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5G 愿景的真正实现，还需要更多创新。网络基站和用户设备（例如：手机）变得越来越纤薄和小巧，能耗也变得越来越低。为了适合小尺寸设备，许多射频应用所使用的印刷电路板（PCB）也在不断减小尺寸。因此，射频应用供应商必须开发新的封装技术，尽量减小射频组件的占位面积。再进一步，部分供应商开始开发系统级封装办法（SiP），以减少射频组件的数量——尽管这种办法将会增加封装成本。
系统级封装办法正在被用于射频前端，而射频前端包含基站与天线中间的所有组件。
一个典型的射频前端由开关、滤波器、放大器及调谐组件组成。这些技术设备的尺寸不断减小，并且相互集成度不断加大。结果，在手机、小蜂窝、天线阵列系统、Wi-Fi 等 5G 应用中，射频前端正在变成一个复杂的、高度集成的系统封包。
不管怎样，5G愿景的实现都需要射频技术和封装技术的颠覆性创新。
氮化镓技术
氮化镓（GaN）是一种二进制 III/V 族带隙半导体，非常适合用于高功率、耐高温晶体管。氮化镓功率放大器技术的 5G 通信潜力才刚刚显现。氮化镓具有高射频功率、低直流功耗、小尺寸及高可靠性等优势，让设备制造商能够减小基站体积。反过来，这又有助于减少 5G 基站信号塔上安装的天线阵列系统的重量，因此可以降低安装成本。另外，氮化镓还能在各种毫米波频率上，轻松支持高吞吐量和宽带宽。
氮化镓技术最适合实现高有效等向辐射基站功率（EIRP），如图 4-5 所示。美国联邦通信委员会定义了非常高的 EIRP 限值，规定对于 28GHz 和 39GHz 频带，每 100MHz 带宽需要达到 75 dBm 功率。因此带来了哪些挑战？相关设备的搭建既要满足这些目标，又要将成本、尺寸、重量和功率等保持在移动网络运营商的预算范围内。氮化镓技术是关键；相比于其他技术，氮化镓技术在达到以上高 EIRP 值时，使用的元件更少，并且输出功率更高。
图 4-5：半导体技术与 EIRP 需求的适应性比较。
对于高功率基站应用，相比于锗硅（SiGe）或硅（Si）等其他功率放大器技术，在相同 EIRP 目标值下，氮化镓技术的总功率耗散更低，如图 4-6 所示。氮化镓减少了整体系统的重量和复杂性，同时还仍保持较低功耗，因此更适合塔上安装系统的设计。
氮化镓技术的部分重要属性：
可靠性与结实性：氮化镓的功率效率更高，因此降低了热量输出。氮化镓的带隙宽，能够耐受更高的工作温度，因此可以减少紧凑区域的冷却需求。由于氮化镓能够在塔上应用（例如：天线阵列系统）的高温条件下工作，因此可以不需要冷却风扇，以及/或者可以减少散热器的体积。历史上，冷却风扇由于其机械性质，一直是造成外场故障的首要原因。大型散热器不仅硬件本身构成重大成本，并且由于重量原因，还可能带来额外的人力成本。使用氮化镓可以让人们不再使用这些高成本的散热办法。
图 4-6：氮化镓减少了基站设计的复杂性，降低了成本。
低电流消耗：氮化镓降低了工作成本，产生的热量也更少。另外，低电流还有助于减少系统功耗和降低电源需求。再者，由于功耗降低，服务提供商也减少了运营支出。
功率能力：相比于其他半导体技术，氮化镓设备提供更高的输出功率。市场的发展趋势以及对于基站高功率输出的需求，更加有利于氮化镓技术的发展。
频率带宽：氮化镓拥有高阻抗和低栅极电容，能够实现更大的工作带宽和更高的数据传输速度。另外，氮化镓技术还在 3 GHz 以上拥有良好的射频性能，其他技术（例如：硅）在这个频率范围的性能却不佳。今天氮化镓模块和功率放大器提供的宽带性能，能够支持 5G 前所未有的带宽需求。
集成：5G 需要体积更小的解决方案，这促使供应商将大规模、包含多个技术的离散式射频前端，替换成单体式全面集成解决方案。氮化镓制造商开始抓住这个潮流，开发那些能够将收发链条整合到单一封装的全面集成解决方案。这进一步减少了系统的体积、重量和上市时间。
想要更多了解氮化镓技术，请参阅《氮化镓技术 For Dummies，Qorvo 专版》，网址：www.qorvo.com/design-hub/ebooks/gan-fordummies。
体声波滤波器技术
由于新增频带和载波聚合，再加上蜂窝通信必须与许多其他无线标准共存的事实，干涉问题比以往更加严重。要减少频带与标准之间的干涉，滤波器技术是关键。
表面声波滤波器和体声波滤波器具有占位面积小、性能优异、经济适用等优势，在移动设备滤波器市场上居于主导地位。
想要更多了解滤波器技术，请参阅《滤波器技术 For Dummies，Qorvo 专版》，网址：www.qorvo.com/design-hub/ebooks/filtersfor-dummies。
体声波滤波器最适合 1 GHz 至 6 GHz 的频段，表面声波滤波器最适合 1 GHz 以下的频段。因此，体声波的 5G“甜蜜点”是低于 7 GHz 的频段。体声波和表面声波能够减少 LTE、Wi-Fi、自动通信以及新的 7 GHz 以下 5G 频率的干涉，同时又能满足制造商严格的体积和性能标准。
对于智能手机设计者，5G 的推出对于电池寿命和主板空间又是一个挑战。随着每代产品推陈出新，集成的压力和缩小体积的压力不断增加。在较高频率下工作，意味着功率放大器效率降低，同时天线和线路的损耗增加。另外，5G 手机还需要增加射频开关，因此带来更多链路预算损失。（所谓“链路预算”，是指在电信系统中，从发送器经由电缆、走线等直至接收器，在这一过程中产生的所有增益与损失的总和。）
不出意外，从 4G 到 5G，手机里安装的滤波器数量急剧增加，如图 4-7 所示。载波聚合是滤波器数量增加的主要促成因素。随着全球载波聚合以及手机中标准和频带的数量越来越多，滤波器技术方兴未艾。另外，在载波聚合以及手机性能优化需求的驱使下，滤波器的复杂性也在增加。
图 4-7：智能手机与集成滤波器技术。
体声波技术的一项优势就是散热，如图 4-8 所示。如前所述，放大器功率的增加导致热量的增加。如果为补偿系统功率损耗或信号范围问题而增加放大器的功率，则发送滤波器产生的热量也将增加。该热量对滤波器的性能和工作寿命都有不利影响，并且会在衰减区域和传输频带造成频率偏移。体声波技术有助于减轻这一问题，因为 SMR 体声波滤波器（BAW-SMR）产生垂直热通量，有助于将热量导离设备。在高频率下，反射器层变得更薄，这更加有助于体声波谐振器的散热。
图 4-8：SMR BAW 滤波器功率处置方式。
射频技术、封装及设计
射频前端由多个半导体技术设备组成。众多的 5G 应用需要五花八门的处理技术、设计技巧、集成办法和封装办法，以满足各个独特用例的需求。
对于 5G 的 7GHz 以下频段，相应的射频前端解决方案需要创新封装办法，例如，提高组件排列的紧凑度；缩短组件之间的导线长度，以尽量减少损耗；采用双面安装；划区屏蔽；以及使用更高质量的表面安装技术组件等。
所有 5G 用例都需要射频前端技术。根据射频功能、频带、功率等级等性能要求，射频半导体技术的选择不尽相同。如图 4-9 所示，每个射频功能和应用分别对应多个半导体技术。这些应用需要五花八门的处理技术、设计技巧、集成办法和封装办法，以满足各个独特用例的特定需求。
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