英飞凌科技股份公司，作为全球领先的半导体公司，近日推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列，这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装，为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:29
117 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2技术，据官方介绍，这是新一代的沟槽栅SiC MOSFET技术，相比上一代产品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181427 
全球知名的电子元器件授权代理商富昌电子（Future Electronics）为测试设备应用推介来自 Vishay Intertechnology, Inc. 的 T55 系列 vPolyTan 聚合物钽电容，旨在满足测试设备应用对高性能元件的需求。
2024-03-18 18:14:10680 
日前，Vishay 宣布，推出适于 IrDA 应用的升级版 TFBS4xx 和 TFDU4xx 系列红外（IR）收发器模块，链路距离延长 20 %，抗 ESD 能力提高到 2 kV。器件支持
2024-03-14 18:17:56580 
瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品，这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified），还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出，标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 在电子元件领域不断创新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正温度系数（PTC）热敏电阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。这款新型热敏电阻以其宽阻值范围、高电压处理能力和高能量吸收能力，为汽车和工业应用中的有源充放电电路带来了显著的性能提升。
2024-03-12 10:34:11105 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 近日，全球知名的半导体及组件制造商Vishay宣布推出五款新型半桥IGBT功率模块，这些模块采用了经过改良设计的INT-A-PAK封装。新款产品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝”）近日宣布，其最新研发的DTMOSVI系列高速二极管型功率MOSFET已正式推出。该系列产品特别适用于数据中心和光伏功率调节器等关键应用的开关电源，展现了东芝在功率半导体领域的深厚实力与持续创新。
2024-03-12 10:27:36255 在全球电力电子领域，英飞凌科技以其卓越的技术创新能力和领先的产品质量赢得了广泛赞誉。近日，该公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，标志着功率系统和能量转换领域迈入了新的发展阶段。
2024-03-12 09:53:5297 在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术——CoolSiC™ MOSFET Generation 2。这一创新技术的推出，标志着功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑，为行业的低碳化进程注入了强大动力。
2024-03-12 09:43:29125 碳化硅（SiC）技术一直是推动高效能源转换和降低碳排放的关键，英飞凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技术，也是要在这个领域提高了MOSFET的性能指标，扩大还在光伏、储能、电动汽车充电等领域的市场份额。
2024-03-12 09:33:26239 
日前，Vishay 推出了新系列浪涌限流正温度系数（PTC）热敏电阻，名为PTCEL系列，专为浪涌限流设计。这一系列热敏电阻在25°C时阻值范围广泛，能够处理高电压和高能量，有助于提升汽车和工业应用中有源充放电电路的性能。
2024-03-08 11:47:07262 Vishay近期发布五款新型半桥IGBT功率模块，其改良设计的INT-A-PAK封装备受瞩目。这五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均运用Vishay领先
2024-03-08 11:45:51266 日前，Vishay 推出新系列浪涌限流正温度系数（PTC）热敏电阻。Vishay BCcomponents PTCEL 系列器件 25 °C（R25）条件下阻值范围宽，具有高电压处理和高能量吸收能力，
2024-03-08 11:34:20293 
日前，Vishay 推出五款采用改良设计的 INT-A-PAK 封装新型半桥 IGBT 功率模块。新型器件由 VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 组成
2024-03-08 09:15:18177 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41976 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08353 
Vishay近日宣布推出升级版的TSOP18xx、TSOP58xx和TSSP5xx系列红外(IR)接收器模块，这些模块经过优化，适用于遥控、接近探测和光幕应用。
2024-02-01 14:06:54178 日前，Vishay光电子产品部宣布推出全新全集成接近传感器，旨在提高消费类电子应用的效率和性能。这款新传感器采用了先进的技术，实现了多项性能提升，使其成为空间受限、电池供电应用的理想选择。
2024-02-01 14:00:37180 Vishay近日宣布推出一款全新的可见光敏感度增强型高速硅PIN光电二极管，以扩充其光电二极管产品组合。这款光电二极管型号为VEMD2704，采用了小型2.0mm x 1.8mm x 0.6mm顶视表面贴装封装，具有卓越的感光性能和快速的开关时间。
2024-02-01 13:58:23273 漏极外接二极管（Drain-Source Diode，简称D-S二极管）在MOSFET电路中起到了重要的作用，本文将介绍MOSFET源极和漏极之间的区别。 首先，让我们一起了解一下MOSFET
2024-01-31 13:39:45300 Vishay威世科技日前宣布，其光电子产品部推出了一款全集成超小型接近传感器——VCNL36828P。这款传感器专为提高消费类电子应用的效率和性能而设计。
2024-01-29 10:21:38283 Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了创新的双面散热 DFN 5 x 6 封装。这一创新型封装为 AOS 产品赋予了卓越的散热性能，使其在长期恶劣的运行条件下仍能保持稳定的性能。
2024-01-26 18:25:151382 MALVER N 、中国 上海 — 2024 年 1 月 25 日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其光电子产品部推出全集
2024-01-26 15:45:36925 安建半导体 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET产品平台，平台采用先进的技术和设计，提供了卓越的开关特性和低导通电阻，从而实现了高效的能源转换和低能耗操作，不仅可以显着提高
2024-01-23 13:36:49291 
安建半导体推出具有完全自主知识产权的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通过独特设计确保产品的卓越性能和可靠性，在国内领先的碳化硅晶圆代工厂流片，产能充裕，供应稳定，性价比高。
2024-01-20 17:54:00916 
日前，Vishay 推出适合遥控、接近探测和光幕应用的升级版 TSOP18xx、TSOP58xx 和 TSSP5xx 系列红外 ( IR ) 接收器模块。增强型解决方案采用 Minicast 封装
2024-01-19 16:41:23532 请问一下ADP1850/ADP1851 外部的DL/DH MOSFET为什么需要各摆2颗MOSFET,主要用途为何?为什么需要DL/DH需要各摆2颗?就以ADP1850的BSC0902NS
2024-01-09 07:33:10
采用了LTC3789推荐电路设计的一款12V电源，该电源用于整车上，输入电源即为蓄电池（7－16V），在GND采用了MOSFET作为防反接，负载为2－3R加热线，采用200HZ的PWM控制，但是
2024-01-05 07:30:21
近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316 英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
MOSFET的并联使用
2023-12-19 09:40:33308 
目前想设计一个关于MOSFET的DG极驱动方案，存在问题为MOSFET可以正常开通，但无法关断，带负载时GS极始终存在4V电压无法关断MOSFET 。
电路图如下：
空载时，GS极两端电压：
是可以
2023-12-17 11:22:00
【科普小贴士】MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:16410 
Vishay 推出五款新型 10 MBd 低功耗高速光耦，有助于工业应用节能。
2023-12-08 09:27:10394 
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-05 10:33:32177 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 MOSFET栅极电路常见的作用有哪些？MOSFET栅极电路电压对电流的影响？ MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种非常重要的电子器件，广泛应用于各种电子电路中。MOSFET的栅极电路
2023-11-29 17:46:40571 mosfet工作原理 jfet和mosfet的区别 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种现代电子器件，常用于电子电路中的开关和放大器。它的工作原理与JFET（结型场效应晶体管）有很大
2023-11-22 17:33:301060 电子发烧友网站提供《Vishay创新型二极管在汽车电子中的应用.rar》资料免费下载
2023-11-10 10:00:17
0 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。
2023-11-09 17:39:10459 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:22319 国产新风尚！WAYON维安针对PC及PC电源推出MOSFET细分产品
2023-11-01 15:10:01231 
金氧半场效晶体管（MOSFET）凭借其通用性和广泛用途跻身于最受欢迎的晶体管之列。欧时电子指南将详述这类晶体管的工作机制，并提供关于使用和选择恰当MOSFET类型的实用建议。
2023-10-26 10:36:16481 
Littelfuse宣布推出首款汽车级PolarP P通道功率MOSFET产品 IXTY2P50PA。这个创新的产品设计能满足汽车应用的严苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中，栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121367 Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 美格纳半导体公司 宣布推出两款基于其第8代沟槽MOSFET技术的新型150V MXT MV 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格纳极限沟槽
2023-10-12 17:15:09736 管输入端(栅极)的驱动电路要比双极型晶体管的基极驱动电路简单得多。而且MOSFET管没有存储时间，就避免了复杂的 Baker 钳位电路和比例基极驱动电路。另外，双极型晶体管β值在制造过程中可能相差达4
2023-09-28 06:33:09
V Vishay 推出新型 6 A、20 A 和 25 A microBRICK 同步降压稳压器，用来提高负载点 (POL) 转换器的功率密度和效率。 Vishay SiliconixSiC931
2023-09-15 10:41:09545 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。
2023-09-07 09:59:32731 
。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431202 
MOSFET处于导通状态下的阻抗。导通阻抗越大，则开启状态时的损耗越大。因此，要尽量减小MOSFET的导通阻抗。
2023-09-06 10:47:40590 
稳定性和效率兼备，雷卯MOSFET改变您的产品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出三款适用于遥控系统的新系列微型红外（IR）传感器模块---双透镜TSMP95000和单透镜
2023-09-04 15:31:00463 
— 2023 年 8 月 17 日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内先进的标准整流器与瞬变电压抑制器（TVS
2023-08-18 15:30:38475 
2023 年8 月18 日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 供应多款Vishay针对汽车应用设计的产品
2023-08-18 14:56:07372 
随着现代电子设备对小型化和高效率的要求不断提高,对电源管理芯片的技术也提出了更高要求。针对此趋势,安森德半导体公司推出了新一代异步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。这款100V N沟道功率MOSFET凭借其卓越的静态和动态性能参数,将助您的设计实现更高功率密度和转换效率。
2023-08-14 15:04:45367 
Vishay 推出一种用于工业、计算机、消费和移动应用领域的新型反射式光传感器。
2023-08-11 12:32:58538 OC5822 是一款内置功率 MOSFET的单片降压型开关模式转换器。OC5822在 6-60V 宽输入电源范围内实现 1.5 A 最大输出电流，并且具有出色的线电压和负载调整率。OC5822 采用
2023-07-29 14:13:39
MOSFET是电路中非常常见的元件，常用于信号开关、功率开关、电平转换等各种用途。由于MOSFET的型号众多，应用面广，本文将详细介绍MOSFET选型原则以及mosfet选型要考虑的因素。
2023-07-20 16:33:44734 继先后推出成熟化的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模块产品后，2023年7月 森国科正式对外推出650V超结MOSFET系列新品 ，相较于传统的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
シリコン NチャネルMOSFET シリーズ 電力スイッチング
2023-07-07 19:38:430 Vishay 推出两款新型固定增益红外(IR)传感器模块，降低成本并提高室外传感器应用稳定性。表面贴装式 TSSP93038DF1PZA 和引线式 TSSP93038SS1ZA 采用小型 Minimold 封装，典型光照强度为 1.3 mW/m²，可在阳光直射下稳定工作，同时感光度足以支持光栅应用。
2023-07-07 10:26:28415 Vishay 推出五款新系列 60V、100V 和 150V 表面贴装沟槽式 MOS 势垒肖特基（TMBS）整流器，这些器件采用薄型易于吸附焊锡的侧边焊盘 DFN3820A 封装。VxNL63
2023-07-07 10:24:59653 
日前发布的Vishay General Semiconductor整流器首度采用Vishay新型Power DFN系列DFN3820A封装，占位面积3.8 mm x 2.0 mm，典型厚度仅为
2023-07-07 10:00:39447 
Q A 问： Vishay热敏电阻的计算工具 (阻值-温度表) Vishay 热敏电阻的计算工具为Vishay 的许多 NTC 热敏电 提供了一个电阻-温度表。此免费工具可下载到任何一台
2023-07-05 20:05:09295 
据麦姆斯咨询报道，近日，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新型固定增益红外（IR）传感器
2023-06-29 09:37:12404 Vishay 推出四款新系列200 V FRED Pt 超快恢复整流器，这些器件采用薄型易于吸附焊锡的侧边焊盘 DFN3820A封装。1 A VS-1EAH02xM3
2023-06-21 17:25:00523 
Vishay Draloric RCS0805 e3 器件通过 AEC-Q200 认证 节省电路板空间的同时 减少元器件数量 降低加工成本 Vishay 推出加强版 0805 封装抗浪涌厚膜电阻器
2023-06-21 11:56:03631 
Vishay Techno CDMA 系列电阻 节省空间型器件采用小型 2512 封装 工作电压达 1415 V 适用于汽车和工业应用 Vishay 推出新系列小型 2512 封装汽车级厚膜片
2023-06-21 07:40:00525 Vishay 新型 Power DFN 系列 DFN3820A 封装 汽车级 200V、400V 和 600V 器件高度仅为 0.88 mm 采用可润湿侧翼封装 改善热性能并提高效率 Vishay
2023-06-21 07:35:00509 
推出新系列汽车级 vPolyTan 表面贴装聚合物钽模塑片式电容器。 通过 AEC-Q200 认证的 Vishay Polytech T51 系列 电容器提高了高温高湿工作条件下的性能，降低了等效
2023-06-21 06:10:00529 
Vishay 的 WSL 系列采样电阻采用全合金设计，功率可达 15W，同时具有低于 20ppm 的温漂系数，以及低于 3 微伏每摄氏度的热电动势系数，此外我们还提供四端子设计以帮助客户提高电流检测精度和长期可靠性。
2023-06-14 14:39:01361 
Vishay VOMDA1271 器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平 Vishay 推出一款业内先进的新型汽车级光电压输出光耦，用于 MOSFET
2023-06-09 10:10:01426 
Vishay VOMDA1271 器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平 Vishay 推出一款业内先进的新型汽车级光伏 MOSFET 驱动器
2023-06-08 19:55:02374 
【 2023 年 5 月 12 日，德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌
2023-06-06 11:01:361026 
Vishay MCB ISOA 器件通过 AEC-Q200 认证 采用 SOT-227 小型封装 可直接安装在散热器上 具有高脉冲处理能力 功率耗散达 120 W Vishay 推出一款通过
2023-06-03 08:25:02533 
MOSFET的种类有哪些 1. Enhancement MOSFET（增强型MOSFET） 2. Depletion MOSFET（耗尽型MOSFET） 3. MOSFET
2023-06-02 14:15:36937 Nexperia | 推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合 基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 Vishay 新型第三代 650V SiC 二极管 器件采用 MPS 结构设计 额定电流 4 A~ 40 A 正向压降、电容电荷和反向漏电流低 Vishay 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合
2023-05-24 17:09:59684 
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种场效应晶体管，这意味着它通过使用电场来控制电流。MOSFET 通常有三个端子：栅极、漏极和源极。漏极和源极之间传导的电流通过施加到栅极的电压进行控制
2023-05-24 11:19:06720 MOSFET(MOS管)中的“开关”时间可以改变电压吗？
2023-05-16 14:26:16
功率MOSFET怎样关断？能否用PWM实现？怎样实现？
2023-05-08 16:16:27
MOSFET已成为最常用的三端器件，给电子电路界带来了一场革命。没有MOSFET，现在集成电路的设计似乎是不可能的。
2023-05-08 09:43:17304 
我正在尝试使用 ESP-01 驱动 MOSFET 来控制 12V 电源。附上原理图。这是我的简单代码 -
代码：全选#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288 
MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18
OC5822 是一款内置功率 MOSFET的单片降压型开关模式转换器。OC5822在6-60V 宽输入电源范围内实现 1.5 A最大输出电流，并且具有出色的线电压和负载调整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54
OC5864 是一款内置功率 MOSFET0.6A 的峰值输出电流的单片降压型开关模式转换器。OC58640.9Q 的内部功率 MOSFET在 5.5-60V 宽输入电源范围内实现 0.6 A峰值
2023-04-07 16:43:02
KUU推出超小型SOT-723封装MOSFET，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代MOSFET，这些新低阈值电压MOSFET采用KUU先进的沟槽工艺技术来取得能够和SOT-523等大上许多
2023-04-04 16:10:39987 
您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片内部使用的 MOSFET 的 IV 特性，该 MOSFET 开关用于数据输出链中的反向散射。有人可以提供这些数据吗？非常感谢~
2023-03-31 07:53:20
Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出加强版0805封装抗浪涌厚膜电阻器Vishay Draloric RCS0805 e3，额定功率高达0.5
2023-03-29 17:00:06694 
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