PW5303 ESOP8封装 具有PWM/PSM控制的电流模式升压DC-DC转换器IC
概 述 TEL;壹 3 9 2 5 2 6 6 6 9 2
PW5303是一款具有PWM/PSM控制的电流模式
2024-03-22 12:15:01
快速充电电源管理方案。H4012采用ESOP-8 封装，芯片底部设计有功率散热焊盘与SW管脚连接，可以有效的帮助芯片散热。
产品特征
l 内置30V MOS
l 输入范围5V-24V
l 内置50m
2024-03-22 11:31:10
器件采用SOP8封装。**详细参数:**- **沟道类型:** P沟道- **额定电压:** -30V- **额定电流:** -11A- **导通电阻:** 10m
2024-03-19 14:55:57
）为-1.5V。采用SOP8封装。**详细参数：**- 电压范围：-30V- 电流承受能力：-7A- RDS(ON)：35mΩ@VGS=10V，35mΩ@VGS=2
2024-03-19 11:53:08
（Vth）为-1.5V。该产品采用SOP8封装，适用于各种电路模块中。**详细参数说明：**- 电压特性：支持-30V电压，适用于要求较低电压的电路应用。- 电流特性：
2024-03-19 11:46:22
与SW管脚连接，可以有效的帮助芯片散热。
产品特征
l 内置30V MOS
l 输入范围5V-24V
l 可支持1A持续输出电流
l 可支持100%占空比
l 输出电压电流可设（2.5V-22V）
l 恒
2024-03-19 10:28:19
, VGS=20V- 阈值电压：Vth=-1.42V封装：SOP8应用简介：DTM4407-VB是一款高性能P-Channel沟道功率场效应管，具有-30V额定电压、-
2024-03-18 11:57:29
- Vth=-1.5V封装: SOP8详细参数说明:CEM4954-VB是一款双P-Channel沟道功率MOSFET，工作电压为-30V，最大电流为-7A。其静态漏
2024-03-15 15:20:40
, Vth=-1.5V封装: SOP8详细参数说明:- 型号: BSO207P-VB- 沟道类型: P-Channel- 额定电压: -30V- 最大电流: -7A- 开
2024-03-15 11:56:01
—Channel沟道 - 额定电压：-30V - 额定电流：-7A - 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：35mΩ（在VG
2024-03-14 15:44:22
时）。阈值电压（Vth）为-1.5V。采用SOP8封装。**详细参数：**- 电压范围：-30V- 电流承受能力：-7A- RDS(ON)：35mΩ@VGS=10
2024-03-12 16:34:04
电子发烧友网站提供《采用6引脚SC-70封装的低输入电压升压转换器TPS6122x数据手册.pdf》资料免费下载
2024-03-04 09:30:11
0 **详细参数说明：**- 型号：FDS8333C-NL-VB- 丝印：VBA5325- 品牌：VBsemi- 封装：SOP8- 类型：N+P-Channel沟道- 额定电压：±30V- 额定
2024-02-20 11:28:14
**详细参数说明：**- 型号：IRF7307TRPBF-VB- 丝印：VBA5325- 品牌：VBsemi- 封装：SOP8- 类型：N+P-Channel沟道- 额定电压：±30V- 额定
2024-02-20 09:56:10
**NTA7002NT1G-VB 详细参数说明和应用简介：**- **参数：** - 丝印：VBTA1220N - 品牌：VBsemi - 封装：SC75
2024-02-19 17:03:07
**2SK1824-VB 详细参数说明和应用简介：****参数说明：**- 封装：SC75-3- 沟道类型：N-Channel- 额定电压（VDS）：20V- 额定电流（ID）：0.85A- RDS
2024-02-19 14:58:21
;- P—Channel沟道 - 额定电压：-30V - 最大电流：-75A - RDS(ON)：8mΩ @ VGS=10V, VGS=
2024-02-03 14:16:40
型号: RU30L30M-VB丝印: VBQF2309品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: P—Channel- 额定电压: -30V- 额定电流: -45A- 导通电阻 (RDS
2024-02-03 10:33:22
。
H7303采用ESOP8,芯片底部的散热片与芯片的SW脚相连。芯片采用特殊算法，可以实现高精度的恒流效果，输出电流恒流精度≤±4％，电压工作范围为2.5-24V可以轻松满足锂电池以及市场上面中低
2024-02-01 16:44:39
在双电源±15V的供电的状态下，ADG1408的模拟通道能输入30V（相对GND）的模拟电压吗？
2024-01-05 12:57:40
我按LT8390设计输入9-36V，输出28V，250W,参考250W的DEMO，现在的问题是：
1.输入36V，空载时输出电压先升到30V，然后慢慢降到28V，这是为什么？
2.带1A的负载
2024-01-04 07:48:47
电子发烧友网站提供《TPS6122x：采用6引脚SC-70封装的低输入电压升压转换器英文资料.pdf》资料免费下载
2024-01-03 09:09:150 (ON)): 200mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V- 阈值电压 (Vth): 0.6V- 封装: SC75-3应用简介:VBsemi的FDY302NZ-NL-V
2024-01-02 15:49:14
型号：SSM3J36FS-VB丝印：VBTA2245N品牌：VBsemi参数：- 封装类型：SC75-3- 沟道类型：P—Channel- 最大漏电压（Vds）：-20V- 最大漏极电流（Id
2023-12-28 17:10:25
型号：AO4423-VB丝印：VBA2309品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-30V- 额定电流：-11A- 静态导通电阻（RDS(ON)）：11mΩ @ 10V, 15m
2023-12-20 16:14:40
, 20Vgs (±V)- 阈值电压：-1.7V- 封装：SOP8**详细参数说明：**IRF9317TRPBF-VB是一款P沟道MOSFET，最大耐压为-30V，最
2023-12-20 15:25:28
)；SOP8封装：SOP8详细参数说明：- 型号：BSO301SP-VB- 丝印：VBA2309- 品牌：VBsemi- 沟道类型：P沟道- 最大耐压：-30V- 最大
2023-12-20 15:10:49
)；0.3Vth(V)；SC75-6封装：SC75-6详细参数说明：- 型号：NTZD3154NT1G-VB- 丝印：VBTA3230NS- 品牌：VBsemi- 沟道
2023-12-20 11:44:34
)；-1.8Vth(V)；SOP8封装：SOP8详细参数说明：- 型号：FDS4935A-NL-VB- 丝印：VBA4317- 品牌：VBsemi- 沟道类型：2个P沟道- 最大
2023-12-20 10:51:23
型号：RU30L15H-VB**丝印：** VBA2311**品牌：** VBsemi**参数：**- 类型：P沟道- 额定电压（Vds）：-30V- 最大电流（Id）：-11A- 静态漏极-源极
2023-12-19 16:38:29
型号：AO7401-VB丝印：VBK2298品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-20V- 额定电流：-3A- 开通电阻（RDS(ON)）：98mΩ @ 4.5V
2023-12-19 11:25:14
型号：STS7PF30L-VB丝印：VBA2317品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-30V- 最大连续电流：-7A- 静态开启电阻（RDS(ON)）：23mΩ @ 10V
2023-12-16 10:26:07
型号：STS10PF30L-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数说明：- 极性：P沟道- 额定电压：-30V- 最大连续漏极电流：-11A- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：10m
2023-12-15 10:01:40
型号: HM4447-VB丝印: VBA2305品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: P沟道- 额定电压: -30V (负值表示P沟道)- 最大电流: -15A (负值表示P沟道)- 静态导通电
2023-12-15 09:44:05
Ω @ 4.5V, 276mΩ @ 2.5V, 12Vgs- 阈值电压（Vth）：-0.6~-2V- 封装：SC70-6应用简介：FDG6316P-VB是一款双P沟
2023-12-14 13:37:54
型号： NTD25P03LG-VB 丝印： VBE2338 品牌： VBsemi 参数： - P沟道- -30V电压- -26A电流- RDS
2023-12-13 15:19:19
● ＞90%的效率
● 输出电压1.25至50V可调
● 采用ESOP8封装
● 过热保护
● 逐周期过流保护
2023-12-07 16:44:03
APM4435KC-TRL (VBA2317)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-30V；最大电流：-7A；导通电阻：23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V；门源
2023-12-06 13:52:12
SSM3J36FS（VBTA2245N）是一款P沟道MOS型晶体管，采用SC75-3封装。该产品具有-20V的耐压能力和-0.4A的额定电流。其导通电阻RDS(ON)在4.5V时为450mΩ，在
2023-11-30 16:08:17
型号 MI3407-VB丝印 VB2355品牌 VBsemi详细参数说明 P沟道额定电压 -30V额定电流 -5.6A开
2023-11-17 11:59:35
每周期的峰值限流、内部软启动和温度保护。YB2502需要非常少的常规外围器件。采用8脚的SOIC8封装.
特性：
宽输入电压：4.5V到80V
输出电压可从0.8V到30V
集成110mΩ的功率开关
2023-11-16 11:15:39
利用AD5522怎么设计一个正负30V的PPMU? AD5522输出电压最大只能输出正负11V左右。但我们客户的需求是30V的。不知道用AD5522能否设计出30V的ppmu?。如果利用升压电路可以解决，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
如何设计一个高效率低功耗低噪声的直流3V升压到30V的电路？
电流1ma之内即可。
2023-11-16 06:36:14
为什么要规定额定电压？额定电压输出电流怎么测试？ 额定电压是为了确保电气设备在正常运行时能够提供稳定的电压供应。额定电压是指电气设备能够稳定运行的电压范围，设备在这个电压范围内可以正常工作并且
2023-11-09 09:42:33
669 型号 20P03丝印 VBE2338品牌 VBsemi详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 26A 开通电阻（RDS(ON)） 33mΩ @ 10V, 46m
2023-11-06 11:24:18
型号 RRQ030P03TR丝印 VB8338品牌 VBsemi参数 频道类型 P沟道 额定电压 30V 额定电流 4.8A RDS(ON) 49mΩ @ 10V，54mΩ @ 4.5V
2023-11-06 10:44:25
型号 AP6679GH丝印 VBE2309品牌 VBsemi详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 60A 开通电阻（RDS(ON)） 9mΩ @ 10V, 12m
2023-11-06 09:41:12
Ω@4.5V, 66mΩ@2.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.37Vth 封装 SOP8应用简介 FDS4435BZNL是一款P沟道MOSFET，适用于
2023-11-03 14:04:50
型号 FDD6637丝印 VBE2309品牌 VBsemi参数说明 MOSFET类型 P沟道 额定电压(VDS) 30V
2023-11-03 11:57:26
门源电压范围 12V 门源阈值电压范围 0.6V~2V 封装类型 SC703应用简介 AO7407（丝印 VBK2298）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MO
2023-11-03 11:45:53
AO4409详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 11A 导通电阻 11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V 门源
2023-11-03 11:37:23
;30V 额定电流(ID) 11A 开通电阻(RDS(ON)) 11mΩ@10V, 15mΩ@4.5V 阈值
2023-11-03 10:31:54
)- 阈值电压 0.6Vth (V)- 封装类型 SC75-3应用简介 NTE4153NT1G是一款N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和低功率应用。它具有适中的额定电压
2023-11-03 09:18:07
型号 NTS4101PT1G丝印 VBK2298品牌 VBsemi参数 频道类型 P沟道 额定电压 20V 额定电流 3A RDS(ON) 98mΩ @ 4.5V，117.6m
2023-11-02 16:26:15
MT4606详细参数说明 极性 N+P沟道 额定电压 ±30V 额定电流 9A (N沟道), 6A (P沟道) 导通电阻 15mΩ @ 10V (N沟道), 42mΩ @ 10V (P
2023-11-02 16:15:57
型号 C3028LD丝印 VBA5325品牌 VBsemi参数 频道类型 N+P沟道 额定电压 ±30V 额定电流 9A / 6A RDS(ON) 15mΩ / 42mΩ @ 10V
2023-11-02 15:37:46
型号 ME4925丝印 VBA4317品牌 VBsemi参数 频道类型 2个P沟道 额定电压 30V 额定电流 8.5A RDS(ON) 21mΩ @ 10V，28mΩ @ 4.5V
2023-11-02 14:52:31
)- 阈值电压 -1.5Vth (V)- 封装类型 SOP8应用简介 P06B03LVG是一款2个P沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有负的额定电压和额
2023-11-02 14:42:23
型号 P0603BVG丝印 VBA1311品牌 VBsemi参数 频道类型 N沟道 额定电压 30V 额定电流 12A RDS(ON) 12mΩ @ 10V，15mΩ @ 4.5V 门源
2023-11-02 11:17:21
STM4639详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 11A 导通电阻 11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压
2023-11-02 09:37:49
门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.42Vth 封装 SOP8应用简介 AO4425是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的高功率应用。
2023-11-01 10:37:54
型号 FDS8858CZNL丝印 VBA5311品牌 VBsemi参数 频道类型 N+P沟道 额定电压 ±30V 额定电流 10A / 8A RDS(ON) 11mΩ / 21m
2023-10-31 13:52:46
TPC8123详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 11A 导通电阻 11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V
2023-10-31 11:58:20
型号 FDN304PNL丝印 VB2355品牌 VBsemi参数 频道类型 P沟道 额定电压 30V 额定电流 5.6A RDS(ON) 47mΩ @ 10V，56mΩ @ 4.5V
2023-10-31 11:24:55
型号 CEM4435丝印 VBA2317品牌 VBsemi参数 频道类型 P沟道 额定电压 30V 额定电流 7A RDS(ON) 23mΩ @ 10V，29mΩ @ 4.5V，66m
2023-10-30 15:33:55
) 阈值电压 0.6~2Vth (V) 封装类型 SC703应用简介 NTS2101PT1G是一款P沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有负的额定电
2023-10-30 15:25:54
AO4407详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 7A 导通电阻 23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V 门源电压 20Vgs (±V
2023-10-30 14:46:07
型号 HM3401PR丝印 VBI2338品牌 VBsemi参数 频道类型 P沟道 额定电压 30V 额定电流 5.8A RDS(ON) 50mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V
2023-10-30 11:55:03
型号 AP2303GN丝印 VB2355品牌 VBsemi参数 频道类型 P沟道 额定电压 30V 额定电流 5.6A RDS(ON) 47mΩ @ 10V，56mΩ @ 4.5V 门源
2023-10-30 11:14:23
型号 SI4953DYT1E3丝印 VBA4338品牌 VBsemi参数 频道类型 2个P沟道 额定电压 30V 额定电流 7A RDS(ON) 35mΩ @ 10V, 48m
2023-10-28 16:16:55
Ω @ 2.5V 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压 ±0.6~2Vth (V) 封装类型 SC706应用简介 FDG6321C是一款N+P沟道MOSFET，同时
2023-10-28 15:25:52
IRF7314TRPBF详细参数说明 极性 2个P沟道 额定电压 30V 额定电流 7A 导通电阻 35mΩ @ 10V, 48mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V
2023-10-28 14:55:23
SI1967DH-T1-GE3详细参数说明 - 极性 2个P沟道 - 额定电压 -20V - 额定电流 -1.5A - 导通电阻 230mΩ @ 4.5V, 276mΩ @ 2.5V
2023-10-28 09:49:14
SC8P171xE（SC8P1710E、SC8P1711E、SC8P1712E）是中微半导体OTP ADC型支持C的芯片，支持内部RC振荡16MHz,工作电压1.8V-5.5V，GPIO最多可达14
2023-09-27 15:29:26
供应AP30N03K 电压30V的贴片MOS管TO-252封装丝印30N03K，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP30N03K规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 11:13:03
供应AP30H80K 30v耐压n沟道mos管TO-252封装 丝印:30H80K，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP30H80K规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 10:50:43
12V升30V升压芯片AH1160是一种电子元件，可以将电压从12V升高到30V。此芯片内置了60V NMOS升压型LED驱动器，可以有效地驱动LED灯。该芯片的反馈电流采样电压为250mV，可以用来监测LED驱动器输出电流的值。
2023-09-14 10:27:59509
内置接VIN 脚。
特点
宽输入电压范围：8V~120V
输出电压从4.2V 到30V 可调
支持输出恒压恒流
支持输出12V/1.5A，5V/1.5A
高效率：可高达95%
工作频率：140KHz
2023-09-07 15:32:21
可靠性。
SL3036H 采用ESOP8 封装，散热片内置接VIN 脚。
特点:
宽输入电压范围：8V~120V
输出电压从4.2V 到30V 可调
支持输出恒压恒流
支持输出12V/1.5A
2023-09-06 11:12:47
内置接VIN 脚。
特点
宽输入电压范围：8V~120V
输出电压从4.2V 到30V 可调
支持输出恒压恒流
支持输出12V/1.5A，5V/1.5A
高效率：可高达95%
工作频率：140KHz
2023-09-06 10:25:09
。
SL3038 采用SOP8 封装。
特点：
宽输入电压范围：8V~150V
输出电压从4.2V 到30V 可调
支持输出恒压恒流
支持输出12V/5A，5V/5A
高效率：可高达96%
工作
2023-09-05 09:57:04
供应AP18P30Q p沟道mos管 30v 20a 丝印:18P30Q，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP18P30Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:19:05
该电源提供可在0至30V之间调节的cc电压，电流强度为1A，并具有内置的可编程电流限制。
2023-07-25 17:26:401784 
SC8F2892是中微FLASH芯片，Flash 4Kx14Bit、RAM256B，内置RC振荡8MHz/16MHz,工作电压2.5V-5.5V，GPIO最多14个，内置触摸按键功能，内置WDT
2023-06-26 09:29:45
/2Bias COM驱动模块
2路8位定时器
内建高精度1.2V基准电压
12位高精度ADC
10pin管脚芯片
支持SOP16封装
欢迎联系咨询邱生：TEL：180 2833 7418QQ：3101377292*附件：SC8P1762E用户手册_V1.1.0.pdf
2023-06-20 09:12:11
上海数明半导体有限公司最新推出的双通道 30V, 5A/5A 的高速低边门极驱动器 SiLM27624 系列，支持高达 30V 的输入电源供电，满足更高的驱动电压输出。
2023-05-17 11:18:21438 
请问CANbus至RS232协议转换器能够用30V电压的电源吗？
2023-05-09 11:03:26
额定电压是指电气设备的标称电压，即电气设备的设计和制造时规定的电气参数，例如交流电机的额定电压为380V，发电机的额定电压为6600V等。额定电压在设备制造时已经确定，与电网电压的实际运行情况无关。
2023-04-24 14:56:167636 额定电压公式的意义在于，当电器设备的额定电压为 Un时，其所能承受的最大电压为Vn。这个公式的根号3是因为在三相电路中，电压的有效值是相电压的根号3倍。
2023-04-24 14:51:054482 额定电压（Nominal voltage）：电池正负极材料因化学反应所造成的电位高低之差，利用些关系，所产生的电压，称为额定电压，不同的正负极材料，产生的电压不同，如：铅酸电池-2V/CELL， 锂离子电池3.6V/CELL。
2023-04-24 14:44:4816943 转换效率。 SL3036 内部集成软启动以及过温保护电路，输出短路保护，限流保护等功能，提高系统可靠性。 SL3036 采用ESOP8 封装，散热片内置接VIN 脚。特点 宽输入电压范围：8V~90V
2023-04-15 09:41:48
刚开始接触电机控制，有个问题搞不清楚。步进电机驱动芯片选型时需要考虑电机的额定电压吗？看到有客户使用A4988（负载供电范围8~35V）驱动额定电压DC3V的步进电机，而电机厂家给出的电机工作电压不能超过DC4.5V。求大神指点，拜谢！
2023-04-14 09:48:12
MOSFET N-CH 30V SC-75
2023-03-29 11:47:07
LAMP INCAND 30V CANDELABRA SCRW
2023-03-28 20:23:07
输入电压范围：8V~55V输出电压从 5V 到 30V 可调支持输出恒压恒流支持输出 5V/3A高效率：可高达 96%工作频率：140KHz低待机功耗内置过温保护内置软启动内置输出短路保护应用恒压源，电动汽车、电动自行车、电瓶车扭扭车、卡车
2023-03-24 11:35:11
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