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电子发烧友网>光电显示>Vishay推出静态dV/dt为1000 V/μs的新型光耦

Vishay推出静态dV/dt为1000 V/μs的新型光耦

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摆脱高dV/dt电源的优势

电源上的高 dV/dt 上升时间会导致下游组件出现问题。在具有大电流输出驱动器的24V供电工业和汽车系统中尤其如此。该设计思想描述了如何控制上升时间,同时限制通过控制FET的功率损耗。
2023-02-13 10:49:01556

dv/dt”和“di/dt”值:这些值的水平对固态继电器有什么影响?

di/dt水平过高是晶闸管故障的主要原因之一。发生这种情况时,施加到半导体器件上的应力会大大超过额定值并损坏功率元件。在这篇新的博客文章中,我们将解释dv/dt和di/dt值的重要性,以及为什么在为您的应用选择固态继电器之前需要考虑它们。
2023-02-20 17:06:572528

dV/dt对MOSFET动态性能的影响有哪些?

静态dV/dt:会引起MOSFET栅极电压变化,导致错误开通。在栅源间并联电阻,可防止误开通。
2023-07-14 14:39:26703

Vishay推出基于VCSEL的新型反射式光传感器

Vishay 推出一种用于工业、计算机、消费和移动应用领域的新型反射式光传感器。
2023-08-11 12:32:58538

Vishay推出五款新型10 MBd低功耗高速光耦

Vishay 推出五款新型 10 MBd 低功耗高速光耦,有助于工业应用节能。
2023-12-08 09:27:10394

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