华为 “闪存门”事件从 4 月份开始至今并未平息,主要还是因为消费者对华为的官方说法并不满意,因为华为一直强调自己不背锅:华为官方多次以保证供应稳定为由解释混用的原因,但是消费者并不买账,毕竟供应链的事跟消费者没关系。华为在两次危机公关失败之后态度有所松动,表示对自己的行为反省(不过如何补偿eMCC闪存的P10消费者依然没有结果)。
华为P10闪存门还没消停,现在三星也要步华为后路了——Galaxy S8当初明确宣传使用了UFS 2.1闪存,结果三星也是混用UFS 2.0和UFS 2.1闪存,现在三星跟华为一样把修改了官网的规格说明,不再提UFS 2.1闪存的事了——这套路听上去是不是很相似?
三星新旗舰 Galaxy S8 和 S8+ 已经在全球多地正式上市了,三星官方称该机子目前已经打破了 Galaxy S7 系列同一时间段内的销量记录。虽然国行要等到 5 月 18 才召开发布会,并且 5 月 25 日才正式上市,但是对该机子期待的机友不少,于是就有用户深扒 Galaxy S8 的闪存,包括亲自动手,查看各种评测、拆解和介绍,相互交流测试等。
Galaxy S8 和 S8+ 混用 UFS 闪存是怎么回事?
事件爆发于知名的 xda 技术论坛,其中一位技术爱好者 lch920619x 最早对此进行了研究,他自己购买的 Exynos 8895 版 Galaxy S8 (SM-G950FD)所采用的是 UFS 2.1 闪存(型号 KLUCG4J1ED – B0C1),不过他怀疑可能有其他机友可能情况有所不同,于是他发起了调查,呼吁大家对手上的 S8 和 S8+ 进行测试。
结果一些机友他们通过测试后发现,S8 竟然混用了 UFS 2.0 和 UFS 2.1 两种闪存,只有 S8+ 使用了 UFS 2.1 闪存。然而,三星官方介绍中,并没有具体区分 UFS 闪存的介绍,所有宣传介绍的都是 UFS 2.1。更有意思的是,三星竟然还悄悄修改了 UFS 2.1 在参数信息中的介绍。
修改之前:
修改之后:
越来越多的机友继续对手上的 Galaxy S8 和 S8+ 进行测试,从下面这种调查大家不难发现,目前参与的近 180 个 Galaxy S8 样本中。高通骁龙 835 版机型 UFS 2.0 和 UFS 2.1 混用的情况是一半对一半(20.34% 对 20.34%),而 Exynos 8895 版极少 UFS 2.0,有 57% 超过半数的用户仍得到了 UFS 2.1 闪存,只有 2.26% 的用户,得到是 UFS 2.0。换句话说,UFS 2.0 的可能性为两成,也就是 10 台中有 2 台的几率。
如何测试是 UFS 2.0 还是 UFS 2.1?
关于手头上的旗舰级如何识别闪存的方法,经历了华为闪存门之后很多机友已经很清楚了。首先是通过 Androbench 可以大概测试出来。UFS 2.0 和 UFS 2.1 在性能上有所不同,前者读取速度在 500MB/s - 600MB/s 左右,后者则是 750MB/s - 800MB/s 左右。
而判断手机采用的是哪一类型的闪存,则可以通过 Material Terminal 终端模拟器,输入 cat /proc/scsi/scsi 指令,可以获得闪存供应商的型号,在对应下官方说明即可得知。
作为消费者,看到三星混用 UFS 闪存完全有理由被激怒。对此开始有机友表示,三星同样不靠谱,竟然步入华为后尘,混用 UFS 2.0 和 UFS 2.1 闪存。而且三星使用了与华为相同的套路,默默修改官网介绍。要知道,那么昂贵的一款年度旗舰级,也玩混用闪存,况且三星还是自给自足的情况下,实在让人不爽。
当然了,也有网友表示,三星不像华为那么无耻,华为使用的是性能差异巨大的 eMMc 闪存,而且三星在修改之前和之后的官方页面参数中,时刻标明着闪存“May differ by country and carrier”,也就是“可能因国家和运营商而异”。更重要的是,三星在处理器、基带、SD 和 SIM 扩展卡上一直都提供差异说明,说明三星早就留了一手后路。
总的来说,三星 Galaxy S8 真的存在 UFS 2.0 和 UFS 2.1 闪存混用的情况,只是三星相比华为稍微良心了那么一点点,至少 UFS 2.0 和 UFS2.1 差别并没有那么大,而华为 eMMc 与 UFS 混用简直就是机械硬盘与固态硬盘之间的天差地别。但有华为的前车之鉴,三星仍顶风作案,对此三星公关如何解决问题相当令人期待。
国行月中发布,若有这种情况你还买?
现在 Galaxy S8 和 S8+ 国行版还未在国内上市,仍无法确定国行版是否存在 UFS 2.0 和 2.1 混用的情况,但海外版已毋庸置疑。考虑到国内消费者对华为 P10 闪存门事件耿耿于怀,而且久久不能释怀,接下来三星混用 UFS 闪存的事件是否让消费者心生不满而爆发还有待观察,希望三星中国官方能够给个确切说法。
虽然认证为三星硬件工程师的“戈蓝V”未做回应,但他点赞了一条微博,而那条微博是一位已评测过国行 S8 工程机相关人士,特别为三星官方做差异化说明进行了解释:
前段时间,三星官方开始向媒体发出邀请函,进一步确认三星将会于 5 月 18 日在北京司马台长城脚下的古北水镇举办 Galaxy S8 新品发布会。更具体来说,当天 20 点至 20 点 45 分将会是国行版 Galaxy S8 和 S8 + 媒体发布会,届时三星将会公布一系列国行版的相关上市信息。
PS:先是华为P10,现在又是三星,尽管两家混用的闪存并不完全一样——华为是eMMC与UFS 2.1、UFS 2.0三种混用,性能差异很大,三星稍微好点,是UFS 2.0和UFS 2.1混用。不过三星悲催的地方是在于早前就把UFS 2.1闪存写在官网上了,现在才给和谐掉了,不提UFS 2.1闪存了,而且Galaxy S8作为售价接近6000的高端手机,用户也跟华为P10一样抽奖的话就实在不爽了。总之,买手机也要抽奖,在国行 Galaxy S8 上市之前,你怎么看呢?
相关推荐
EEPROM(带电可擦可编程只读存储器)是用户可更改的只读存储器,可通过高于普通电压的作用来擦除和重....
发表于 2023-10-23 17:08•
58次阅读
存算一体片上学习在实现更低延迟和更小能耗的同时,能够有效保护用户隐私和数据。该芯片参照仿生类脑处理方....
发表于 2023-10-23 14:15•
49次阅读
被协是世界第三大闪存公司,西部数据公司第四位。目前正在推进的合并实体可能会达到和世界第一大企业三星电....
发表于 2023-10-23 10:07•
222次阅读
泛林集团因为去年发表的美国最近的出口限制规定,遭受了约20亿美元的销售损失。泛林集团认为,公司在中国....
发表于 2023-10-19 10:55•
138次阅读
从2024年第四季度开始,DRAM和NAND闪存的价格将全面上涨,这已经导致国内存储器下游企业的闪存....
发表于 2023-10-17 17:13•
472次阅读
Nordic Semiconductor最近推出了128 MHz nRF54L15 Cortex-M....
发表于 2023-10-17 11:56•
460次阅读
随之而来的影响,即从今年四季度开始,存储元器件成本上涨所带来的影响将逐渐传导至消费端,笔记本电脑、手....
发表于 2023-10-16 15:41•
240次阅读
三星决定升级西安工厂的原因大致有两个。第一,在nand闪存市场尚未出现恢复迹象的情况下,在nand....
发表于 2023-10-16 14:36•
417次阅读
据韩国贸易部16日公布的资料显示,韩国9月份的nand闪存出口额比去年同期增加了5.6%,但8月份减....
发表于 2023-10-16 14:17•
94次阅读
日前有媒体报道称,受三星等存储原厂减产以及国内闪存龙头存储颗粒产能不足的影响,内存和闪存元器件采购成....
发表于 2023-10-16 11:13•
287次阅读
固态驱动器(SSD)是一种由固态电子存储芯片阵列构成的存储设备,由控制单元和存储单元组合而成。其接口....
发表于 2023-10-12 09:29•
82次阅读
据悉,YR S900采用英韧自研第三代ECC纠错引擎,协同优化4K LDPC编解码及数字信号处理技术....
发表于 2023-10-11 15:48•
49次阅读
首先,内存请求与闪存内存之间存在颗粒度不匹配。这导致了在闪存上需要存在明显的流量放大,除了已有的闪存....
发表于 2023-10-09 16:46•
111次阅读
1虹科ATTO光纤通道HBA随着对高速数据访问和低延迟存储解决方案的需求日益增长,虹科ATTO最新的....
发表于 2023-09-21 08:10•
212次阅读
据消息人士透露,nand闪存价格从第三季度初的最低点开始逐渐反弹,到目前为止已经上涨了10%以上。他....
发表于 2023-09-20 10:19•
348次阅读
NVM Express ( NVMe ) 或 Non-Volatile Memory Host Co....
发表于 2023-09-19 10:43•
190次阅读
9月13日, 由开放数据中心委员会 (ODCC) 主办的“2023开放数据中心峰会”在北京国际会议中....
发表于 2023-09-13 16:17•
537次阅读
Data flash,直译数据闪存,闪存有可执行程序的“代码闪存”和数据保存区的“数据闪存”,这里讲....
发表于 2023-09-13 12:25•
244次阅读
业内人士说:“nand闪存价格将比dram快反弹”,“nand闪存供应商们的赤字继续扩大,因此销售价....
发表于 2023-09-11 14:56•
347次阅读
从丝印上可以看出分别为:H58GG6MK6GX037 和 HN8T25DEHKX077(由于屏蔽罩遮....
发表于 2023-09-08 12:44•
649次阅读
近日,每年一度的国内闪存峰会Flash Memory World 2023于杭州萧山完美落幕。峰会围....
发表于 2023-09-06 15:34•
361次阅读
三星业绩近期表现非常差,三星为了增强NAND闪存竞争力计划在2024年升级其NAND核心设备供应链。
发表于 2023-08-30 16:10•
122次阅读
单片机内存资源通常包括ram(随机访问存储器)和Flash存储器。ram用于运行时数据和堆栈,而Fl....
发表于 2023-08-30 15:47•
127次阅读
众所周知,固态硬盘的数据传输速度虽然很快,但售价和容量还都是个问题。这种宽度为2.5英寸的硬盘用来容....
发表于 2023-08-30 11:26•
169次阅读
在特殊集成电路领域,紫光国微的fpga产品继续保持着行业市场的领先地位,用户范围也在不断扩大。新一....
发表于 2023-08-24 11:09•
277次阅读
三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域....
发表于 2023-08-21 18:30•
167次阅读
AEC-Q100 标准由汽车电子协会发布,旨在规范汽车电子器件的可靠性和质量要求。该标准涵盖了多个方....
发表于 2023-08-18 09:43•
77次阅读
台湾《电子时报》报道说,苹果公司的新一代iphone可以改善存储芯片制造商的销售,但从季节上看,20....
发表于 2023-08-17 10:40•
210次阅读
代码:(2) BOOT
Possible value: none/old/new
none: no need boot ...
发表于 2023-06-12 07:56•
39次阅读
我正在开发一个有很多常量字符串的应用程序。例如:
char *hello = \"hello world\";
或者
if (strncmp(hello, \"gre...
发表于 2023-06-12 06:18•
39次阅读
我想将数据保存到闪存中,这样即使断电我也可以拥有这些数据。
我尝试使用 spi_flash_write 但出现错误
代码:
 ...
发表于 2023-06-12 06:04•
44次阅读
我正在使用 LPCXpresso55S16,我想从闪存中动态分配内存,向其中写入数据,从中读取数据,并在需要时释放它。是...
发表于 2023-06-09 06:57•
113次阅读
InitTarget() 开始
- 闪存地址处的保护字节。0x400 - 0x40F 表示设置了读出保护。
对于调试器连接,设备需要不安全...
发表于 2023-06-09 06:53•
152次阅读
我正在将我的引导加载程序移植到 LPC55S69,我试图确定设备的确切闪存映射,但遇到了意想不到的困难。
表 4 显示了...
发表于 2023-06-09 06:39•
107次阅读
我正在寻找有效的 RT-UFL 设置以将 J-Link 最新驱动程序与 Adesto EcoXIP 闪存(在 Embedded Artists i...
发表于 2023-06-08 08:14•
114次阅读
任何人都可以帮助我面对像 lpc4337 闪存中的 sector13 一样无法将超过 8K 的数据写入 64k 的问题吗?即使是 64K 容量...
发表于 2023-06-08 06:39•
69次阅读
我尝试测试 RT1064-EVK 并遇到以下问题:
我正在使用 P&E multilink universal 将 LED 演示应用程序编程...
发表于 2023-06-05 08:00•
110次阅读
我们可以使用没有外部闪存的 ESP8266EX 通过 ESP8266EX 的 UART 配置使其作为 WiFi 连接到我的网络吗...
发表于 2023-06-05 07:06•
45次阅读
评论