最适于延长家用医疗保健器材等的使用寿命，新日本无线株式会社现已开发了具有超低功耗的单电路CMOS运放系列NJU77000/001*1及NJU77000A/001A＊2 共4款产品
2012-12-04 10:48:45
1123 新日本无线株式会社（总部：东京都中央区 代表取缔役社长 小仓 良）开发了一种称作「Opt-Pass」的光学式镜头位置检测系统，该系统最适用于数码相机及监视器相机等光学摄影器材的自动对焦和缩放时的镜头位置检测。
2013-03-14 14:56:191603 
新日本无线特别推出3款电源管理新产品“NJM2815、NJM2816、NJW4119”，专用于USB充电的电源，这3款电源IC都内置有电压自动校正功能。
2015-07-24 11:10:261536 下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列，进行详细介绍
2023-11-01 14:46:19736 
新日本无线开发出了用数字模式控制开关电源的数字电源控制器(DSC) NJU20300系列，现在样片已经开始发货。
2011-12-22 09:38:251191 为了能够搭载到更多的音响设备上，为了能够向更多的音乐粉丝们提供"真实的声音"，成功开发出了MUSES系列之一的量产型产品MUSES8820。MUSES8820沿袭了MUSES
2014-08-06 09:25:02
。*参考：MUSES系列是新日本无线独创的高音质音频器件品牌，注重「提高音质」・「增强空间扩展性」等对音质专注追求，集结了精心选材/集成电路设计/芯片版图设计等新日本无线的卓越音频IC技术。【主要特点
2015-05-18 17:57:40
面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要
2018-11-29 14:34:32
前面对SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性进行了比较。下面对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。SiC-SBD和Si-PND正向电压特性的区别二极管的正向电压VF无限接近零
2018-11-30 11:52:08
进行半导体元器件的评估时，电气/机械方面的规格和性能当然是首先要考虑的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以处理较大功率为前提的，更需要具备充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作为
2018-11-30 11:50:49
）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前正在扩充第二代SIC-SBD产品阵容，并推动在包括车载在内的各种应用中的采用。SiC-SBD具有以下特征。当前的SiC-SBD・反向恢复
2019-03-27 06:20:11
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前正在拓展第二代SiC-SBD，并推动在包括车载
2018-12-04 10:09:17
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
介绍。如下图所示，为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，其重要特征也是具备高速特性。而SiC-SBD的特征是其不仅拥有优异的高速性还同时实现了高
2018-11-29 14:35:50
SiC SBD 晶圆级测试 求助：需要测试的参数和测试方法谢谢
2020-08-24 13:03:34
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-03-14 06:20:14
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-04-22 06:20:22
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
。我们就SCS3系列的特点、应用范围展望等，采访了负责开发的ROHM株式会社 功率元器件制造部 千贺 景先生。－今年春天ROHM宣布推出SiC-SBD的第三代产品。后面我会问到第三代SiC-SBD的特点
2018-12-03 15:12:02
新日本无线推出的这款单电路轨至轨输出的CMOS运放 NJU77806 的独特之处是同时具有业界最低噪声 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 两种
2013-11-14 11:10:36
为了让IoT里不可缺少的传感器器件更加省电，新日本无线特别推出了轨到轨输入输出运算放大器NJU77552。此运算放大器有1.7MHz带宽、1回路50μA的超低消耗电流、高EMI抑制性能等特点，并且已经进入量产阶段。
2020-08-03 07:49:16
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 编辑
新日本无线推出的高音质音频运放MUSES02拥有极高的原声重放音效，这又是新日本无线全力推荐的一款精品。该精品
2011-03-02 09:00:50
新日本无线的这款新MUSES音频系列产品 MUSES7001 是采用了粗铜线丝焊方式的音频碳化硅肖特基二极管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-14 12:16:01
本帖最后由 zhang7711 于 2011-6-24 15:19 编辑
新日本无线现已开始接受Analog Master Slice的订货服务。Analog Master Slice IC
2011-06-24 10:49:22
音量控制器系列，相信今后还会不断扩大其阵容，期待更多的MUSES产品新装面市。新日本无线是运算放大器的老字号企业，全力推出的MUSES系列产品可以说是音频产品史上的顶峰之作，会为您打造一个奇幻的原声世界
2011-03-03 10:38:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:55 编辑
新日本无线推出的高音质音频运放MUSES01拥有极高的原声重放音效，是新日本无线全力推荐的精品。在此详细规格书供音频爱好者们参考，PDF文件可在此下载，欢迎支持此款新日本无线的产品。
2011-03-02 10:56:27
新日本无线推出的高音质音频运放MUSES01拥有极高的原声重放音效，是新日本无线全力推荐的精品。在此详细规格书供音频爱好者们参考，PDF文件可在此下载，欢迎支持此款新日本无线的产品。
2011-03-01 09:30:37
新日本无线推出的高音质音频运放MUSES02拥有极高的原声重放音效，这又是新日本无线全力推荐的一款精品。在此详细规格书供音频爱好者们参考，PDF文件可在此下载，欢迎音响发烧友们支持此款新日本无线的产品。
2011-03-01 15:44:50
本帖最后由 zhang7711 于 2011-2-24 15:54 编辑
近期，各大音响发烧友和音响工程师们盼望已久的新日本无线原创自主品牌 『MUSES』独家官方网站将隆重登场。 敬请期待
2011-02-23 11:59:16
本帖最后由 zhang7711 于 2011-3-2 14:24 编辑
近期，各大音响发烧友和音响工程师们盼望已久的新日本无线高音质音频运放 『MUSES』独家官方网站将隆重登场。 敬请期待
2011-02-23 11:56:49
音量控制器系列，相信今后还会不断扩大其阵容，期待更多的MUSES产品新装面市。新日本无线是运算放大器的老字号企业，全力推出的MUSES系列产品可以说是音频产品史上的顶峰之作，会为您打造一个奇幻的原声世界
2011-03-03 10:58:35
世界各国对无线产品都有自己的法规和标准，纵观全球诸多无线认证，例如在中国有SRRC认证，美国有FCC ID，韩国有KCC认证等等，而在日本无线产品的认证是TELEC认证，又有人称之为MIC认证。那么
2020-08-12 15:27:13
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。SiC-SBD、SiｰSBD、Si-PND的特征SiC-SBD为形成
2018-11-29 14:33:47
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC-SBD”）产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。当前正在
2018-12-04 10:15:20
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
3赛季）与文图瑞车队签署官方技术合作协议，并在上个赛季为其提供了SiC肖特基势垒二极管（SiC-SBD）。通过将FRD更换为SiC-SBD，第2赛季由IGBT和快速恢复二极管（FRD）组成的逆变器成功
2018-12-04 10:24:29
全新推出车载音响DSP—NJU26203（新日本无线） 新日本无线(New JAPAN Radio, NJR)已完成开发支持杜比定向逻辑II
2008-10-14 20:50:30
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前正在扩充第二代SIC-SBD产品阵容，并推动在
2018-12-04 10:26:52
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基势垒二极管）组成的类型，也有仅以SiC-MOSFET组成的类型。与Si-IGBT功率模块相比，开关损耗大大降低处理大电流的功率模块中，Si的IGBT与FRD
2018-12-04 10:14:32
的优势与特点，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。第一代是从2010年4月开始量产的SCS1系列。这在当时是日本国内首家实现SiC-SBD量产。第二代是2012年6月推出的SCS2系列，现在很多
2018-12-03 15:11:25
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品，并探讨SiC-SBD的优势。ROHM的SiC-SBD已经发展到第3代。第3代产品的抗浪涌电流特性与漏电流特性得到
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压（VF）降低70％以上，实现更低损耗的同时
2019-03-18 23:16:12
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
NJU6573点阵式LCD驱动器IC（新日本无线）
新日本无线新推出了一款适用于车载等LCD液晶板、可以显示出1600Segment点阵式LCD驱动器IC NJU6573
2009-11-02 08:52:12652 键控扫描IC（新日本无线）
新日本无线新推出了一款适于带有多键开关车载音响和信息板的键控扫描IC NJU6010，并开始样品供货。
2009-11-02 08:54:04448 新日本无线低压差稳压器NJM2841
新日本无线现已供货NJM2841样品。该产品是最适合于CPU、DSP、ASIC*1电源使用的Io=500mA低输出电压的低压差稳压器。
【开发背景】
2009-11-28 09:08:24974 新日本无线低压降稳压器NJM2837
新日本无线开发了最适合于DSC(Digital still camera)等CCD(Charge Coupled Device)电源、TV、DVD等AV设备用电源、马达驱动电源等的20V耐压/Io=1.0A的低压
2009-11-28 14:47:20598 
新日本无线推出一款低压差稳压器NJM2841
新日本无线现已供货NJM2841样品。该产品是最适合于CPU、DSP、ASIC*1电源使用的Io=500mA低输出电压的低压差稳压器。
2009-12-05 10:40:13964 新日本无线低压差稳压器NJM2837，现已开始供货
新日本无线开发了最适合于DSC(Digital still camera)等CCD(Charge Coupled Device)电源、TV、DVD等AV设备用电源、马达驱动电源等的20V
2010-01-19 09:21:34880 
新日本无线开发出按键式电子音量控制器
新日本无线(NJR)新推出内置eala Stereo Expander功能的按键式接口电子音量控制器NJU7392，该产品最适合用于扬声器间距狭窄的可携
2010-01-20 08:43:15855 新日本无线开发完成高隔离度SPDT开关GaAs MMIC NJG1666MD7
近年来，随着装载有FM和1seg等多数调谐器的设备的增加，市场需求用于分离接收信号的具有高隔离度的SPDT开关。
2010-01-22 16:38:181435 
新日本无线推出宽带低噪声放大器NJG1129MD7
新日本无线(总部:東京都中央区 社长 平田一雄) 现开发完成了GaAs MMIC NJG1139UA2，并已开始供货了。该产品
2010-01-22 16:47:22919 新日本无线推出内置看门狗定时器的系统复位NJU7291
新日本无线现已开发完成了内置有看门狗定时器(Watchdog Timer)的系统复位IC NJU7291，并已开始供货了。该产品最适于嵌
2010-03-19 11:27:181031 新日本无线推出三相DC无刷电动机控制NJW4303
新日本无线现已开发完成了最适于装载有三相DC无刷电动机的风扇、鼓风机、气泵、其他家电/OA设备的三相DC无刷电动机控制
2010-03-19 11:28:421161 新日本无线推出用于音响设备的DSP-NJU26060V
新日本无线(总部:東京都中央区 社长 平田一雄) 现已开发完成了用于音响设备的DSP NJU26060V，并已开
2010-04-27 10:44:581086 新日本无线推出适用于AV功放等音响设备的立体声A/D转换器
新日本无线(总部:東京都中央区 社长 平田一雄)现已开发完成了最适用于AV功放、扬
2010-04-27 10:48:591724 PurePath无线音频产品系列CC8520
德州仪器 (TI) 宣布面向无线耳机与无线扬声器等消费类、便携式以及高端音频应用推出 PurePath™ 无线音频产品系列
2010-05-27 10:41:391069 各大音响发烧友和音响设计工程师们期待已久的新日本无线原创自主品牌『MUSES』高音质音频产品正式进入中国市场，在中国也已经更便捷的购买得到MUSES的原装正品了，与此同时MUSES官方独家网站也公开上线，会使更多的人更容易了解MUSES产品，获得MUSES产品的订购信息。
2011-03-04 10:23:512391 新日本无线公布了世界首次*1用以往技术无法实现可靠性产品的粗铜线和半导体芯片铝电极实施丝焊的量产技术。
2012-11-15 10:51:16735 新日本无线株式会社和总部位于美国加利福尼亚州圣克拉拉市的SILVACO, Inc.合作共同开发了Analog Master Slice的专用设计开发环境，目的是为了提高新日本无线现提供的Analog Master Slice产品的
2012-11-15 11:12:281257 新日本无线推出的这款单电路轨至轨输出的CMOS运放 NJU77806 的独特之处是同时具有业界最低噪声 （5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz） 和低功耗 （1.8V，500uA） 两种
2013-10-31 16:15:212868 
新日本无线最近开发的车载用运放NJU77903可使用36V工作电压（40V耐压）并且对应车载电子规格，最适合用于检测电机主轴等旋转轴角度变化的旋转变压器，该旋转变压器多用于混合动力汽车和电动汽车。
2014-11-20 15:17:293911 新日本无线最近开发的双路H桥驱动IC NJW4814已经开始上市。该产品最适合驱动压电元件，如用于数码相机的变焦功能和手抖动校正功能等的压电元件是最佳匹配。
2015-03-25 11:00:342793 新日本无线为改善音响设备音质再次提供新的解决方案，推出了3款新品音频IC，电子音量控制器NJU72343、模拟开关NJU72750A和NJU72751A，可让音响设备实现高音质、低失真和低噪音。
2016-04-13 11:40:561695 2016年10月24日新日本无线发布了一款带音量调节功能的扬声器放大器IC NJU72065，宣布已经进入量产，正式上市。该产品既可以优化系统设计，也可以简化扬声器驱动电路、降低成本。
2016-10-24 15:19:362266 
新日本无线presen_NJR_Wearable
2016-12-26 15:57:03
23 新日本无线经过长期的研发，终于又成功推出了一款高音质电子元器件MUSES系列旗舰版的新产品『MUSES03』 ，它是面向高端音响器材的单路J-FET输入形式的高音质运放。由于采用了重视音质的优化电路、精选材质、全新组装技术，从而实现了高音质。
2017-03-29 10:29:0624396 新日本无线最近推出一款内置PGA最高可达512倍的模拟前端（AFE） “NJU9103”，该器件最适合压力计和流量计的应用，并已经开始进入量产。
2017-06-14 16:07:011577 为了让IoT里不可缺少的传感器器件更加省电，新日本无线特别推出了轨到轨输入输出运算放大器NJU77552。此运算放大器有1.7MHz带宽、1回路50μA的超低消耗电流、高EMI抑制性能等特点，并且已经进入量产阶段。
2018-05-29 11:09:002631 2015 TI 音频创新日 (4) 中功率音频放大器解决方案
2018-08-21 00:08:002989 2015 TI 音频创新日 (2) 行业领导者
2018-08-24 00:47:003034 2015 TI 音频创新日 (10) 触觉技术介绍
2018-08-24 00:31:003191 新日本无线(NJR)新开发的系统复位IC NJU2103A/NJU2103B和有看门狗定时器功能的系统复位IC NJU2102A终于进入量产阶段。
2019-12-23 14:25:411788 新日本无线株式会社推出的NJM2754 - 带有噪声接地的隔离放大器的4进/1出立体声音频选择器。噪声接地的隔离放大器适于抑制共模噪声。共模噪声存在于车载音频设备和外部连接设备（如便携式音频器件）之间。
2021-02-20 10:59:001689 
新日本无线新开发的超宽带SPDT射频开关NJG1801BKGC-A符合AEC－Q100 Grade1、VDA等车载规格。
2021-01-29 14:07:421619 1. 器件结构和特征 SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速
2023-02-07 16:46:27501 二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的，但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面与Si-PND的FRD（快速恢复二极管）进行比较。
2023-02-08 13:43:18378 
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。
2023-02-08 13:43:18705 
SiC作为半导体材料的历史不长，与Si功率元器件相比其实际使用业绩还远远无法超越，可能是其可靠性水平还未得到充分认识。这是ROHM的SiC-SBD可靠性试验数据。
2023-02-08 13:43:18364 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC-SBD”）产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。
2023-02-10 09:41:07611 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前正在扩充第二代SIC-SBD产品阵容，并推动在包括车载在内的各种应用中的采用。
2023-02-13 09:30:07401 
－进入主题之前请您介绍了很多基础内容，下面请您介绍一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被称为“第三代”，首先请您讲一讲各“代”的历史。前面让我介绍基础内容，这是非常必要的。
2023-02-16 09:55:07759 
面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要理解其波形和温度特性，这样有助于有效使用二极管。
2023-02-22 09:17:07198 
二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的，但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面与Si-PND的FRD（快速恢复二极管）进行比较。
2023-02-22 09:18:59141 
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC-SBD的发展，整理一下当前实际上供应的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45355 
SiC-SBD为形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，仅电子移动、电流流动。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合结构，电流通过电子与空穴（孔）流动。
2023-02-23 11:24:11586 
来源：国星光电官微 近日，国星光电开发的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件成功通过第三方权威检测机构可靠性验证，并获得AEC-Q101车规级认证。这标志着国星光电第三代
2023-03-14 17:22:57393 
近日，国星光电开发的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件成功通过第三方权威检测机构可靠性验证，并获得AEC-Q101车规级认证。这标志着国星光电第三代半导体功率器件产品
2023-03-20 19:16:30550 国星光电SiC-SBD器件采用TO-247-2L封装形式,在长达1000小时的高温、高湿等恶劣环境下验证，仍能保持正常稳定的工作状态，可更好地适应复杂多变的车载应用环境，具备高度的可靠性、安全性和稳定性。
2023-03-22 10:56:52537 日清纺微电子基于多年积累的高音质音频技术，推出了以MUSES系列为代表的各种音频运算放大器。NL8802作为MUSES系列的入门级产品，是一款在音质、性能和性价比之间取得了平衡的高音质音频运算放大器。该产品具有±22v的高工作电压，非常适合需要高动态范围的HiFi音响设备和专业音响设备。
2023-12-06 13:49:09637
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