火牛 简称:牛,指电源变压器,环牛指环形铁芯变压器。方牛指E形铁芯变压器。
CD唱片 索尼和飞利浦公司联手研制的一种数字音乐光盘,有12cm直径和8cm直径两种规格,以前者最为常见,它能提供74分钟的高质量音乐。
DVD 一种外型类似CD的新一代超大容量光盘,它将广泛应用于高质量的影音节目记录和用作电脑的海量存储设备。
HDCD High Definition Compact Disc(高解析度CD)的缩写——一种改善CD音质的编码系统,兼容传统的CD,但需要在带HDCD解码的CD机上重放或外接一台HDCD解码器才能获得改善的效果。
D/A转换器 数码音响产品(例如CD、DVD) 中将数字音频信号转换为模拟音频信号的装置。D/A转换器可以做成独立的机器,以配合CD转盘使用,此时常常称为解码器。
前置放大器(前级) 功放之前的预放大和控制部分,用于增强信号的电压幅度,提供输入信号选择,音调调整和音量控制等功能。前置放大器也称为前级。
功率放大器(后级) 简称功放,用于增强信号功率以驱动音箱发声的一种电子装置。不带信号源选择、音量控制等附属功能的功率放大器称为后级。
合并式放大器 将前置放大和功率放大两部分集中在一个机箱内的放大器。
单端放大 功放的输出级由一只放大元件(或多只元件但并联成一组)完成对信号正负两个半周的放大 。单端放大机器只能采取甲类工作状态。
推挽放大 功放的输出级有两个“臂”(两组放大元件),一个“臂”的电流增加时,另一个“臂”的 电流则减小,二者的状态轮流转换。对负载而言,好象是一个“臂”在推,一个“臂”在拉, 共同完成电流输出任务。尽管甲类放大器可以采用推挽式放大,但更常见的是用推挽放大构成 乙类或甲乙类放大器。
甲类(A类) 在信号的整个周期内(正弦波的正负两个半周),放大器的任何功率输出元件都 不会出现电流截止(即停止输出)的一类放大器。甲类放大器工作时会产生高热,效率很低,但固有的优点是不存在交越失真。单端放大器都是甲类工作方式,推挽放大器可以是甲类,也可以是乙类或甲乙类。
乙类(B类) 正弦信号的正负两个半周分别由推挽输出级的两“臂”轮流放大输出的一类放大 器,每一“臂”的导电时间为信号的半个周期。乙类放大器的优点是效率高,缺点是会产生交 越失真。
甲乙类 (AB类) 界于甲类和乙类之间,推挽放大的每一个“臂”导通时间大于信号的半个周期而 小于一个周期。甲乙类放大有效解决了乙类放大器的交越失真问题,效率又比甲类放大器高, 因此获得了极为广泛的应用。
AV功放 专门为家庭影院用途而设计的放大器,一般都具备4 个以上的声道数以及环绕声解码功能。
HI-FI功放 高保真功放,通常为两个声道,各项技术指标均较高。
胆机 电子管功放的别称。
石机 晶体管或集成电路功放的别称。
双线分音(Bi wiring) 用一套放大器,两套喇叭线分别传送音乐信号的高、低音部分的一种接线方式。双线分音需要使用具备两 对接线端子的专门设计的音箱。
双放大器分音(Biamping) 音箱的每一只喇叭单元由一个独立的放大器通道来进行驱动的一种连接方式。一对两分频的 的音箱需要使用两台立体声功放和两对喇叭线。
动态范围 信号最强的部分与最微弱部分之间的电平差。对器材来说,动态范围表示这件器材对强弱信 号的兼顾处理能力。
频率响应(简称频响) 衡量一件器材对高、中、低各频段信号均匀再现的能力。对器材频响的要求有两 方面,一是范围尽量宽,即能够重播的频率下限尽量低,上限尽量高;二是频率范围内各点的 响应尽量平坦,避免出现过大的波动。
瞬态响应 器材对音乐中突发信号的跟随能力。瞬态响应好的器材应当是信号一来就立即响应,信号一 停就嘎然而止,决不拖泥带水。
信噪比(S/N)又称为讯噪比 信号的有用成份与杂音的强弱对比,常常用分贝数表示。设备的信噪比越高 表明它产生的杂音越少。
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PLC单片机解释
场景:工业物联网名词解释:PLC单片机,每一个单片机都有一堆寄存器。RS485串口,与RS232差不多,都是串口的交互(具体百度吧,电气啥的稍微有点差别)。MODBUS是工业通信协议,具体百度下吧
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S32V基础概念与名词解释
1、CCIR 通信总线(1)CCIR601:16 位数据传输;Y、U、V 信号同时传输,是并行数据,行场同步单独输出。(2)CCIR656:8/10 位数据传输;不需要同步信号;串行数据传输;传输速率是 601 的 2 倍;先传 Y,后传 UV;行场同步信号嵌入在数据流中。(3)行同步信号常用 HS 或 HSYNC 表示,场同步信号常用 VS 或 VSYNC 表示。行同步信号的作用是选择出液晶面板上有效行信号区间,场同步信号的作用是选择出液晶面板上有效场信号区间。行场同步信号的共同作用,可将选择出液晶面板上的有效视频信号区间。 2、MIPI CSI-2 和 DVP(1)CSI 即Camera Sensor Interface,相机串行接口;DVP 即Digital Video Port,数字式视频端口。(2)MIPI 是差分串口传输,速度快,抗干扰,使用需要 CLKP/N(2 根线)、DATAP/N(4 组 8 根线),最大支持 4-lane,一般 2-lane 可以搞定。(3)DVP 是并口传输,速度较慢,传输的带宽低,使用需要 PCLK(sensor 输出时钟)、MCLK(XCLK)(外部时钟输入)、VSYNC(场同步)、HSYNC(行同步)、D[0:11](并口数据)——可以是 8/10/12bit 数据位数大小。(4)以分辨率 320×240 的屏为例,每一行需要输入 320 个脉冲来依次移位、锁存这一行的数据,然后来个 HSYNC 脉冲换一行。这样依次输入 240 行之后换行同时来个 VSYNC 脉冲把行计数器清零,又重新从第一行开始刷新显示。 3、BSPBSP 即 Board Support Package,板级支持包。它是介于主板硬件和操作系统中驱动层程序之间的一层,一般认为它属于操作系统一部分,主要是实现对操作系统的支持,为上层的驱动程序提供访问硬件设备寄存器的函数包,使之能够更好的运行于硬件主板。 4、SerDes(1)SerDes 是SERializer(串行器) 和 DESerializer(解串器)的简称。它是一种主流的时分多路复用(TDM)、点对点(P2P)的串行技术,即在发送端多路低速并行信号被转换成高速串行信号,经过传输媒体(光缆或铜线),最后在接收端高速串行信号重新转换成低速并行信号。(2)这种点对点的串行通信技术充分利用传输媒体的信道容量,减少所需的传输信道和器件引脚数目,提升信号的传输速度,从而大大降低通信成本。 5、FPD-Link IIIFPD-Link III 串行总线方案支持通过单个差分链路实现高速视频数据传输和双向控制通信的全双工控制。 通过单个差分对整合视频数据和控制可减少互连线尺寸和重量,同时还消除了偏差问题并简化了系统设计。 6、RGB 格式、YUV 格式和 RAW data 格式(1)传统的红绿蓝格式,比如 RGB565,RGB888;其16-bit数据格式为 5-bit R + 6-bit G + 5-bit B,G 多一位,原因是人眼对绿色比较敏感。(2)YUV 是指亮度参量和色度参量分开表示的像素格式,而这样分开的好处就是不但可以避免相互干扰,还可以降低色度的采样率而不会对图像质量影响太大。(3)RAW 图像就是 CMOS 或者 CCD 图像感应器将捕捉到的光源信号转化为数字信号的原始数据。 7、摄像头结构和工作原理拍摄景物通过镜头,将生成的光学图像投射到传感器上,然后光学图像被转换成电信号,电信号再经过模数转换变为数字信号,数字信号经过DSP加工处理,再被送到电脑中进行处理,最终转换成手机屏幕上能够看到的图像。
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UPS电源作用及相关名词解释
处于充满的状态;当市电故障或是中断时,UPS开启蓄电池供电模式,直到蓄电池放电中止或是市电正常时恢复到市电工作模式,而后开始给蓄电池进行恢复充电。UPS电源*相关UPS不间断电源名词解释:1.W
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USB名词解释
(一)域:是USB数据最小的单位,由若干位组成(至于是多少位由具体的域决定),域可分为七个类型:1、同步域(SYNC),八位,值固定为0000 0001,用于本地时钟与输入同步2、标识域(PID),由四位标识符+四位标识符反码构成,表明包的类型和格式,这是一个很重要的部分,这里可以计算出,USB的标识码有16种,具体分类请看问题五。3、地址域(ADDR):七位地址,代表了设备在主机上的地址,地址000 0000被命名为零地址,是任何一个设备第一次连接到主机时,在被主机配置、枚举前的默认地址,由此可以知道为什么一个USB主机只能接127个设备的原因。4、端点域(ENDP),四位,由此可知一个USB设备有的端点数量最大为16个。5、帧号域(FRAM),11位,每一个帧都有一个特定的帧号,帧号域最大容量0x800,对于同步传输有重要意义(同步传输为四种传输类型之一,请看下面)。6、数据域(DATA):长度为0~1023字节,在不同的传输类型中,数据域的长度各不相同,但必须为整数个字节的长度7、校验域(CRC):对令牌包和数据包(对于包的分类请看下面)中非PID域进行校验的一种方法,CRC校验在通讯中应用很泛,是一种很好的校验方法,至于具体的校验方法这里就不多说,请查阅相关资料,只须注意CRC码的除法是模2运算,不同于10进制中的除法。(二)包:由域构成的包有四种类型,分别是令牌包、数据包、握手包和特殊包,前面三种是重要的包,不同的包的域结构不同,介绍如下1、令牌包:可分为输入包、输出包、设置包和帧起始包(注意这里的输入包是用于设置输入命令的,输出包是用来设置输出命令的,而不是放据数的)其中输入包、输出包和设置包的格式都是一样的:SYNC+PID+ADDR+ENDP+CRC5(五位的校验码)帧起始包的格式:SYNC+PID+11位FRAM+CRC5(五位的校验码)2、数据包:分为DATA0包和DATA1包,当USB发送数据的时候,当一次发送的数据长度大于相应端点的容量时,就需要把数据包分为好几个包,分批发送,DATA0包和DATA1包交替发送,即如果第一个数据包是 DATA0,那第二个数据包就是DATA1。但也有例外情况,在同步传输中(四类传输类型中之一),所有的数据包都是为DATA0,格式如下:SYNC+PID+0~1023字节+CRC163、握手包:结构最为简单的包,格式如下SYNC+PID
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半导体名词解释(一)
Time生产周期时间指原料由投入生产线到产品于生产线产出所须的生产/制造时间。在TI-Acer,生产周期时尚两种解释 : 一为"芯片产出周期时间"(wafer-out time);一为
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半导体名词解释(三)
184) Short Channel Effect短通道效应当MOS组件愈小,信道的长度将随之缩短,电晶体的操作速度将加快,但是,MOS电晶体的通道长度并不能无限制缩减,当长度缩短到一定的程度之后,各种因通道长度变小所衍生的问题便会发生,这个现象称为“短通道效应”。185)Selectivity选择性两种材抖,分别以相同的酸液或电浆作蚀刻其两蚀刻率的比值,谓之:例如,复晶电浆蚀:对复晶的蚀刻率为2OO0Å /min (分)对氧化层的蚀刻率为20OÅ /min (分)则复晶对氧化层的选择性:S20OO Å/minS= =10 2OO Å/min 选择性愈高表示蚀刻特性愈好,一般干式蚀刻选择性较化学湿蚀刻为差,吾人取较高的选择性的目的即在于电浆蚀刻专心蚀刻该蚀刻的氧化层,而不会伤害到上层光阻或下层氧化层,以确保蚀刻的完整性。 186) Silicide硅化物 一般称为硅化物 (Silicide),指耐火金属 (Refratory Metal)的硅化物,如钛(Ti)、钨(W)、钼 (Mo)等元素硅(Si)结合而成的化合物 (TiSi2、WSi2、MoSi2)。硅化物应用在组件的目的,主要为降低金属与硅界面、闸极或晶体管串连的阻抗,以增加组件的性能。以钛的硅化物为例,其制造流程如下所示:[/td][td][/td]187) Silicide金属硅化物"Silicide"通常指金属硅化物,为金属舆硅的化合物。在微电子工业硅晶集成电路中主要用为: (1) 导体接触(Ohmic Contact)(2) 单向能阻接触(Schottky Barrier Contact) (3) 低阻闸极(Gate Electrode)(4) 组件间通路(Interconnect) 在VLSI(超大型积逞电路)时代中,接面深度及界面接触面积分别降至次微米及1-2平方毫米。以往广泛应用为金属接触的Al,由于严重的穿入半导靠问题,在VLSI中不再适用。再加上其它技术及应用上的需求,金属硅化物在集成电路工业上日益受重视。 用于集成电路中的金属硅化物限于近贵重(Pt,Pd,Co, Ni,…)及高温金属(Ti,W,Mo,Ta)硅化物。188) Silicon硅硅--SI (全各SILICON)为自然界元素的一种,亦即我们使用的硅芯片组成元素,在元素周期表中排行14,原子量28.09,以结晶状态存在(重复性单位细胞组成),每一单位细胞为田一个硅原子在中心,与其它4个等位硅原子所组成的四面体(称为钻石结构)如图标中心原子以其4个外围共价电子与邻近的原子其原形或其价键的结合。硅元素的电子传导特性介于金属导体与绝缘体材料的间(故称半导体材料),人类可经由温度的变化,能量的激发及杂质渗入后改变其传导特性,再配合了适当的制程步骤,便产生许多重要的电子组件,运用在人类的日常生活中。189) Silicon Nitride氮化硅氮化硅是SixNy的学名。这种材料跟二氧化硅有甚多相似处。氮化硅通常用低压化学气相沈积法或电浆化学气相沉积法所生成。前者所得的薄膜品质较佳,通常作IC隔离氧化技术中的阻隔层,而后者品质稍差,但因其沉积时温度甚低,可以作IC完成主结构后的保护层。190) Silicon Dioxide二氧化硅即SiO2,热氧化生成的二氧化硅其特性是a) 无定型结构b) 很容易与硅反应得到c) 不容于水d) 好的绝缘性e) SiO2/Si界面态电荷低通过不同方式制得的二氧化硅在IC制程中的应用:l缓冲层(buffer layer)l隔离层(isolation)l幕罩层(masking layer)l介电材料(dielectric)l保护层(passivation)191) SOI(Silicon On Insulator)绝缘层上有硅 SOI“绝缘层上有硅”是指将一薄层硅置于一绝缘衬底上。晶体管将在称之为"SOI" 的薄层硅上制备。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流,提高开关速度,降低功耗,实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术,SOI广泛应用于微电子的大多数领域,同时还在光电子、MEMS等其它领域得到应用。 192) Siloxane硅氧烷硅氧烷是用来与含有Si-O网络相溶的有机溶剂,本身含有有机类的官能基,如CH3和C6H5,是属于有机性的SOG来源,这些官能基,可以帮助改善这种SOG层的抗裂能力。193) S.O.G.Spin on Glass旋涂式玻璃旋制氧化硅 (Spin on Glass)是利用旋制芯片,将含有硅化物的溶液均匀地平涂于芯片上,再利用加热方式与溶剂驱离,并将固体硅化物硬化成稳定的非晶相氧化硅。其简单流程如下:旋转平涂→加热烧烤→高温硬化 (~450℃)旋制氧化硅是应用在组件制造中,金属层间的平坦化(Planization),以增加层与层之间的接合特性,避免空洞的形成及膜的剥裂。其结构如图表示: 194) Solvent溶剂1两种物质相互溶解混合成一种均匀的物质时,较少的物质被称为溶质,较多的物质,被称为溶剂。例如:糖溶解于水中.变成糖水,则糖为溶质,水为溶剂,混合的结果,称为溶液。2 溶剂分有机溶剂与无机溶剂两种:2-1有机溶剂:分子内含有碳(C)原子的,称为有机溶剂,例如:丙酮(CH3COCH3),IPA(CH3CHOHCH3)2-2无机溶剂:分子内不含有碳(C)原子的称为无机溶剂 例如:硫酸(H2SO4),轻氟酸(HF)3 在FAB内所通称的溶剂,一般是指有机溶剂而言212) Source源极位于MOS电容器旁,电性与硅底材相反的半导体区,且在上加压。213) Spacer间隙壁隔离闸极与其它两个MOS电极,利用它与闸极所形成的结构,来进行S/D的重掺杂。214) SPC (Statistical Process Control)统计,过程,控制英文的缩写,是一种质量管理方法。自制程中搜集资料,加以统计分析,并从分析中发觉异常原因,采取改正行动,使制程恢复正常,保持稳定,并持续不断提升制程能力的方法。ü 因制程具有变异,故数据会有变异,而有不同的值出现稳定时,其具有某种分配型态ü 制程为一无限母体,只能以抽样方式,抽取少数的样本,以推测制程母体的情况ü 故运用 “统计手法” 作为制程分析、管制及改善 的工具。SPC的目的Ø 维持正常的制程 (Under Statistical Control) 事先做好应该做的 (标准,系统) – ex:monitor,机台操作程序 制程异常发生能侦测出,并除去之,防止其再发Ø 能力要足 (Capable Process) 能力指标提升能力 – 持续改善 (广义) 215) Specification(SPEC)规范是公司标准化最重要的项目之一,它规定了与生产有关事项的一切细节,包括机台操作,洁净室,设备及保养,材料,工具及配件,品管,可靠性,测试‥‥等等。 IC制造流程复杂,唯有把所有事项巨细靡遗的规范清楚,并确实执行,才可能做好质量管理。所有相关人员尤其是现场操作人员底随时确实遵照规范执行,检讨规范是否合理可行,相关规范是否有冲突,以达自主管理及全员参与标准化的目标。216) Spike尖峰硅在400°C左右对铝有一定的固态溶解度,因此沉积在硅表面上的铝,当制程有经历温度约400°C以上的步骤时,Si因扩散效应而进入铝,且铝也会回填Si因扩散所遗留下来的空隙,而在铝与硅底材进行接触的部分。217) Spike TC针型热电偶218) Spin Dry旋干通过高速旋转产生的离心力把硅片表面水滴驱除219) SPM (Sulfuric acid , hydrogen-Peroxide Mixing)用于中CR clean,化学组成是H2SO4+H2O2(120℃)能去除严重有机污染H2SO4 + H2O2 → H2SO5 + H2OH2SO5 + PR → CO2 + H2O + H2SO4必须不断补充H2O2220) Sputtering溅镀,溅击利用电浆所产生的离子,借着离子对被溅镀物体电极的轰击,使电浆的气相(VaporPhase)内具有被镀物的原子或离子,到达芯片表面并进行沉积。221) Standard Clean:标准清洗又叫RCA清洗。由SPM/APM/HPM组成,SPM为H2SO4和H2O2以4:1混合,APM为NH4OH和H2O2及D.I. WATER以1:1:5或0.5:1:5的比例混合,HPM为HCL和H2O2及D.I. Water以1:1:6的比例混合。标准清洗可以除去有机物、Particle和金属粒子,使芯片表面达到比较洁净的状态。222) Step coverage阶梯覆盖能力表征薄膜沉积时对晶片表面上不同几何结构的覆盖能力,简单地说,即膜层均匀性。如下图,当对表面有阶梯的晶片进行膜层沉积时,因为沉积角度不同等因素,导致洞口膜厚增加速率高于洞壁及洞底,这样的话沉积的膜层将无法完全填入洞中,极有可能造成孔洞(void).223) Stress应力对固体物体所施与的外力或其本身所承受的内力,称为“应力(stress)”.224) Substrate底材一般而言半导体中提及的Substrate就是指Wafer225) Target靶译意为靶,一般用在金属溅镀(Sputtering) 也就是以某种材料,制造成各种形状,用此靶,当做金属薄膜溅镀的来源。226) TECN Temporary Engineering Change Notice临时性制程变更通知临时工程变更通知 (ECN)为工程师为了广泛收集资料,或暂时解决制程问题,而做的制程变更,此一临时性的变更将注明有效期限,以利生产作业。227) Teflon 铁氟隆聚四氟乙烯,一种耐酸耐腐蚀耐高温的材料,我们使用的某些cassette、特殊管路等均是用此种材料制得。228) Tensile Stress拉伸应力(参照192)因为热膨胀系数的不同,薄膜与底材产生了应力。当沉积薄膜的热膨胀系数高于底材,冷却后是薄膜承受了一个拉伸应力。229) TEOS(Tetraethylorthosilicate)四乙基正硅酸盐,含有硅与碳、氢与氧的有机硅源,化学分子式是Si(OC2H5)4,其沸点较高,常压下约(169℃)。在CVD制程的应用上, TEOS在足够的温度下TEOS进行反应而产生二氧化硅Si(OC2H5)4SiO2+4C2H4+2H2O目前制程此法用来做Spacer230) TCS三氯硅烷SiHCl3231) Thermal Expansion Coefficient 热膨胀系数反映物质受热膨胀程度的特性。因温度变化而引起物质量度元素的变化。膨胀系数是膨胀-温度曲线的斜率,瞬时膨胀系数是特定温度下的斜率,两个指定的温度之间的平均斜率是平均热膨胀系数。膨胀系数可以用体积或者是长度表示,通常是用长度表示。232) Thermocouple热电偶测量温度之用。有两根不同材质的探头放入被测环境中,得到电压值,再将电压值转变为温度值。233) Thin Film薄膜234) Thin Film Deposition 薄膜沉积薄膜沉积形成的过程中,不消耗芯片或底材的材质。薄膜沉积两个主要的方向:①物理气象沉积,及②化学气象沉积。前者主要借着物理的现象,而后者主要是以化学反应的方式,来进行薄膜沉积。235) Thin Film Growth 薄膜成长底材的表面材质也是薄膜的形成部分元素之一,如:硅的氧化反应(以形成二氧化硅,以做MOS组件的介电材料)便是。236) Threshold Voltage启始电压VT 当我们在MOS晶体管的源极(Source)及汲极(Drain)加一个固定偏压后,再开始调整闸极(Gate)对基质(Substrate)的电压,当闸极电压超过某一个值之后,源极和汲极间就会产生电流而导通(Turn on),则我们就称此时的闸极电压称为临界电压(Threshold Voltage)。*NMOS晶体管的临界电压相对于基质为正。*PMOS晶体管的临界电压相对于基质为负。一般在制程上我们会影响临界电压的因素主要有二: 闸极氧化层厚度:Gate Oxide越厚,则Vγ(绝对质)越高。 基质渗杂的浓度:Vγ植入Dose越高,则Vγ越高。237) Throttle Valve 节流阀节流阀主要是由一个旋转式阀门及一个用来调整阀门位置的伺服马达所构成,因此只要输入适合的电流,伺服马达便会自动调节阀门的位置来改变节流阀的传导度,以控制真空系统的整体有效抽气速率。238) Throughput产能生产能力,如日产能、月产能、年产能。Through Put为单位工时的产出量,例如某机器每小时生产100片,则称其Through put = l00片/小时。如果每天运作21小时,则每天的Through put为2100片/天。 IC工业系许多昂贵且精密的设备投资,故必须充分利用,维持生产的顺畅,发挥其最大的效能。故高的Through put为我们评估机器设备的一项很重要的因素之一。除了设备上发挥其最大产能外,必须要配合人为的力量,如流程安排、故障排除、‥‥等,亦即必须"人机一体"才能发挥生产的整体效益,达到最高的生产力(Productivity)。239) Trichloroethane 三氯乙烷240) Trouble Shooting问题解答在生产过程,因为4M,即设备、材料、人为、方法等,造成的一切问题而阻碍生产。例如,机器Down机、制程异常…等。工程人员解决以上所发生的问题,使这些"故障"消弭于无形谓之Trouble Shooting。241) Tungsten 钨一种金属。用以连接上下两层金属线的中间层,称为“钨插拔”。因为钨的熔点高,热膨胀系数又与硅相当,再加上以CVD法所沉积的钨的内应力并不高,且具备极佳的阶梯覆盖能力,以CVD法来沉积做为插拔用途的金属钨,以成为各VLSI量产厂商的标准制程之一。242) Ultra High Vacuum超高真空在超高真空条件下,单分子层容易形成,并能持续较长时间,这就可以在一个表面尚未被气体污染前,利用这段充分长的时间来研究其表面特性,如摩擦、黏附和发射等;另外,外层空间的能量传输和超高真空的能量传输相似,故超高真空可做空间模拟。真空度大于10-7Torr ,10-7~10-10 Torr的状态。[td=311]真空度压力低真空(Low Vacuum)760-1 torr中真空(Medium Vacuum)1- 10-3高真空(High Vacuum)10-3-10-7极高真空(Ultea High Vacuum)10-7~10-10 243) Ultrasonic Cleaning超音波清洗通过超音波原理进行的清洗。超音波振荡会产生气泡和紊流,气泡通过轰击爆破将Paticle带走,紊流直接将Paticle冲走。244) Uniformity均匀性(最大值-最小值)/(2*平均值),有两种均匀性:一种是一片Wafer的均匀性(within wafer),测得五个点,然后得到最大值最小值和平均值,再安公式计算。另一种是Wafe之间的均匀性(wafer to wafer),同样测得最大值和最小值和平均值再计算均匀性。245) USG (Undoped SiO2)即没有搀杂的二氧化硅,LPCVD制得,一般沉积在BPSG下面,以防止BPSG中的P元素渗透到Si表面,影响组件的特性。246) Up Time使用率表示机台可以run货的时间,包含run货的时间及机台lost时间,即除down机时间247) Vacuum真空 真空系针对大气而言,一特定空间内的部份气体被排出,其压力小于1大气压。表示真空的单位相当多,在大气的情况下,通称为l大气压,也可表示为760torr或760mmHg或14.7psi。真空技术中,将真空依压力大小分为4个区域:1.粗略真空(Rough Vacuum) : 760~1 torr 2.中度真空(Medium Vacuum):1~10-3 torr3.高真空 (High Vacuum) : l0-3~10-7torr 4.超高真空(Ultra-High Vacuum): 10-7torr以下在不同真空,气体流动的型式与热导性等均有所差异,简略而言,在粗略真空,气体的流动称为黏滞流(Viscous Flow)。其气体分子间碰撞频繁,且运动具有方向性;在高真空或超高真空范围,气体流动称为分子流(Molecular Flow),其气体分子间碰撞较少,且少于气体与管壁碰撞的次数,气体分子运动为随意方向,不受抽气方向影响。在热导性方面,中度真空的压力范围其与压力成正比关系﹒粗略真空与高真空区域,则无此关系。248) Vacuum Pump真空泵凡能将特定空间内的气体去除,以减低气体分子数目,造成某种程度的真空状态的机件,统称为真空邦浦。目前生产机台所使用的真空泵,可分为抽气式的有:旋片泵(ROTARY PUMP),洛兹泵(ROOTS PUMP),活塞泵(PISTON PUMP),扩散泵(DIFFUSION PUMP)。及储气式的有:冷冻泵(CRYO PUMP),离子泵 (ION PUMP)。 249) Viscosity黏度"黏度"一词专用于液体,意指当液体接受切应力时(指作用力方向与液体表面不垂直),液体就会产生形变,所以便定义"黏度"来表示示体产生形变程度的大小。黏度是可以调整的,因为液体受切应力而形变是巨观形为的表现,所以在液体完全相溶前提下,可以加入不同黏度的溶剂来调整黏度。250) Vacuum System真空系统压力小于1标准大气压的系统。真空系统由以下部分组成:Pump、Valve、Pipe、Gauge、Chamber251) Valve阀控制气流开关和气体流量的组件。Valve主要有以下种类:气动阀(常开或常闭)、手动阀、电磁阀252) Vapor Phase气相相是一种单一均匀的成分的状态。气相是一种单一均匀的成分的气体状态253) Vapor Phase Deposition气相沉积一种薄膜沉积的方法,在气态下气体反应产物或蒸发物淀积在基体表面的薄膜技术。气相沉积可分为物理气相沉积和化学气相沉积。物理气相沉积又分为蒸镀和溅渡。化学气相沉积又分为APCVD、LPCVD和PECVD。254) Very Large Scale Integration超大规模集成电路255) Via金属与金属之间的通道256) VLF Vertical Laminar Flow垂直层流在流体的流动状态中,可分为层流 (Laminar Flow)及紊流(Turbulent Flow) 两种。界定值。一般流体流速较快者其流线 (streamiline)分子易受干扰,且雷诺数大易形成紊流,(雷诺数,惯性力/粘滞力)。在无尘室芯片制造场所内,其气流为稳定的层流,如此可将人员、机台等所产生的微尘带离。若为紊流,则微尘将滞流不去。因此在无尘室内机台的布置及人员的动作都以 257) Void 孔洞是一种材料缺陷,会影响材料的致密性,从而影响强度。 258) Wafer硅片硅晶圆材料(Wafer)是半导体晶圆厂(Fab)内用来生产硅芯片的材料,依面积大小而有三寸、四寸、五寸、六寸、八寸、十二寸(直径)等规格之分。一根八寸硅晶棒重量约一百二十公斤,切割成一片片的八寸晶圆后,送至八寸晶圆厂内制造芯片电路(Die),这些芯片电路再经封装测试等程序,便成为市面上一颗颗的IC。但因硅晶棒所切割出的晶圆片中,品质较好 者,称为生产晶圆(Prime Wafer),更高级者称为磊晶圆(Epi-Wafer),上述晶圆几乎都集中在硅晶圆棒的「中间」一段,头、尾两端所切割出的晶圆,出现瑕疵的比例较高,大多用做非生产用途,称为测试晶圆(共有Test Wafer或Dummy Wafer或Monitor Wafer等不等名称), 一片测试晶圆的售价大约是生产晶圆的五成至六成。 259) Wafer Transfer System硅片传送系统 用以实现硅片传送的系统。如硅片的进出炉系统、硅片在cassette与boat、cassette与chamber间的传送系统等等。260) WELL/Tank井区 WELL即井区。在IC中的组件MOSFET(即金氧半场效晶体管),常作两型(N及P)相接的方式,即CMOS技术。此时为区分这两种不同型的MOSFET,就须先扩散两个不同型的区域于IC中。此种区域即称为WELL区。261) Wet Oxidation湿式氧化一种热氧化的方式,其反应机理为:2H2+O2=2H2O 2H2O+Si=SiO2+2H2温度:875---1100℃ 特点: 生长速率快,但所生成SiO2的质量不好适用于Field oxide 262) Work Function功函数功函数:让电子脱离金属原子的临界能量如果一个能量为EF的金属价电子要脱离金属原子而成为自由电子,它至少获得W-EF的能量,这个能量就是我们所说的功函数。263) Yield良率即合格率,合格的产品占总产品的比例。
2020-02-17 12:20:00
半导体名词解释(二)
101) Ion Implanter 离子植入机102) Ion Source 离子源 离子植入机中产生所要植入杂质离子的部分,主要由Arc Chamber ,Filament组成,杂质气体或固体通入Arc Chamber,由Filament产生的电子进行解离而产生离子。103) IPA 异丙醇Isopropyl Alcohol的简称,在半导体制造中,用来作为清洗溶剂,常用来擦拭机台操作面板等,也作为SOG等化学液体的溶剂。104) Isotropic Etching等向性蚀刻在蚀刻反应中,除了纵向反应发生外﹒横向反应亦同时发生(见左图),此种蚀刻即称之为等向性蚀刻,一般化学湿蚀刻多发生此种现象。干式蚀刻,其蚀刻后的横截面具有异向性蚀刻特性 (Anisotropic),即可得到较陡的图形105) Latch up:闭锁效应CMOS组件里的底材、阱及PMOS的漏极与NMOS的源极,在某些条件下,会形成一个如图(1)所示的寄生的pnpn二极管。这种pnpn二极管的电流(I)对电压(V)的操作曲线则如图。其中图中的IH,为使pnpn二极管处于运作(Acting)状态时所需的最低电流称之为“引发电流(triggering current)”。当I≥IH发生之后,CMOS电路的功能将暂时或永久性的丧失,我们称这个现象为“闭锁(Latch up)”。即,如果CMOS组件的设计或制作不当,这种寄生于CMOS组件里的“pnpn二极管”,有可能处于运作的状态,而影响到CMOS的正常运作。所以在使用CMOS的设计时,务必注意使这个pnpn二极管随时处于“闭”的状态,即I
2020-02-17 12:16:50
求助,名词解释:什么叫“开窗
` 本帖最后由 jiuri1989 于 2011-10-20 16:50 编辑
各位大侠,请帮本青年解释一下什么叫“开窗”,有什么作用?`
2011-10-20 16:50:28
物联网平台有哪些名词
名词解释硬件开发产品智能化相关名词说明 设备指可供人们在生产中长期使用,并在反复使用中基本保持原有实物形态和功能的生产资料和物质资料的总称。在涂鸦平台,设备概指产品,和硬件具有同等含义。 硬件硬件
2021-09-15 06:01:01
计算机相关的名词解释 精选资料分享
当我们参考计算机系统或驱动相关书籍时,书中通常会提起一些缩写名词,比如:BIOS、MMU、DSP、DMA、MIPS等,它们具体表示什么呢?本篇文章将介绍这些常用名词的含义以及实际用途(名词解释部分
2021-07-27 06:02:32
软件测试常见名词解释
软件测试常见名词解释1. 黑盒测试 黑盒测试也称为功能测试,它着眼于程序的外部特征,而不考虑程序的内部逻辑结构。测试者把被测程序看成一个黑盒,不用关心程序的内部结构。黑盒测试是在
2008-10-22 12:48:08
通信的一些名词解释
下行导频时隙(DwPTS) ,上行导频时隙(upPTS)CAZAC含义 CAZAC(Const Amplitude Zero Auto-Corelation),即为恒包络零自相关序列。 CAZAC序列特性 1.恒包络特性:任意长度的CAZAC序列幅值恒定。 2.理想的周期自相关特性:任意CAZAC序列移位n位后,n不是CAZAC序列的周期的整倍数时,移位后的序列与原序列不相关。 3.良好的互相关特性:互相关和部分相关值接近于0。 4.低峰均比特性:任意CAZAC序列组成的信号,其峰值与其均值的比值很低。 5.傅里叶变换后仍然是CAZAC序列:任意CAZAC序列经过傅里叶正反变化后仍然是CAZAC序列。 CAZAC序列现在广泛应用于脉冲雷达压缩领域,扩频通信系统(同步CDMA和MC-CDMA),和OFDM系统(LTE和WiMAX)等。 ------ 经常用到的CAZAC序列主要包括Zadoff-off序列(即ZC序列)、Frank序列、Golomb多相序列和Chirp序列。CAZAC序列常用于通信系统的同步算法中。
2019-06-03 07:47:01
DDS有关名词解释
DDS有关名词解释:1. 参考时钟/系统时钟(REFERENCE CLOCK / SYSTEM CLOCK )参考时钟就是DDS 的输入时钟频率。系统时钟就是DAC 的采样率,频率越高,能够输出的频率也就越高,输出频率
2009-09-03 08:44:29
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IC封装名词解释
IC 封装名词解释(一)1、BGA(ball grid array) 球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以 代替引
2008-01-09 08:49:14
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DDR2名词解释
DDR2名词解释
DDR2的定义:
DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内
2009-04-26 18:02:22
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扩展接口,什么是扩展接口,扩展接口名词解释
扩展接口,什么是扩展接口,扩展接口名词解释
扩展接口是主板上用于连接各种外部设备的接口。通过这些扩展接口,可以把打印
2009-04-26 18:30:41
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BIOS名词解释,什么是BIOS,BIOS详细介绍
BIOS名词解释,什么是BIOS,BIOS详细介绍
计算机用户在使用计算机的过程中,都会接触到BIOS,它在计算机系统
2009-04-26 18:52:13
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铅酸蓄电池主要名词术语解释
铅酸蓄电池主要名词术语解释
1. 蓄电池 (Secondary) cell or battery 能将所获得的电能以化学能的形式贮存并将化学能转
2009-10-22 10:45:15
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电池名词解释不求人
电池名词解释不求人● 一次电池:指无法进行充电,仅能放电的电池,但一次电池容量一般大于同等规格充电电池,如锌锰、碱性干电池,锂扣电池,锂亚电池等。
2009-11-10 09:35:16
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笔记本电脑名词解释大全(一)
笔记本电脑名词解释大全(一)
1. 1394接口 1394接口,全称IEEE 1394接口,也称火线接口(Firewire),是一种广泛应用于计算机,通信以及家
2010-01-26 10:52:28
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笔记本电脑名词解释大全(三)
笔记本电脑名词解释大杂烩(三)
57. PCMCIA Personal Computer Memory Card International Association,个人计算机存储卡协会又称PC card。有Type I、Typ
2010-01-26 10:57:27
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iPhone名词解释(二)
iPhone名词解释(二)
什么是PwangeTool?什么是QuickPwn?什么是BootNeuter?
PwangeTool是一款Mac端的用于越狱和破解iPhone的程序。Q
2010-01-27 09:34:21
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音响知识名词解释
输出功率(output power):表明该功率放大器在一定负载下输出功率的大小,一般在功放说明书上标明在8欧姆负载,4欧姆负载或2欧姆负载状态下的输出功率,同时也会表明功放在
2010-11-22 16:59:18
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汽车音响常见英文名词解释
汽车音响常见英文名词解释 ALTERNATING CURRENT 【AC】:交流电 AMPERE 【A】:电流的单位:安培 AMPLIFIER : 扩大器,放大器 POWER AMPLIFIER
2011-01-24 15:15:35
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HDMI名词解释
1080i 隔行扫描显示分辨率的一种高清显示格式,包含1,080根垂直线条。在美国,大多数高清节目(地面和卫星)都采用1080i格式传送。 1080p 逐行扫描显示分辨率的一种高清显示格式,包
2011-04-09 12:45:22
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嵌入式Linux操作系统名词解释
作为一名Linux开发人员,对Linux下的名词要有了解,最好是非常清晰的知道它是什么东西,拿来做什么的。每一个名词都代表着一个资源,也代表着一个Linux的潮流
2011-05-13 11:13:11
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SMT基本名词解释汇总
SMT基本名词解释,Accuracy(精度): 测量结果与目标值之间的差额,Additive Process(加成工艺):一种制造PCB导电布线的方法,通过选择性的在板层上沉淀导电材料(铜、锡等)
2011-07-02 11:46:13
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热工专业名词解释说明
B-MCR:锅炉的最大连续工况, VWO:调节阀全开工况, DCS:distributed control system 分散控制系统 说明:对生产过程进行数据采集、控制、保护、监视等。 DEH:digital electro-hydraulic control sy
2012-06-06 16:07:31
4858
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视频系统常用名词解释
2012-09-25 18:42:42
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线路板专业名词解释
2014-01-18 23:04:51
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通信英语名词解释
2014-02-23 13:51:51
0
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四轴飞行器名词解释
2015-05-08 15:11:26
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智能电网术语和名词解释汇总(免费分享)
本文对智能电网术语和名词解释做了详细的介绍与汇总。 智能电网调度技术支持系统 是指能够适应坚强智能电网安全可靠、灵活协调、优质高效、经济环保运行和调度生产各项运行、管理要求的技术支撑手段,主要
2017-10-27 15:37:28
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示波器常用术语名词解释
带宽:指的是正弦输入信号衰减到其实际幅度的70.7%时的频率值,即-3dB点(基于对数标度)。本规范指出示波器所能准确测量的频率范围。带宽决定示波器对信号的基本测量能力。随着信号频率的增加,示波器对信号准确显示能力将下降。如果没有足够的带宽,示波器将无法分辨高频变化。幅度将出现失真,边缘将会消失,细节数具将被丢失。如果没有足够的带宽,得到的关于信号的所有特性、响铃和振鸣等都毫无意义。
2017-11-23 15:53:01
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四轴飞行器常见名词解释
四轴飞行器四个桨转动时的离心力是分散的。不象直机的桨,只有一个能产生集中的离心力形成陀螺性质的惯性离心力,保持机身不容易很快的侧翻掉。所以通常用到的舵机控制信号更新频率很低。
2018-03-12 14:22:19
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java常用名词解释大全
Java是一种可以撰写跨平台应用软件的面向对象的程序设计语言。Java技术具有卓越的通用性、高效性、平台移植性和安全性,广泛应用于PC、数据中心、游戏控制台、科学超级计算机、移动电话和互联网,同时拥有全球最大的开发者专业社群。本文主要介绍java常用名词解释,具体的跟随小编一起来了解一下。
2018-04-26 15:19:32
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单片机常用名词解释大全
原理与结构的最佳选择。单片机的使用领域已十分广泛,如智能仪表、实时工控、通讯设备、导航系统、家用电器等。各种产品一旦用上了单片机,就能起到使产品升级换代的功效,本文主要介绍了单片机的常用名词解释,具体的跟随小编来了解一下。
2018-04-26 15:34:25
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你知道哪些关于区块链的名词解释?
由于单一矿机想挖到一个块的几率是非常小的,毕竟10分钟挖到一个块需要很大的算力,即使有这么大算力有能力挖到,也存在很多的竞争对手。所以就变成了一个0和1的游戏。而矿池的出现就是为了打破这种0和1的玩法。一个矿池的算力是很多矿工算力的集合,远比单打独斗机会更大。矿池每挖到一个块,便会根据你矿机的算力占矿池总算力的百分比,发相应的奖励给到个体,也不会存在不公平的情况。
2018-08-27 11:43:11
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区块链行业的专有名词解释
每个行业都有自己的行话,如果不懂这些行话,和行内人交流就容易造成误解。所以,币胜哥列举一些区块链行业的专有名词的解释,以备新人学习。
2018-10-25 12:56:40
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数字货币交易中的所有名词解释
区块链项目炒的火热,很多小伙伴都想进入,趁势实现财富自由,但是如果你刚刚进入区块链世界,一开始会很茫然,太多稀奇古怪的名词、数字,所以这就需要你先了解清楚这些基础知识名词。
2018-11-01 14:36:57
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安全阀技术名词解释与汇总
的比压力,保证了安全阀关闭件间有了必需的密封性,那么安全阀的作用是什么呢?安全阀是一种安全保护性的阀门,主要用于管道和各种承压设备上,当介质工作压力超过允许压力数值时,安全阀自动打开向外排放介质,随着介质压力的降低,‘安全阀将重新关闭,从而防止管道和设备的超压危险,大家知道安全阀技术名词有哪些吗?
2019-01-12 09:48:36
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比特币的一些相关名词解释
比特币已经成为越来越多国家所认可的数字货币,但涉及到比特币一些相关的名词可能有不少新进场的投资者不怎么懂,下面给大家深入浅出的简单介绍比特币的一些相关名词及行为,首先从要从比特币的本质说起,比特
2019-03-14 10:59:16
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物联网无线接入常见名词解释
物联网中的无线数据通信,常涉及到诸如GPRS、Wifi、Zigbee等概念,对于像小编一样的非技术人员来说,可能很多人还不清楚其具体的意义,今天小编带大家一起学习物联网无线接入中的常见概念。
2019-05-23 11:01:53
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信号完整性关键名词解释资料下载
电子发烧友网为你提供信号完整性关键名词解释资料下载的电子资料下载,更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料,希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-03-29 16:49:22
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数据总线, 地址总线, 控制总线名词解释资料下载
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2021-04-13 08:50:49
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名词解释:阻塞是什么意思?
问题 阻塞,是我们程序员口中常常提到的词。 这个词,既熟悉,又陌生,熟悉到一提到它就倍感亲切,但一具体解释,就迷迷糊糊。 这个函数是阻塞的么? public void function() { while(true){} } 如果你说不出来,那你再看看这个函数是阻塞
2021-07-21 09:47:34
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科技概念/名词解释
GPU:图像在计算机中是多维矩阵,有RGBA(红绿蓝透)四层通道的,每个像素在四通道的值叠加形成像素点颜色。因此(41024680)大小的矩阵(张量),因此计算是非常庞大的,如果用CPU计算,则CPU负担过大,甚至无法进行其他运算。因此,增加GPU这个构建,专门用于图像的计算,从而使CPU脱离出来去做其他事情...
2021-11-10 13:20:58
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自动驾驶名词解释
毫米波 :波长 1-10mm、频率 30-300GHz 的无线电频谱。 多普勒效应 :当声音、光和无线电波等振动源与观测者以相对速度运动时观测者所收到的振动频率与振动源所发出的频率不同当观测者靠近雷达天线时反射信号频率将高于发射信号频率。 ECU :电子控制单元(Electronicl Control Unit)控制汽车工作的微机控制器。 MCU : 微控制单元(Microcontrol
2023-06-06 11:18:58
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线材基本电气特性名词解释分享
火花测试用于发现绝缘导体的绝缘皮不良.火花测试机通常用于芯线押出或芯线对绞工段.有时也用于总绞工段.一般带屏蔽的电缆(编织线,铝箔向外)押出外被时也用火花机测其不良点.基本方法为在与被测物相接触的电极与接地 导体之间施加一电压.若绝缘介质不良(如太薄或一部分缺失),施加的电压会在接地导体上产生电弧.从而激发与此相连的指示器(如蜂鸣器.灯.计数器等).;火花测试中存在危险高压,故相关设备必须完全接地.一般测试机可采用AC或DC电压,老使用AC可使用不同的频率.为了安全,测试电流通常限制为无致命危险的水平.
2023-09-08 10:24:58
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常用AI名词解释
AGI:Artificial General Intelligence (通用人工智能):是指具备与人类同等或超越人类的智能,能够表现出正常人类所具有的所有智能行为。又被称为强人工智能。
2023-12-21 15:40:55
347
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