东芝日前宣布,他们成功研发出了世界首款4比特3D QLC闪存。对于闪存技术的未来发展而言,这可谓是相当重大的消息。
闪存是依靠内含电荷的浮栅晶体管来进行工作的。这些内存区块的排列方式要么是二维平面(平面NAND),要么以更为空间效率的竖列被堆叠起来(3D NAND)。
为了最大化存储空间,这些内存块——不管是在二维平面还是三维空间——可以被分割进更多的电荷电平以存储更多数据。每存储单元拥有4级电荷(2比特)的闪存被称作多层单元(MLC),拥有8级电荷(3比特)的闪存则被称作三层单元(TLC)。
四层单元(QLC)显然是闪存技术发展的下一步。通过将每一个存储单元分割成16个电荷电平(每单元4比特数据),它能够实现存储容量上的进一步扩大。在曾经的一段时间里,从TLC升级到QLC看上去似乎难度颇高,因为精确区分电荷电平所需要的生产精度是会成倍增加的。但在自己最新的3D NAND闪存当中(使用了64层堆栈式QLC存储单元),东芝就成功做到了这一点。
东芝的QLC技术实现了每闪存颗粒768Gb的容量,相比之前512Gb TLC颗粒显然是巨大的提升。东芝指出,新的QLC颗粒能以16颗粒封装,从而实现单设备1.5TB的容量——这被东芝称为目前单独一个单元的最大容量。
对于普通用户而言,东芝的新技术意味着未来的大容量闪存可能会更便宜。不管是MLC、TLC还是QLC,它们的优势都是大幅增加存储密度,从而拉低闪存的价格。但值得注意的是,闪存的速度和耐久度在容量提升的同时将会受到影响。
这个问题会在QLC身上延续下去,因为在每次读取数据时需要区分的电荷电平变得更多了。但如果你希望以更低廉的价格买到更大容量的存储设备,东芝的成功依然是个好消息。
东芝已经在本月早些时候开始出货3D QLC NAND闪存的样品,以供客户进行评估。至于相关产品会在何时上市销售,这目前还不得而知。
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