MM1-1850SCH-2MM1-1850SCH-2 是Marki Microwave公司的一款高性能被动式双平衡MMIC混频器。它采用砷化镓(GaAs)材料制成,具有高线性度、高隔离度和优异的杂散
2024-03-20 14:23:19
电子发烧友网站提供《5V 双向、2:1 (SPDT) 通用开关TMUX1247数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 14:11:250 的功率放大器,如:射频晶体管、MMIC功率放大器、混合放大器模块、宽带放大器、高功率放大器模块、带RF和DC连接器的高功率放大器模块和低噪声放大器,功率放大器,开关,衰减器,移相器以及上/下边变频器的定制,欢迎咨询。
2024-03-04 09:49:08
MMS006AA-开关-SPDTDC 至 20 GHz、单刀双掷 (SPDT) 开关芯片MMS006AA 是一款 DC 至 20 GHz、非反射砷化镓 (GaAs) 赝晶高电子迁移率晶体管
2024-02-29 14:48:21
(GaAs)α晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)单刀双掷(SPDT)单片微波集成电路(MMIC)开关,采用塑料无外壳3 mm×3 mm表面贴装封装。该开关在直流至20
2024-02-29 14:42:58
ADH347-701LH5是一款宽带、非反射式砷化镓(GaAs),采用裸片解决方案的频率范围为DC至20 GHz,采用LH5封装解决方案的频率范围为DC至14 GHz。该开关提供高隔离度和低插入损耗
2024-02-27 22:30:32
AMCOM的AM08011039WM-00(SN-R)是种光纤宽带GaAs MMIC功率放大器。具备25dB的小信号增益值,在8V偏置电压下,在8到11GHz频率段上的输出功率>
2024-02-27 09:25:49
Qorvo QPC8015Q SPDT路由开关Qorvo QPC8015Q SPDT路由开关是一款低插入损耗、高隔离度单刀双掷 (SPDT) 开关,性能经过优化,用于低功耗路由和多样性
2024-02-26 22:54:36
隔离开关的作用: 隔离开关是一种用于隔离电路的开关装置,主要用于对电路进行切断、断开,以确保电路在维护、修理和调试等工作期间处于安全状态。其作用主要体现在以下几个方面: 安全隔离: 隔离开关可以切断
2024-02-14 14:58:00297 熔断式隔离开关是什么?熔断器式隔离开关与隔离开关熔断器组的区别 熔断式隔离开关是一种常见的电气设备,用于切断电路和隔离电器设备。它能够在紧急情况下迅速切断电流,保护设备和人身安全。在电力系统中广
2024-02-06 10:08:52270 隔离开关与空气开关是电力系统中常见的两种开关设备,它们在应用场景和工作原理上有所区别。下面将详细介绍隔离开关和空气开关的定义、功能、结构、工作原理、应用领域等方面的内容。 一、隔离开关 定义 隔离开关
2024-01-17 10:01:47378 HMC349ALP4CE HMC349ALP4CE 是一款工作频率范围为 100 MHz 至 4 GHz 的砷化镓 (GaAs) 单刀双掷 (SPDT) 开关。HMC349ALP4CE 具有隔离度高
2024-01-14 16:36:00
光耦的高隔离度特点及其应用 随着电子技术的发展,光耦作为一种常见的隔离电路元件,广泛应用于各个领域。其独特的优势在于其高隔离度特点,能够实现输入和输出之间的电气隔离,确保了电路的安全性和稳定性。本文
2024-01-04 14:30:43175 电子发烧友网站提供《HMC5805ALS6:GaAs pHEMT MMIC 0.25瓦特功率放大器一般说明.pdf》资料免费下载
2023-12-26 09:29:550 带隔离和不带隔离的开关电源的区别 带隔离和不带隔离的开关电源是两种不同的电源设计,它们在电源的隔离性、安全性、干扰抑制、稳定性等方面有一些差异。本文将详细介绍带隔离和不带隔离开关电源的区别。 带隔离
2023-11-17 12:31:01783 功分器有哪些技术指标?功分器隔离度测试方法 功分器是测试射频信号功率的一种仪器,广泛应用于通信、卫星、雷达、广电、天基等领域。它是通过测量微小的功率信号并将其放大来检测和分析射频信号的功率
2023-10-22 14:32:061188 功分器两输出端隔离度是什么?它有何意义? 功分器是一种用于分配信号功率的被动器件。它具有多个输入端口和多个输出端口,并将输入端口上的功率平均分配到输出端口上。 功分器是微波通信系统中的关键组件,因为
2023-10-22 14:31:591082 电子发烧友网为你提供ADI(ADI)HMC606-Die: GaAs InGaP HBT MMIC Ultra Low Phase Noise, Distributed Amplifier
2023-10-17 18:59:34
本文将分为三部去讲述天线隔离的定义、影响天线隔离度的几个关键因素和终端天线如何提高隔离度,希望对大家有所帮助。
2023-10-17 16:42:54599 电子发烧友网为你提供ADI(ADI)HMC519LC4: GaAs pHEMT MMIC Low Noise Amplifier, 18 - 31 GHz Data Sheet相关产品参数、数据手册
2023-10-13 19:18:52
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2023-10-13 18:49:11
使用功率计和信号源:将功率计和信号源连接到射频开关的输入端和输出端,分别设置合适的功率和频率。然后,通过测量输入端和输出端的功率来计算隔离度。
2023-10-13 11:24:42450 电子发烧友网为你提供ADI(ADI)HMC560A: 22 GHz to 38 GHz, GaAs, MMIC, Double Balanced Mixer Data Sheet相关产品参数、数据
2023-10-12 18:49:51
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2023-10-11 18:54:02
电子发烧友网为你提供ADI(ADI)ADRF5144: 10 W平均数,硅SPDT,反射开关,1千赫至20千兆赫数据表相关产品参数、数据手册,更有ADRF5144: 10 W平均数,硅SPDT,反射
2023-10-11 18:48:40
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2023-10-09 18:58:42
电子发烧友网为你提供ADI(ADI)ADPA70005CHIP: GAAs, pHEMT, MMIC,1 W 功率放大器,20 千兆赫至 44千兆赫数据表相关产品参数、数据手册,更有
2023-10-09 18:32:05
电子发烧友网为你提供ADI(ADI)ADL8141 GAAs, pHEMT, MMIC, 低噪音放大器, 14千赫至24千兆赫数据表相关产品参数、数据手册,更有ADL8141 GAAs, pHEMT
2023-10-08 16:44:30
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2023-10-08 16:41:06
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2023-10-08 16:32:12
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2023-10-08 16:27:11
电子发烧友网为你提供ADI(ADI)ADMV1530: 5千兆赫至30千兆赫、GAAs、MMIC、双平衡混合数据表相关产品参数、数据手册,更有ADMV1530: 5千兆赫至30千兆赫、GAAs
2023-10-08 16:26:02
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2023-10-08 16:14:27
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2023-10-08 16:09:34
电子发烧友网为你提供ADI(ADI)ADMV150:15千兆赫至65千兆赫、GAAs、MMIC、双平衡混合数据表相关产品参数、数据手册,更有ADMV150:15千兆赫至65千兆赫、GAAs、MMIC
2023-10-08 15:55:57
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2023-10-07 17:52:20
日本无线电法要求批准无线电设备的类型(即技术法规合规认证)。TELEC认证是强制性的,MIC认证机构在注册认证机构TELEC(电信工程中心)批准的*无线电设备中是日本无线电设备合规认证的主要注册认证
2023-08-04 10:48:23315 电子发烧友网站提供《HMMC-2007 DC–8 GHz端接SPDT开关产品简介.pdf》资料免费下载
2023-07-19 15:48:000 电子发烧友网站提供《HMMC-5021/HMMC-5026GaAs MMIC行波放大器产品简介.pdf》资料免费下载
2023-07-19 15:42:340 GHz,其中需要高线性度、高隔离度、低插入损耗和小封装尺寸。RFSW8009 的开关通过两个控制电压输入进行控制。RFSW8009 采用 pHEMT GaAs 工
2023-05-31 15:29:50
RFSW8000 产品简介 Qorvo 的 RFSW8000 是一款高功率单刀双掷 (SPDT) 开关,专为高性能无线应用而设计。该宽带开关设计用于 5MHz 至
2023-05-31 14:44:52
制造。TGS2355 的工作频率范围为 0.5 至 6 GHz,可提供高达 100 W 的输入功率处理能力,在大部分工作频带内插入 < 1 dB,隔离度大于 40
2023-05-31 13:54:29
。TGS2353-2-SM 采用 Qorvo 的 0.25um GaN on SiC 生产工艺制造,工作频率为 0.5-18GHz,开关功率高达 10W,具有低插入损耗和高隔离度。
2023-05-31 13:19:23
HMC574AMS8E是8引线MSOP封装中的低成本SPDT开关,用于发射/接收应用,在高入射功率水平下需要非常低的失真。
2023-05-31 11:18:42524 。TGS2352-2-SM 采用 Qorvo 的 0.25um GaN on SiC 生产工艺制造,工作频率为 0.5-12GHz,开关功率高达 20W,具有低插入损耗和高隔离度。
2023-05-30 20:53:13
TGS4302 产品简介 Qorvo 的 TGS4302 是一款 GaAs 单刀双掷 (SPDT) PIN 单片式开关,设计用于在 Ka 频段频率范围内运行。该开关保持低插入损耗
2023-05-30 18:29:40
设计。该器件提供标称 0.9 dB 插入损耗、12 dB 回波损耗和 35 dB 隔离度。该器件非常适用于电子战 (EW) 接收器、雷达和通信系统。TGS2302 在
2023-05-30 18:14:31
系统。它提供具有出色线性度和功率处理能力的高隔离对称拓扑。RF 端口不需要阻塞帽。该设计是非反射式的,因此 RF 端口 1 和 2 在关闭状态下终止。使能引脚允许
2023-05-30 11:35:14
RF1630 产品简介 Qorvo 的RF1630 是一款单刀双掷 (SPDT) 开关,具有极低的插入损耗和出色的线性性能。RF1630 是 UMTS 和 LTE
2023-05-30 11:17:27
QPC8015Q 产品简介 Qorvo 的QPC8015Q 是一款低插入损耗、高隔离度单刀双掷 (SPDT) 开关,其性能针对低功率路由和多样性应用进行了优化。QPC8015Q
2023-05-30 10:27:30
提供高隔离度以及出色的线性度和功率处理能力。RF 端口上不需要阻塞电容器。该设计是非反射性的,因此 RFX 端口在关闭状态下端接 50 欧姆。QPC6324 与+
2023-05-30 09:23:39
提供高隔离度以及出色的线性度和功率处理能力。RF 端口上不需要阻塞电容器。该设计是非反射式的,因此 RF2 端口在关闭状态下端接 50 欧姆。QPC6014 与 +
2023-05-29 16:21:19
QPC3025 产品简介 Qorvo 的QPC3025 是一款绝缘体上硅 (SOI) 单刀双掷 (SPDT) 开关,设计用于 4G/5G 无线基础设施应用和其他高性能
2023-05-29 16:08:17
QM12002 产品简介 Qorvo 的QM12002 是一款低插入损耗、高隔离度单刀双掷 (SPDT) 开关,其性能针对低功率路由和多样性应用进行了优化。QM12002 由 1
2023-05-29 15:14:27
时提供 2.2 dB 的低插入损耗和 30 至 50 dB(取决于端口)的高隔离度。该开关还包括一个板载二进制解码器电路,可将所需逻辑控制线的数量从 5 条减少到
2023-05-29 14:07:29
GHz,在 13 GHz 时具有 1.4 dB 的低插入损耗和 40 dB 的高隔离度。CMD230 开关 MMIC 使用 0/-5 V 的互补控制电压逻辑线运行,
2023-05-29 13:46:30
2.3 dB 的低插入损耗和 36 dB 至 20 GHz 的高隔离度。CMD215 开关 MMIC 使用 0/-5 V 的互补控制电压逻辑线运行,不需要偏置电源
2023-05-29 09:50:34
。CMD204C3 涵盖 DC 至 20 GHz,在 10 GHz 时具有 1.3 dB 的低插入损耗和 48 dB 的高隔离度。CMD204C3 开关 MMIC
2023-05-29 09:42:30
,在 10 GHz 时具有 1.0 dB 的低插入损耗和 50 dB 的高隔离度。该开关使用 0/-5 V 的互补控制电压逻辑线运行,不需要偏置电源。CMD204
2023-05-29 09:35:47
CMD196C3 产品简介 Qorvo 的 CMD196C3 是一款通用宽带射频/微波高隔离非反射 MMIC SPDT 开关,采用无引线 3x3 毫米表面贴装
2023-05-29 09:09:44
14 GHz 时具有 1.75 dB 的低插入损耗和 46 dB 的高隔离度。CMD196 开关 MMIC 使用 0/-5 V 的互补控制电压逻辑线运行,不需要偏置
2023-05-29 09:02:31
。CMD195C3 覆盖 DC 至 18 GHz(L 至 Ku 频段),提供 2 dB 的低插入损耗和 37 dB 的高隔离度以及正增益斜率。正增益斜率特性允许将多个开
2023-05-29 08:51:56
2 dB 的低插入损耗和 37 dB 的高隔离度以及正增益斜率。正增益斜率特性允许将多个开关级联在一起,而无需增益均衡电路。CMD195 开关 MMIC 芯片使
2023-05-29 08:42:36
GHz 的 IF 频率。它提供 15 dBm 的 P1dB 和 35 dB 的端口间隔离度。混频器的宽频带覆盖 X/Ku/K 波段,并具有出色的杂散抑制和单元间
2023-05-23 16:21:47
0.25 至 5 GHz。该混频器具有 8.5 dB 的转换损耗、43 dB 的隔离度和高动态范围。高隔离和杂散抑制使这款混频器成为高性能雷达、无线电和测试应用的理
2023-05-23 16:13:59
,中频频率为 0.25 至 5 GHz。该混频器具有 8.5 dB 的转换损耗、39 dB 的 LO 到 RF 隔离度和高动态范围。它既可用作引线键合芯片,也可用
2023-05-23 16:08:51
Ku 波段 GaAs MMIC 混频器既可以用作上变频器,也可以用作下变频器。它具有 8.5 dB 的转换损耗、51 dB 的高 LO 到 RF 隔离度和 20
2023-05-23 15:55:44
BL1551B是一种单宽带、快速单极双掷(SPDT)模拟开关,在VCC=5.0V时电阻为2.7Ω,宽电源范围从1.8V到5.5V。它可以用作一个模拟开关或作为一个低延迟总线开关。350MHz的高带宽性能支持高频应用程序。两个部分的折断前功能消除了开关期间的信号中断,防止两个开关同时启用。
2023-05-19 15:47:05707 损耗。Fo 隔离度为 38 dBc。CMD256 采用 50 欧姆匹配设计,无需射频端口匹配。 产品规格输入频率最小值(GHz) 14输入频率最大值(G
2023-05-18 22:18:25
的插入损耗小于 1.5 dB,隔离度超过 38 dB。该开关可以处理 27 dBm 的输入功率并具有 50 dB 的 IIP3。它采用绝缘体上硅 (SOI) 工艺制造,采
2023-05-15 12:22:49
Qorvo 的 RFSW8009 是一款高功率单刀双掷 (SPDT) 开关,专为高性能无线应用而设计。该宽带开关设计用于 0.5 至 6 GHz,其中需要高线性度、高隔离度、低插入损耗和小封装尺寸
2023-05-10 10:37:30
Qorvo 的 RFSW8000 是一款高功率单刀双掷 (SPDT) 开关,专为高性能无线应用而设计。该宽带开关设计用于 5MHz 至 6.5GHz 的应用,其中需要极高的线性度、高隔离度、低
2023-05-10 10:20:54
Qorvo 的 RFSW6023 是一款高功率单刀双掷 (SPDT) 开关,专为高性能无线应用而设计。该宽带开关设计用于 50MHz 至 5000MHz 的应用,其中需要极高的线性度、高隔离度、低
2023-05-09 16:46:03
和 40 dB 的高隔离度。CMD230 开关 MMIC 使用 0/-5 V 的互补控制电压逻辑线运行,不需要偏置电源。 主要特征
2023-05-09 11:55:10
20 GHz 的高隔离度。CMD215 开关 MMIC 使用 0/-5 V 的互补控制电压逻辑线运行,不需要偏置电源。 主要特征宽带性能切换速度快高隔
2023-05-09 11:52:52
8 GHz 时具有 1.5 dB 的低插入损耗和 46 dB 的高隔离度。CMD196C3 开关 MMIC 使用 0/-5 V 的互补控制电压逻辑线运行,不需要偏
2023-05-09 11:27:38
插入损耗和 46 dB 的高隔离度。CMD196 开关 MMIC 使用 0/-5 V 的互补控制电压逻辑线运行,不需要偏置电源。 主要特征切换速度快高隔离低
2023-05-09 11:23:31
Qorvo 的 CMD195 是一种裸片形式的宽带非反射 GaAs 射频/微波 MMIC SPDT 开关。CMD195 覆盖 DC 至 20 GHz,提供 2 dB 的低插入损耗和 37 dB 的高
2023-05-09 11:14:05
GHz。它将 50 ohm 输入转换为 100 ohm 差分输出。巴伦的插入损耗低于 2.5 dB,隔离度为 8 dB,共模抑制为 33 dB。它已针对 0 dB 的
2023-05-06 17:56:47
。它具有 1:2 的阻抗比、低于 8.5 dB 的插入损耗、10 dB 的隔离度和 30 dB 的共模抑制。它已针对 0.2 dB 的最佳幅度平衡、3 度的相位平
2023-05-06 17:51:01
的隔离度、+/- 2 dB 的幅度平衡和 +/- 3 度的相位平衡。它是使用无源 GaAs MMIC 技术开发的,可用作引线键合芯片或连接器模块。该耦合器可用于
2023-05-06 10:35:31
系统中。应用双极化天线可以减少基站所需的天线数量,节约天线设计所需的空间资源,并满足人们日益增长的流量需求。在评估双极化天线性能时,端口隔离是一个关键因素。然而,随着新一代通信系统容量的增加、用户数量的增多和耦合场景的复杂化等因素的出现,传统的双极化天线设计难以满足隔离度要求。
2023-05-04 18:00:532145 平衡为 0.5 dB,相位平衡为 +/- 3 度。它是使用无源 GaAs MMIC 技术开发的,可用作引线键合芯片或连接器模块。该耦合器可用于广泛的应用,包括单边带
2023-04-28 16:32:37
dB 的隔离、0.5 dB 的幅度平衡和 +/- 6 度的相位平衡。它是使用无源 GaAs MMIC 技术开发的,可用作引线键合芯片或连接器模块。该耦合器可用于
2023-04-28 16:07:37
的隔离度为 16 dB,幅度平衡为 0.4 dB,相位平衡为 +/- 0.5 度。它是使用无源 GaAs MMIC 技术开发的,可用作引线键合芯片或连接器模块。该耦合器
2023-04-28 16:04:15
PIN 二极管开关。这种宽带、反射式、高线性度开关专为 6 - 20 GHz 应用而开发,这些应用需要高达 14 W 的功率处理能力,同时保持低插入损耗和高隔离度
2023-04-23 15:11:51
MASW-011207SPDT 高隔离开关 1 - 3000 MHzMASW-011207 是一款 GaAs pHEMT MMIC 单刀双掷 (SPDT) 开关,采用无铅 3
2023-04-23 13:25:55
;MASW-011105 是一款多功能、宽带、高隔离 SPDT 开关,采用无铅 3 mm 14 引脚 PQFN 表面贴装塑料封装。宽带性能与快速切换和出色的建立时间相结合,使该
2023-04-18 16:29:49
MASW-007587-000000砷化镓宽带MACOM 的 MASW-007587 是一款宽带 GaAs pHEMT MMIC 分集开关,采用无铅 3 mm 12 引脚 PQFN 封装
2023-04-18 15:41:11
毫米 16 引脚 PQFN 封装。MASW-008566 非常适合需要高功率、低控制电压、低插入损耗、高隔离度、小尺寸和低成本的应用。典型应用是 GSM 和 D
2023-04-18 15:32:47
MASWSS0167砷化镓MACOM 的 MASWSS0167 是一款 GaAs pHEMT MMIC 单刀双掷 (SPDT) 开关,采用无铅 1.2 x 1.5 mm 6 引脚 PQFN 封装
2023-04-18 11:45:00
MASW-008177-000000高隔离、GaAs pHEMT MMICMACOM 的 MASW-008177 是一款 GaAs pHEMT MMIC 单刀单掷 (SPST) 开关,采用低成本 3
2023-04-18 11:37:49
MASW2040砷化镓MACOM 的 MASW2040 是一款 GaAs MMIC DPDT 开关芯片。MASW2040 非常适用于需要低功耗的场合。典型应用包括无线电和蜂窝
2023-04-18 11:31:22
MASWSS0162砷化镓MACOM 的 MASWSS0162 是一款 GaAs MMIC SPST 开关,采用无铅 SOIC-8 引线表面贴装塑料封装。MASWSS0162 非常适用于需要低功耗
2023-04-17 14:35:11
。MASW-008330 非常适合需要低控制电压、低插入损耗、高隔离度、小尺寸和低成本的应用。典型应用包括将单独的接收功能连接到公共天线的手机系统中的滤波器和天线切换,以及其他相
2023-04-17 14:01:57
电压、低插入损耗、高隔离度和小尺寸应用。一个典型的应用是天线、WLAN 和蓝牙系统,它们将单独的接收功能连接到一个公共天线。这部分在 2.4 GHz 下进行了优化
2023-04-17 13:20:16
MASWSS0148GaAs 高隔离度MACOM 的 MASWSS0148 是一款 GaAs 单片单刀单掷 (SPST) 端接开关,采用无铅 3 mm 12 引脚 PQFN 塑料封装
2023-03-31 12:46:12
。这种具有 50 Ω 端接 RF 端口的宽带、高线性度、SPDT 开关专为 Ka 波段应用而开发,这些应用在 +85°C 的环境温度下需要高达 13 瓦的 CW 功
2023-03-31 12:30:14
MASW-011128-DIEGaAs SPDT 非反射式开关 0.05- 26.5 GHzMASW-011128-DIE 是一种多功能、宽带、非反射式 SPDT 开关,作为裸片部件提供。该开关
2023-03-31 12:18:32
应用开发的,这些应用在 +85°C 的环境温度下需要高达 40 瓦的 CW 功率处理,同时保持低插入损耗和高隔离度。SPDT MMIC 采用了 MACOM 久经考验的
2023-03-31 12:15:01
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