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电子发烧友网>新品快讯>TI推出显著降低上表面热阻的功率MOSFET DualCoo

TI推出显著降低上表面热阻的功率MOSFET DualCoo

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不同的PCB和器件配置对行为的影响

如何影响功率MOSFET器件内部的工作温度。将要考查的因素包括:  •外壳材料和外壳表面处理  •上壳,下壳和周围的内部间距PCB  •PCB的底部冷却(即PCB的底部表面与外壳的内部表面接触
2023-04-21 15:19:53

PCB设计之x和z间隙对Tj的影响

的抛光铝外壳,由于铝是良好的导热体,辐射交换差,其效果更为显著;  l 阳极化铝材料的温度变化介于前两组结果之间。这是因为,虽然铝具有良好的导热性,但阳极化铝的表面性质允许良好的辐射换;  l 并排地看
2023-04-21 15:00:28

PCB外壳对PCB设计的影响因素

如何影响功率MOSFET器件内部的工作温度。将要考查的因素包括:  •外壳材料和外壳表面处理  •上壳,下壳和周围的内部间距PCB  •PCB的底部冷却(即PCB的底部表面与外壳的内部表面接触
2023-04-20 17:08:27

PCB设计概述

器件的系统时,电路设计人员应该注意以下的因素:  l 即使完全打开,MOSFET也会因为I2.R而耗散功率。(RDS(on)为器件导通电阻)  l I2.RDS(on)损失将导致器件和其他地方的温度
2023-04-20 16:49:55

如何一招搞定PCB焊过孔问题?

PCB焊油墨根据固化方式,焊油墨有感光显影型的油墨,有固化的固油墨,还有UV光固化的UV油墨。而根据板材分类,又有PCB硬板焊油墨,FPC软板焊油墨,还有铝基板焊油墨,铝基板油墨也
2023-04-19 10:07:46

浅谈降低MOSFET损耗和及EMI性能提高

MOSFET作为主要的开关功率器件之一,被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析,有利于优化MOSFET损耗,提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗
2023-04-18 09:22:021248

MOSFET的应用技术详解

MOSFET作为功率开关管,已经是开关电源领域的绝对主力器件。虽然MOSFET作为电压型驱动器件,其驱动表面上看来是非常简单,但是详细分析起来并不简单。下面我会花一点时间,一点点来解析MOSFET的驱动技术,以及在不同的应用,应该采用什么样的驱动电路。
2023-04-18 09:19:31600

何时使用负载开关取代分立MOSFET

像蜡烛一样,功率MOSFET功率场效应晶体管)是切换负载最常见的方式,其四周围绕着众多分立电阻器与电容器(以及用于控制功率MOSFET的双极结型晶体管(BJT)/第二个场效应晶体管)围绕的功率MOSFET)。但在多数情况下,使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。
2023-04-15 09:17:39512

碳化硅SiC MOSFET:低导通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管

阻并提高可靠性。东芝实验证实,与现有SiC MOSFET相比,这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1],可将导通电阻[2](RonA)降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能,降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18

OC5822 是一款内置功率 MOSFET 的单片降压型开关模式转换器

OC5822 是一款内置功率 MOSFET的单片降压型开关模式转换器。OC5822在6-60V 宽输入电源范围内实现 1.5 A最大输出电流,并且具有出色的线电压和负载调整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54

OC5864 是一款内置功率 MOSFET 0.6A 的峰值输出电流 的单片降压型开关模式转换器

OC5864 是一款内置功率 MOSFET0.6A 的峰值输出电流的单片降压型开关模式转换器。OC58640.9Q 的内部功率 MOSFET在 5.5-60V 宽输入电源范围内实现 0.6 A峰值
2023-04-07 16:43:02

KUU推出SOT-723封装MOSFET

KUU推出超小型SOT-723封装MOSFET,特别为空间受限的便携式应用优化的新一代MOSFET,这些新低阈值电压MOSFET采用KUU先进的沟槽工艺技术来取得能够和SOT-523等大上许多
2023-04-04 16:10:39987

什么是PCB焊?PCB电路板为什么要做焊?

显影不良,降低解像度;预烘时间过短,或温度过低,在曝光时会粘连底片,在显影时,焊膜会受到碳酸钠溶液的侵蚀,引起表面失去光泽或焊膜膨胀脱落。  2、曝光  曝光是整个工艺过程的关键。如果曝光
2023-03-31 15:13:51

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