高压LED结构及技术解析

最近几年由于技术及效率的进步，LED的应用越来越广;随着LED应用的升级，市场对于LED的需求，也朝更大功率及更高亮度，也就是通称的高功率LED方向发展。

　　对于高功率LED的设计，目前各大厂多以大尺寸单颗低压DC LED为主，做法有二，一为传统水平结构，另一则为垂直导电结构。就第一种做法而言，其製程和一般小尺寸晶粒几乎相同，换句话说，两者的剖面结构是一样的，但有别于小尺寸晶粒，高功率LED常常需要操作在大电流之下，一点点不平衡的P、N电极设计，都会导致严重的电流丛聚效应(Current crowding)，其结果除了使得LED晶片达不到设计所需的亮度外，也会损害晶片的可靠度(Reliability)。

　　当然，对上游晶片製造者/晶片厂而言，此作法製程相容性(Compatibility)高，无需再添购新式或特殊机台，另一方面，对于下游系统厂而言，週边的搭配，如电源方面的设计等等，差异并不大。但如前所述，在大尺寸LED上要将电流均匀扩散并不是件容易的事，尺寸愈大愈困难;同时，由于几何效应的关係，大尺寸LED的光萃取效率往往较小尺寸的低。

　　

 

　　图：低压二极体、交流二极体及高压二极体驱动方式的差异(点击图片放大)。

　　第2种做法较第1种复杂许多，由于目前商品化的蓝光LED几乎都是成长于蓝宝石基板之上，要改为垂直导电结构，必须先和导电性基板做接合之后，再将不导电的蓝宝石基板予以移除，之后再完成后续製程;就电流分布而言，由于在垂直结构中，较不需要考虑横向传导，因此电流均匀度较传统水準结构为佳;除此之外，就基本的物理塬理而言，导电性良好的物质也具有高导热的特质，藉由置换基板，我们同时也改善了散热，降低了接面温度，如此一来便间接提高了发光效率。但此种做法最大的缺点在于，由于製程复杂度提高，导致良率较传统水平结构低，製作成本高出不少。