的导热率是矽的三倍。以意法半导体
2019-06-27 04:20:26
请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
微电子器件应用中的几个重要问题西安微电子技术研究所李志鑫（710054）摘 要 本文报道了半导体分立器件和集成电路应用尤其是航天型号产品应用中暴露
2009-08-27 18:58:21
11 微电子所硅器件与集成技术研究室成功研制出基于硅基液晶(LiquidCrystalonSilicon，LCoS)微显示芯片
2011-12-09 09:05:14938 由中科院微电子研究所系统封装技术研究室牵头承担的“高密度三维系统级封装的关键技术研究”重大专项取得新进展。
2011-12-16 09:04:36778 近日，微电子所系统封装研究室（九室），在多芯片封装研究上取得突破。该芯片在产业应用领域意义重大。电力的应用正在朝多元化发展，电表集成模块的数字化、智能化和多功能化
2012-03-08 09:17:30905 日前，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室(三室)在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展。
2012-04-13 09:31:301004 中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）超高速电路课题组在超高速ADC/DAC芯片研制上取得突破性进展，成功研制出8GS/s 4bit ADC和10GS/s 8bit DAC芯片
2012-04-26 08:55:203463 
中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米 CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展
2012-12-11 11:31:032772 近日，北京航空航天大学与微电子所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩磁随机存储器芯片(STT-MRAM)器件。STT-MRAM是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。
2017-05-09 01:07:311345 
基于微电子器件应用中的几个重要问题
2017-10-18 08:37:5821 近日，中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET
2017-11-08 15:14:3637 取得了系列科研进展。 微机电系统（MEMS）是指利用微纳加工技术制作的、同时具有机械组元和电子组元的小型化器件或系统。
2017-12-10 11:09:01728 基于EUV的光刻仿真及应用，致力提高中国EUV研发能力并共同培养该领域尖端人才。该联合实验室得到了北京市科学技术委员会国际科技合作专项的支持。 中科院微电子所所长叶甜春、中科院微电子所科技处处长李平、中科院微电子所计算光刻研发
2018-12-03 07:39:01502 受到国际多家研发机构的高度关注。
2019-05-15 14:43:324144 近日，2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits（简称VLSI国际研讨会）在日本召开。微电子所刘明院士科研团队在会上展示了高性能选通管的最新研究进展。
2019-06-26 15:58:494346 中科院微电子所副总工程师梁利平研究员表示：“小基站在5G商用和下一步网络建设中正在扮演着越来越重要的角色，同时其产业化也离不开新一代芯片和器件的支持。
2020-07-08 14:25:151638 近年来，宽禁带半导体SiC器件得到了广泛重视与发展。SiC MOSFET与Si MOSFET在特定的工作条件下会表现出不同的特性，其中重要的一条是SiC MOSFET在长期的门极电应力下会产生阈值漂移现象。本文阐述了如何通过调整门极驱动负压，来限制SiC MOSFET阈值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:006 本期分享的科研成果为苏州纳米所孙钱团队九月底于功率半导体顶级学术会议IEEE ISPSD发布的最新技术成果，其团队在器件制备、器件可靠性测试分析和器件制造方面取得重大进展，有助于在高性能MIS（金属
2020-10-25 10:19:492252 
3月7日，全国政协委员、中国科学院微电子所副所长周玉梅在第二场委员通道上，直面公众关注的芯片“卡脖子”问题！
2021-03-08 09:44:034342 我们国家在3D打印技术方面是一直有研究的。就在近日，山东省增材制造工程技术研究中心兰红波教授团队在电场驱动喷射微3D打印及应用研究方面取得重要进展，相关研究成果发表在《Advanced Materials》（SCI影响因子：27.398）上。
2021-04-23 15:28:44948 在开关频率、散热、耐压、功率密度方面优势更为凸显。 下文主要对国产SiC MOSFET进行介绍并与国外相近参数的主流产品相对比。 国产1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年开始专注于第三代半导体SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:374228 具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比，SiC MOSFET栅-源电压的行为不同。
2022-06-08 14:49:532944 新一代航天器对宇航芯片的性能和抗辐射能力提出了更高要求。碳纳米管器件的栅控效率高、驱动能力强，是后摩尔时代最具发展潜力的半导体技术之一，并具有较强的空间应用前景。 中国科学院微电子研究所抗辐照器件
2022-12-02 16:49:282655 针对此问题，微电子所刘明院士团队制备了基于p型和n型有机分子构成的单晶电荷转移界面的晶体管器件，探究了电荷转移界面以及栅氧界面电场的相互作用对晶体管工作时载流子及电导分布特性的影响。
2023-01-13 15:19:38370 在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。
2023-02-12 15:29:032100 
引言：前段时间，Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火，现在我们结合最新的市场进展，针对其中使用的碳化硅SiC器件，来了解一下SiC器件的未来需求。 我们从前一段时间的报道了解
2023-02-20 15:56:442 驱动芯片，需要考虑如下几个方面： 驱动电平与驱动电流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高频开关场合，其面对的由于寄生参数所带来的影响更加显著。由于SiC MOSFET本身栅极开启电压较
2023-02-27 14:42:0479 传感新品 【中科院微电子所：在表面等离激元光纤生化传感器方面取得重要进展】 表面等离激元共振（SPR）光纤生化传感器因其体积小、抗干扰、高灵敏度、无标记、可实现远端检测等优势，在生化传感、即时现场
2023-06-02 08:39:43618 
中国科学院微电子研究所硅光子平台基于微电子所先导中心成熟的8英寸CMOS工艺线，该CMOS工艺线支撑开发了成套硅光工艺和器件，制定了设计规则和工艺规范，并形成了PDK。
2023-06-07 14:38:03786 
提升硅基氮化镓横向功率器件可靠性的难点在于如何准确测试出器件在长期高压大电流应力工作下的安全工作区，如何保证器件在固定失效率下的寿命。硅基氮化镓横向功率器件在高压大电流场景下的“可恢复退化”与“不可恢复退化”一直以来很难区分，这给器件安全工作区的识别和寿命评估带来了极大挑战。
2023-06-08 15:37:12477 
传感新品 【中科院微电子所：在纳米森林柔性湿度传感器及其应用研究方面取得新进展】 目前，各种电气设备和系统，从照明开关到公共场所的电梯或银行提款机，其控制与操作一般采用触摸方式完成，然而，这种传统
2023-06-30 08:47:42626 
了解SiC器件的命名规则
2023-11-27 17:14:49357 
怎么提高SIC MOSFET的动态响应？ 提高SIC MOSFET的动态响应是一个复杂的问题，涉及到多个方面的考虑和优化。在本文中，我们将详细讨论如何提高SIC MOSFET的动态响应，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 近日，西安电子科技大学郝跃院士团队刘艳教授和罗拯东副教授在超陡垂直晶体管器件研究方面取得重要进展，相
2024-02-20 18:22:20793 
近日，Telink（泰凌微电子）、Google（谷歌）、HooRii Technology（和众科技）共同参与的Matter联合项目宣布取得重大进展。在单台MatterOTBR设备下，成功挂载了超过100台Matter over Thread设备，这一数字相较于之前的限制有了巨大的提升。
2024-02-26 09:27:58483 近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所异质集成XOI团队，在通讯波段硅基磷化铟异质集成激光器方面取得了重要进展。
2024-03-15 09:44:48144 
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