英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比,全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36126 一端的温度、T2为物体另一端热源的温度,P 为热源的功率。适用于 一维、稳态、无内热源的情况下的热阻。在近似分析中,我们依然可以参照此式。 简单的说, 热阻 Rth就是描述阻碍散热的物理量,热阻越大
2024-03-13 07:01:48
MOS管瞬态热阻测试(DVDS)失效品分析如何判断是封装原因还是芯片原因,有什么好的建议和思路
2024-03-12 11:46:57
意法半导体(ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性,还致力于提供高度的系统集成性和灵活性,以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日,全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET,型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 东芝电子元件及存储装置株式会社(以下简称“东芝”)近日宣布,其最新研发的DTMOSVI系列高速二极管型功率MOSFET已正式推出。该系列产品特别适用于数据中心和光伏功率调节器等关键应用的开关电源,展现了东芝在功率半导体领域的深厚实力与持续创新。
2024-03-12 10:27:36255 另外,CoolSiC MOSFET产品组合还成功实现了SiC MOSFET市场中的最低导通电阻值(Rdson),这大大提高了能效、功率密度,以及在电力系统中的可靠性,降低了零件使用数量。
2024-03-10 12:32:41502 安森美,智能电源和智能感知技术的领军企业,今日宣布推出SPM31智能功率模块(IPM),该模块采用了创新的场截止第7代(FS7)绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术。SPM31 IPM以其更高的能效、更小的尺寸和更高的功率密度,显著降低了总体系统成本,为行业树立了新的标杆。
2024-03-01 09:53:53163 英飞凌为基于CYW43012的设计降低功率峰值提供了哪些指导。
开机和唤醒时似乎出现浪涌功率峰值。
基于 CYW43012 的模块似乎需要大约 600ma-700mA 的峰值电流消耗。
是否有偏移或序列函数的选项,这些函数需要较大的浪涌才能将峰值电流限制在 500mA 以内?
2024-02-29 07:34:38
意法半导体(下文为ST)的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 在关断状态下,功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。
2024-02-23 09:38:53343 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI(HSD),
2024-02-22 18:22:41976 Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度,增强热性能。
2024-02-22 17:11:08353 功率MOSFET是一种广泛应用于电力电子转换器的高性能开关器件。它具有高输入阻抗、低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性等特点,因此在各种高压、高频、高效率的电源系统中发挥着重要作用。 结构
2024-01-17 17:24:36294 表面绝缘阻抗是指表面材料在电场中对电流的阻碍程度,通常用于衡量一个材料的绝缘性能。当三防漆喷涂在某个表面后,如果这个表面的绝缘阻抗降低,意味着三防漆涂层并未提供预期的绝缘保护,可能存在电流在这个表面上的穿透或泄漏的问题。
2024-01-12 09:45:49293 等大功率领域,能显著提高效率,降低装置体积。在这些应用领域中,对功率器件的可靠性要求很高,为此,针对自主研制的3300V SiC MOSFET 开展栅氧可靠性研究。首先,按照常规的评估技术对其进行了高温
2024-01-04 09:41:54593 英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化,主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 电机的热继电器的电流设置是电机额电功率的多少倍啊?
2023-12-19 08:18:44
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-12-06 18:22:24522 功率MOSFET在电力电子设备中应用十分广泛,因其故障而引起的电子设备损坏也比较常见。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果,对于MOSFET的进一步推广应用具有重要意义。
2023-12-04 15:57:241113 性能提升,功耗降低!,这样的MOSFET是你的最爱么?
2023-12-04 15:09:36114 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 问题1:在功率MOSFET管应用中,主要考虑哪些参数?在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算,通常取多少比较好?相应的PCB设计,铜箔面积布设多大散热会比较好?漏极、源极铜箔面积大小是否需要一样?有公式可以计算吗?
2023-12-03 09:30:40408 随着车载电子设备越来越多,功耗问题变得日趋严重。例如,如果音频功率放大器的静态电流达到200ma,则采用12v电源时静态功耗就高达2.4w。有没有一种方法能开机但不需要扬声器发出声音的时候,关闭放大器来降低功耗?
2023-11-29 08:14:15
电机热功率应该如何计算呢?
强制风冷的选型如何选择呢?和电机的热功率又有什么样的联系呢?
2023-11-24 06:54:24
使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗
2023-11-23 09:08:34333 功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识
2023-11-23 09:06:38407 随着汽车行业逐步纵深电气化,我们已经创造出了显著减少碳排放的可能性。然而,由此而来的是,增加的电子设备使得汽车对电力运作的需求日益攀升,这无疑对电源网络提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中,MOSFET以其在电源管理设计中的关键切换功能,成为了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构,采用厚低掺杂的N-外延层epi,保证器件具有足够击穿电压,低掺杂N-外延层epi尺寸越厚,耐压额定值越大,但是,导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长,导通电阻急剧增大,电流额定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 MOSFET中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管或MOS管,可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。而功率MOSFET则指处于功率输出级的MOSFET器件,通常工作电流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 功率MOSFET选型的几点经验在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的,这里不作赘述,只对实际
2023-10-26 08:02:47373 在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
2023-10-25 10:43:16765 和小功率MOSFET类似,功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。
2023-10-25 10:42:27493 Littelfuse宣布推出首款汽车级PolarP P通道功率MOSFET产品 IXTY2P50PA。这个创新的产品设计能满足汽车应用的严苛要求,提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 汽车电子MOSFET发展的一个最终方向是提高感测、控制和保护功率开关的性能。功率器件正集成到智能化车载系统中。现在在最低功率级别,MOSFET可以与功率器件上的感测元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z,一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 众所周知,由于采用了绝缘栅,功率MOSFET器件只需很小的驱动功率,且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率
2023-10-18 09:11:42621 MOSFET也已经发展到了第3代,新推出的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单,可靠性得到进一步的提高。 碳化硅MOSFET的优势 相同功率等级的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,
2023-10-17 23:10:02268 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装,具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻(RthJC最大值为3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12518 中压MOSFET,是美格纳40~200V沟槽MOSFET的尖端产品组合。 在大功率设备中,能源效率对于降低功耗和确保稳定性至关重要。利用美格纳尖端的沟槽式MOSFET技术,这些新发布的第8代150V MXT MV
2023-10-12 17:15:09736 在过去的十几年中,大功率场效应管引发了电源工业的革命,而且大大地促进了电子工业的发展。由于MOSFET管具有更快的开关速度,电源开关频率可以做得更高,可以从50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09:39
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54:35590 的性能,限制了其在一些特定应用领域的应用。因此,研究如何降低MOSFET的1/f噪声是非常重要的。 1. 优化器件结构 MOSFET的1/f噪声来源于复杂的表面效应。为了减小这种噪声,可以从优化器件结构的角度入手。一种方法是增加器件面积。随着面积的增加,器件中的1/f噪声相对于总噪声
2023-09-17 17:17:361208 SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET,根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点,使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明,
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET,根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低,使其特别适用于需要更多高效,更紧凑,LED照明,高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET,根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点,使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明,
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
相对于IGBT,SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗,实现了高频率工作,有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET,导通电阻较小,可减少相同导通电阻的芯片面积,并显著降低恢复损耗。
2023-09-11 10:12:33566 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工业设备应用。
2023-09-07 09:59:32731 【 2023 年 8 月 3 日,德国慕尼黑讯】 小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外,更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸
2023-09-06 14:18:431202 功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外,对于散热量极低的笔记本电脑来说,这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤,并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例,详细说明了上述概念。
2023-09-06 09:14:32446 点击“东芝半导体”,马上加入我们哦! 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布, 推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅(SiC)MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 闪烁噪声,也称为1/f噪声,是由于导体接触点电导的随机涨落引起的。在低频区域,这种噪声功率谱密度与频率成反比,因此,它对电路的影响可能更加显著。
在RF振荡器中,闪烁噪声尤其可能占主导地位。这可
2023-09-01 16:59:12
为了划分所涉及的功率并创建可以承受更多功率的器件,开关、电阻器和 MOSFET 并联连接。
2023-08-29 11:47:48302 功率MOSFET数据表参数
2023-08-24 09:13:06552 据介绍,瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V,可提升应用兼容性,简化应用系统设计。在产品结构上,第二代SiC MOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET,但进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计,使器件比导通电阻降低约25%,并显著降低开关损耗,提升系统效率。
2023-08-23 15:38:01703 随着现代电子设备对小型化和高效率的要求不断提高,对电源管理芯片的技术也提出了更高要求。针对此趋势,安森德半导体公司推出了新一代异步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。这款100V N沟道功率MOSFET凭借其卓越的静态和动态性能参数,将助您的设计实现更高功率密度和转换效率。
2023-08-14 15:04:45367 ..........................................................................................................................................17
6 MOSFET 的放置和功率级布线
2023-08-11 17:16:13
采用 SOP8 封装,且外围元器件少。
特点
1.5A 的最大输出电流
60V/2A 的内部功率 MOSFET
效率高达 93%
频率可调
热关断
逐周期过流保护
宽输入电压范围:6~60V
采用 SOP8 封装
应用
分布式电源系统
电池充电器
工业电源系统
行车记录仪,车载充电器,扫地机
2023-07-29 14:13:39
森国科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。
2023-07-26 17:34:13355 电子发烧友网站提供《DMC4040SSD可降低MOSFET损耗 确保可靠运行.pdf》资料免费下载
2023-07-25 16:07:110 在过去的几年里,MOSFET已经成为功率开关的首选器件应用程序。虽然导通电阻显著降低,但它们通常需要驱动器级以获得最佳性能,特别是当由低电压、低电流源驱动时。这就是双极晶体管固有优势的优势所在
2023-07-24 10:01:370 MOSFET的漏伏安特性(输出特性):截止区(对应GTR的截止区);饱和区(对应于GTR的放大区);非饱和区(对应于GTR的饱和区)。功率MOSFET在开关状态下工作,即截止区域和不饱和区之间的转换
2023-07-04 16:46:37975 功率MOSFET的UIS雪崩损坏有三种模式:热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2023-06-29 15:40:541276 功率 MOSFET 即金属氧化物半导体场效应晶体管( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )有三个管脚,分别为栅极( Gate
2023-06-28 08:39:353665 功率MOSFET最常用于开关型应用中,发挥着开关的作用。
2023-06-27 17:41:20369 电池到系统(BAT-to-SYS)连接阻抗至关重要,它通过减少裕量和功耗来影响电池运行时间。外部调整管可将阻抗降低 50% 以上。本应用笔记给出了MAX8662电源管理IC的智能电源选择器功能,可驱动外部MOSFET,以降低开关电阻和功耗。显示性能数据。
2023-06-25 14:26:07245 PCB板为什么要做表面处理?
由于PCB上的铜层很容易被氧化,因此生成的铜氧化层会严重降低焊接质量,从而降低最终产品的可靠性和有效性,为了避免这种情况的发生,需要对PCB进行表面处理。
常见的表面
2023-06-25 11:35:01
PCB板为什么要做表面处理?
由于PCB上的铜层很容易被氧化,因此生成的铜氧化层会严重降低焊接质量,从而降低最终产品的可靠性和有效性,为了避免这种情况的发生,需要对PCB进行表面处理。
常见的表面
2023-06-25 11:17:44
PCB板为什么要做表面处理?
由于PCB上的铜层很容易被氧化,因此生成的铜氧化层会严重降低焊接质量,从而降低最终产品的可靠性和有效性,为了避免这种情况的发生,需要对PCB进行表面处理。
常见的表面
2023-06-25 10:37:54
引言:电阻器可施加的最大功率会随着温度而变化,但以往大多不考虑电阻器的温度,仅通过“电阻器负载功率在额定功率的30%以内”等条件来进行设计,在引脚型电阻器为主流的时代,即使使用这样的设计,在产品
2023-06-14 16:53:00916 【 2023 年 5 月 12 日,德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司(FSE 代码:IFX / OTCQX 代码:IFNNY)推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌
2023-06-06 11:01:361026 功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三个管脚,分别为栅极(Gate
2023-06-05 15:12:10671 分享功率MOSFET驱动保护电路方案大全,希望能帮助大家
2023-05-24 10:22:02
同步整流技术就是用功率MOSFET代替普通二极管或者肖特基二极管进行整流,所以,研究同步整流技术,就必须首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 在测试过程中,发现在NFC TX过程中,主板的GND 有干扰。
VBAT 和 VDD(up) 都连接到电池。
有什么办法可以改善吗?
降低发射功率有用吗?
如何通过软件或硬件降低TX功率?
2023-05-18 08:34:45
功率MOSFET的雪崩强度限值是衡量器件针对于感性负载在开关动作应用中的重要参数。 清楚地理解雪崩强度的定义,失效的现象及评估的方法是功率MOSFET电路设计必备的能力。 本文将以下面三个方面进行探讨。
2023-05-15 16:17:451133 在功率MOSFET的数据手册中会有一个看似复杂的SOA(Safe Operation Area)图片,这个安全工作区域图告诉我们只有MOSFET工作在曲线内才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA图。
2023-05-15 16:16:311174 功率MOSFET怎样关断?能否用PWM实现?怎样实现?
2023-05-08 16:16:27
我想降低有源和 LPCD 模式下的射频功率,以减少读取范围和功耗。我目前正在读取 70mm 的 ISO 卡。
当前配置如下:
我想我应该降低 VDDPA,但有很多与此相关的设置。
TXLDO_VDDPA_MAX_RDR(0008h)设置为3V3,但读取范围相同。
我应该触摸哪些键设置?
2023-04-28 07:24:02
污染物,从而阻止了活化反应的发生。在热的化学镍溶液中,会产生氢气释放出焊料掩膜单体。然后,它禁止化学镍的反应并破坏化学平衡。
原因2:阻焊层不良的表面会导致焊盘表面劣化。
原因3:填充在微通孔中
2023-04-24 16:07:02
如何影响功率MOSFET器件内部的工作温度。将要考查的因素包括: •外壳材料和外壳表面处理 •上壳,下壳和周围的内部间距PCB •PCB的底部冷却(即PCB的底部表面与外壳的内部表面接触
2023-04-21 15:19:53
的抛光铝外壳,由于铝是良好的导热体,辐射交换差,其效果更为显著; l 阳极化铝材料的温度变化介于前两组结果之间。这是因为,虽然铝具有良好的导热性,但阳极化铝的表面性质允许良好的辐射换热; l 并排地看
2023-04-21 15:00:28
如何影响功率MOSFET器件内部的工作温度。将要考查的因素包括: •外壳材料和外壳表面处理 •上壳,下壳和周围的内部间距PCB •PCB的底部冷却(即PCB的底部表面与外壳的内部表面接触
2023-04-20 17:08:27
器件的系统时,电路设计人员应该注意以下的热因素: l 即使完全打开,MOSFET也会因为I2.R而耗散功率。(RDS(on)为器件导通电阻) l I2.RDS(on)损失将导致器件和其他地方的温度
2023-04-20 16:49:55
PCB阻焊油墨根据固化方式,阻焊油墨有感光显影型的油墨,有热固化的热固油墨,还有UV光固化的UV油墨。而根据板材分类,又有PCB硬板阻焊油墨,FPC软板阻焊油墨,还有铝基板阻焊油墨,铝基板油墨也
2023-04-19 10:07:46
MOSFET作为主要的开关功率器件之一,被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析,有利于优化MOSFET损耗,提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗
2023-04-18 09:22:021248 MOSFET作为功率开关管,已经是开关电源领域的绝对主力器件。虽然MOSFET作为电压型驱动器件,其驱动表面上看来是非常简单,但是详细分析起来并不简单。下面我会花一点时间,一点点来解析MOSFET的驱动技术,以及在不同的应用,应该采用什么样的驱动电路。
2023-04-18 09:19:31600 像蜡烛一样,功率MOSFET(功率场效应晶体管)是切换负载最常见的方式,其四周围绕着众多分立电阻器与电容器(以及用于控制功率MOSFET的双极结型晶体管(BJT)/第二个场效应晶体管)围绕的功率MOSFET)。但在多数情况下,使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。
2023-04-15 09:17:39512 阻并提高可靠性。东芝实验证实,与现有SiC MOSFET相比,这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1],可将导通电阻[2](RonA)降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能,降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18
OC5822 是一款内置功率 MOSFET的单片降压型开关模式转换器。OC5822在6-60V 宽输入电源范围内实现 1.5 A最大输出电流,并且具有出色的线电压和负载调整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54
OC5864 是一款内置功率 MOSFET0.6A 的峰值输出电流的单片降压型开关模式转换器。OC58640.9Q 的内部功率 MOSFET在 5.5-60V 宽输入电源范围内实现 0.6 A峰值
2023-04-07 16:43:02
KUU推出超小型SOT-723封装MOSFET,特别为空间受限的便携式应用优化的新一代MOSFET,这些新低阈值电压MOSFET采用KUU先进的沟槽工艺技术来取得能够和SOT-523等大上许多
2023-04-04 16:10:39987 显影不良,降低解像度;预烘时间过短,或温度过低,在曝光时会粘连底片,在显影时,阻焊膜会受到碳酸钠溶液的侵蚀,引起表面失去光泽或阻焊膜膨胀脱落。 2、曝光 曝光是整个工艺过程的关键。如果曝光
2023-03-31 15:13:51
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