TP65H070G4PS 650V SuperGaN® GaN FET:高效开关的理想之选 在电子工程师的日常工作中,不断寻找高性能、高可靠性的电子元件是提升设计水平的关键。今天,我们就来深入
2025-12-29 14:45:10
77 探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN® GaN FET:高效能与可靠性的完美结合 引言 在当今电子技术飞速发展的时代,功率半导体器件的性能和可靠性对于各种电子设备的运行
2025-12-29 10:05:22
89 探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET的卓越性能与设计要点 在电子设备不断追求高效、小型化的今天,功率半导体器件的性能起着至关重要的作用。今天我们就来详细探讨一下
2025-12-29 10:05:15
75 在消费电子快充领域,300W USB-C PD快充因适配笔记本、便携式储能等高频需求,成为市场增长核心赛道。而650V GaN HEMT作为快充方案的核心器件,长期被英诺赛科INN650D02等进口型号主导,存在成本高、供货周期不稳定、技术支持滞后等痛点。
2025-12-23 14:50:05
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瞻芯电子(IVCT)基于经典寿命模型,对大样本量的第二代(G2)650V SiC MOSFET 进行了鲁棒性验证试验(Robustness-Validation)。该试验严格遵循AEC-Q101
2025-12-18 16:35:54
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深挖1ED21x7x系列:650V高端栅极驱动器的卓越性能与应用解析 在电力电子领域,栅极驱动器的性能对于功率器件的高效、稳定运行起着关键作用。今天我们就来深入探讨英飞凌(Infineon
2025-12-18 16:10:12
226 驱动650V CoolGaN™ GIT G5用于电机控制应用:IFX SOI EiceDRIVER™驱动器的探索 在电机控制应用领域,如何高效、安全地驱动功率开关器件是工程师们关注的重点。今天,我们
2025-12-18 11:50:06
529 医疗级电源的新选择:Murata PQU650M系列AC - DC电源转换器深度解析 在医疗电子设备的设计中,电源供应的稳定性、安全性和高效性至关重要。Murata Power Solutions
2025-12-18 11:05:06
193 深入解析DLP650NE数字微镜器件:设计与应用全攻略 在当今的显示技术领域,数字微镜器件(DMD)凭借其独特的优势,成为了众多显示应用的核心组件。TI的DLP650NE作为一款高性能的DMD,为全
2025-12-15 09:15:05
995 探索DLP650LE:0.65英寸WXGA数字微镜器件的技术剖析与应用指南 引言 在当今的显示技术领域,数字微镜器件(DMD)凭借其独特的优势,在投影、智能照明等众多应用中发挥着关键作用
2025-12-15 09:15:02
941 DLP650LNIR:近红外光控制的理想之选 在工业设备的近红外(NIR)光控制领域,DLP650LNIR数字微镜器件凭借其卓越的性能和广泛的应用前景,成为了众多工程师的首选。今天,我们就来深入
2025-12-11 15:15:09
436 探索DLP650TE:0.65英寸4K UHD数字微镜器件的技术奥秘 在当今的显示技术领域,4K UHD分辨率已经成为了追求高品质视觉体验的标准配置。而DLP650TE作为一款0.65英寸的4K
2025-12-11 10:40:16
211 介绍 LoRa、NB-IoT、UWB 及 UWB650(UWB+Mesh)在智慧农业中的实际应用,解决数据采集不全、传感器覆盖难、农机定位不准等问题,解析 AIoT 如何实现精准种植、智能灌溉与农机导航,为农业数字化提供完整通信与定位方案。
2025-12-01 14:38:09
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UWB650Pro 是思为无线推出的新一代高性能 UWB 无线通信模块,相比 UWB650,具备更低功耗、更小体积和优化引脚设计,支持 Mesh 自组网、高精度定位、测距及数据透传,兼容 UWB650 软件协议,实现平滑升级,适用于工业生产、室内定位、矿井及医疗人员定位等场景。
2025-11-25 17:52:11
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UWB650Pro 是思为无线推出的基于 UWB技术的无线通信模块。与上一代 UWB650 一样,UWB650Pro亦遵循 IEEE 802.15.4-2020 Standard 协议,并
2025-11-25 17:50:50
0 在工业电源、电机驱动及照明系统等高压应用场景中,功率MOS管的可靠性、能效与成本控制直接决定了终端产品的市场竞争力。合科泰电子推出的高压MOS管 HKTD7N65,凭借650V耐压、7A电流与低至1.08Ω的导通电阻,为工程师提供了一款兼具高性能与高可靠性的国产功率器件新选择。
2025-11-07 17:46:10
1414 新品第五代CoolGaN650-700V氮化镓功率晶体管G5第五代650-700VGaN氮化镓功率晶体管可实现高频工况下的效率提升,并满足最高质量标准,能够打造具有超高效率的高可靠性设计。该系
2025-11-03 18:18:05
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思为无线UWB650模块融合UWB超宽带技术与Mesh自组网功能,支持高精度定位(±10cm)、高速数据传输及多跳中继通信。该模块基于IEEE 802.15.4-2020标准设计,具备远距离覆盖与高可靠性,广泛应用于工业定位、智能仓储、室内导航等物联网场景,为无线通信提供灵活高效的解决方案。
2025-11-03 17:51:33
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UWB650串口测距通信定位模块规格书
2025-11-03 17:40:57
0 随着便携储能、新能源及工业电源应用对高效率、高功率密度需求的不断提升,IGBT作为电力电子系统的核心开关器件,其性能已成为决定整机效能与可靠性的关键因素。为应对市场对高性能功率器件的迫切需求,龙腾半导体正式推出四款650V F系列IGBT新品,致力于为高频、高效应用提供更优异的解决方案。
2025-10-24 14:03:30
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中东首个 IGV 落地项目迎来关键进展!日前,中远海运港口阿布扎比码头(CSP ADT)无人车队扩编项目迎来关键节点——此次扩编将计划引入共6台Q-Chassis无人驾驶重载水平运输车(又称IGV
2025-10-23 16:33:27
596 产品概述 JY-ADT1-1WT+ 是一款专为极端环境射频系统打造的宽温高精度巴伦变压器(Balun),基于低温共烧陶瓷(LTCC)集成工艺与精密电磁耦合结构设计,可实现75Ω与75Ω之间的高效信号
2025-10-21 18:54:16
612 在电动车普及率持续攀升的今天,充电安全已成为用户关注的核心焦点。近日,行业领导品牌雅迪在其新一代智能充电器中,采用了捷捷微电JCT151F-650R高性能可控硅,专门用于输出端反接保护电路,以
2025-10-17 10:11:55
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随着300MW至尊N型650W系列组件陆续发往阿联酋迪拜,天合光能覆盖全场景至尊N型i-TOPCon Ultra组件已进入全球大规模交付阶段,TOPCon 2.0时代客户价值加速释放,标志着公司新一代TOPCon技术实现产品领先、制造领先、交付领先。
2025-10-16 13:57:18
733
# CONFIG_RT_USING_RESOURCE_ID is not set
# CONFIG_RT_USING_ADT is not set
# CONFIG_RT_USING_RT_LINK is not set
2025-09-28 11:44:16
龙腾半导体最新推出650V/40A/99mΩ超结MOSFET,其内置FRD,适应LLC应用,并适合多管应用,具有更快的开关速度,更低的导通损耗;极低的栅极电荷(Qg),大大提高系统效率和优异的EMI性能。
2025-09-26 17:39:51
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ADT7100驱动器是一种工业运动控制设备,通常用于伺服系统或电机驱动场景。根据现有信息,虽然未直接提及ADT7100型号,但结合类似驱动器(如安川7100、施耐德7100等)的维修案例,可总结其
2025-09-10 14:51:18
505 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新[1
2025-09-01 16:33:49
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CoolGaN BDS 650V G5双向开关。这款基于氮化镓(GaN)技术的单片双向开关,凭借其卓越的性能和创新的设计,正在成为高效电力转换领域的明星产品。
2025-08-28 13:52:11
3434 在汽车工业蓬勃发展的今天,汽车的智能化、自动化程度越来越高,对汽车控制精度与可靠性的要求也日益严苛。MT6501 在线可编程角度编码器凭借其独特的可编程特性,在提升汽车控制精度与可靠性方面展现出了巨大的潜力。
2025-08-04 18:01:03
696 难免会出现测量误差。MT6501IC功能为解决这一问题提供了有效的途径,实现了角度传感系统级的校准与补偿。
2025-08-04 17:31:22
606 随着汽车工业向电动化、智能化方向加速发展,对高精度运动控制的需求呈现出爆发式增长。在这一背景下,MT6501在线编程角度编码器芯片的诞生,正以其突破性的技术特性和灵活的编程能力,重塑着汽车行业核心零部件的控制精度标准。
2025-08-01 17:10:58
794 
着汽车的性能、安全性和舒适性。今天,我们就来聊聊MT6501可编程磁性角度传感器是如何提升汽车ECU位置反馈精度的。
2025-07-30 17:40:09
666 在当今汽车行业蓬勃发展的时代,汽车的智能化、自动化程度越来越高。从先进的驾驶辅助系统(ADAS)到自动驾驶技术的逐步推进,汽车控制对于精度和可靠性的要求达到了前所未有的高度。MT6501在线编程角度编码器芯片的出现,如同为汽车控制领域带来了一场技术革新,为汽车控制带来了更高的精度和可靠性。
2025-07-24 17:11:14
497 GX75C是一款可低压工作(1.8V)且引脚与寄存器完全兼容主流 x75 型号的全集成数字式温度传感器。可兼容TMP75C,TMP75,ADT75,LM75/75A/75B,SGM452
2025-07-17 11:10:04
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Nexperia电气隔离解决方案可确保现代电子系统安全、高效和可靠。NXF650x(A/B)变压器驱动器产品组合可为小外形尺寸的隔离电源提供低噪声和低EMI。
2025-07-17 10:14:09
1009 
:
VDS = 650V (类型:730V) IDM =14A
RDS(ON) < 650mΩ @ VGS=10V (类型:560mΩ)
应用:
不间断电源
功率因数校正 (PFC)
深圳市芯
2025-07-15 16:22:02
特性:
VDS = 650V (类型:730V) IDM =14A
RDS(ON) < 650mΩ @ VGS=10V (类型:560mΩ)
应用:
不间断电源
功率因数校正 (PFC
2025-07-09 13:35:13
新品采用ThinTOLL8x8封装的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ,33mΩ产品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件产品线现扩充ThinTOLL8x8封装
2025-07-08 17:08:31
1019 
新品650VCoolMOS8超结(SJ)MOSFET英飞凌推出全新650VCoolMOS8引领全球高压超结SJMOSFET技术,为行业技术和性价比树立了全球标准。该系列为高功率应用提供了额外的50V
2025-07-04 17:09:03
1014 
Texas Instruments LMG3614 650V 170mΩ GaN功率FET设计用于开关模式电源应用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封装中集成了GaN FET和栅极驱动器,从而减少了元器件数量并简化了设计。可编程的导通转换率提供EMI和振铃控制。
2025-07-04 15:50:44
656 
新品采用D2PAK-7封装的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引脚封装(TO-263-7),该系列导通电阻(RDS
2025-07-01 17:03:11
1321 
新品TOLL和DFN封装CoolGaN650VG5第五代氮化镓功率晶体管第五代CoolGaN650VG5氮化镓功率晶体管可在高频工况下显著提升能效,符合业界最高质量标准,助力打造兼具超高效率与卓越
2025-06-26 17:07:33
2034 
电动车控制器中的H6501降压芯片,采用同步降压拓扑结构。其工作时,通过内部PWM(脉冲宽度调制)电路,依据输出电压反馈,动态调节功率管的导通与关断时间。当电动车电池输入电压较高时,H6501将其
2025-06-05 16:54:14
H6501手机快充实地降压芯片,采用开关电源技术实现降压。其内部开关管周期性导通、截止,导通时输入电压为电感充电储能,截止时电感经二极管给负载供电,电容滤波平滑输出电压。芯片通过反馈引脚监测输出电压
2025-06-04 15:58:36
MPNYDA650KP-3522-01型压力传感器是是一款I2C数字输出的压力敏感元件,采用LGA封装形式,内部集成了高精度24位ADC调理芯片,对传感器偏移、温漂、非线性等参数进行数字补偿,输出标准I2C数字信号。
2025-05-28 14:57:19
0 电子发烧友网为你提供()650-950 MHz 宽带、应用可配置高增益和线性度分集下变频混频器相关产品参数、数据手册,更有650-950 MHz 宽带、应用可配置高增益和线性度分集下变频混频器的引脚
2025-05-22 18:32:17

电子发烧友网为你提供()650 – 900 MHz 高增益和线性度分集下变频混频器相关产品参数、数据手册,更有650 – 900 MHz 高增益和线性度分集下变频混频器的引脚图、接线图、封装手册
2025-05-22 18:29:33

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C
2025-05-22 14:51:22
901 
新品EiceDRIVER650V+/-4A高压侧栅极驱动器1ED21x7系列英飞凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A栅极驱动器IC与其他产品相比,提供了一种更稳健、更具
2025-05-21 17:07:11
601 
MT6501磁编码芯片以12bit分辨率、三路同步采样架构突破多电机协同控制瓶颈,将时序误差压缩至50ns,全温区精度达±0.5°,在强干扰环境中实现零故障运行,重新定义工业运动控制的精度边界。
2025-05-19 16:50:59
788 
HLK-LD6002,实现对人体呼吸、心率的无接触感知,最大探测距离1.5m。产品介绍/HLK-LD6002HLK-LD6002是基于ADT6101P芯片开发的雷达感应模组
2025-05-19 12:07:07
1017 
文章前言:在当今数字化时代,POE(PoweroverEthernet)设备因其能够通过以太网线同时传输数据和电力而被广泛应用。为了满足这些设备日益增长的电源需求,芯伯乐推出了XBL6501/02
2025-05-09 19:05:14
744 
近期,阿联酋阿布扎比旗舰港口哈利法港在智能化升级与可持续发展转型进程中,实现又一里程碑式突破。早在 2021 年,中远海运港口阿布扎比码头(CSP ADT)引入西井科技新能源无人驾驶集卡
2025-05-09 14:46:24
771 MT6501磁性编码芯片的成功印证了中国半导体企业在汽车电子赛道的突围能力。其价值不仅体现在单个产品性能的提升,更在于推动了整个产业对核心零部件自主可控的认知升级。随着智能网联汽车向纵深发展,这类具备"硬科技"属性的基础元件,将持续释放更大的产业赋能效应。
2025-04-30 17:13:15
711 
AS5048、TI DRV5053),但近年来,以麦歌恩MT6501为代表的国产磁编码器芯片,凭借高性价比、定制化服务与快速响应能力,正逐步实现本土化替代。本文通过技术解析与案例实证,探讨MT6501如何突破外资垄断,赋能智能家居电机升级。 艾毕胜
2025-04-29 17:00:17
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ATA650X 是一款CAN FD系统基础芯片(SBC),具有完全集成的高速CAN FD收发器,可连接控制器局域网(CAN)协议控制器与物理双线CAN总线和低压差稳压器(5V/150 mA)。
2025-04-23 16:13:09
968 MAX2031高线性度、无源上变频或下变频混频器在650MHz至1000MHz的RF频段具有+36dBm IIP3, 7dB NF和7dB变频损耗,支持GSM/蜂窝基站发射器或接收器应用。该混频器LO频率范围为650MHz至1250MHz,适用于高端LO注入结构。
2025-03-31 13:49:15
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VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的电源半导体技术创新——第4.5代650VE系列电源MOSFET,型号为SiHK050N65E。该产品的推出旨在提升电信、工业
2025-03-27 11:49:46
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新品EiceDRIVER650V+/-4A高压侧栅极驱动器1ED21x7系列英飞凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A栅极驱动器IC与其他产品相比,提供了一种更稳健、更具
2025-03-18 17:04:16
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内置650V小功率非隔离电源管理芯片-PN8008 一 概述PN8008集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源.PN8008
2025-03-10 10:59:05
GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT,实现了业内出色的FOM。该产品属于EcoGaN™系列产品,利用该系列产品低导通电阻和高速开关的特性,有助于提高功率转换效率并减小产品尺寸
2025-03-07 16:45:55
748 
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,实现了业内出色的FOM 。该产品属于EcoGaN™系列产品,利用该系列产品低导通电阻和高速开关的特性,有助于提高功率转换效率并减小产品尺寸
2025-03-07 15:46:54
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内置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC转换器CN1812
2025-03-05 10:09:23
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随着BASiC基本半导体等企业的650V碳化硅MOSFET技术升级叠加价格低于进口超结MOSFET,不少客户已经开始动手用国产SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET,电源客户从超结MOSFET升级至650V碳化硅MOSFET的根本驱动力分析。
2025-03-01 08:53:44
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购买了一个DLP Discovery 4100套件,该套件支持DLP7000、DLP9500、以及DLP650NIR型号的DMD,我们购买了DLP650NIR,我在官网查阅数据的时候发现
2025-02-28 06:12:37
特性出色的幅度不平衡度,典型值 0.1 分贝;在 1 分贝带宽内,相位不平衡度典型值为 1 度。具备水可洗特性,美国专利号 6,133,525。受美国专利 6,133,525 保护。应用阻抗匹配平衡放大器 最大额定值工作温度:-20℃至 85℃存储温度:-55℃至 100℃射频功率:0.5W直流电流:30mA若超出上述任何限制,可能会造成永久性损坏
2025-02-27 14:54:21
设计投影仪,使用DLPC4422+DLP650NE+三色LED,原理设计DLPC4422的LMPSTAT这个管脚悬空未接,会不会有什么影响
2025-02-26 06:57:24
您好!请问DLP650LNIR用于800nm,35fs,1KHZ的损伤阈值是多少? 能否承受0.1GW/cm2量级的功率密度?
2025-02-26 06:16:47
如题,DLP650NE使用1080P输入的图像可以显示,1024*768,800*600可以显示吗
2025-02-26 06:09:44
P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 252 - 2 封装,符合 AEC - Q101标准,具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压具有正温度
2025-02-25 14:18:58
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LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该 LMG3616 通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封装中,简化了设计并减少了元件数量。
2025-02-24 10:43:28
987 
请问,想设计DLP650LNIR部分的板卡,DLP650LNIR芯片安装部分有一些结构件,在哪能下载到这些三维机械模型?
2025-02-24 07:25:56
公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)正在扩展其CoolSiC MOSFET 650 V单管产品组合,推出了采用Q-DPAK和TOLL封装的两个全新产品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52
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LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该LMG3614通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封装中,简化了设计并减少了元件数量。
2025-02-21 14:37:23
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珠海万力达电气MGPR-650Hb微机发电机接地保护装置适用于中小容量发电机,具备多种保护功能及通讯能力,采用32位DSP技术,支持GPS对时,可替换,方便维护及使用。
2025-02-20 14:22:32
702 
电子发烧友网站提供《NXF6501-Q100用于隔离电源的低噪声、1.2A变压器驱动器.pdf》资料免费下载
2025-02-18 17:22:39
0 电子发烧友网站提供《NXF6501-Q100用于隔离电源评估板的低噪声、1.2A变压器驱动器.pdf》资料免费下载
2025-02-18 16:23:34
0 珠海万力达电气MTPR-650Hb微机主变后备保护装置,适用于110KV及以下电压等级变压器中性点不接地侧的后备保护、测量和控制。MTPR-650Hb主要功能:三段式复合电压闭锁方向过流保护、零序
2025-02-18 11:37:42
711 
全球知名半导体制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量产。这一里程碑式的进展
2025-02-18 10:03:53
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如果我需要做一个小型的红外的结构光设备,我需要的设备是DLP650LNIR吗,它可以实现120度以上的广角投影吗?如果可以,要实现结构光设备,我还需要哪些设备,这都可以在Ti买到吗,可以推荐一下相关型号吗
2025-02-18 08:36:35
DLP650LNIR可否用于FOV为120度以上的广角结构光设计?如果可以,还需要哪些设备,可否在Ti买到?
2025-02-18 07:04:36
穿越晋冀大地,又一条纵贯650公里的跨省充换电干线——由沧州黄骅港矿石港务有限公司、沧州中铁装备制造材料有限公司联合启源芯动力打造的长治-武安-黄骅干线正式贯通!这条连接中国最大喷吹煤产区与渤海湾
2025-02-17 15:27:58
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我们在使用DLP650NE系列1910-623AE使用过程中出现过:亮点、红边、脏污,烧坏等不良现象,实际使用不良率高达30%以上;
而DLP650NE系列1910-6237E极少出现,正常使用,请问1910-623AE和1910-6237E型号之间是否有差异?出现红边,亮点可能原因?
2025-02-17 07:35:19
1.选用14bit-ADS4149芯片。
2.使用ADS4149数据手册中推荐的2级变压器(选用ADT1-1WT)及推荐的外围阻容网络的输入结构,ADS4149的数字输出端采用LVDS输出接口直接
2025-02-14 07:26:03
电子发烧友网站提供《GAN039-650NBB氮化镓(GaN)FET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-13 16:10:22
0 电子发烧友网站提供《GAN041-650WSB氮化镓(GaN)FET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-13 14:24:19
2 背景 春节前,国产大模型 DeepSeek 横空出世,迅速成为AI领域的焦点。作为端侧AI能效比优异的 AX650N、AX630C 芯片平台早已在节前完成 DeepSeek R1 蒸馏版本 1.5B
2025-02-09 09:32:14
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650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件
2025-01-23 16:27:43
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BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
解码TW6501:4K LDPC技术如何让数据存储更可靠?
2025-01-21 16:33:32
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国内首颗!支持ONFI 5.0 的TW6501 SATA SSD存储芯片
2025-01-21 16:33:05
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解码TW6501:ONFI 5.0协议如何令存储通讯更高效
2025-01-21 14:51:33
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JL3I200V65RE2PN为650V /200A INPC三电平逆变模块,采用沟槽栅场终止技术IGBT7芯片,带热敏电阻(NTC)和可选 PressFIT压接针脚技术。
2025-01-16 14:16:08
1124 特点应用范围工作温度 -20°C 至 85°C存储温度 -55°C 至 100°C射频功率 0.25W直流电流 30mA 工作温度 -20°C 至 85°C存储温度 -55°C 至 100°C射频功率 0.25W直流电流 30mA
2025-01-11 15:44:02
NSG6000是650V电压功率MOSFET和IGBT半桥栅驱动器。自带死区保护、高低侧互锁功能,防止高低侧直通。具有较强的VS负偏压、负过冲耐受能力。输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定。
2025-01-07 10:58:26
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