能够在高输出功率电平下承受严苛的负载失配状况而不降低性能或造成器件故障。当晶体管工作在负载失配状态下时，它的输出功率有很大一部分会被反射进器件，此时功率必须在晶体管中耗散掉。但在比较不同耐用性的晶体管时，重要的是检查不同器件制造商达到其耐用性结果的条件，因为不同制造商的测试条件可能有很大变化。
2019-06-26 07:11:37
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-25 11:27:53
`功率场效应晶体管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
TR的情况，除此之外，还有5V以下(突破此耐压范围，会发生hFE低下等特性的劣化，请注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化关于封装功率容许功定义：是指由于输入晶体管的电压、电流
2019-04-09 21:27:24
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
？5. 连续脉冲？单脉冲？6. 平均功耗是否在周围温度的额定功率以下？功率计算的积分公式使晶体管工作会产生电气负载和热负载。对晶体管来讲，负载太大寿命会缩短，最坏的情况下会导致晶体管被破坏。为防止这种
2019-04-15 06:20:06
及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。 按电流容量分类 晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管按工作频率分类 晶体管按
2010-08-12 13:59:33
` 《晶体管电路设计（下）》是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管／FET电路设计技术的基础知识和基本实验，内容包括FET放大电路、源极跟随器电路、功率
2019-03-06 17:29:48
，发射极E接红表笔；PNP管的集电极C接红表笔，发射极E接黑表笔。正常时，锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10Kω（用R×100档测，电阻值大于2kΩ），锗大功率晶体管的电阻值为1.5k
2012-04-26 17:06:32
供应晶圆芯片，型号有： 可控硅， 中、大功率晶体管，13000系列晶体管，达林顿晶体管，高频小信号晶体管，开关二极管，肖特基二极管，稳压二极管等。有意都请联系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
从事电子设计7年了，发觉这两本书挺好的，发上来给大家分享一下附件晶体管电路设计（上）放大电路技术的实验解析.pdf42.5 MB晶体管电路设计（下）FET_功率MOS_开关电路的实验解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不错的晶体管电路设计书籍！`
2016-11-08 14:12:33
的设计，运算放大电路的设计与制作。下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。本书面向实际需要，理论联系实际，通过大量具体的实验，通俗易懂地介绍晶体管电路设计的基础知识。1．1 学习晶体管电路
2009-11-20 09:41:18
IC一般不能超出ICM。(3) 集电极最大允许功耗PCMPCM是指晶体管参数变化不超出规定允许值时的最大集电极耗散功率。使用晶体管时，实际功耗不允许超过PCM，通常还应留有较大余量，因为功耗过大往往是
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分类主要以最大额定值的集电极功率PC进行区分的方法。大体分为小信号晶体管和功率晶体管，一般功率晶体管的功率超过1W。ROHM的小信号晶体管可以说是业界第一的。小信号晶体管最大
2019-04-10 06:20:24
的电流、电压和应用进行分类。 下面以“功率元器件”为主题，从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中，将以近年来控制大功率的应用中广为采用的MOSFET为主来展开。 先来看一下晶体管的分类与特征
2020-06-09 07:34:33
题，从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中，将以近年来控制大功率的应用中广为采用的MOSFET为主来展开。首先是基础性的内容，来看一下晶体管的分类与特征。Si晶体管的分类Si晶体管的分类根据
2018-11-28 14:29:28
控制大功率现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是；(1)容易关断，所需要的辅助元器件少，(2)开关迅速，能在很高的频率下工作，(3)可得到的器件耐压范围从
2018-10-25 16:01:51
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速
2019-05-05 00:52:40
、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型号的小功率晶体管，可根据电路的要求选择晶体管的材料与极性，还要考虑被选晶体管的耗散
2012-01-28 11:27:38
TR的情况，除此之外，还有5V以下(突破此耐压范围，会发生hFE低下等特性的劣化，请注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化关于封装功率容许功定义：是指由于输入晶体管的电压、电流
2019-05-09 23:12:18
之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等的发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力
2010-08-12 13:57:39
电子，雷达和微波应用生产全系列AM晶体管。 这些AM晶体管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶体管覆盖60 MHz至3.0 GHz的范围，功率
2018-07-17 15:08:03
脉冲功率。 在没有外部调谐的情况下，所有设备都在宽带RF测试夹具中100％屏蔽了大信号RF参数。硅双极匹配50欧姆210W输出功率经过100％大功率射频测试C级操作IB0607S10功率晶体管
2021-04-01 10:07:29
500W的峰值脉冲功率。 该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。 发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。 所有设备都针对大信号RF参数进行了100％筛选。硅双极
2021-04-01 09:41:49
500W的峰值脉冲功率。 该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。 发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。 所有设备都针对大信号RF参数进行了100％筛选。硅双极
2021-04-01 10:29:42
至少800W的峰值脉冲功率。 该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。 发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。 所有设备都针对大信号RF参数进行了100％筛选。硅双
2021-04-01 10:11:46
`IB2729M170是专为S波段ATC雷达系统设计的大功率脉冲晶体管，该系统工作在2.7-2.9 GHz的瞬时带宽上。 在C类模式下工作时，该通用基础设备在100µs脉冲宽度和10％占空比的条件下
2021-04-01 09:48:36
`产品型号：IB3042-5产品名称：晶体管Integra于1997年由一些企业工程师发起，他们相信他们可以为新一代雷达系统设计人员提供创新的高性能RF功率晶体管解决方案。我们推向市场的款产品是采用
2019-04-15 15:12:37
：IB3042-5产品名称：晶体管Integra于1997年由一些企业工程师发起，他们相信他们可以为新一代雷达系统设计人员提供创新的高性能RF功率晶体管解决方案。我们推向市场的款产品是采用我们获得的新半导体
2019-05-14 11:00:13
`IDM165L650是一种高功率脉冲晶体管，专为工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系统而设计。 该双MOSFET器件以1ms的脉冲宽度和20％的占空比工作，在瞬时工作带宽上以
2021-04-01 10:03:31
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-05-06 05:00:17
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管，旨在满足P波段雷达系统的独特需求。它在整个420-450 MHz频率范围内运行。 在100毫秒以下，10％占空比脉冲条件
2021-04-01 10:35:32
`IGN2856S40是高功率脉冲晶体管，指定用于AB类操作下。 该晶体管提供2.856 GHz的工作频率，最小40W的峰值脉冲功率，50V和3％的占空比。 该单元采用金线技术通过芯片和线材技术组装
2021-04-01 09:57:55
商业和军事应用的频率为175兆赫。该装置的高功率、高增益和宽带性能使得FM广播或电视频道频带的固态发射机成为可能。产品型号：MRF151G产品名称：射频晶体管MRF151G产品特性保证性能在175兆赫
2018-08-08 11:32:03
放大器，在宽工作带宽内在功率，增益，增益平坦度，效率和耐用性方面均表现出出色的RF性能。相关型号NPT2022
2019-11-01 10:46:19
类操作公共基地配置黄金金属化系统内部输入和输出阻抗匹配 PH1214-220M产品详情在MACOM，我们提供范围广泛的双极技术RF功率晶体管产品，作为从DC到3.5 GHz的分立器件，模块和托盘
2019-05-23 17:21:32
，在MACOM，我们提供范围广泛的双极技术RF功率晶体管产品，作为从DC到3.5 GHz的分立器件，模块和托盘。 我们的高功率双极型晶体管非常适用于民用航空电子设备，通信，网络，雷达以及工业，科学
2018-05-21 15:49:50
，在MACOM，我们提供范围广泛的双极技术RF功率晶体管产品，作为从DC到3.5 GHz的分立器件，模块和托盘。 我们的高功率双极型晶体管非常适用于民用航空电子设备，通信，网络，雷达以及工业，科学
2018-07-06 09:46:43
，在MACOM，我们提供范围广泛的双极技术RF功率晶体管产品，作为从DC到3.5 GHz的分立器件，模块和托盘。 我们的高功率双极型晶体管非常适用于民用航空电子设备，通信，网络，雷达以及工业，科学
2018-07-06 09:47:57
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2018-07-13 14:16:37
，在MACOM，我们提供范围广泛的双极技术RF功率晶体管产品，作为从DC到3.5 GHz的分立器件，模块和托盘。 我们的高功率双极型晶体管非常适用于民用航空电子设备，通信，网络，雷达以及工业，科学和医疗
2018-11-12 11:02:34
配对电路以产生连续功率。用于重型电机以控制电流。用于机器人应用。IX. PNP 晶体管的优势为了提供电流，使用PNP晶体管。由于它产生的信号以负电源轨为基准，因此简化了电路设计。与NPN晶体管相比，它们
2023-02-03 09:44:48
电流和宽带应用。高压操作：VDS = 50V高功率：47.5dBm（典型值）@Psat高效率：55％（典型值）@Psat线性增益：16.0dB（典型值）@ f = 2.2GHz经验证的可靠性频率（GHz
2021-03-30 11:32:19
继前篇内容，继续进行各功率晶体管的比较。本篇比较结构和特征。功率晶体管的结构与特征比较下图是各功率晶体管的结构、耐压、导通电阻、开关速度的比较。使用的工艺技术不同结构也不同，因而电气特征也不同。补充
2018-11-30 11:35:30
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
放大电路的设计与制作，下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。《晶体管电路设计》(上)面向实际需要，理论联系实际，通过大量具体的实验，通俗易懂地介绍晶体管电路设计的基础知识
2017-07-25 15:29:55
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
晶体管，锗PNP晶体管，硅NPN晶体管和硅PNP晶体管。》技术根据其结构和制造工艺，晶体管可分为扩散晶体管、合金晶体管和平面晶体管。》 当前容量根据目前的容量，晶体管可分为低功率晶体管、中功率晶体管和高
2023-02-03 09:36:05
。达林顿通常用于需要低频高增益的地方。常见应用包括音频放大器输出级、功率调节器、电机控制器和显示驱动器。 达林顿晶体管也被称为达林顿对，由贝尔实验室的西德尼达林顿于 1953 年发明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
电路的设计与制作，下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。《晶体管电路设计(下)》是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管／FET电路设计技术
2017-06-22 18:05:03
PNP晶体管在哪里使用？放大电路采用PNP晶体管。达林顿对电路采用PNP晶体管。机器人应用利用了PNP晶体管。PNP 晶体管用于控制大功率应用中的电流。如何控制PNP晶体管？首先，为了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
请教：单结晶体管在什么位置，有人说是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
音频放大器的差分输入电路及调制、较大、阻抗变换、稳流、限流、自动保护等电路，可选用结型场效应晶体管。音频功率放大、开关电源、逆变器、电源转换器、镇流器、充电器、电动机驱动、继电器驱动等电路，可选用功率
2021-05-13 07:10:20
）需要几毫安才能上电，并且可以由逻辑门输出驱动。然而，螺线管、灯和电机等大功率电子设备比逻辑门电源需要更多的电力。输入晶体管开关。 晶体管开关操作和操作区域 图 1 中图表上的蓝色阴影区域表示饱和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
选定方法①使TR达到饱和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②输入电阻：R1是±30% E-B间的电阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V数字晶体管具有下面的关系式。■数字晶体管
2019-04-22 05:39:52
选定方法数字晶体管的型号说明IO和IC的区别GI和hFE的区别VI(on)和VI(off)的区别关于数字晶体管的温度特性关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域（数字晶体管的情况）关于数字晶体管
2019-04-09 21:49:36
的IC。2. 按功率分类主要以最大额定值的集电极功率PC进行区分的方法。大体分为小信号晶体管和功率晶体管，一般功率晶体管的功率超过1W。ROHM的小信号晶体管可以说是业界第一的。小信号晶体管最大
2019-05-05 01:31:57
本文讨论了商用氮化镓功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器方面的优势。介绍随着更高功率、更小尺寸和更高效率的明显趋势，高频 LLC 谐振转换器是业内隔离式
2023-02-27 09:37:29
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
(MicrosemiCorporation)扩展其基于碳化硅衬底氮化镓(GaNonSiC)技术的射频(RF)晶体管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄准大功率空中交通控制机场监视雷达(ASR
2012-12-06 17:09:16
焊接后的晶振耐用性和灵活性为什么没预期好?松季电子解答如下： 首先需经检查，进行原因分析：元器件自身质量良好，其所在电路也一切正常，所以只能是焊接加工过程有问题，仔细观察后发现受损晶体管
2014-03-17 15:15:06
用IBM43RF0100EV评估板评估IBM43RF0100 SiGe晶体管性能
2009-05-12 11:46:34
的高可靠性，EPC 公司已经宣布了其新的 EPC7019 eGaN 抗辐射功率晶体管器件。EGaN 晶体管采用钝化模具形式，图像由 EPC 提供新产品利用 GaN 白光栅材料实现高电子迁移率和低温系数。该
2022-06-15 11:43:25
电子产品中，近年来逐渐被晶体管和集成电路所取代，但目前在一些高保真音响器材中，仍然使用电子管作为音频功率放大器件。 而晶体管是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多
2016-01-26 16:52:08
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
所需的组件，降低系统成本，提高可靠性。 英飞凌新型功率晶体管PTVA127002EV非常适用于空中交通管制应用和气象观察应用的L波段雷达系统。雷达系统在特定频率范围内发射高能电子脉冲，然后检测脉冲
2018-11-29 11:38:26
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07:55
请问那位大神有没有RF_POWER_ADS2014_DK.zip这个晶体管模型啊？或者在那里能够下载啊？
2018-05-11 13:54:26
”的器件。它有多好呢？击穿电压是功率晶体管的关键指标之一，达到这个临界点，半导体阻止电流流动的能力就会崩溃。东胁研究的开创性晶体管的击穿电压大于250伏。相比之下，氮化镓花了近20年的时间才达到这一
2023-02-27 15:46:36
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
硅NPN RF晶体管BFX89、BFY90，专为VHF/UHF放大器、振荡器、转换器应用BFX89和BFY90硅NPN RF晶体管采用TO-72封装方式封装。它们的实物如图1所示，专为VHF/UHF
2019-04-08 01:46:37
飞思卡尔半导体公司以合理的性价比点，面向OEM(原始设备制造商)推出三款先进的工业RF功率晶体管。 增强的耐用性与领先的RF性能结合，使OEM厂商能够大幅缩减在工业和商用
2010-11-23 09:31:27
1045 2011年9月9日，德克萨斯州奥斯汀市 – 飞思卡尔半导体 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射频LDMOS晶体管，该产品结合了业界最高的输出功率、效率和其同类竞争器件中最强的耐用性，专门面向U
2011-09-13 18:25:061179 众所周知，像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此，将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMO
2012-05-28 11:18:541774 本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性，并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。
2012-05-28 11:42:271301 本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性，并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。
2017-09-15 16:10:15
15 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2017-11-23 18:58:37377 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造 商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS
2017-12-07 06:22:21461 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-03-18 15:53:16947 
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管
2020-08-20 18:50:000 能够在高输出功率电平下承受严苛的负载失配状况而不降低性能或造成器件故障。当晶体管工作在负载失配状态下时，它的输出功率有很大一部分会被反射进器件，此时功率必须在晶体管中耗散掉。但在比较不同耐用性的晶体管时，重要的是
2020-08-14 18:51:000 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS
2020-08-12 18:52:000 功率 MOSFET 单次和重复雪崩耐用性等级-AN10273
2023-02-09 19:23:422
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