8050晶体管是一种小型设备，用于引导便携式无线电中的电流。数字“8050”基本上表示尺寸和特定输出额定值。工程师和电子专家通常会给晶体管起数字名称，以便更容易识别和区分它们。具有8050
2023-02-16 18:22:30
从5G到6G，未来的通讯将改变中国科技智能的方方面面，面对科技爆发的新时代，华为从无到有，从弱到强，引领着通讯科技前沿变革，对国家科技领域的振兴和发展贡献力了力量。了解6G也能更好的看清更远的路，和美国发展6G的动机和目的，开阔视野，提高自身的辨识高度。
2021-09-04 09:22:44
日前，工信部IMT-2020（5G）无线技术工作组组长粟欣透露6G概念研究将在今年启动。这意味着中国与全球同步开始6G研究。除了中国，美国、俄罗斯、欧盟等国家和地区也在进行相关的概念设计和研发工作
2019-08-16 07:16:39
如果平衡电阻与发射极串联，则双极晶体管（BJT）可以并联连接。随着温度的升高，BJT通常会变得更具导电性。以下MMBT2222A数据表中的示例显示了该器件的典型增益如何随温度在允许的工作范围内变化而
2018-10-26 14:45:42
:dodo1999@vip.163.com双极晶体管阵列 (BJT)DMMT5401-7晶体管, PNP, 最大直流集电极电流 200 mA, SOT-26封装, 300 MHz, 6引脚规格 TRANS
2020-02-25 11:39:26
？5. 连续脉冲？单脉冲？6. 平均功耗是否在周围温度的额定功率以下？功率计算的积分公式使晶体管工作会产生电气负载和热负载。对晶体管来讲，负载太大寿命会缩短，最坏的情况下会导致晶体管被破坏。为防止这种
2019-04-15 06:20:06
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
继电器线圈时，晶体管的导通与关断控制着线圈中电流的通过。此时，当晶体管由导通状态向截止状态转换时，集电极（线圈中）的电流的突然减小，线圈将会产生一个反电动势，并作用于集电极。这个反电动势将高达数百伏（V
2017-03-28 15:54:24
1．反向击穿电流的检测 普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档， NPN型管的集电极C接黑表笔
2012-04-26 17:06:32
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不错的晶体管电路设计书籍！`
2016-11-08 14:12:33
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-04-10 06:20:24
不同分类角度，有几种不同的分类方法。在这里，从结构和工艺方面粗略地分类如下。其中，本篇的主题“功率类”加粗/涂色表示。双极晶体管和MOSFET中，分功率型和小信号型，IGBT原本是为处理大功率而开发
2018-11-28 14:29:28
不同的是，用于放大或导通/关断的偏置电流会流经晶体管（基极）。 另外，MOSFET中有称为“导通电阻”的参数，尤其是处理大功率时是重要的特性。但双极晶体管中没有“导通电阻”这个参数。世界上最早的晶体管
2020-06-09 07:34:33
有效芯片面积的增加，(2)技术上的简化，(3)晶体管的复合——达林顿，(4)用于大功率开关的基极驱动技术的进步。、直接工作在整流380V市电上的晶体管功率开关晶体管复合(达林顿)和并联都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
自来水的阀门，从而调节水龙头喷出的巨大的水量（即集电极电流）。借此，可以通俗地领会这一原理。6. 正确说明。下面通过图1及图2对晶体管的增幅原理作进一步详尽的说明。与输入电压e和偏压E1构成的基极-发射极
2019-05-05 00:52:40
、2SD1431、2SD1553、2SD1541等型号的高反压大功率开关晶体管。 6．达林顿管的选用达林顿管广泛应用于音频功率输出、开关控制、电源调整、继电器驱动、高增益放大等电路中。 继电器驱动电路与高增益
2012-01-28 11:27:38
;nbsp; 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为
2010-08-12 13:57:39
您好，为了模拟ADS软件中基于双极晶体管的电路，我们将基板与发射器连接，还是允许空气？谢谢 以上来自于谷歌翻译 以下为原文hello,to simulate a circuit based
2018-12-18 16:11:14
The IBM43RF0100 Silicon-Germanium (SiGe) HighDynamic Range, Low-Noise Transistor is a
2009-05-12 11:35:41
`IB0912M600是一种高功率脉冲晶体管器件，设计用于在0.960-1.215 GHz瞬时带宽上运行的系统。 当在规定的脉冲条件下且VCC = 50V时以C类模式工作时，该通用基本设备可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB0912M600是一种高功率脉冲晶体管器件，设计用于在0.960-1.215 GHz瞬时带宽上运行的系统。 当在规定的脉冲条件下且VCC = 50V时以C类模式工作时，该通用基本设备可提供至少
2021-04-01 10:29:42
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-03-27 06:20:04
MAPRST0912-50硅双极晶体管产品介绍MAPRST0912-50报价MAPRST0912-50代理MAPRST0912-50咨询热线MAPRST0912-50现货,王先生
2018-08-09 09:57:23
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2018-08-09 10:01:09
MRF317硅双极晶体管产品介绍MRF317报价MRF317代理MRF317咨询热线MRF317现货,王先生15989509955 深圳市首质诚科技有限公司MRF317主要用于宽带大信号输出放大器级
2018-08-07 17:02:08
MRF321硅双极晶体管产品介绍MRF321报价MRF321代理MRF321咨询热线MRF321现货,王先生15989509955 深圳市首质诚科技有限公司MRF321主要用于宽带大信号驱动器
2018-08-08 11:12:43
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2018-08-08 11:22:49
MRF422硅双极晶体管产品介绍MRF422报价MRF422代理MRF422MRF422现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司MRF422主要用于高功率线性放大器的设计，从2到30 MHz优势产品
2018-10-09 12:10:05
） 电流放大以下分析仅适用于NPN硅晶体管。如上图所示，我们将流向基极 B 流向发射极 E 的电流称为基极电流 Ib;从集电极C流向发射极E的电流称为集电极电流Ic。这两个电流的方向都是从发射极流出
2023-02-08 15:19:23
，电压源耦合到PNP晶体管。这一次，发射极连接到电源电压V抄送通过负载电阻器，RL，限制流过连接到集电极端子的设备的最大电流。基电压VB相对于发射极偏置负，并连接到基极电阻R。B，用于再次限制最大基极
2023-02-03 09:44:48
众所周知，像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此，将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMOS晶体管的耐用性测试通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
(HBT)
AlgaAs/GaAs 异质结双极晶体管 (HBT) 用于频率高达 Ku 频段的数字和模拟微波应用。HBT 可以提供比硅双极晶体管更快的开关速度，主要是因为基极电阻和集电极到基板的电容降低
2023-08-02 12:26:53
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
光电器件相关联，其特点是响应速度快（响应时间为数十皮秒），适合集成。这些类型的器件有望应用于光电集成。》 双极晶体管双极晶体管是音频电路中常用的一种晶体管。双极性是由两种半导体材料中的电流流动引起的。双极晶体管
2023-02-03 09:36:05
达林顿晶体管是一对双极晶体管，连接在一起，从低基极电流提供非常高的电流增益。输入晶体管的发射极始终连接到输出晶体管的基极;他们的收藏家被绑在一起。结果，输入晶体管放大的电流被输出晶体管进一步放大
2023-02-16 18:19:11
PNP晶体管在哪里使用？放大电路采用PNP晶体管。达林顿对电路采用PNP晶体管。机器人应用利用了PNP晶体管。PNP 晶体管用于控制大功率应用中的电流。如何控制PNP晶体管？首先，为了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
请教：单结晶体管在什么位置，有人说是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
必须将基端子接地，如图6所示。 图6.PNP晶体管的开关电路 用于计算集电极电流、基极电阻和电压的PNP晶体管方程与NPN计算中使用的公式相同。区别在于开关电流。对于PNP，开关电流是源电流
2023-02-20 16:35:09
绝缘栅双极晶体管（IGBT）有哪些应用呢？如何去实现绝缘栅双极晶体管（IGBT）的电磁兼容设计呢？
2022-01-14 07:02:41
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
电路之一是具有发射极偏置电路的自偏置功能，其中一个或多个偏置电阻器用于为三个晶体管电流（I B）设置初始DC值 ， （I C）和（I E）。双极晶体管偏置的两种最常见形式是：Beta依赖和Beta独立
2020-11-12 09:18:21
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
、电压用示波器确认晶体管上的电压、电流。需要全部满足规格书上记载的额定值，特别应该确认下列项目。特别应该确认的项目晶体管的种类电压电流双极晶体管集电极发射极间电压 : VCE集电极电流 : IC数字晶体管
2019-05-05 09:27:01
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
异质结双极晶体管
2012-08-20 08:57:47
选定方法①使TR达到饱和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②输入电阻：R1是±30% E-B间的电阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V数字晶体管具有下面的关系式。■数字晶体管
2019-04-22 05:39:52
选定方法数字晶体管的型号说明IO和IC的区别GI和hFE的区别VI(on)和VI(off)的区别关于数字晶体管的温度特性关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域（数字晶体管的情况）关于数字晶体管
2019-04-09 21:49:36
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-05-05 01:31:57
换向故障损坏。总之，与用于LLC拓扑应用的Si和SiC晶体管相比，GaN在效率和功率密度方面提供了更高的价值。
2023-02-27 09:37:29
求大佬分享一款适用于激光及MRI的宽带LDMOS晶体管
2021-06-08 06:29:42
求购双极晶体管BD249C，NPN，30个，要求现货。2-4天能到北京
2019-07-23 05:27:32
用IBM43RF0100EV评估板评估IBM43RF0100 SiGe晶体管性能
2009-05-12 11:46:34
栅双极晶体管（IGBT）实现此类拓扑。本文中，我们将重点介绍直接驱动GaN晶体管的优点，包括更低的开关损耗、更佳的压摆率控制和改进的器件保护。
2020-10-27 06:43:42
绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。一．绝缘栅双极晶体管IGBT的工作原理： 半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料，供感兴趣
2009-05-12 20:44:23
绝缘栅双极晶体管晶体管的发展1947年的圣诞前某一天，贝尔实验室中，布拉顿平稳地用刀片在三角形金箔上划了一道细痕，恰到好处地将顶角一分为二，分别接上导线，随即准确地压进锗晶体表面的选定部位。电流表
2012-08-02 23:55:11
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 编辑
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶体管模型數據庫以外,更多更多晶体管模型數據庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶体管模型數據庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
硅技术的迅猛发展使工程师们能够设计和创建出新型电路，这些电路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(异质结双极晶体管)和PHEMT技术才能达到，电路的核心就是锗化硅(SiGe)工艺
2019-07-30 07:56:50
一直采用陶瓷或表面声波(SAW)技术构建，而RF功放器则一直使用GaAs异质结双极晶体管(HBT)或FET器件构建。由于这些技术与RFIC使用的硅或SiGe工艺有着很大区别，因此功放器和滤波器一直作为
2019-06-25 07:04:59
一直采用陶瓷或表面声波(SAW)技术构建，而RF功放器则一直使用GaAs异质结双极晶体管(HBT)或FET器件构建。由于这些技术与RFIC使用的硅或SiGe工艺有着很大区别，因此功放器和滤波器一直作为
2019-06-26 08:17:57
应用评估板评估IBM43RF0100 SiGe HBT晶体管在 1.9GHz CDMA驱动器应用情况;
The IBM43RF0100 Silicon-Germanium (SiGe
2009-05-12 11:32:43
31 绝缘栅双极晶体管（IGBT)
基础知识绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）GTR和MOSFET复合，结合二者的优点1986年投
2009-04-14 22:13:39
6003 
绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。
一．绝缘栅双极晶
2009-05-12 20:42:001282 
使用双极晶体管的发射极接地放大电路图
2009-08-08 16:14:36804 
绝缘栅双极晶体管原理、特点及参数
绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。
2009-10-06 22:56:595421 
绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有
2009-11-05 11:40:14604
双极晶体管
2009-11-07 10:44:021352 异质结双极晶体管,异质结双极晶体管是什么意思
异质结双极晶体管（Hetero-junction Bipolar Transistor,简称HBT)基区(base)异质结SiGe外延(图1)：其原理是在基
2010-03-05 10:56:554866 双极晶体管,双极晶体管是什么意思
双极晶体管
双极型晶体管内部电流由两种载流子形成，它是利用电流来控制。场效应管是电压控制器
2010-03-05 11:48:465920 双极晶体管属于电流控制器件，即加入变动的基极电流，产生集电极电流的变动。
2011-03-03 11:40:34150 双极晶体管制造流程图。
2011-03-03 11:47:32322 瑞萨电子宣布推出新款 SiGe :C异质接面晶体管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作为低噪声放大晶体管用于无线局域网络系统、卫星无线电及类似应用。本装置的制程采用全新开发的硅锗：碳
2011-09-28 09:08:46902 本文将介绍双极型晶体管的基本结构。双极晶体管是双极型结型晶体管（BJT）的简称，在电力半导体中，也称作大功率晶体管（GTR），在现代电力电子变换器中大多已经被MOSFET或者IGBT所代替。了解双极晶体管有助于深入理解现代功率器件的结构。
2018-03-05 16:12:1422939 
RFMD的SGA8543Z是一种高性能硅锗异质结构双极晶体管（SiGe HBT），设计用于50MHz到3.5GHz的工作范围。该SGA854 3Z优化3.3V操作，但可偏置在2.7V的低电压电池操作系统。该装置以较低的成本提供低NF和优异的线性度。
2018-09-07 11:25:003 RFMD的SGA1263Z是一种硅锗HBT异质结构双极晶体管（SiGe HBT）放大器，它提供了极好的隔离和平坦的增益响应应用于4GHz。该RFIC是一种2级设计，在2GHz下提供高达40dB
2018-09-05 11:25:004 RFMD的SGA9189Z是一种高性能晶体管，工作频率为3GHz。最佳匹配在2GHz，OIP3＝39 dBm，P1dB＝25.5dBm。该RF器件基于硅锗异质结双极晶体管（SiGe HBT）工艺。SGA9189Z是成本效益高的线性度要求，即使在中等偏置水平的应用。
2018-07-27 11:30:002 本期介绍：本期ROHM君想与大家一同学习绝缘栅双极晶体管——IGBT，认识其原理及其应用。IGBT是一种功率开关晶体管，它结合了MOSFET和BJT的优点，用于电源和电机控制电路 该绝缘栅双极晶体管
2022-12-08 16:01:261314 双极晶体管（BJT）是最基础的集成电路器件之一，在集成电路发展史中起着重要的作用。因为这种晶体管工作时，电子和空穴两种载流子均参与导电，所以被称为双极性结型晶体管，简称双极晶体管。
2022-09-07 09:27:162453 “晶体管”现在可以分为多种类型，每种类型具有不同的功能和结构，例如FET、MOS FET、CMOS等也是广义上的晶体管。当然，它仍然是有源的，主要用于电压/信号放大和开关控制。在本文中，工程师将解释这种双极晶体管是什么，以及它的原理、机制和特点。
2023-07-07 10:14:492351 绝缘栅双极晶体管也简称为IGBT ，是传统双极结型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET)的交叉体，使其成为理想的半导体开关器件。
2023-09-06 15:12:291491 
绝缘栅双极晶体管(IGBTs)简史
2023-11-24 14:45:34407 
【科普小贴士】什么是双极晶体管（BJT）？
2023-12-13 14:38:56401 
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