SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考，并期待与您进一步的交流。 前两篇文章我们分别探讨了 SiC MOSFET的驱动电压 ，以及 SiC器件驱动设计中的寄生导通问题 。本文作为系列文章的第三篇，会从SiC MOS寄生电容损耗与传统Si MOS作比较，给
2022-07-07 09:55:00
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SiC器件具有低开关损耗，可以使用更小的散热器，同时可以在更高开关频率下运行，减小磁性元件体积。采用SiC器件的工业电源，可以实现高效率和高功率密度。三菱电机开发了一系列适合工业电源应用的SiC MOSFET模块，本章节带你详细了解。
2025-12-02 11:28:173355 
9月26日从科技部获悉，2014年1月，国家863计划启动实施了5G移动通信系统先期研究重大项目，目前该项目取得了五方面重要阶段性进展，在技术、架构等多方面均获得了突破。
2016-09-27 10:05:392379 最近，中国微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺研究上取得重要进展。微电子所殷华湘研究员的课题组，利用低温低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上实现了全金属化源
2017-01-06 13:59:213502 
中科院微电子所超高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片的年轻研究团队紧张而期待。由他们设计的一款IGBT芯片，在合作伙伴——上海华虹NEC电子有限公司的工艺线上流片完成，要进行超高压
2011-12-06 10:36:222065 近日，国内第三代半导体新锐企业芯塔电子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET，器件各项性能达到国际领先水平。此举标志着芯塔电子在第三代半导体领域取得了重大进展，进一步
2022-08-29 15:08:571633 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:366224 有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。 因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。 如果
2023-02-07 16:40:49
。如果是相同设计，则与芯片尺寸成反比，芯片越小栅极电阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此栅极电容小，但内部栅极电阻增大。例如，1200V 80mΩ产品（S2301为裸芯片
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在给栅极-源极间施加18V电压、SiC-MOSFET导通的条件下，电阻更小的通道部分（而非体二极管部分）流过的电流占支配低位。为方便从结构角度理解各种状态，下面还给出了MOSFET的截面图
2018-11-27 16:40:24
”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，这里给出了DMOS结构，不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。如果
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外，包括MOSFET在内的SiC功率元器件的开发与发展日新月异，如果有不明之处或希望
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET，还可以从这里了解SiC-SBD、全SiC模块的应用实例。SiC-MOSFET应用实例1：移相DC/DC转换器下面是演示机，是与功率Power Assist Technology Ltd.联合制
2018-11-27 16:38:39
的稳健性、可靠性、高频应用中的瞬时振荡以及故障处理等问题。这就需要工程师深入了解SiC MOSFET的工作特征及其对系统设计的影响。如图1所示，与同类型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
吸收电路参数之间的关系，并求解出缓冲吸收电路参数的优化区间，最后通过仿真和实验验证该方法的正确性。1. SiC-MOSFET 半桥主电路拓扑及其等效电路
双脉冲电路主电路拓扑结构（图 1）包含
2025-04-23 11:25:54
需求。如前所述，考虑到器件的长期演变，多个SiC MOSFET供应商拥有足够可靠的器件这一事实已经取得了巨大的进步。图5，经YoleDéveloppement的“2016 Power SiC”报告［13
2023-02-27 13:48:12
MOSFET上进行了加速栅极氧化物寿命测试。两个测试结果之间的密切一致证实了SiC MOSFET是可靠的器件，当在T = 175°C和V GS = 25V 下工作时，预计寿命超过100年。点击显示大图图2加速
2019-07-30 15:15:17
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。如果
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
载流子器件（肖特基势垒二极管和MOSFET）去实现高耐压，从而同时实现 "高耐压"、"低导通电阻"、"高频" 这三个特性。另外，带隙较宽，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高温下也可以稳定工作。
2019-07-23 04:20:21
/电子设备实现包括消减待机功耗在内的节能目标。在这种背景下，削减功率转换时产生的能耗是当务之急。不用说，必须将超过Si极限的物质应用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的开关损耗降低85
2018-11-29 14:35:23
Sic MOSFET 主要优势.更小的尺寸及更轻的系统.降低无源器件的尺寸/成本.更高的系统效率.降低的制冷需求和散热器尺寸Sic MOSFET ，高压开关的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
连接步进电机接线方法三张最实用的步进电机接线图
2021-02-04 06:32:01
引言：前段时间，Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火，现在我们结合最新的市场进展，针对其中使用的碳化硅SiC器件，来了解一下SiC器件的未来需求。我们从前一段时间的报道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
近日，微电子所纳米加工与新器件集成技术研究室（三室）在阻变存储器研究工作中取得进展，并被美国化学协会ACS Nano杂志在线报道。 基于二元氧化物材料的电阻式随机存储器（ReRAM）具有低廉的价格
2010-12-29 15:13:32
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
LCOS是微电子学、光学和视频显示技术相结合的新技术。我国LCOS微显示芯片的研究始于1998年，南开大学信息学院光电子所在教育部和天津市科委的支持下，在国内率先开展了LCOS微显示器芯片技术的研究，取得了重大进展，自主研制成功我国第一枚LCOS微显示芯片。
2019-09-12 09:11:53
，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率电子和模拟
2023-03-29 15:06:13
基本的软件参考代码设计。通过结合Semtech LoRa®器件远距离、低功耗、灵敏度高等特点，以及复旦微电子MCU在表计、工业等场景的应用优势，双方提供了一个组网更灵活、现场部署更方便、具有更高
2023-02-13 17:44:32
cadence讲义_IC设计_清华微电子所
2012-08-12 17:30:13
项目名称：SiC MOSFET元器件性能研究试用计划：申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验，熟悉MOSET各种性能和应用，掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
是48*0.35 = 16.8V，负载我们设为0.9Ω的阻值，通过下图来看实际的输入和输出情况：图4 输入和输出通过电子负载示数，输出电流达到了17A。下面使用示波器测试SIC-MOSFET管子的相关
2020-06-10 11:04:53
项目名称：基于Sic MOSFET的直流微网双向DC-DC变换器试用计划：申请理由本人在电力电子领域（数字电源）有五年多的开发经验，熟悉BUCK、BOOST、移相全桥、LLC和全桥逆变等电路拓扑。我
2020-04-24 18:08:05
;Reliability (可靠性) " ，始终坚持“品质第一”SiC元器有三个最重要的特性：第一个高压特性，比硅更好一些；而是高频特性；三是高温特性。 罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET对应
2020-07-16 14:55:31
项目名称：SiC mosfet 测试试用计划：申请理由：公司开发双脉冲测试仪对接触到Sic相关的资料。想通过此次试用进一步了解相关性能。试用计划：1、测试电源输入输出性能。2、使用公司设备测试Sic器件相关参数。3、编写测试报告。
2020-04-21 15:54:54
）本身化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小，因此SiC（碳化硅）器件与传统的Si（硅）器件相比存在三方面优势：更高的击穿电压强度；更低的损耗；更高的热导率（当然材料成本也高出不少）。这些特性意味着
2020-05-28 22:32:38
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58:36
随着电力电子技术的不断进步，碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐，成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分，栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
2025-01-04 12:37:34
科技有限公司已可以提供商业化的SOI材料。在SOI器件和电路研制方面有中国科学院微电子研究所、中国电子科技集团公司第58所、航天时代集团第七七一研究所、中国科学院半导体所等。 中国科学院微电子研究所在
2011-07-06 14:11:29
结构光三维成像方面，DLP LightCrafter 4500 如何连续投射彩色图？一般我们生成三张不同相移的灰度图，然后合成24bit，依次投射灰度图，但是这样并不是一张RGB彩色图的效果。我们希望直接投射出24bit 彩色图案
2025-02-25 08:23:58
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
虽然电动和混合动力电动汽车（EV]从作为功率控制器件的标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）衬底和工艺技术的FET的转变代表了提高EV的效率和整体系统级特性的重要步骤
2019-08-11 15:46:45
电子皮肤的触觉感知、智能机械手等方面有重要潜在应用。”他说。与此同时，作为柔性可穿戴电子，器件与柔软组织间的机械不匹配是该领域需要解决的关键科学问题之一。针对上述关键科学问题，该团队研发了一种具有褶皱核
2018-09-21 11:53:21
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
SiCMOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
。这就使得MOSFET在SiC功率电子器件中具有重要的意义。2000年研制了国内第一个SiCMOSFETt31。器件最大跨导为0.36mS/mm，沟道电子迁移率仅为14cm2/(V·s)。反型层迁移率低
2017-06-16 10:37:22
SiC-MOSFET用作开关而专门设计的电源用IC。这意味着SiC-MOSFET的栅极驱动与Si-MOSFET是不同的。您可能马上会问“有什么不同呢？”，在介绍电源IC之前，先来了解一下SiC-MOSFET
2018-11-27 16:54:24
的两种SiC功率MOSFET，电流强度为45A，输出电阻小于100微欧姆。这些元件将采用HiP247新型封装，该封装是专为SiC功率元件而设计，以提升其散热性能。SiC的导热率是矽的三倍。以意法半导体
2019-06-27 04:20:26
微电子器件应用中的几个重要问题西安微电子技术研究所李志鑫（710054）摘 要 本文报道了半导体分立器件和集成电路应用尤其是航天型号产品应用中暴露
2009-08-27 18:58:21
11 微电子所硅器件与集成技术研究室成功研制出基于硅基液晶(LiquidCrystalonSilicon，LCoS)微显示芯片
2011-12-09 09:05:141278 由中科院微电子研究所系统封装技术研究室牵头承担的“高密度三维系统级封装的关键技术研究”重大专项取得新进展。
2011-12-16 09:04:361062 近日，微电子所系统封装研究室（九室），在多芯片封装研究上取得突破。该芯片在产业应用领域意义重大。电力的应用正在朝多元化发展，电表集成模块的数字化、智能化和多功能化
2012-03-08 09:17:301188 日前，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室(三室)在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展。
2012-04-13 09:31:301483 中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）超高速电路课题组在超高速ADC/DAC芯片研制上取得突破性进展，成功研制出8GS/s 4bit ADC和10GS/s 8bit DAC芯片
2012-04-26 08:55:204232 
中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米 CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展
2012-12-11 11:31:033377 近日，北京航空航天大学与微电子所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩磁随机存储器芯片(STT-MRAM)器件。STT-MRAM是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。
2017-05-09 01:07:311725 
基于微电子器件应用中的几个重要问题
2017-10-18 08:37:5821 近日，中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET
2017-11-08 15:14:3637 取得了系列科研进展。 微机电系统（MEMS）是指利用微纳加工技术制作的、同时具有机械组元和电子组元的小型化器件或系统。
2017-12-10 11:09:011216 受到国际多家研发机构的高度关注。
2019-05-15 14:43:324904 近日，2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits（简称VLSI国际研讨会）在日本召开。微电子所刘明院士科研团队在会上展示了高性能选通管的最新研究进展。
2019-06-26 15:58:495266 自第一个加密货币交易平台推出以来的近十年中，在开发工具和功能方面取得了巨大进展，这些工具和功能使交易更安全，更简单，更有利可图。
2019-12-17 08:50:37598 中科院微电子所副总工程师梁利平研究员表示：“小基站在5G商用和下一步网络建设中正在扮演着越来越重要的角色，同时其产业化也离不开新一代芯片和器件的支持。
2020-07-08 14:25:152367 近年来，宽禁带半导体SiC器件得到了广泛重视与发展。SiC MOSFET与Si MOSFET在特定的工作条件下会表现出不同的特性，其中重要的一条是SiC MOSFET在长期的门极电应力下会产生阈值漂移现象。本文阐述了如何通过调整门极驱动负压，来限制SiC MOSFET阈值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:006 三张图 在Xilinx官网找资料无意中在应用AI推断加速中看到了下面三张图，顿觉众里寻他千百度,蓦然回首,那人却在灯火阑珊处的意思了。三张图非常通俗易懂的介绍了FPGA/ACAP这样的体系结构在AI
2020-12-04 15:37:311852 本期分享的科研成果为苏州纳米所孙钱团队九月底于功率半导体顶级学术会议IEEE ISPSD发布的最新技术成果，其团队在器件制备、器件可靠性测试分析和器件制造方面取得重大进展，有助于在高性能MIS（金属
2020-10-25 10:19:493175 
很多小伙伴刚接触步进电机，步进电机驱动器，很有可能对于步进电机接线方法和步进电机接线图弄不明白，所以可能无从下手。下面这篇文章让您快速掌握步进电机的接线方法，三张实用的步进电机接线图教你快速解决。
2021-02-24 07:18:3623 电子发烧友网为你提供三张图搞懂三极管的三种状态资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-06 08:52:4816 我们国家在3D打印技术方面是一直有研究的。就在近日，山东省增材制造工程技术研究中心兰红波教授团队在电场驱动喷射微3D打印及应用研究方面取得重要进展，相关研究成果发表在《Advanced Materials》（SCI影响因子：27.398）上。
2021-04-23 15:28:441345 在开关频率、散热、耐压、功率密度方面优势更为凸显。 下文主要对国产SiC MOSFET进行介绍并与国外相近参数的主流产品相对比。 国产1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年开始专注于第三代半导体SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:375747 近日中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心在STT-MRAM器件与集成技术研究领域取得了阶段性进展。
2022-01-26 19:41:352 技术重点实验室与北京大学教授张志勇、中科院国家空间科学中心副研究员陈睿合作，研制出基于局域底栅的碳纳米管晶体管和静态随机存储器，并系统研究了碳纳米管器件与电路的综合抗辐射能力（图1）。研究显示，局域底栅碳纳米
2022-12-02 16:49:283883 针对此问题，微电子所刘明院士团队制备了基于p型和n型有机分子构成的单晶电荷转移界面的晶体管器件，探究了电荷转移界面以及栅氧界面电场的相互作用对晶体管工作时载流子及电导分布特性的影响。
2023-01-13 15:19:381088 引言：前段时间，Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火，现在我们结合最新的市场进展，针对其中使用的碳化硅SiC器件，来了解一下SiC器件的未来需求。 我们从前一段时间的报道了解到
2023-02-20 15:56:442 驱动芯片，需要考虑如下几个方面： 驱动电平与驱动电流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高频开关场合，其面对的由于寄生参数所带来的影响更加显著。由于SiC MOSFET本身栅极开启电压较
2023-02-27 14:42:0483 拓扑反铁磁材料(如典型代表Mn3Sn)集合了常规反铁磁体中零杂散场和超快自旋动力学特征、以及拓扑材料中非平庸拓扑能带诱导的大磁输运特性等优势，为反铁磁自旋信息器件的实际应用提供了非常可行的解决方案。
2023-05-18 11:17:452152 
传感新品 【中科院微电子所：在表面等离激元光纤生化传感器方面取得重要进展】 表面等离激元共振（SPR）光纤生化传感器因其体积小、抗干扰、高灵敏度、无标记、可实现远端检测等优势，在生化传感、即时现场
2023-06-02 08:39:431593 
中国科学院微电子研究所硅光子平台基于微电子所先导中心成熟的8英寸CMOS工艺线，该CMOS工艺线支撑开发了成套硅光工艺和器件，制定了设计规则和工艺规范，并形成了PDK。
2023-06-07 14:38:032259 
传感新品 【中科院微电子所：在纳米森林柔性湿度传感器及其应用研究方面取得新进展】 目前，各种电气设备和系统，从照明开关到公共场所的电梯或银行提款机，其控制与操作一般采用触摸方式完成，然而，这种传统
2023-06-30 08:47:421509 
首先，是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。
2023-08-06 10:49:072959 
、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像
2023-10-18 16:05:022428 了解SiC器件的命名规则
2023-11-27 17:14:491932 
怎么提高SIC MOSFET的动态响应？ 提高SIC MOSFET的动态响应是一个复杂的问题，涉及到多个方面的考虑和优化。在本文中，我们将详细讨论如何提高SIC MOSFET的动态响应，并提供一些
2023-12-21 11:15:521413 近日，西安电子科技大学郝跃院士团队刘艳教授和罗拯东副教授在超陡垂直晶体管器件研究方面取得重要进展，相
2024-02-20 18:22:201617 
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所异质集成XOI团队，在通讯波段硅基磷化铟异质集成激光器方面取得了重要进展。
2024-03-15 09:44:481776 
IGBT的驱动电压一般都是15V，而SiC MOSFET的推荐驱动电压各品牌并不一致，15V、18V、20V都有厂家在用。更高的门极驱动电压有助于降低器件导通损耗，SiC MOSFET的导通压降对门
2024-05-13 16:10:171487 SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC SBD（碳化硅肖特基势垒二极管）是两种基于碳化硅（SiC）材料的功率半导体器件，它们在电力电子领域具有广泛的应用。尽管它们都属于
2024-09-10 15:19:074705 图1 混沌单光子激光测量系统 激光探测感知技术一直是科技领域的前沿热点，在航空航天、智能驾驶等众多领域有着广泛而重要的应用。微电子所以应用做牵引，聚焦光子集成激光探感技术的发展方向，重点在单光子
2024-10-16 06:30:58892 
碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其出色的宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等特性，在新能源、智能电网以及电动汽车等多个领域展现出广阔的应用前景。其中，沟槽型SiC
2025-02-02 13:49:001996 近期，微电子所智能感知芯片与系统研发中心乔树山团队在超宽带低噪声单片集成电路研究方面取得重要进展。 微弱信号处理链路对噪声极为敏感，低噪声放大器作为信号链路的关键元器件，决定了微弱信号的检测灵敏度
2025-01-15 09:21:16703 
BASiC国产SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模块介绍
2025-01-16 14:32:042 随着高性能人工智能算法的快速发展，芯粒（Chiplet）集成系统凭借其满足海量数据传输需求的能力，已成为极具前景的技术方案。该技术能够提供高速互连和大带宽，减少跨封装互连，具备低成本、高性能等显著优势，获得广泛青睐。但芯粒集成中普遍存在供电电流大、散热困难等问题，导致其面临严峻的电迁移可靠性挑战。针对工艺层次高度复杂的芯粒集成系统，如何实现电迁移问题的精确高效仿真，并完成电迁移效应与热效应的耦合分析，已成为先
2025-09-01 17:40:02550 
图1 肘形图形为目标图形，不同方法得到的全息掩模分布、空间像与光刻胶轮廓 近日，中国科学院上海光学精密机械研究所高端光电装备部李思坤研究员团队在全息光刻研究方面取得进展。相关成果以
2025-09-19 09:19:56443 
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