RAA211320:30V 2A 集成式开关稳压器的设计指南 作为电子工程师,在电源管理设计中,选择合适的稳压器至关重要。RAA211320 是一款集成式 30V、2A 同步降压稳压器,采用电流模式
2025-12-29 11:55:12
176 威兆半导体推出的VS3508AS是一款面向-30V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET,支持5V逻辑电平控制,采用SOP8封装,适配低压电源的高侧开关、负载控制等领域。一、产品基本信息器件类型:P
2025-12-24 13:01:21
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长晶科技重磅推出新一代 SGT Gen2.0工艺。在30V电压平台,与Gen1.0相比,Fom值可降低50%,超同期欧美系水平12.5%;相比上一代,Rsp值可降低41.6%,超同期欧美系水平
2025-12-18 10:08:23
271 
威兆半导体推出的VS3510AD是一款面向30V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET,支持5V逻辑电平控制,采用TO-252封装,适配低压电源的高侧开关、负载控制等领域。一、产品基本信息器件类型
2025-12-16 11:50:07
171 
威兆半导体推出的VS3510AS是一款面向30V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET,支持5V逻辑电平控制,采用SOP8封装,适配低压电源的负载开关、电源通路控制等领域。一、产品基本信息器件类型
2025-12-16 11:46:18
213 
威兆半导体推出的VS3640DS是一款面向30V低压场景的双通道N沟道增强型功率MOSFET,支持5V逻辑电平控制,采用SOP8封装,适配双路低压电源管理、小型负载开关等领域。一、产品基本信息器件
2025-12-11 10:48:33
275 
威兆半导体推出的VS3622AP是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5x6封装,适配低压大电流DC/DC转换器、同步整流等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型
2025-12-10 14:53:13
275 
威兆半导体推出的VS3540AC是一款面向-30V低压小电流场景的P沟道增强型功率MOSFET,采用SOT23小型封装,适配低压负电源切换、小型负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:P沟道增强型
2025-12-10 09:44:34
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威兆半导体推出的VS3510AE是一款面向-30V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET,适配低压负电源切换、电源路径管理等领域。一、产品基本信息器件类型:P沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源
2025-12-08 11:16:24
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威兆半导体推出的VS3618AS是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,支持5V逻辑电平控制,采用SOP8封装,适配小型化低压电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N
2025-12-08 11:10:47
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机制、散热表现等短板逐渐凸显。森利威尔推出的 SL1585 同步降压调节器,凭借与 MP1584 的高度兼容特性,叠加 30V 宽压、同步整流集成、全维度保护等硬核升级,成为替代 MP1584 的理想
2025-12-06 10:30:08
威兆半导体推出的VS3508AP是一款面向-30V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET,支持5V逻辑电平控制,适配低压负电源切换、电源路径管理等领域。一、产品基本信息器件类型:P沟道增强型功率
2025-12-05 09:51:31
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威兆半导体推出的VS3508AP-K是一款面向-30V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET,支持5V逻辑电平控制,适配低压负电源切换、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:P沟道增强型功率
2025-12-05 09:38:27
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。一、产品基本信息器件类型:P沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):-30V,适配低压负电压供电场景;导通电阻(\(R_{D
2025-11-28 11:22:59
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一、概述: SiLM8260ABCS-DG是一款双通道隔离栅极驱动器,专为高功率应用设计,具备10A/10A的峰值输出电流和高达30V的输出驱动电源电压。该芯片采用先进的隔离技术,提供
2025-11-28 08:14:38
如BMS、电机控制、电力开关的12V系统对低内阻MOS管的需求正增速增长,工程师们迫切需要兼顾大电流承载与小型化设计的解决方案。而HKTD100N03这款采用TO-252封装的N沟道MOS管,以
2025-11-26 09:44:40
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英集芯IP2332N是一款应用于TWS耳机充电仓、智能穿戴设备、无人机、电动工具的单节锂电池DC-DC充电芯片。支持标准锂电池(4.20V)及磷酸铁锂电池(3.5V~4.4V定制电压),输入耐压高达30V,最大充电电流2.4A。
2025-11-25 11:42:09
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onsemi NTMFS003P03P8Z P沟道MOSFET是一种单通道、-30V MOSFET,尺寸为5mmx6mm,可节省空间并具有出色的热传导性能。这款P沟道MOSFET具有1.8mΩ的超低
2025-11-24 15:54:38
333 
N沟道MOSFET的漏极-源极电压 ( ~VDS~ ) 为30V,栅极-源极电压 ( ~VGS~ ) 为±20 V,漏极电流为294A。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET采用5mm x 6
2025-11-24 15:35:18
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800V系统里用450V额定电压的电容,余量够吗?会不会容易击穿?
2025-11-24 09:15:00
安森美 (onsemi) NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET采用紧凑型SOT-723封装,内置ESD保护功能。SOT-723封装占位面积比SC-89小44%,厚度比SC-89薄38%。漏
2025-11-21 15:14:29
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仁懋电子(MOT)推出的MOT3712G是一款P沟道增强型功率MOSFET,凭借-30V耐压、低导通电阻及高电流承载能力,适用于PWM应用、负载开关、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型:P沟道
2025-11-21 10:31:06
233 
SMDJ30CA双向 TVS瞬态抑制二极管:30V双向电压000W 浪涌中压电路防护核心
2025-11-20 16:42:40
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的高性能解决方案。两款产品均采用TOLL4-6R封装,连续漏极电流达190A,覆盖30V/20V电压等级,通过工艺与参数的差异化设计,满足不同应用的电路需求。
2025-11-17 14:49:15
614 回路开关噪声至关重要。
电源适应性:驱动侧4V至30V宽电源电压,控制侧3V至18V宽输入电压,能灵活匹配不同控制器。
安全与可靠性:
3kVRMS隔离耐压(SOP8封装)。
5V输入反向耐压
2025-11-15 10:00:15
与通信模组共存的系统中,可分别提供稳定电压与电流,避免因负载突变导致的工作异常。
五、紧凑封装与简化设计
采用ESOP8封装,散热片直接连接VIN引脚,优化散热性能的同时减少外围元件数量。典型
2025-11-12 11:36:41
一款输入电源高至30V,单通道输出的低边驱动器,能有效的驱动MOSFET和IGBT,内部能有效的避免驱动电路短路发生。具有轨对轨的电流驱动能力、并且提供输入输出短至21ns的极小延时。在电源电压为
2025-11-04 08:48:24
ZK30G011G作为一款专为低压大电流场景设计的N沟道MOSFET,以30V额定电压、160A额定电流的硬核性能为基础,融合成熟可靠的沟槽型(Trench)工艺与PDFN5*6小型化封装,既突破了传统低压器件的电流承载上限,又实现了小体积与高稳定性的平衡,成为低压功率控制领域的优选方案。
2025-10-31 14:28:12
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一、产品概述MOT3712J是仁懋电子(MOT)推出的P沟道增强型MOSFET,采用PDFN3X3-8L表面贴装封装,具备高功率与电流处理能力,聚焦PWM控制、负载开关、电源管理等场景,以低导通损耗
2025-10-24 15:59:53
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如下: 0402封装:额定功率1/16W(如RC0402FR-071KL),适用于低功耗场景。 0603封装:常规功率1/16W,提升功率后可达1/10W,最大工作电压50V。 0805封装:常规功率1/10W,提升功率后可达1/8W,最大工作电压150V。 1206封装:常规功率1/8W,提升功率后可
2025-10-24 14:28:50
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在低压大电流功率电子领域,MOS管的导通损耗、电流承载能力与封装适配性,直接决定了终端设备的能效、可靠性与设计灵活性。中科微电推出的ZK30N140TN沟道MOS管,凭借30V额定电压、140A超大
2025-10-22 09:42:38
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、设计与应用提供全面技术支撑。漏源击穿电压(VDSS) 30V典型栅极阈值电压(V GS(th)_Typ) 1.5V栅源电压 10V 时漏极电流(ID) 90A栅源电压 10V 时典型导通电阻(RDS(
2025-10-16 16:23:01
0 、设计与应用提供全面技术支撑。漏源电压 30V栅源电压 ±20V连续漏极电流 90A连续漏极电流 55A脉冲漏极电流 360A单脉冲雪崩能量 90mJ功耗 90W结到壳
2025-10-15 17:54:45
0 的同步Buck转换器,其设计特性与MP2345高度兼容,同时在EMI控制、集成度及保护功能上具备显著优势。以下从核心特性、替代优势及应用适配性三方面展开分析。 一、核心性能优化 宽输入电压范围 SL1586C支持4V至30V输入电压,覆盖MP2345的典型工作范围(如12V输入场景),且具
2025-09-17 15:21:35
485 
、12V、19V和24V电源总线轨供电的系统。该器件支持高达3A连续输出电流、0.8V至22V输出电压以及98%最大占空比运行。TI TPS62933PEVM评估模块包括采用SOT583封装的TPS62933P。
2025-09-09 10:32:29
744 
在工业设备及智能小家电控制系统中,电源供电质量是影响设备使用寿命的关键因素!艾为针对严苛的工业应用环境,重磅推出新一代宽电压输入电源芯片AWP3778L05,支持最高30V输入电压,5V稳定输出电压
2025-09-08 19:53:25
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Holtek新推出新一代低静态电流、低压差线性稳压器HT75Rxx-1及HT75Rxx-7系列。针对低功耗应用设计,支持3.1V至30V的宽输入电压范围,并提供2.1V至12.0V的多种固定输出电压
2025-09-08 17:19:04
1219 SM4073L作为30V工业级耐压锂电池充电芯片,通过1A可编程快充、30V耐压、多重安全保护机制及简化高压场景设计,解决工业24V系统浪涌、车载12V抛负载及快充高压输入三大痛点,成为高压电源管理市场的高可靠性解决方案。
2025-09-06 15:28:46
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### 产品简介P01N02LJA-VB是一款高效单N沟道MOSFET,采用SOP8封装,专为中小功率应用设计。其额定VDS为30V,结合良好的导通性能和低导通电阻,能够在各种电源管理和开关应用中提
2025-09-05 14:08:52
该TPS61158具有 30V 额定值集成开关 FET 和功率二极管,是一款升压转换器串联驱动 LED。升压转换器以 750kHz 固定开关频率运行,以降低输出纹波,提高转换效率,并允许使用小型外部
2025-08-28 11:10:06
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REF30 是一款精密、低功耗、低压差电压基准电压源系列,采用微型 3 引脚 SOT-23 封装。REF30E是REF30系列的增强型性能版本,专为精密应用而设计。REF30E 提供改进的温度漂移
2025-08-15 09:20:12
915 
REF33xx 是一款低功耗、精密、低压差基准电压源系列,采用微型 SC70-3 和 SOT-23-3 封装,以及 1.5 mm × 1.5 mm UQFN-8 封装。REF33xx 体积小、功耗低
2025-08-13 14:24:09
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REF33xx 是一款低功耗、精密、低压差基准电压源系列,采用微型 SC70-3 和 SOT-23-3 封装,以及 1.5 mm × 1.5 mm UQFN-8 封装。REF33xx 体积小、功耗低
2025-08-13 14:20:01
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REF33xx 是一款低功耗、精密、低压差基准电压源系列,采用微型 SC70-3 和 SOT-23-3 封装,以及 1.5 mm × 1.5 mm UQFN-8 封装。REF33xx 体积小、功耗低
2025-08-13 14:11:33
843 
功率管在桥式拓扑中因米勒电容效应导致的误导通,提升系统可靠性,尤其在半桥应用中至关重要。
宽电压与保护:
输出侧驱动器电源电压 (VDDA/B) 范围宽达 最高30V,适应多种功率器件需求。
输入侧
2025-08-11 08:46:08
VBsemi P-沟道MOSFET AF4407PSLA-VB 具有-30V的电压额定值,-11A的电流承受能力,以及在VGS=10V和VGS=20V时的低RDS(ON)为10mΩ。该器件采用
2025-08-09 17:20:32
能力:
输出分离设计: 独立的导通(Source)和关断(Sink)路径,支持高达5A的峰值源电流和灌电流,实现轨到轨驱动性能,确保功率器件快速、可靠地开关。
宽驱动电压范围: 支持 4.5V 至 30V
2025-08-09 09:18:36
=20V- **门极阈值电压(Vth):** -1.42V- **封装:** SOP8**产品应用简介:**13P03SC-VB 是 VBsemi 品牌的 P-Cha
2025-08-06 10:30:58
软启动和温度保护。SL0450HV需要非常少的常规外围器件。采用8脚的SOP8封装。
特性: 宽输入电压:4.5V到80V 输出电压可从0.8V到30V 集成110mΩ的功率开关 最高达90.5%的能效在0.5A @ Vo=5V 固定200K频率 热保护 每周期电流保护SOP8 封装
2025-08-04 15:28:35
亮模式。
此外,H5504L 采用 ESOP-8 封装,芯片底部设计有散热片并与 SW 脚相连,可实现高效散热。
宽压8V-24V输入范围
典型的130KHz开关频率
高效率:最高可达
2025-07-30 10:30:52
1.5-5.0V,为了使负载电流不超 过输出晶体管的电流容量,内置了过流保护及短路保护功能。 LN1179 支持高压(30V)的电源和使能输入,同时内 部采用低功耗设计,适合一些低功耗场合应用
2025-07-25 15:49:21
0 。 SL3073具有外部环路补偿功能,可灵活优化环路稳定性或环路响应。 SL3073提供逐周期电流限制、热关断保护、输出过压保护、输出过载保护和输入电压欠压保护。该设备采用ESOP8封装。
2025-07-18 15:41:14
45A,开启电压低至 1.2V。
封装形式:常用封装有 DFN3333、SOT89 - 3、SOT23 - 3、SOP - 8、TO - 252、TO - 220 等。其中,采用 TO - 252
2025-07-10 14:03:45
新品采用ThinTOLL8x8封装的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ,33mΩ产品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件产品线现扩充ThinTOLL8x8封装
2025-07-08 17:08:31
1019 
MOSFET
AD30P30D3: 30V/P/PDFN3*3/14.5mohmTyp.(VGS=-10V)
AD30P47D3: 30V/P/PDFN3*3/8mohm Typ.(VGS=-10V
2025-07-04 11:37:54
SL1587同步降压稳压器:30V/2.5A高效率电源解决方案
深圳市森利威尔电子有限公司 推出的SL1587是一款高性能同步降压稳压芯片,专为宽电压输入场景设计,可提供2.5A连续输出电流,适用于
2025-07-03 16:47:19
(on))范围扩展至7mΩ至75mΩ等10款产品可选,为用户提供更精准的选择。基于第一代技术,第二代CoolSiCMOSFET650VG2采用D2PAK-7封装,
2025-07-01 17:03:11
1321 
,输出电流能力3A;采用COT控制架构,实现快速动态响应;小封装、轻载高效;适用于音响、显示器、扫地机、汽车后装等应用市场。 TMI3343C输入范围4.5-30V,输出电流3A,采用COT控制模式,实现快速动态响应;轻载采用PFM模式损耗更低,开关频率固定400KHz;芯片
2025-06-27 15:54:40
1119 
基准源,电流检测,恒流控制,功率管和过温保护等电路模块。PC0705使用SOT23封装。产品特征:#输入工作电压范围:1〜30V#输入输出无需电容即可稳定工作#静态功耗6uA#75dBPSRR#输出
2025-06-25 10:23:51
光耦合器 - ICPL-075L(双通道)是采用SOIC-8封装的15MBd CMOS光耦合器。该光耦器件运用CMOS集成电路技术,在极低功耗下实现卓越性能。
2025-06-20 09:48:12
642 
TPS562219A 是一款2A同步降压转换器,采用8引脚SOT-23封装。它适用于多种应用,包括数字电视电源、高清蓝光播放器和网络家庭终端等。该转换器具有宽输入电压范围(4.5V至17V)和可调输出电压范围(0.76V至7V)。
2025-06-19 09:37:14
603 
H4010 是一种同步降压型 DC - DC 转换器芯片,以下是其详细介绍:
主要特性:
电压范围:内置 30V 耐压 MOS,输入范围为 5V - 24V。通过调节 FB 端口的分压电阻,可输出
2025-06-16 14:20:52
积封装:采用 SOP-8 封装形式,体积小巧,便于集成到各种电子设备中。
工作原理:利用开关稳压器在输入电压和输出电压之间进行能量传递,通过控制开关的开启和关闭时间,实现输出电压的恒定。在工作
2025-06-13 09:40:11
TPS6293x 是一款高效、易于使用的同步降压转换器,具有 3.8V 至 30V 的宽输入电压范围,并支持高达 2A(TPS62932)和 3A(TPS62933 和 TPS62933x)的连续
2025-06-09 11:11:53
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TPS6293x 是一款高效、易于使用的同步降压转换器,具有 3.8V 至 30V 的宽输入电压范围,并支持高达 2A(TPS62932)和 3A(TPS62933 和 TPS62933x)的连续
2025-06-09 09:35:01
700 
TPS6293x 是一款高效、易于使用的同步降压转换器,具有 3.8V 至 30V 的宽输入电压范围,并支持高达 2A(TPS62932)和 3A(TPS62933 和 TPS62933x)的连续
2025-06-07 15:35:45
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TPS6293x 是一款高效、易于使用的同步降压转换器,具有 3.8V 至 30V 的宽输入电压范围,并支持高达 2A(TPS62932)和 3A(TPS62933 和 TPS62933x)的连续
2025-06-07 15:23:27
701 
TPS6293x 是一款高效、易于使用的同步降压转换器,具有 3.8V 至 30V 的宽输入电压范围,并支持高达 2A(TPS62932)和 3A(TPS62933 和 TPS62933x)的连续
2025-06-07 14:46:30
736 
的解决方案。
TPS55289具有高达 30V 的输入电压能力。通过 I^2^C 接口,TPS55289的输出电压可在 0.8 V 至 22 V 范围内编程,步长为 10 mV。在升压模式下工作时,该器件可以从 12V 输入电压提供 60W 的功率。它能够从 9V 输入电压提供 45W 的功率。
2025-06-07 14:07:44
1078 
SC8F096是增强型闪存8位CMOS单片机,为8位RISC产品线中资源配置高配定位。SC8F096具有8K×16 ROM及336B RAM,GPIO最多30个,支持多外设扩展,1.8V-5.5V
2025-06-06 10:53:26
“三体芯片”H4010降临!30V扛雷劈,1A输出不喘气,工程师:这货开挂了吧?
电源设计
场景1:车载充电器一踩油门就重启?电压波动比老板变脸还快!
场景2:给快充宝降压,芯片烫到能煎蛋?散热片比
2025-06-03 14:14:29
TPS561300 是一款 4.5V 至 30V 输入电压范围、1A 同步降压转换器。该器件包括两个集成开关 FET、内部环路补偿和 5ms 内部软启动,以减少元件数量。
通过集成
2025-05-28 14:11:57
603 
:太阳能板+ H6922 = 24小时不断电露营灯
摄影佬:3.7V锂电池秒升30V,补光灯亮到模特睁不开眼
技术宅脑洞:DIY移动电源、音频功放、LCD背光…只有想不到,没有做不到!
搞机Tips
2025-05-26 15:52:48
。
SL1587采用 SOP8 的标准封装。
特性
宽输入电压范围:4V-30V
开关频率:130kHz
宽输出电压范围:1.8V-28V
输入欠压/过压、输出短路和过热保护
效率可高达92%以上
输出电流
2025-05-23 15:44:18
LM258A由两个独立的高增益频率补偿运算放大器组成,设计用于在宽电压范围内从单个电源运行。如果两个电源之间的差为3V至30V,并且VCC比输入共模电压至少正1.5V,则也可以从分流电源进行操作。低电源电流消耗与电源电压的大小无关。
2025-05-22 15:03:24
907 
简单,采用SOP8封装。
特性
宽输入电压范围:4V-30V
开关频率:130kHz
宽输出电压范围:1.8V-28V
输入欠压/过压、输出短路和过热保护
效率可高达
2025-05-21 17:52:09
,输入欠压和过压保护等。
SL1587B外围简单,采用 SOP8 封装。
特性
输入电压范围:4V-30V
开关频率:130kHz
输出电压范围:1.8V-28V
输入欠压
2025-05-09 17:40:34
圣邦微电子推出 SGMNQ36430,一款 30V 单 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件可应用于 CPU 电源传输、DC/DC 转换器、功率负载开关以及笔记本电池管理等领域。
2025-05-09 16:57:26
971 
采用ESOP-8 封装,芯片底部设计有 功率散热焊盘与SW管脚连接,可以有效的帮 助芯片散热。
产品特征l
内置30V MOS l
输入范围4.5V-27V l
内置38mΩ High-side
2025-04-29 09:43:04
您好,我想咨询一个问题,我看LT8361手册里写的他是100V的开关,这个100V是指输出电压至地还是指 输出电压至输入,即我想利用LT8361做一个将30V输入转为-70V或-80V或-90V输出,它可以在理论上实现吗?
期待您的回复,感谢!
2025-04-18 07:57:59
HMC444LP4(E)是一款有源微型x8倍频器,使用InGaP GaAs HBT技术,采用4x4 mm无引脚表面贴装封装。 功率输出为+6 dBm(典型值),电源电压为5V,在不同的输入功率、温度和电源电压下变化很小。
2025-04-17 17:03:10
999 
AW2K21是一款同时实现了超小型封装和超低导通电阻的30V耐压Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET电路源极的共源电路,不仅能以一体化封装实现双向电路保护,还可以通过改变引脚连接来作为单MOSFET使用。
2025-04-17 14:55:11
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方框图 1. 产品概述 型号 :CSD17581Q3A 类型 :30V N沟道 NexFET™ 功率MOSFET 封装 :SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装 特点 :低栅极电荷(Q_g)、低导通电阻(R_DS(on))、低热阻、雪崩额定、无铅、
2025-04-16 11:25:34
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30V,并提供可调输出电压范围为3V至25V。PC2330具有短路和增加系统的热保护电路可靠性。内部软启动避免了输入启动时的涌入电流。PC2330要求最低外部组件的数量。和一个宽一系列保护功能,以增强可靠性
2025-04-15 18:02:11
0 这款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗,并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。2mm × 2mm SON 为封装尺寸提供出色的热性能。
2025-04-15 17:08:38
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7.5V至30V,并提供可调输出电压范围为3V至25V。PC2330具有短路和增加系统的热保护电路可靠性。内部软启动避免了输入启动时的涌入电流。PC2330要求最低外部组件的数量。和一个宽一系列保护功能,以
2025-04-15 14:55:47
管脚的SOT23封装。特点:⚫工作电压范围:3.2V 到30V⚫高端电流检测⚫可以采用PWM调光或模拟调光方式⚫PWM调光频率:200Hz到20kHz⚫自动关断功能⚫滞环控制:响应速度快,无需补偿
2025-03-25 14:41:08
系统可靠性。 SL3036H 采用ESOP8 封装,散热片内置接VIN 脚。特点: 宽输入电压范围:8V~120V 输出电压从4.2V 到30V 可调 支持输出恒压恒流 支持输出12V/1.5A,5V
2025-03-04 15:53:29
WD5030 DC/DC15A30V 高效同步降压转换器技术手册:30V输入15A输出,85-300KHz开关频率
2025-02-24 14:57:20
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电子发烧友网站提供《PMH550UNEA 30V N沟道沟槽MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-20 16:29:23
0 SC8P052是OTP芯片,内置16MHz RC振荡,工作电压1.8V~5.5V,多达6个GPIO,内置1路模拟比较器,提供3通道PWM,内置多种LVR电压可选,可工作在-40℃~+85
2025-02-15 16:39:38
电子发烧友网站提供《PSMN1RO-30YLC N沟道30V 1.15 mΩ逻辑电平MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-13 14:16:45
0 说明:PC1902是1MHz的高效率,30V同步降压LED驱动器最大输入电压。PC1902集成主RDS极低的开关和同步开关(ON)以最小化传导损耗。最高可达2A具有出色的负载和连续输出电流线路调节
2025-02-08 17:51:19
设计 SO-8(Small Outline-8)芯片的 PCB 封装需要遵循一定的规范和步骤。SO-8 是一种常见的表面贴装封装,具有 8 个引脚,引脚间距通常为 1.27mm(50 mil)。以下是设计 SO-8 封装的详细步骤和注意事项:
2025-02-06 15:24:26
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SN7406反相器数据手册上显示输出电压最大能达到30V
问题1、SN7406输出端需要接上拉吗?
问题2、根据上面对于数据手册的截图是指反相器输出端接上拉的电源可以最大达到30V么?
2025-01-24 08:05:58
电子发烧友网站提供《PSMN2RO-30YLE n沟道30V 2 mQ逻辑电平MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-01-23 16:33:41
0 电位器即能完成音量控制功能。SC34018可在家庭及商业系统、内部通讯系统、汽车电话和其它方面做扬声电话用。
SC34018电路采用SOP28封装。
产品主要特点
2025-01-16 09:58:17
=-10V)
AD30P47D3: 30V/P/PDFN3*3/8mohm Typ.(VGS=-10V)
AD30P48D3: 30V/P/PDFN3*3/5.7mohm Typ.(VGS=-10V)
2025-01-10 17:45:43
、TLE4263-2ES 是一款单片集成超低压差稳压器,采用 SMD 封装 PG-DSO-8 裸露焊盘,专为汽车应用而设计。高达 45 V 的输入电压被调节至 5.0 V 的输出电压。该组件能够驱动高达
2025-01-06 16:27:29
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