电子发烧友网站提供《30V N 沟道NexFET™ 功率MOSFET CSD17556Q5B数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 14:11:23
0 电子发烧友网站提供《双P沟道增强型mosfet TPS1120数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-19 09:19:010 电子发烧友网站提供《单P沟道增强型mosfet TPS1100数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-19 09:13:590 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 近日，全球知名的半导体及组件制造商Vishay宣布推出五款新型半桥IGBT功率模块，这些模块采用了经过改良设计的INT-A-PAK封装。新款产品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝”）近日宣布，其最新研发的DTMOSVI系列高速二极管型功率MOSFET已正式推出。该系列产品特别适用于数据中心和光伏功率调节器等关键应用的开关电源，展现了东芝在功率半导体领域的深厚实力与持续创新。
2024-03-12 10:27:36255 VBsemi推出的AFN4546WS8RG-VB是一款强劲的N-Channel功率MOSFET，拥有40V的耐压和10A的电流承载能力。在10V和20V的情况下，RDS(ON)分别为14mΩ，具有
2024-03-11 15:43:38
VBsemi引领推出的AFN4424WS8RG-VB是一款强大的N-Channel功率MOSFET，拥有40V的耐压和10A的电流承载能力。该器件在10V和20V的情况下，RDS(ON)分别为14m
2024-03-11 15:38:49
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08353 
电子发烧友网站提供《60 V，双N沟道沟槽MOSFET 2N7002AKS-Q数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 13:57:090 电子发烧友网站提供《20 V，双N沟道沟槽MOSFET PMDPB30XNA数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-20 10:03:240 电子发烧友网站提供《60 V，P沟道沟槽MOSFET BUK9D120-60P数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-20 10:02:240 IRL540NSPBF-VB是VBsemi品牌推出的N沟道场效应晶体管（N-Channel MOSFET），具有TO263封装。以下是详细参数说明和应用简介：**详细参数
2024-02-19 15:15:57
电子发烧友网站提供《NCE N沟道增强型功率MOSFET NCE3010S数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-24 11:06:590 功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。
2024-01-19 15:31:54218 与工作原理 功率MOSFET主要由四层结构组成：栅极（Gate）、漏极（Drain）、源极（Source）和氧化层（Oxide）。栅极与源极之间有一层绝缘的氧化层，漏极与源极之间有一层导电沟道。当栅极施加正向电压时，会在氧化层下方形成一个导电通道，使漏极和
2024-01-17 17:24:36294 
电子发烧友网站提供《60 V，N沟道沟槽MOSFET BSS138AK-Q数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-14 10:20:460 电子发烧友网站提供《60 V，N沟道沟槽MOSFET BSS138AKW-Q数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-14 10:11:070 。按导电沟道功率MOSFET可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。 MOSFET的主要特
2024-01-09 10:22:43112 
电子发烧友网站提供《60 V，N沟道沟槽MOSFET BXK9Q29-60A英文资料.pdf》资料免费下载
2024-01-04 14:22:260 电子发烧友网站提供《1200 V，80 mΩ，N沟道SiC MOSFET初步数据表.pdf》资料免费下载
2024-01-03 16:28:290 英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
电子发烧友网站提供《NSF040L3A0：1200伏，40米Ω,NN沟道SiC MOSFET应用指南.pdf》资料免费下载
2023-12-19 15:37:520 电子发烧友网站提供《NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N沟道SiC MOSFET一般说明.pdf》资料免费下载
2023-12-19 15:36:290 型号：AO4446-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数说明：- **N沟道：** 该器件是一种N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。- **工作
2023-12-19 10:43:33
- 门源电压（Vgs）范围：±20V- 阈值电压（Vth）：1.5V- 封装：SOP8应用简介：STN4828-VB是一款N沟道MOSFET，适用于中功率应用。它具有适
2023-12-18 11:54:00
型号：SUD50N04-8M8P-4GE3-VB丝印：VBE1405品牌：VBsemi参数说明：- MOSFET类型：N沟道- 额定电压：40V- 最大电流：85A- 导通电阻（RDS
2023-12-14 16:25:40
, 20Vgs (±V)- 阈值电压 (Vth)：1.6V- 封装：SOP8应用简介：AO4480-VB是一款N沟道MOSFET，具有较高的额定电压和电流特性，适
2023-12-14 14:48:13
Ω @ 4.5Vgs- 阈值电压（Vth）：0.8V 到 2.5V 可调- 封装类型：SOP8应用简介：AO4724-VB是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体
2023-12-14 09:27:08
Ω@4.5V, 20Vgs(±V)；1.5Vth(V)；SOP8NCE6005AS-VB是一款VBsemi品牌的N沟道功率MOSFET。它具有2个N沟道，工作电压为60V，
2023-12-13 15:01:50
- 门源极电压：20Vgs(±V)- 阈值电压：1.72Vth(V)- 封装：SOP8详细参数说明：APM4330KC-TRL-VB 是一款 N沟道功率MOSFET
2023-12-13 14:51:27
Vishay 推出五款新型 10 MBd 低功耗高速光耦，有助于工业应用节能。
2023-12-08 09:27:10394 
问一下，摇表分500V1000V2500V,都在什么情况下使用啊？
2023-11-24 08:04:50
硬件面试中有遇到过这样的事吗？通常让你画一个增强型的MOSFET，或是N沟道MOSFET或是P沟道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
N沟道MOSFET截止，电感电流下降，电感中的能量转移到电池中。当电感电流下降到外部电流检测电阻设置的下限时，外置N沟道MOSFET再次导通，如此循环。当BAT管脚电压第一次达到内部设置的8.4V
2023-11-21 12:14:43
型号 ZXMC4559DN8TA-VB丝印 VBA5638品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N+P沟道
2023-11-15 17:08:55
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。
2023-11-09 17:39:10459 中国上海， 2023 年 11 月 7 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备
2023-11-09 15:19:57663 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:22319 型晶体管，它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同，可以分为N沟道-增强型MOSFET、N沟道-耗尽型MOSFET、P沟道-增强型MOSFET、P沟道-耗尽型MOSFET四种类型。
2023-11-07 14:51:15638 
Ω@4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.78Vth 封装 SOP8应用简介 IRF8788TRPBF 是一款 N沟道MOSFET，适用于高电流的应用
2023-11-03 15:31:19
FDV303N是一款N沟道 MOSFET。这种器件通常用于开关和放大电路中，可以控制电流流动并放大信号。
2023-11-03 14:56:23293 
门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.72Vth 封装 SOP8应用简介 AO4430是一款N沟道MOSFET，适用于低电压和高电流的应用。其最大耐压为3
2023-11-03 11:26:46
型号 AFN4634WSS8RG丝印 VBA1303品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 18A 导通电阻 5mΩ @10V, 6.5m
2023-11-01 11:21:18
Ω @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.55Vth 封装 SOP8应用简介 AO4882是一款具有两个N沟道MOSFET的器件，适用于需要同时控制多个N
2023-10-31 15:35:39
型号 IRF7313TRPBF丝印 VBA3328品牌 VBsemi详细参数说明 类型 2个N沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 6.8A/6.0A 导通电阻 22m
2023-10-31 11:48:47
Ω @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 0.8~2.5Vth 封装 SOP8应用简介 IRF7413TRPBF是一款N沟道MOSFET，适用于中等电
2023-10-31 11:06:50
1.5Vth (V) 封装类型 SOP8应用简介 AO4828是一款双N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有较高的额定电压和额定电流能力，能够提供
2023-10-30 10:36:46
功率MOSFET选型的几点经验在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的，这里不作赘述，只对实际
2023-10-26 08:02:47373 
和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率
2023-10-18 09:11:42621 
， 电感电流检测单元,电池电压检测电路和内置场效应晶体管驱动电路等，具有外部元件少， 电路简单等优点。
当电池电压低于输入电压或电池短路时,YB5082 在内部N沟道MOSFET和P沟道MOSFET
2023-10-12 15:36:55
输出、输出功率1~~~3W的隔离电源。
VPS8504N内部集成振荡器，提供一对高精度互补信号以驱动两个N沟道MOSFET。芯片内部按照对称结构设计，能有效确保两个功率MOSFET的高度对称性，避免
2023-10-12 09:38:22
的 TRIAC 调光性能
• 最低的物料成本
• 恒定电流 LED 驱动器
• 集成 500V MOSFET
• 内部高压快速启动
• 单个绕组电感
• 高功率因数（>0.7）
• 出色的 LED
2023-10-09 11:55:40
MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09:39
电子发烧友网站提供《BUK4D50-30P P沟道沟槽式MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-27 11:35:370 电子发烧友网站提供《PSMN2R6-80YSF N沟道MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-27 09:32:500 电子发烧友网站提供《BUK6D16-30E N沟道沟槽式MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-26 15:43:170 。ZXMS6008N8 非常适合在标准 MOSFET 不够坚固的恶劣环境中作为由 3.3V 或 5V 微控制器驱动的通用开关。 产品规格 品
2023-09-25 11:11:04
电子发烧友网站提供《P沟道增强模式功率MOSFET G040P04M规格书.pdf》资料免费下载
2023-09-19 17:29:110 V Vishay 推出新型 6 A、20 A 和 25 A microBRICK 同步降压稳压器，用来提高负载点 (POL) 转换器的功率密度和效率。 Vishay SiliconixSiC931
2023-09-15 10:41:09545 
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
雪崩强度是MOSFET的一种特性。在MOSFET的漏极和源极之间施加超过VDSS的电压，但是MOSFET的性能没有被破坏。此时施加在其上的能量称为雪崩能量[Avalanche energy]，流过的电流称为雪崩电流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保证雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 
垂直导电平面结构功率MOSFET管水平沟道直接形成JFET效应，如果把水平的沟道变为垂直沟道，从侧面控制沟道，就可以消除JFET效应。
2023-08-28 10:10:392917 
功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。
2023-08-25 10:07:56188 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:10600 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-22 11:03:21557 
STF140N6F7内容简介STF140N6F7 是ST/意法的一款功率MOSFET电子元器件，为广泛的电压范围（30V至350V）应用提供了卓越的解决方案。采用TO-220FP封装，以其N沟道结构
2023-08-21 16:34:33
（Ta=25°C）：70W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 4A。应用场景：适用于高效率开关电源、电机驱动器和照明应用等，可用于电源因数校正（PFC）电路中
2023-08-21 10:49:56
SLH60R028E7是一款600VN沟道多层外延工艺的超结MOS，由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，故在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要
2023-08-18 08:32:56513 
随着现代电子设备对小型化和高效率的要求不断提高,对电源管理芯片的技术也提出了更高要求。针对此趋势,安森德半导体公司推出了新一代异步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。这款100V N沟道功率MOSFET凭借其卓越的静态和动态性能参数,将助您的设计实现更高功率密度和转换效率。
2023-08-14 15:04:45367 
自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流 限制、输出过压保护、过热保护、过载保护和VDD过压保护等。
集成 500V 高压 MOSFET 和高压启动电路
特性：
集成 500V 高压 MOSFET
2023-08-03 14:48:21
这是600W MOSFET功率放大器的电路图。该电路将为阻抗为 4 欧姆的扬声器提供超过 600 瓦的音频输出。该高功率放大器电路仅在输出级使用6个N沟道MOSFET IRFP450，即可为您提
2023-07-28 17:04:191357 
功率MOSFET的类型：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。当栅极电压为零时，有导电通道和增强型。对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零，功率MOSFET主要是N沟道增强。
2023-07-04 16:50:23881 
X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路[1]等应用。该产品于今日开始支持批量出货。 TPH3R10AQM具有业界领先的[2]3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻，比东芝目前100V产品“
2023-07-03 14:48:14477 
在H桥电路中实现P沟道MOSFET可能看起来既简单又诱人，但可能需要一些严格的计算和参数才能实现最佳响应。
2023-06-29 15:28:02957 
需求：将锂电池3.7V升压成500V的5KHz交流电去点亮EL线
现有电路
原理：
在Q1关断期间，导通Q2，电感储能；关断Q2后，电感产生反向电动势，给EL灯的等效电容C1充电；理论上可以升到D1
2023-06-28 19:43:57
在这个设计中，我们看到了使用N沟道MOSFET实现BPS电路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。
2023-06-16 09:03:30228 
HY1908D/U/V N沟道增强型MOSFET规格书免费下载。
2023-06-14 17:04:041 PTS4842 N沟道高功率MOSFET规格书
PTS4842采用沟槽加工技术设计，实现极低的导通电阻。并且切换速度快，传输效率提高。这些特征结合在一起，使这种设计成为一种适用于各种DC-DC应用的高效可靠的设备。
2023-06-14 16:55:480 中国上海， 2023 年 6 月 13 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品
2023-06-13 16:38:50712 
Vishay VOMDA1271 器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平 Vishay 推出一款业内先进的新型汽车级光伏 MOSFET 驱动器
2023-06-08 19:55:02374 
Vishay MCB ISOA 器件通过 AEC-Q200 认证 采用 SOT-227 小型封装 可直接安装在散热器上 具有高脉冲处理能力 功率耗散达 120 W Vishay 推出一款通过
2023-06-03 08:25:02533 
为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道
2023-05-22 11:11:391173 ，
逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑
输出电平。 高速风筒专用电机驱动芯片其浮动通道可
用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高
工作电压可达 700V。高速风筒专用电机驱动芯片采用
SOIC8 封装，可以在-40℃至 125℃温度范围内工作
2023-05-10 10:05:20
功率MOSFET怎样关断？能否用PWM实现？怎样实现？
2023-05-08 16:16:27
在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288 
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常又称为N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 应用: DC-DC转换 SMPS中的同步整流 硬开关和高速电路 电动工具 电机控制 概述： PL1303N04是宝砾微推出的4开关N沟道功率MOSFET，采用QFN6*6-40L封装。产品具有较强
2023-04-11 14:47:50513 MRF166C RF MOSFET 系列 20W，500MHz，28V主要设计用于 30-500MHz 的宽带大信号输出和驱动器。 特征N 沟道增强型
2023-03-31 11:39:26
MRF166W RF MOSFET 系列 40W，500MHz，28V主要设计用于 30 – 500 MHz 的宽带大信号输出和驱动级。 特征N沟道增强型
2023-03-31 11:36:26
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
2023-03-31 10:05:32727 LTC7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，选用高达 135V 的输入电压作业。该器材包括一个担任全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵，因此使其可以无限期地坚持导通。
2023-03-23 09:46:45514
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