制造商:Vishay
产品种类:平面电阻器 - 底架安装
RoHS:
电阻:100 Ohms
功率额定值:800 W
端接类型:Solder Pad
长度:48.26 mm
宽度:26.42 mm
2026-01-05 11:37:39
IRSM836 - 044MA集成功率模块:小身材大能量,助力家电电机驱动 在电子工程师的设计生涯中,为家电电机驱动寻找合适的功率模块是一项关键任务。今天,我们就来深入探讨国际整流器公司
2025-12-17 16:20:02
164 W)供电:+12 VDC,静态电流 720–1500 mA输入/输出:50 Ω 匹配,SMA 母头无需外部偏置网络:简化了系统设计,降低了成本。集成功率检测与过压/过流保护:提高了系统的安全性
2025-11-28 09:20:44
Vishay MCB HRHA充电电阻器(用于EV混合绕线技术)具有高能量/体积比,符合AEC-Q200标准。Vishay MCB HRHA充电电阻器设计用于工业和汽车电器中的预充电、放电和有源放电
2025-11-17 10:35:21
348 Vishay/Sfernice PEP功率增强型薄膜片式电阻器具有39Ω至900kΩ宽电阻范围,耐受温度高达+250°C。这些电阻器设计用于大功率应用,具有低噪声、出色的稳定性、低电阻温度系数
2025-11-17 10:26:52
402 
描述
H8064A 一款宽电压范围降压型 DC-DC 电源管理芯片,内部集成功率 MOS 管、使能开关控制、基准电源、误差放大器、过热保护、限流保护、短路保护等功能,非常适合宽电压输入降压
2025-11-14 18:24:43
Vishay VCNL36828P接近传感器集成了垂直腔面发射激光器(VCSEL)、光电二极管和特定应用集成电路(ASIC)。Vishay VCNL36828P传感器设计用于需要双从地址、低功耗
2025-11-14 11:19:00
468 
焊接结构和专有处理技术,可实现400µΩ至500mΩ的低电阻值。电阻器结构耐硫,不受高硫环境的影响。WSL2512系列包括高温和大功率型号。Vishay/Dale WSL2512电源金属带电阻器是所有类型电流传感、脉冲和分压应用的理想选择。
2025-11-14 10:50:30
375 
Vishay/Sfernice RCH功率电阻器设计用于安装到散热器上,并承受较高的短时过载。这些电阻器采用金属陶瓷厚膜技术制造,具有出色的特性。RCH功率电阻器为无电感电阻器,特别适合用于高频
2025-11-13 15:57:49
377 
Vishay Semicductors SiC544 40A VRPower^®^ 集成功率级专为大电流、高效率和高功率密度同步降压应用而设计。Vishay Semiconductors
2025-11-13 15:00:01
348 
Vishay VSMA1094750X02大功率红外发光二极管是星形产品组合的一部分,设有波长为940nm的红外发光二极管。Vishay VSMA1094750X02设计采用双堆叠发射器芯片。该器件
2025-11-13 14:52:00
385 Vishay SiRS5700DP N沟道150V(D-S)MOSFET是一款TrenchFET®第五代功率MOSFET,具有非常低的R~DS~ x Q~g~ 品质因数(FOM)。Vishay
2025-11-13 11:21:53
430 
Vishay/Dale IFDC-5050HZ屏蔽表面贴装器件(SMD)功率电感器采用12.3mmx12.3mmx8mm封装。这些SMD功率电感器采用屏蔽铁氧体结构,0A时电感范围为3.3μH至
2025-11-13 10:19:04
391 
Vishay/Dale IFSC-3232DB-01半屏蔽SMD功率电感器采用半屏蔽绕线铁氧体结构,采用SMD封装,外形尺寸为8mm x 8mm x 4.2mm。 这些电感器在0A时的电感为0.9
2025-11-13 09:49:18
381 Vishay/Dale IFSC-2020DE-01半屏蔽SMD功率电感器采用半屏蔽绕线铁氧体结构,采用6mmx6mmx4.5mm SMD封装。这些半屏蔽电感器在0A时的电感为1μH至470μH
2025-11-12 16:50:51
503 Vishay VLMB2332和VLMTG2332标准SMD MiniLED采用预成型 封装,引线框架封装在明亮的白色热塑性塑料中。Vishay VLMB2332和VLMTG2332具有2.2mmx1.3mmx1.4mm的紧凑尺寸。迷你LED非常适用于设计用于苛刻环境的小型大功率产品,可靠性高。
2025-11-12 16:32:16
516 Vishay/Dale IHLL-1008AB-1Z商用和IHLP-1008ABEZ-5A汽车用功率电感器采用节省空间的2.5mmx2mmx1.2mm SMD封装,直流电阻低至12mΩ(典型值
2025-11-12 14:48:55
425 
Vishay/MCB Industrie RAMK/RAME USB编码器接口是一款设计用于Vishay MCB编码器(AMK和RAME系列,包括霍尔效应)的电子板。该接口板只需使用随附的USB
2025-11-12 11:51:54
549 Vishay/Sfernice D2TO35 SMD厚膜功率电阻器符合AEC-Q200标准,+25°C时的额定功率为35W。此系列无感电阻器采用表面贴装TO-263 (D2^^PAK) 型封装,宽
2025-11-12 10:38:47
429 
Vishay/Dale WSLF1206功率金属条电阻器采用专有生产工艺,产生的电阻值低至0.3mΩ 至3mΩ 。该电阻器由固态金属锰铜和镍铬铝合金制成,带电阻元件。WSLF1206系列具有非常低
2025-11-12 10:08:01
378 Vishay/Dale IFSC2020DE-02屏蔽型SMD铁氧体功率电感器采用表面贴装封装,尺寸为6mmx6mmx4.5mm。IFSC2020DE-02电感器采用绕线铁氧体磁芯,采用嵌入式铁氧
2025-11-11 15:54:40
538 
Vishay/Dale IFSC-2020BZ-01半屏蔽SMD功率电感器采用薄型紧凑设计,尺寸为5mmx5mmx2mm。这些表面贴装电感器效率高,采用半屏蔽铁氧体结构。Vishay/Dale
2025-11-11 15:42:54
585 
Vishay/Dale IFSC1616AH-01屏蔽型SMD铁氧体功率电感器采用薄型设计,采用绕线铁氧体磁芯,采用铁嵌入环氧树脂封装,用于磁屏蔽。该电感器的电感范围为0.33μH至330μH,采用
2025-11-11 15:36:24
416 
Vishay/Dale IMSC1008AZ半屏蔽SMD功率电感器采用薄型封装,最大尺寸为2.5mmx2mmx1mm。这些表面贴装电感器采用半屏蔽、金属基结构,实现稳定的饱和。该系列还具有低磁芯损耗
2025-11-11 15:25:04
328 
Vishay/Dale IDCS3014铁氧体功率电感器采用屏蔽、组装的铁氧体结构,封装尺寸为7.6mmx7.6mmx3.5mm。IDCS3014系列的电感范围为3.μH至1000μH,电感容差为
2025-11-11 15:05:09
391 
Vishay/Dale IFSC2020DZ-01和IFSC3232DB-02功率电感器采用表面贴装器件(SMD)端接类型和5mmx5mmx4mm尺寸封装。该电感器的电感范围为0.22μH至10μH
2025-11-11 14:22:19
307 
Vishay/BLUETOOTH IHLL-0806AZ-1Z功率电感器可处理高瞬态电流尖峰而不会导致 电感饱和。该款电感器采用磁保护复合材料制造而成。IHLL-0806AZ-1Z功率电感器采用
2025-11-11 14:12:40
358 
Vishay IHV功率电感器是大电流和径向引线滤波电感器。这些电感器的额定电感高达200μH,最大直流电流范围为20A至60A。IHV滤波电感器在空载条件下的工作温度范围为-55°C至125°C
2025-11-11 11:23:15
469 
Vishay Semicductors SiC674 55A VRPower^®^ 集成功率级专为同步降压应用而设计,可提供大电流、高效率和高功率密度,并将关断电流降至最低。Vishay
2025-11-11 10:25:45
352 
Vishay Semicductors SiC653A 50A VRPower^®^ 集成功率级针对同步降压应用进行了优化,可提供大电流、高效率和高功率密度。Vishay
2025-11-11 10:16:53
381 
Vishay ISOA200厚膜功率电阻器是AEC-Q200合规电阻器,工作温度范围为-55°C至+150°C。Vishay ISOA200厚膜功率电阻器具有没有外部辐射的冷系统。这些无感电
2025-11-11 09:36:33
388 Vishay SiC658A 50A VRPower ^®^ 集成功率级具备高效率和出色的散热性能,非常适合大电流应用。Vishay SiC658A凭借先进的MOSFET技术,可确保最佳电源转换并
2025-11-10 11:35:58
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Vishay/BC Components器件由焊接连接的均质陶瓷PTC组成,封装在UL 94V-0认证的PPS-GF外壳中。PTCES系列包括标准240J和高能340J选项,可提供大量的浪涌功率循环。
2025-11-10 10:38:57
361 
验收测试以及广泛的规格范围。Vishay RNC55电阻器提供350V最大工作电压、0.5W最大额定功率,以及 ±0.1%、 ±0.5%和 ±1%公差。
2025-11-10 09:23:43
394 
Vishay 汽车0201厚膜片式电阻是e3标准厚膜电阻器,符合汽车环境AEC-Q200要求。规格包括0201尺寸、10Ω 至1MΩ 电阻范围、0.05W额定耗散功率、30V工作电压额定值以及-55°至+155°的工作温度范围。Vishay汽车0201厚膜片式电阻适用于汽车、电信和工业应用。
2025-11-09 17:32:45
982 
电子发烧友网综合报道 在全球能源结构加速转型的背景下,储能系统作为支撑新能源并网与电力调峰的核心载体,正经历着从功能实现向高效集成的技术跃迁。 其中,功率器件集成功率模块的广泛应用,成为推动储能
2025-10-23 08:26:00
4444 电子发烧友网为你提供()高功率 ( 23 dBm) 802.11ax 超线性 WLAN 功率放大器,带集成功率检测器相关产品参数、数据手册,更有高功率 ( 23 dBm) 802.11ax 超线性
2025-10-16 18:32:11

电子发烧友网为你提供()集成功率检测器的高功率 802.11ac WLAN 功率放大器相关产品参数、数据手册,更有集成功率检测器的高功率 802.11ac WLAN 功率放大器的引脚图、接线图、封装
2025-10-16 18:31:54

单芯片功率集成电路的数据手册通常会规定两个电流限值:最大持续电流限值和峰值瞬态电流限值。其中,峰值瞬态电流受集成功率场效应晶体管(FET)的限制,而持续电流限值则受热性能影响。数据手册中给出的持续
2025-10-11 08:35:00
5166 
电子发烧友网为你提供()高功率 ( 19 dBm) 802.11ac WLAN 功率放大器,带集成功率检测器相关产品参数、数据手册,更有高功率 ( 19 dBm) 802.11ac WLAN
2025-10-10 18:33:15

电子发烧友网为你提供()高功率 ( 22 dBm) 802.11ac WLAN 功率放大器,带集成功率检测器相关产品参数、数据手册,更有高功率 ( 22 dBm) 802.11ac WLAN
2025-09-25 18:34:42

的隔离式设计中对单独的隔离式电源的需求。如果需要额外功率,Texas Instruments ISOW7721支持多器件链接,在系统中使用两个器件将集成功率输出提高到>1W。
2025-09-11 15:36:48
743 
Texas Instruments CSD95420RCB降压NexFET™功率级经过高度优化,用于大功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了驱动器器件和功率MOSFET,可完成功率级开关功能。该
2025-09-03 14:58:58
679 
近日,在由elexcon深圳国际电子展暨嵌入式展和电子发烧友网联合主办的“2025半导体市场创新表现奖”评选中,ADI集成功率监控器的高功率正热插拔控制器LTC4287荣获“年度优秀模拟芯片产品奖”
2025-08-29 14:14:19
1692 Texas Instruments CSD96416同步降压NexFET™功率级是高度优化的设计,用于大功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了驱动器IC和功率MOSFET,可完成功率级开关功能。该
2025-08-28 13:54:34
675 
Texas Instruments CSD95411同步降压NexFET™功率级是高度优化的设计,用于大功率、高密度同步降压转换器。该器件集成了驱动器IC和功率MOSFET以完成功率级转换功能。该
2025-08-28 11:00:24
678 
H8012A 是一款宽电压范围实地架构降压型 DC-DC 电源管理芯片,具备 100V 高耐压,支持 2A 输出,采用自举供电设计,动态负载性能优异。
芯片采用ESOP-8 封装,内部集成功率
2025-08-28 10:28:41
H8012A 是一款宽电压范围实地架构降压型 DC-DC 电源管理芯片,高耐压100V,支持 2A 输出,自举供电,动态负载良好。采用ESOP-8封装,内部集成功率 MOS 管、使能开关控制、基准
2025-08-27 16:34:42
达 15 dB。集成功率检测器: 方便监测输出功率。 CHA6551-99F 不仅拥有
2025-08-27 16:00:51
Texas Instruments CSD96415同步降压NexFET™功率级是高度优化的设计,用于大功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了驱动器IC和功率MOSFET,可完成功率级开关功能。该
2025-08-27 14:46:48
583 
H8064A 是一款宽电压范围实地架构降压型 DC-DC 电源管理芯片,耐压 60V、支持 4A 大电流输出,内部集成功率 MOS 管、使能开关控制、基准电源、误差放大器及过热、限流、短路保护
2025-08-25 11:56:29
H8062A是一款宽电压范围降压型 DC-DC 电源管理芯片,内部集成功率 MOS 管、使能开关控制、基准电源、误差放大器、过热保护、限流保护、短路保护等功能,非常适合宽电压输入降压使用。H8062A带使能控制,可以大大节省外围器件,更加适合电池场合使用,具有很高的方案性价比。
2025-08-15 14:14:34
H8000是一款宽电压范围降压型 DC-DC 电源管理芯片,内部集成功率 MOS 管、使能开关控制、基准电源、误差放大器、过热保护、限流保护、短路保护等功能,非常适合宽电压输入降压使用。H8000带使能控制,可以大大节省外围器件,更加适合电池场合使用,具有很高的方案性价比。
2025-08-13 16:47:54
Texas Instruments CSD95410 NexFET™ 智能功率级是一种高度优化的设计,适用于高功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了驱动IC和功率MOSFET来完成功率级开关功能
2025-08-12 09:50:36
809 
CSD96370Q5M NexFET 功率级经过优化设计,适用于高功率、高密度 同步降压转换器。该产品集成了增强型栅极驱动器IC和电源模块技术,以完成功率级开关功能。这种组合可产生高电流、高效率
2025-08-08 09:48:15
835 
CSD97370Q5M NexFET 功率级是一种优化设计,适用于高功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了增强型栅极驱动器IC和电源模块技术,以完成功率级开关功能。这种组合可产生高电流、高效率
2025-08-08 09:37:49
661 
CSD97370AQ5M NexFET 功率级经过优化设计,适用于高功率、高密度 同步降压转换器。该产品集成了增强型栅极驱动器IC和电源模块技术,以完成功率级开关功能。这种组合可产生高电流、高效率
2025-08-08 09:26:30
776 
CSD96371Q5M NexFET 功率级采用优化设计,可用于高功率高密度同步降压转换器。该产品集成了栅极驱动器IC和功率MOSFET,以完成功率级开关功能。这种组合在小型 5 mm × 6 mm
2025-08-08 09:11:55
805 
CSD95372AQ5M NexFET™ 功率级是一个 高度优化的设计,适用于高功率、高密度同步降压转换器。这 产品集成驱动IC和NexFET技术,完成功率级开关 功能。驱动IC内置可选二极管仿真
2025-08-07 15:40:23
845 
CSD95373AQ5M NexFET™ 功率级是一个 高度优化的设计,适用于高功率、高密度同步降压转换器。这 产品集成驱动IC和NexFET技术,完成功率级开关 功能。驱动IC内置可选二极管仿真
2025-08-07 14:13:21
818 
CSD95372BQ5M NexFET™ 智能功率级是一种高度优化设计,用于高功率、高密度同步降压转换器。本产品集成了驱动 IC 和功率 MOSFET,以完成功率级开关功能。 这 组合可在小型封装
2025-08-07 14:06:00
842 
CSD95378BQ5M NexFET™ 智能功率级是一种高度优化的设计,适用于高功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了驱动IC和功率MOSFET,以完成功率级开关功能。这种组合在小型
5 mm
2025-08-07 14:00:27
884 
CSD95372BQ5MC NexFET™ 智能功率级是一款高度 优化设计,适用于高功率、高密度同步降压转换器。本产品 集成驱动IC和功率MOSFET,完成功率级开关功能。这 组合可在小范围内产生
2025-08-07 13:53:44
786 
CSD95378BQ5MC NexFET™ 智能功率级是一种高度优化的设计,适用于高功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了驱动 IC 和功率 MOSFET,以完成功率级开关功能。这种组合在小型 5
2025-08-07 13:49:26
784 
CSD95373BQ5M NexFET™ 智能功率级是一种高度优化的设计,适用于高功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了驱动IC和功率MOSFET,以完成功率级开关功能。这种组合在小型 5 mm
2025-08-07 13:44:07
882 
CSD95377Q4M NexFET™ 功率级是一种高度优化的设计,适用于高功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了驱动IC和功率MOSFET,以完成功率级开关功能。驱动IC内置可选二极管仿真功能
2025-08-07 10:54:14
845 
CSD95472Q5MC NexFET™ 智能功率级是一款高度 优化设计,适用于高功率、高密度同步降压转换器。本产品 集成驱动IC和功率MOSFET,完成功率级开关功能。这 组合可在小范围内产生
2025-08-07 10:33:41
831 
CSD96497 NexFET™ 功率级是一种高度优化的设计,适用于高功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了驱动IC和功率MOSFET,以完成功率级开关功能。这种组合在小型 5 mm × 6 mm
2025-08-07 10:19:06
876 
CSD95410NexFET™ 功率级是一种高度优化的设计,适用于高功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了驱动IC和功率MOSFET,以完成功率级开关功能。这种组合在小型 5 mm × 6 mm
2025-08-07 09:54:52
863 
CSD95420RCBNexFET™ 功率级针对高功率、高密度同步降压转换器进行了高度优化。该产品集成了驱动器件和功率 MOSFET,以完成功率级开关功能。这种组合在 4 mm × 5 mm 的小型
2025-08-07 09:48:00
839 
CSD96415RWJ NexFET™ 功率级是一种高度优化的设计,适用于高功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了驱动器件和功率 MOSFET,以完成功率级开关功能。这种组合在 5 mm × 6
2025-08-07 09:40:33
834 
CSD96416 NexFET™ 功率级是一种高度优化的设计,适用于高功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了驱动器和功率MOSFET,以完成功率级开关功能。这种组合在小型 5 mm × 6 mm
2025-08-07 09:33:14
809 
CSD95411 NexFET™ 功率级是一种高度优化的设计,可与高功率、高密度同步降压转换器配合使用。该器件集成了驱动IC和功率MOSFET,以完成功率级开关功能。这种组合在小型 5 mm × 6
2025-08-07 09:21:11
907 
之际,晶丰明源推出革新Smart DrMOS智能集成功率器件芯片,在高效率、高密度与智能化电源管理领域取得关键性突破,凭借其全集成设计、卓越的高性能表现以及低静态功耗等核心优势,显著提升了系统能效,为核心处理器打造了高效可靠的电源管理系统。
2025-06-10 09:22:52
1476 
你知道吗?把设计好的芯片图纸变成实物,这个关键步骤叫“流片”。但最近行业曝出一个惊人数据:2025年,芯片第一次流片的成功率只有14%!相比两年前的24%,几乎“腰斩”。这背后,作为深耕分立器件封测
2025-06-03 17:50:22
850 近日,索尼(中国)有限公司正式发布新款双芯超旗舰头戴降噪耳机——WH-1000XM6。
2025-05-20 09:47:35
1797 AT2401C高度集成射频前端芯片,支持2.4GHz频段,集成功率放大器和低噪声放大器等模块,适用于智能家居、工业传感和医疗设备,具备低功耗、高性能和抗干扰特性,助力快速开发与成本优化。"
2025-04-24 17:48:50
1278 新闻亮点: ·新款发布的具有电源路径保护功能的 48V 集成式热插拔电子保险丝简化了数据中心设计,助力设计人员达到 6kW 以上的功率水平。 ·新型集成式氮化镓 (GaN) 功率级采用行业标准
2025-04-09 14:38:46
516 
近日,2025三星家电新品发布会成功举行,焕新推出2025 Neo QLED 8K/4K、OLED与新款The Frame画壁艺术电视,以及AI神系列生活家电、显示器旗舰新品等全系生态产品。三星以
2025-03-25 14:42:28
1160 HMC8142是一款集成温度补偿片内功率检波器的E频段砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、中等功率放大器,工作频率范围为81 GHz至86 GHz
2025-03-12 14:55:50
902 
HMC7543是一款集成式E波段的砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)中等功率放大器,集成温度补偿型片上功率检波器,工作频率范围为71 GHz至76 GHz
2025-03-12 14:42:35
1052 
HMC952ALP5GE是一款集成温度补偿片内功率检波器的四级GaAs pHEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为8至14 GHz。该放大器提供32 dB增益,+34.5 dBm饱和输出功率
2025-03-12 10:53:17
864 
HMC7229CHIPS是一款集成温度补偿片内功率检波器的四级、砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、1 W功率放大器,工作频率范围为33 GHz至40
2025-03-12 09:38:47
852 
服务成功率:指用户所请求的服务成功完成的几率。
2025-02-13 09:55:27
1453 
苹果公司即将迎来其智能手机产品线的新成员——新款iPhone SE。据消息透露,这款新设备最早将于下周在苹果官方网站上发布,并计划在本月晚些时候正式上市销售。
2025-02-08 16:52:27
1503 HMC7543是一款集成式E波段的砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)中等功率放大器,集成温度补偿型片上功率检波器,工作频率范围为71 GHz至76 GHz
2025-02-07 10:56:11
一、光敏电阻的工作原理 光敏电阻,又称光导管,是一种基于光电效应的电子元件,其工作原理是利用光敏材料对光的敏感性来改变其电阻值。光敏电阻通常由一块半导体材料制成,例如硫化镉(CdS)或硒化镉
2025-01-31 16:21:00
3489 的功率输出和更优的音质表现。本文将深入探讨功放变压器换成功率更大的可行性、具体更换步骤以及需要注意的事项,旨在为相关领域的工程师和爱好者提供有价值的参考。
2025-01-29 16:37:00
33391 Flex Power Modules推出了BMR510两相集成功率级模块的升级版本。新款BMR5101041/002不仅提升了效率,还将峰值电流从140A增加至160A,而且还包含了528µF板载
2025-01-24 14:42:41
1095 XS2100S 为用电设备(PD)提供符合以太网供电(PoE)系统 IEEE802.3af/at 标准的完整接口。XS2100S为 PD 提供检测信号、分级信号以及带有浪涌电流控制的集成隔离功率开关
2025-01-23 16:17:22
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型的光敏电阻 硫化镉(CdS)光敏电阻 优点 : 灵敏度高,对可见光和近红外光有良好的响应。 价格相对便宜,适合大规模生产。 体积小,易于集成到各种设备中。 缺点 : 稳定性较差,长时间暴露在光照下可能会发生性能退化。 对温度变化敏感,需
2025-01-13 09:43:35
2103 光敏电阻的安装方法 1. 选择合适的光敏电阻 在安装光敏电阻之前,首先要根据应用需求选择合适的光敏电阻。不同的光敏电阻对不同波长的光有不同的响应,因此需要根据具体应用场景选择合适的光敏电阻。 2.
2025-01-13 09:41:19
2565 测试光敏电阻的性能是一个系统而细致的过程,涉及多个方面的参数测量与评估。以下是对光敏电阻性能测试的详细步骤和方法: 一、基础测试 暗阻检测 :在无光照条件下测量光敏电阻的阻值。这通常使用万用表进行
2025-01-13 09:34:13
3208 光敏电阻在环境监测中具有广泛的应用,主要得益于其能够将光照强度转化为电阻值变化的特性。以下是对光敏电阻在环境监测中应用的介绍: 一、光敏电阻的工作原理 光敏电阻是一种基于内光电效应的半导体元件,其
2025-01-13 09:31:37
1849 1. 引言 在现代电子技术中,传感器扮演着至关重要的角色。它们能够将物理量转换为电信号,从而实现对环境的监测和控制。光敏电阻和电压传感器是两种常见的传感器,它们各自在不同的应用场景中发
2025-01-13 09:19:57
1280 在现代工业自动化和控制系统中,传感器技术扮演着至关重要的角色。光敏电阻作为一种经济且响应迅速的光电传感器,被广泛应用于各种工业控制场景中。 光敏电阻的定义 光敏电阻是一种电阻值随入射光强度变化而变化
2025-01-13 09:18:38
1639 随着科技的发展,LED照明因其高效节能、寿命长、环保等优点被广泛应用于各种场合。光敏电阻作为感光元件,其在LED照明系统中扮演着重要角色,能够实现自动调光、节能和提高照明质量等功能。 光敏
2025-01-13 09:17:17
2116 光敏电阻是一种光电传感器,其电阻值会随着光照强度的变化而变化。它们广泛应用于自动控制、光强度测量、光通信等领域。选择合适的光敏电阻对于确保系统性能至关重要。 1. 光敏电阻的工作原理 光敏电阻主要
2025-01-10 18:11:04
2350 近日,优恩半导体(UNSEMI)成功研发并推出了其最新款固态继电器——UNRD0610。这款固态继电器集成了浪涌保护功能,为电路安全提供了更为可靠的保障。 UNRD0610固态继电器采用了先进
2025-01-08 14:12:55
1094 由于传统插件机引脚歪斜,导致抛料率高,减低插件成功率,提高了拋料率。环球仪器的Omni 插件机,则采用两项技术,提高插件成功率,减低拋料率。
2025-01-07 09:12:42
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