射频GaN需求飙升，专利申请战全面启动

电信和国防应用推动射频氮化镓（RF GaN）蓬勃发展。根据市调机构Yole调查指出，RF GaN产业于2017~2023年间的年复合增长率达到23%。随着工业不断地发展，截至2017年底，RF GaN市场产值已经接近3.8亿美元，2023年将达到13亿美元以上。
 
目前国防仍是RF GaN的主要市场，因为其专业化的高性能需求和价格敏感度(Price Sensitivity)较低，因而为以GaN为基底的产品提供了许多机会。2017~2018年，国防部门占了RF GaN市场总量的35％以上，完全没有减少的趋势。Yole资深技术与市场分析师Hong Lin表示，这个重要的GaN市场将持续与GaN的整体渗透力一起成长。
 
RF GaN已经被工业公司认可，并明显地成为主流。领先的参与者正快速地增加收入，这种趋势在未来的几年内将保持不变。从知识产权的角度来看，美国和日本主导着整个RF GaN知识产权系统。
 
Knowmade执行长兼联合创始人Nicolas Baron评论，科锐(Cree)毫无疑问地拥有最强的知识产权地位，尤其是以碳化矽(SiC)为基底的GaN高电子迁移率电晶体(High-electron- mobility transistor, HEMT) 。住友电气工业虽是RF GaN设备的市场领导者，仍落后于Cree。此外，住友电气工业的专利活动放慢了脚步，然而富士通、东芝和三菱电机等其他日本公司正在加快他们的专利申请，因此现在也拥有强大的专利组合。
 
Baron进一步说明， Cree也在RF GaN HEMT知识产权的竞赛中处于领先地位。针对Cree的RF GaN专利组合分析显示，它可以有效地限制该领域的专利活动并控制大部分关键国家其他企业的FTO (Freedom to Operate, FTO)。
 
另一方面，英特尔和全科科技目前也十分积极进行RF GaN专利申请，尤其是在GaN-on-Silicon技术方面，如今已成为RF GaN专利领域的主要知识产权挑战者。参与RF GaN市场的其他公司，如Qorvo、雷神、诺格(Northrop Grumman)、恩智浦(NXP)和英飞凌(Infineon)，同样拥有一些关键专利，但未必拥有强大的知识产权地位。
 
Yole指出，刚进入GaN HEMT专利领域的英特尔，目前是最活跃的专利申请人，且应该会在未来几年加强其知识产权地位，特别是对于GaN-on-Silicon技术。其余GaN RF HEMT相关专利领域的新进入者，主要包含中国企业海威华、三安光电和北京华进创维电子；而其他值得注意的新进入者包括***的台积电和联颖光电，韩国的Wavice和Gigalane，日本的爱德万测试，以及美国的全科科技和安森美半导体。
 
另外，中国电子科技集团和西安电子科技大学针对RF GaN在微波和毫米波的应用技术，领导了中国的专利领域。三年前进入知识产权领域的新兴代工厂海威华是当今中国知识产权的最强挑战者；然而，美国和日本公司依旧在RF GaN 知识产权领域中发挥关键作用。

来源：新电子