和复位即可，输出是控制 LED 的亮灭，盘古 PGX-MINI 4K 板卡上共有 8 个 LED，故而输出 8bit 位宽的信号；设计一个计数器； 单个状态计数 25000000，1 个亮灭周期的计数即为
2024-03-22 11:27:30
目前使用的是STM32L0系列芯片，采用tim6上升沿触发使ADC采样，但把定时器频率配为4K后，采样周期不对，首先想问tim6的时钟源来自哪，其次是这个定时器频率与采样频率的关系与计算，可以确认采样时间是大于转换时间的
2024-03-20 06:18:18
盘古PGX-Mini 4K开发板，目前来说是一款性价比比较高的开发板，他用来入门FPGA怎么样？
2024-03-16 07:17:45
IBUTTON 4KB PLUS TIME MEMORY CAN
2024-03-14 21:40:43
–高达2 MB的闪存可整理成允许边写边读的两个存储体
–高达256+4 KB的SRAM，包括64-KBCCM（核心耦合存储器）数据RAM
–灵活的外部存储器控制器，具有到32位数据总线：SRAM
2024-03-12 09:39:01
想入门盘古PGX-Mini 4K开发板，大佬可以分享一些学习资料吗？
2024-03-04 12:51:51
盘古PGX-Mini 4K开发板，如何入门，教学资料在哪里下载
2024-03-03 08:27:37
磁存储器HS4MANSQ1A-DS1在智能车载终端（T-BOX）中的应用方案
2024-03-02 10:08:50
95 
VS034 PCie X4 X16 环出HDMI 游戏直播4K电脑内置采集卡 .主机接口：PC1E2.0X420Gbps传输带宽 ·音频：直播设备/电脑音频
2024-02-23 13:55:47
DRAM（动态随机存取存储器）存储器主要通过电容来存储信息。这些电容用于存储电荷，而电荷的多寡则代表了一个二进制位是1还是0。
2024-02-19 10:56:36264 
1) 允许一个物理内存（即 XRAM) 可同时作为程序存储器和数据存储器进行访问
如何使用 SCR XRAM 作为程序存储器和数据存储器。
1) 用于存储 scr 程序的程序存储器
2) 用于在 tricore 和 scr 之间交换数据的数据存储器。
2024-01-30 08:18:12
ADuCM360/1是否支持存储器到存储器DMA传输？
2024-01-15 07:43:09
。
0x0000 0xXXXX NOP指令0会通过SDO输出16位字，其中最后4位包含控制寄存器的内容。如果位C3 = 1，则熔丝编程命令成功。
这么做读出的是控制寄存器的内容，而不是存储器的内容
2023-12-06 06:04:03
为每个可用的系统或时钟存储器位自动创建PLC标记。
2023-11-05 16:56:021280 
单片机的存储器主要有几个物理存储空间
2023-11-01 06:22:38
单片机的存储器从物理上可划分为4个存储空间，其存储器的空间范围是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有谁知道AT89C52怎么选择外部存储器，我之前用的是P89V51，选择外部存储器是定义AUXR=0x02;，但是现在想用AT89C52单片了，程序该怎么改了啊？？AT89C52手册上找不到怎么选择外部存储器说明，各位高手有谁知道啊 ？
2023-10-26 06:11:25
存储领域发展至今，已有很多不同种类的存储器产品。下面给大家介绍几款常见的存储器及其应用。
2023-10-17 15:45:50521 
存储器测试问题怎么才能稳定
2023-10-17 06:51:11
电子发烧友网为你提供ADI(ADI)DS9481R200:USB-to-1-电线/iButton 1.8V 适应器数据表相关产品参数、数据手册，更有DS9481R200:USB-to-1-电线
2023-10-09 19:10:15
怎么随机存取存储器ram中的存储单元
2023-09-28 06:17:04
如何检测24c存储器容量
2023-09-25 06:48:32
存储器可分为易失性存储器和非易失性存储器两类，前者在掉电后会失去记忆的数据，后者即使在切断电源也可以保持数据。易失性存储器又可分为 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
°C ~ +85°C
存储器结构：
- CW24C02A，256 × 8 (2K 位)
- CW24C04A，512 × 8 (4K 位)
- CW24C08A，1024 × 8 (8K 位
2023-09-15 06:53:34
)都是独立和软件可配置的 每个通道都有3个事件标志位DMA半传输DMA传输完成和DMA传输出错 支持存储器->存储器外设->存储器存储器->外设和外设-&
2023-09-13 08:06:16
系统架构
多层AHB总线矩阵
存储空间
存储器映射
片上SRAM
位带操作
片上闪存
自适应闪存加速器（STM32F2新增）
启动模式
代码空间的动态重映射（STM32F2新增）
内嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
本参考手册面向应用程序开发人员。它提供了关于如何使用STM32G4系列微控制器存储器和外围设备。
STM32G4系列是一系列具有不同内存大小和封装的微控制器以及外围设备。
有关订购信息、机械
2023-09-08 06:59:58
STM32 F7 概述• STM32总线架构和存储器映射• 总线架构• 存储器映射• Cache• STM32F7性能• Boot模式• 片上闪存(Flash)• 系统配置控制器(SYSCFG)• 复位和时钟控制(RCC)• 电源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根据专利要点，提供本申请的一种存储器是检测方法及存储半导体相关技术领域中存储单位与上线之间漏电测定的复杂技术问题，该存储器的检测方法如下：选通字线，通过位线在所有存储单元中写设定存储。
2023-09-07 14:27:24523 
库的慢-慢工艺点对块进行合成，以200 MHz的目标速度确认时序特性。
接口存储器端口上的信号符合RAM编译器为TSMC CL013G工艺技术生产的单端口同步存储器组件所要求的时序要求
2023-08-21 06:55:33
存储器子系统的主要功能是在云计算和人工智能 (AI)、汽车和移动等广泛应用中尽可能快速可靠地为主机（CPU 或 GPU）提供必要的数据或指令。片上系统 (SoC) 设计人员可以选择多种类型的存储器
2023-08-17 09:54:20413 
HC89S105A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部最多 64K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 4K Bytes
2023-07-28 15:11:21
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。DS1251Y自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-24 09:32:13
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。DS1248自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦
2023-07-24 09:29:49
具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 16:58:16
iButton® 1K位只添加(DS1982)是一种坚固的读/写数据载体，可以识别和存储与产品或携带者的相关信息。该信息可以通过最少的硬件访问，例如微控制器的一个端口引脚
2023-07-21 14:30:41
带有SHA-1功能iButton®金融器件(DS1963S)具有4k位读/写数据区，通过简单硬件就可完成数据读写。它的NV存储器可根据需要建立公用数据和器件持有者或应用环境的私有数据微数据库。其片内
2023-07-21 14:27:02
DS1961S在坚固的iButton®器件内集成了1024位EEPROM、64位密钥、一个8字节的寄存器/控制页(其中包含五个用户读/写字节)、512位SHA-1引擎和一个全功能的1-Wire®接口
2023-07-21 14:22:37
复制到EEPROM存储器。该器件的特点是四个存储页面相互独立，可以单独进行写保护或进入EPROM仿真模式，在该模式下，所有位的状态只能从1变成0。DS1972通过一
2023-07-21 14:14:45
ADSP-21992进一步扩展了ADSP-2199x混合信号DSP产品系列的性能，可提供32K字程序存储器RAM和16K字数据存储器RAM。此外，ADSP-21992还可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
DS3600为带有64字节SRAM的安全监控电路，适用于要求安全存储密钥的应用，包括POS终端。64B的密钥存储器在后台持续检测氧化效应和内存抄印。一旦检测到篡改行为，将迅速清除密钥存储器，并产生负
2023-07-14 15:38:23
DS5002FP安全微处理器是DS5001FP 128k柔性微处理器的加密版。除了具有和DS5001FP一样经过扩充的存储器和I/O外，安全微处理器还集成了最先进的加密功能。DS5002FP包括一套
2023-07-14 14:51:21
iButton®温度记录器(DS1922L/T)是坚固耐用的自供电系统，能够测量温度并将测量结果记录在受保护的存储器内。记录温度的频率由用户定义。总共可以保存8192个8位数据记录或4096个16
2023-07-14 10:47:05
iButton®温度记录器(DS1922L/T)是坚固耐用的自供电系统，能够测量温度并将测量结果记录在受保护的存储器内。记录温度的频率由用户定义。总共可以保存8192个8位数据记录或4096个16
2023-07-14 09:24:23
Thermochron® iButton®器件(DS1921G)是一种坚固的自主系统，它测量温度并将结果记录在受保护的存储器单元中。它以用户定义的速率记录温度，包括直接温度值和直方图。器件
2023-07-14 09:22:01
iButton®温度/湿度记录器(DS1923)是坚固耐用的自供电系统，能够测量温度与/或湿度，并将测量结果记录在受保护的存储器内。记录频率由用户定义。总共可以保存8192个8位读数或4096个16
2023-07-14 09:18:41
iButton®温度记录器(DS1922E)是坚固耐用的自供电系统，能够测量温度并将测量结果记录在受保护的存储器内。记录温度的速率由用户定义。总共可以保存8192个8位数据记录或4096
2023-07-14 09:16:40
iButton®温度记录器(DS1925)是坚固耐用的自供电系统，可以测量温度并将结果记录在受保护的存储器中。记录数据的频率由用户定义。总共可以存储122K 8位数据记录或61K 16位数据记录
2023-07-14 09:11:23
器件带有唯一的64位ROM注册码(ROM ID)，由工厂刻入芯片。每次可向存储器写入4个字节，安全的低成本工厂编程服务可对器件数据进行预编程，这也包括SHA-1安
2023-07-13 17:36:04
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 17:01:58
带存储器的双路可寻址开关DS2406提供了一种简便的方法，通过1-Wire®总线远程控制一对漏极开路晶体管和回读每个晶体管的逻辑电平，从而实现闭环控制。每个DS2406都具有工厂刻度在片内的64位
2023-07-13 16:16:25
DS2505为16k位只添加存储器，可以识别和存储与产品相关的信息。这个标签或特殊产品的信息可以通过最少的接口访问，例如微控制器的一个端口引脚。DS2505有一个工厂刻度的注册码，其中包括：48位
2023-07-13 16:14:03
DS2433是一款4K位1-Wire® EEPROM，用于识别和存储与产品相关的信息。这个标签或特殊产品信息可以通过最少的接口访问，例如微控制器的一个端口引脚。DS2433带有一个由工厂刻度的注册码
2023-07-13 16:01:33
DS2502-E48是DS2502 (1024位只加存储器)的一个变种。它与标准DS2502的不同之处在于其用户化ROM的家族码为89h，在标准ROM序列号区的高12位为UniqueWare™标识符
2023-07-13 15:56:50
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 11:31:16
易失性存储器的发展历程 继续关于存储器的发展回顾，上期我们回顾了非易失性存储器的发展史，本期内容我们将回顾易失性存储器的发展历程。易失性存储器在计算机开机时存储数据，但在关闭时将其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28873 PLC系统中的存储器主要用于存放系统程序、用户程序和工作状态数据。PLC的存储器包括系统存储器和用户存储器。
2023-06-26 14:02:453771 半导体存储器一般可分为易失性(Volatile Memory)和非易失性存储器(Non Volatile Memory)。易失性存储器是指数据信息只有在通电条件下才能保存，断电后数据会丢失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
DS3112具有六种不同的发送时钟和六种不同的接收时钟类型：发送DS3、DS2、DS1、E3、E2和E1时钟，以及接收DS3、DS2、DS1、E3、E2和E1时钟。由于电路中同一级的时钟具有相似
2023-06-13 15:39:46317 
4 选项设置存储器 选项设置存储器用于确定复位后MCU的状态。该存储器分配在闪存中的配置设置区域和程序闪存区域。这两个区域的可用设置方法不同。Cortex-M33内核MCU的选项设置存储器可能具有
2023-06-08 17:00:04411 
磁表面存储器——磁表面存储器，它们都是利用涂敷在载体表面薄层磁性材料来记录信息的，载体和表面磁性材料统称为记录介质。
存储密度——磁表面存储器单位长度或单位面积磁层表面所能存储的二进制信息量
2023-05-26 11:27:061409 Exoplayer 开发的播放器，硬解码4K 60FPS 265编码，视频掉帧
用安卓自带的播放其，不会掉帧
开发调用的omx标准库。有没有各位遇到过类似的问题，要怎么解决
2023-05-25 14:38:52
在单板设计中，无论是涉及到一个简易的CPU、MCU小系统或者是复杂的单板设计，都离不开存储器设计：
1、存储器介绍
存储器的分类大致可以划分如下：
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM在系统
2023-05-19 15:59:37
占用了 4K 的关键 RAM，维护人员努力工作以使其成为标准核心的一部分。
这是一个大问题，因为 ESP8266 的大多数重要用途（例如使用 BearSSL）需要大量可用 RAM，而 4K 是其中的很大
2023-05-19 10:10:25
ES32H040x芯片概述ES32H040x系列微控制器使用32位ARM Cortex-M0内核，带有存储器保护单元。最高支持48MHz系统时钟频率。最大128K Byte Flash
2023-05-16 15:07:14
单片机的程序存储器和数据存储器共处同一地址空间为什么不会发生总线冲突呢？
2023-05-10 15:17:56
我正在使用带有 yocto linux 的 i.MX8 qm 板。
我已经闪现了 NXP 提供的预构建 yocto 图像（imx-image-multimedia-imx8qmmek.wic.zst）
我已经连接了 4k Dart BCON 相机
但我无法访问相机，有人可以就此问题提出建议或指导我。
2023-05-06 08:09:50
通过quad SPI接口选择FLASH存储器与RT1172一起使用时，应该将其设置为Buffer Read模式还是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
字节和 192K字节)和高达 4K字节的后备 SRAM，以及大量连至2条APB总线、3条AHB总线和1个32位多AHB总线矩阵的增强型I/O与外设。所有型号均带有3个12位 ADC、2个 DAC、1个
2023-04-20 18:11:37
字节和 192K字节)和高达 4K字节的后备 SRAM，以及大量连至2条APB总线、3条AHB总线和1个32位多AHB总线矩阵的增强型I/O与外设。所有型号均带有3个12位 ADC、2个 DAC、1个
2023-04-19 21:13:57
和 SRAM的容量分别高达 1M字节和 192K字节)和高达 4K字节的后备 SRAM，以及大量连至2条APB总线、3条AHB总线和1个32位多AHB总线矩阵的增强型I/O与外设。所有型号均带有3个12位
2023-04-19 18:49:37
本章教程讲解DMA存储器到存储器模式。存储器到存储器模式可以实现数据在两个内存的快速拷贝。程序中，首先定义一个静态的源数据，存放在内部 FLASH，然后使用DMA传输把源数据拷贝到目标地址上（内部SRAM），最后对比源数据和目标地址的数据，判断传输是否准确。
2023-04-17 15:28:08
我正在使用 S32KDS 来配置 S32K144 的时钟。 当 SOSC 范围选择为中等时，我尝试将 SOSC 频率设置为4 MHz。但是存在错误（如图所示）。它说“输出频率必须在范围内：8 MHz
2023-04-14 06:41:45
存储设备，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之间的差异Flash和EEPROM均被视为非易失性存储器。非易失性存储器意味着该设备能够保存数据且无需持续供电，即使关闭电源也能保存
2023-04-07 16:42:42
FM33256B-G器件将FRAM存储器与基于处理器的系统最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存储器，实时时钟，低VDD复位，看门狗定时器，非易失性事件计数器，可锁定的64位序列号区域以及
2023-04-07 16:23:11
我们正在尝试将内部 ROM 闪存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的辅助存储器（而不是 EEPROM）。是否可以将 FLASH 用作辅助存储器，如果可能，我们如何使用。请指导我们实现这一目标
2023-04-04 08:16:50
我知道当HSM工作或像S32R45这样的MCU工作时时钟是不同的。所以加密的功能正常工作。但是不能从外部存储器读取任何数据。解决此问题的解决方案是什么？
2023-04-03 08:34:09
存储器按存储介质特性来说，可以分为两类，一类就是易失性存储器，一类是非易失性存储器。从计算机角度上看，易失性存储器可以理解为内存，而非易性存储器可以理解为硬盘。
2023-03-30 14:22:431551 
存储器类型：Non-Volatile 存储器构架(格式)：FLASH 时钟频率：- 技术：NAND Flash 存储器接口类型：- 存储器容量：4Gb
2023-03-24 15:09:04
存储器类型：Non-Volatile 存储器构架(格式)：FLASH 时钟频率：- 技术：NAND Flash 存储器接口类型：- 存储器容量：8Gb
2023-03-24 15:09:04
产品介紹—— 新一代4K级别大视野高分辨率连续变倍镜头。与传统变焦系统相比，视野大小提升1.45X以上。 这款4K同轴定格变倍镜头，采用精密光路设计，具有大倍率
2023-03-23 11:01:44
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