非易失性存储器芯片又可分为快闪存储器 （Flash Memory） 与只读存储器 （Read-Only Memory）。其中，快闪存储器又可以分为 NAND 存储和 NOR 存储。
2024-03-22 10:54:15
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HBM3E的推出，标志着SK海力士在高性能存储器领域取得了重大突破，将现有DRAM技术推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53260 2D NAND和3D NAND都是非易失性存储技术（NVM Non-VolatileMemory），属于Memory（存储器）的一种。
2024-03-17 15:31:39268 
三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低；在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判，目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22216 数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和增强应用程序安全性的存储器保护单元（MPU）。
STM32F429IIT6包含高速嵌入式存储器（最高2兆字节的闪存，最高256千字节的SRAM），最高4千字
2024-03-12 09:39:01
的基础。同时STM32MP135支持高性能DDR3存储器，在存储器性能与抖动抑制方面实现极大的优化。为了实现工业实时以太网EtherCAT与标准以太网TCP/IP通讯同时运行，STM32MP135设计了
2024-03-07 20:06:14
前言 NAND Flash 和 NOR Flash是现在市场上两种主要的闪存技术。Intel于1988年首先开发出 NOR Flash 技术,彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统天下
2024-03-01 17:08:45158 
飞创高性能直线电机模组FCL系列具备超长行程、超高速度、超高精度、超重负载以及速度平稳的特点，可满足LDI设备制备等制造过程中对精密运动控制的需求。该模组作为高精密自动化设备的重要传动元件，有助于实现自动化生产，提高效率和降低成本。
2024-02-29 15:41:30154 
NAND闪存作为如今各种电子设备中常见的非易失性存储器，存在于固态硬盘（SSD）、USB闪存驱动器和智能手机存储等器件。而随着电脑终端、企业存储、数据中心、甚至汽车配件等应用场景要求的多样化
2024-02-05 18:01:17418 
1) 允许一个物理内存（即 XRAM) 可同时作为程序存储器和数据存储器进行访问
如何使用 SCR XRAM 作为程序存储器和数据存储器。
1) 用于存储 scr 程序的程序存储器
2) 用于在 tricore 和 scr 之间交换数据的数据存储器。
2024-01-30 08:18:12
高精度纳米级压电位移平台“PIEZOCONCEPT”半导体界后摩尔时代的手术刀！第三代半导体是后摩尔时代实现芯片性能突破的核心技术之一，优越性能和广泛的下游应用使相关厂商存在良好发展前景。随着下
2024-01-26 08:16:17162 
闪存技术，通常用于存储数据，并且具有一些额外的安全特性。这种技术结合了 NAND 闪存的高密度存储能力和安全性能。它通常用于存储数据，如图像、视频、音频、文档等，同时具备保护数据免受未经授权访问或篡改
2024-01-24 18:30:00
特性。这种技术结合了NAND闪存的高密度存储能力和安全性能。它通常用于存储数据，如图像、视频、音频、文档等，同时具备保护数据免受未经授权访问或篡改的能力。SDNA
2024-01-24 18:29:55373 
ADuCM360/1是否支持存储器到存储器DMA传输？
2024-01-15 07:43:09
）和NAND（NAND Flash Memory）。 eMMC是一种嵌入式多媒体控制器，它为移动设备（如智能手机和平板电脑）提供了一种高性能的存储解决方案。它包括一个闪存控制器、一个NAND闪存芯片和一些
2024-01-08 13:51:46597
SD NAND是一种基于NAND闪存技术的存储设备，与其他存储设备相比，它具有以下几个显著的优点：
高可靠性：SD NAND针对嵌入式系统的特殊需求进行了设计，具有更高的可靠性。它内置了闪存控制器
2024-01-05 17:54:39
人工智能芯片通常使用 SRAM 存储器作为缓冲器（buffers），其可靠性和速度有助于实现高性能。
2024-01-03 17:16:041431 
从存储芯片的市场表现来看，两大类别DRAM（动态随机存取存储器）与NAND Flash（闪存存储器）目前的价格较今年谷底都出现了上涨。
2023-12-19 15:19:32136 描述AT28C256是一种高性能的电可擦可编程只读存储器。它的256K内存由8位的32，768个字组成。该器件采用Atmel先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间高达150 ns，功耗仅为440
2023-12-08 15:05:01
dram和nand的区别 DRAM和NAND是两种不同类型的存储器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一种随机存取存储器，而NAND（Not AND）是一种逻辑
2023-12-08 10:32:003897 本编程手册介绍了如何烧写STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的闪存存储器。为方便起见，在本文中除特别说明外，统称它们为STM32F10xxx。 STM32F10xxx内嵌的闪存存储器可以用于在线编程(ICP)或在程序中编程(IAP)烧写。
2023-11-28 15:16:56
2 闪速存储器 （Flash Memory）简称闪存器或闪存，是一种非易失性存储器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的两种闪存器是或非闪存器 (NOR Flash）和与非闪存
2023-11-23 09:36:17910 
电子发烧友网站提供《性能超群的含闪存存储器、8引脚PIC微控制器.pdf》资料免费下载
2023-11-17 11:02:010 。CSNP4GCR01-AMW是一种基于NAND闪存和SD控制器的4Gb密度嵌入式存储；而CSNP32GCR01-AOW是一种基于NAND闪存和SD控制器的32Gb密度嵌入式存储。与原始NAND相比其具有
2023-11-15 18:07:57
但是，存储芯片大企业的价格已经出现上涨迹象。还有外电报道说，已经从dram开始的存储器价格上升趋势正在扩大到nand闪存。
2023-11-13 14:53:28487 中图仪器SJ5730系列纳米探针式轮廓仪采用超高精度纳米衍射光学测量系统、超高直线度研磨级摩擦导轨、高性能直流伺服驱动系统、高性能计算机控制系统技术，分辨率高达0.1nm，系统残差小于3nm
2023-11-09 09:14:22
三星采取此举的目的很明确，希望通过此举逆转整个闪存市场，稳定NAND闪存价格，并实现明年上半年逆转市场等目标。
2023-11-03 17:21:111214 据多名半导体业界消息人士称，三星继本季度将nand闪存价格上调10至20%后，决定明年第一季度和第二季度也分别上调20%。三星电子正在努力稳定nand闪存价格，试图在明年上半年逆转市场。
2023-11-02 10:35:01523 单片机的存储器主要有几个物理存储空间
2023-11-01 06:22:38
单片机的存储器从物理上可划分为4个存储空间，其存储器的空间范围是多少？
2023-11-01 06:20:34
描述AT28C256是一种高性能的电可擦可编程只读存储器。它的256K内存由8位的32，768个字组成。该器件采用Atmel先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间高达150 ns，功耗仅为440
2023-10-26 10:45:10
大家有谁知道AT89C52怎么选择外部存储器，我之前用的是P89V51，选择外部存储器是定义AUXR=0x02;，但是现在想用AT89C52单片了，程序该怎么改了啊？？AT89C52手册上找不到怎么选择外部存储器说明，各位高手有谁知道啊 ？
2023-10-26 06:11:25
从2024年第四季度开始，DRAM和NAND闪存的价格将全面上涨，这已经导致国内存储器下游企业的闪存采购成本上涨了近20%，而内存采购成本上涨了约30%。
2023-10-17 17:13:49793 中芯国际方面表示：“nand闪存凭借较高的单元密度和存储器密度、快速使用和删除速度等优点，已成为广泛使用在闪存上的结构。”目前主要用于数码相机等的闪存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265 存储器测试问题怎么才能稳定
2023-10-17 06:51:11
据悉，东京电子新技术的目标是能够长时间储存数据的3d nand闪存。该公司开发了一种新的通道孔蚀刻方法，该方法是将垂直孔快速深插入存储单元。3D nand的存储器容量可以通过将存储器单元层垂直堆积来增加，如果层数增加，就需要性能更高的装置。
2023-10-16 14:39:49368 据韩国贸易部16日公布的资料显示，韩国9月份的nand闪存出口额比去年同期增加了5.6%，但8月份减少了8.9%。存储器半导体业界的另一个支柱——3.3354万dram的出口在同期减少了24.6%。这比上个月的35.2%有所减少。
2023-10-16 14:17:21244 纳米科技的迅猛发展将我们的视野拓展到了微观世界，而测量纳米级尺寸的物体和现象则成为了时下热门的研究领域。纳米级测量仪器作为一种重要的工具，扮演着重要的角色。那么，如何才能准确测量纳米级物体
2023-10-12 09:12:161 在纳米级测量中，由于物体尺寸的相对较小，传统的测量仪器往往无法满足精确的要求。而纳米级测量仪器具备高精度、高分辨率和非破坏性的特点，可以测量微小的尺寸。纳米级测量仪器在纳米科技研究领域中扮演着重要的角色。通过共聚焦显微镜、光学轮廓仪等的运用，科研人员们能够更加深入地了解纳米世界的奥秘。
2023-10-11 15:23:160 纳米科技的迅猛发展将我们的视野拓展到了微观世界，而测量纳米级尺寸的物体和现象则成为了时下热门的研究领域。纳米级测量仪器作为一种重要的工具，扮演着重要的角色。那么，如何才能准确测量纳米级物体呢？在
2023-10-11 14:37:46
纳米科技的迅猛发展将我们的视野拓展到了微观世界，而测量纳米级尺寸的物体和现象则成为了时下热门的研究领域。纳米级测量仪器作为一种重要的工具，扮演着重要的角色。那么，如何才能准确测量纳米级物体呢？在
2023-10-11 13:49:37
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2023-10-07 16:05:500 怎么随机存取存储器ram中的存储单元
2023-09-28 06:17:04
随着信息技术的飞速发展，数据存储需求日益增长。作为一种新型的非易失性存储器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等优势，在各个领域得到了广泛应用。本文将对NAND Flash存储器的工作原理、结构特点、性能指标及应用领域进行详细解析，以期为读者提供一个全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要：本文主要对两种常见的非易失性存储器——NAND Flash和NOR Flash进行了详细的比较分析。从存储容量、性能、成本等方面进行了深入探讨，以帮助读者更好地理解这两种存储器的特性和应用。
2023-09-27 17:46:06490 本编程手册介绍了如何烧写STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的闪存存储器。为方便起见，在本文中出特别说明外，统称它们为STM32F10xxx
2023-09-26 06:18:33
如何检测24c存储器容量
2023-09-25 06:48:32
在SoC中，存储器是决定性能的另一个重要因素。不同的SoC设计中，根据实际需要采用不同的存储器类型和大小。
2023-09-18 16:22:19325 
)都是独立和软件可配置的 每个通道都有3个事件标志位DMA半传输DMA传输完成和DMA传输出错 支持存储器->存储器外设->存储器存储器->外设和外设-&
2023-09-13 08:06:16
FSMC特性简介和FSMC框图外挂存储器地址映射
AHB接口
NOR/PSRAM控制器
接口信号
支持的存储器和访问方式异步传输
同步突发传输
NAND/PC card控制器
接口信号
·支持的存储器和访问方式NAND操作
.ECC计算
.PC card/Compact Flash操作
2023-09-13 06:54:41
系统架构
多层AHB总线矩阵
存储空间
存储器映射
片上SRAM
位带操作
片上闪存
自适应闪存加速器（STM32F2新增）
启动模式
代码空间的动态重映射（STM32F2新增）
内嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
NAND Flash是一种非易失存储器，也就是掉电不丢失类型，现在我们常见的存储设备基本都是NAND Flash，比如U盘、固态硬盘，手机存储等等，电脑传统硬盘除外。
2023-09-11 14:48:23553 
STM32 F7 概述• STM32总线架构和存储器映射• 总线架构• 存储器映射• Cache• STM32F7性能• Boot模式• 片上闪存(Flash)• 系统配置控制器(SYSCFG)• 复位和时钟控制(RCC)• 电源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
Nand Flash存储器是Flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了高性价比、高性能的解决方案。Nand Flash存储器具有容量较大、改写速度快等优点
2023-09-05 18:10:011621 电子发烧友网站提供《云优化性能：使用基于闪存的存储的I/O密集型工作负载.pdf》资料免费下载
2023-08-28 10:04:340 NAND闪存作为一种非易失性存储介质，凭借其功耗低、重量轻、性能佳和断电后仍然能保存数据等特点，成为比硬盘驱动器更好的存储设备，非常适合作为便携设备的存储器来使用。 固态硬盘（Solid State
2023-08-22 18:25:03253 
三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53281 库的慢-慢工艺点对块进行合成，以200 MHz的目标速度确认时序特性。
接口存储器端口上的信号符合RAM编译器为TSMC CL013G工艺技术生产的单端口同步存储器组件所要求的时序要求
2023-08-21 06:55:33
消息人士补充说：“尽管nand闪存价格上涨，但中国存储器模块企业最近停止了价格供应和订单。预计不久就会上调价格，因此模块企业计划将价格上调8至10%。”
2023-08-18 09:47:25285 技术，每种技术都具有不同的特性和高级功能。双数据速率 (DDR) 同步动态随机存取存储器 (SDRAM) 已成为主系统存储器最主流的存储器技术，因为它使用电容器作为存储元件来实现高密度和简单架构、低延迟和高性能、无限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20413 
三星已经减少了主要nand闪存生产基地的晶圆投入额。这就是韩国的平泽、华城和中国的西安。业内人士认为，三星的nand闪存产量可能会减少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1业绩中，由于市场持续低迷，三星电子正式公布了存储器减产计划。
2023-08-16 10:23:58423 在当今科技时代，数据存储需求急剧增长，NAND 闪存技术作为一种关键的非易失性存储解决方案持续发展。近年来，虚拟 SLC（pSLC）闪存技术的引入，为数据存储领域带来了新的创新。本文将探讨 pSLC
2023-08-02 15:16:593365 
在当今科技时代，数据存储需求急剧增长，NAND闪存技术作为一种关键的非易失性存储解决方案持续发展。近年来，虚拟SLC（pSLC）闪存技术的引入，为数据存储领域带来了新的创新。本文将探讨pSLC闪存
2023-08-02 08:15:35790 
AHB MC是一种符合高级微控制器总线体系结构（AMBA）的片上系统（SoC）外围设备。它由ARM有限公司开发、测试和许可。
AHB MC利用了新开发的动态存储器控制器（DMC）和静态存储器控制器
2023-08-02 06:26:35
当前，伴随千行百业的数字化转型，由服务器、存储、网络等组成的数据中心，作为支撑数字化转型的基础，迎来高速发展。关于存储，NAND全闪介质的SSD固态硬盘因其高性能、高可靠、低能耗的特点，可满足人们
2023-08-01 16:35:03276 半导体存储器是当今电子设备的核心组件，从智能手机到高性能计算机，几乎所有设备都需要某种形式的半导体存储器。根据应用需求和工作原理，半导体存储器可以分为两大类：内存和闪存。本文将介绍这两大类存储器的种类和工作原理。
2023-07-31 09:57:32598 
手机“性能铁三角”——SoC、运行内存、闪存决定了一款手机的用户体验和定位，其中存储器性能和容量对用户体验的影响越来越大。
2023-07-27 17:01:33557 对 NAND 存储器的需求也大幅增加。从移动或便携式固态硬盘到数据中心，从企业固态硬盘再到汽车配件， NAND 闪存的应用领域和使用场景愈发多样化，各种要求也随之出现，常见的譬如更高的读写速度、最大化的存储容量、更低的功耗和更低的成本等等
2023-07-24 14:45:03424 
基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25% 此前美光推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案，采用了232层3D TLC NAND闪存；速度提升很大，可以达到最高
2023-07-19 19:02:21864 NAND闪存是一种电压原件，靠其内存电压来存储数据。
2023-07-12 09:43:211444 
闪存存储设备：NAND芯片作为主要的闪存存储媒介，被广泛用于固态硬盘（SSD）、USB闪存驱动器、内存卡（如SD卡、MicroSD卡）和闪存盘等。
2023-06-28 16:25:495200 全栈式信号链芯片供应商列拓科技Leto宣布，最新推出高性能、高闪存、低功耗微控制器芯片LTM32F103ZET6。 LTM32F103ZET6芯片使用ARM 32位Cortex-M3内核，最高
2023-06-26 14:12:19793 
8 存储器 8.4 片上闪存 RA6 MCU具有两部分闪存：代码闪存和数据闪存，各部分的大小和擦写周期数因器件而异。闪存控制单元 (FCU) 控制闪存的编程和擦除。闪存应用程序命令接口 (FACI
2023-06-26 12:10:03375 
制造、设计或启用NAND闪存的公司组成的行业工作组,主要是Intel和镁光。致力于简化NAND闪存集成到消费电子产品、计算平台和任何其他需要固态大容量存储的应用程序中。为NAND闪存定义标准化的组件
2023-06-21 17:36:325865 
该控制器访问连接到外部存储器总线的SDRAM器件。程序和数据存储器共用地址空间；使用单独的总线分别访问这两个存储器，从而提高性能并允许在同一个周期访问程序和数据。存储器映射中包含片上RAM、外设
2023-06-21 12:15:03421 
珠海创飞芯科技有限公司作为国内首家一站式非易失存储IP 供应商，将先进的OTP（一次性可编程存储器）、NOR闪存和NAND SLC（单层单元）闪存技术推向市场。此外，创飞芯还为IP产品组合提供OTP
2023-06-15 15:44:541283 3D NAND闪存是一种把内存颗粒堆叠在一起解决2D或平面NAND闪存限制的技术。这种技术垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度，可支持在更小的空间内，容纳更高的存储容量，从而有效节约成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561727 
内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512
2023-06-10 17:21:001982 NAND 存储器制造商三星和 SK 海力士已寻求将 NAND 闪存价格提高 3%-5% 以试探市场反应，并表示 NAND 闪存的价格已降至可变成本以下。 2. 日媒：苹果Vision Pro 给电子
2023-06-09 12:01:041114 
4 选项设置存储器 选项设置存储器用于确定复位后MCU的状态。该存储器分配在闪存中的配置设置区域和程序闪存区域。这两个区域的可用设置方法不同。Cortex-M33内核MCU的选项设置存储器可能具有
2023-06-08 17:00:04411 
为了进行性能比较，使用了三种不同的存储芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR闪存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND闪存。
2023-05-31 17:14:24788 
以更低的成本获得更高的存储性能可能会在存储设备的设计中造成瓶颈。为了实现更高的性能，设备必须使用片上DRAM，这增加了总体成本。这就是统一内存扩展（UME），JEDEC规范的出现。它被定义为 JEDEC UFS（通用闪存）规范的扩展。JEDEC UFS设备使用NAND闪存技术进行数据存储。
2023-05-26 14:22:28673 
NAND闪存上的位密度随着时间的推移而变化。早期的NAND设备是单层单元（SLC）闪存。这表明每个闪存单元存储一个位。使用多层单元（MLC），闪存可以为每个单元存储两个或更多位，因此位密度会增加
2023-05-25 15:36:031193 
在单板设计中，无论是涉及到一个简易的CPU、MCU小系统或者是复杂的单板设计，都离不开存储器设计：1、存储器介绍存储器的分类大致可以划分如下：ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM在系统停止供电
2023-05-19 17:04:36766 
flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。
1.2 存储器RAM介绍
RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
Flash的容量往往较小。NOR设备在每次写操作时都必须以块的方式写入数据。并行NOR闪存利用静态随机存取存储器(SRAM)快速访问芯片的可寻址区域，实现了存储字节的快速访问。与NAND Flash相比
2023-05-18 14:13:37
单片机的程序存储器和数据存储器共处同一地址空间为什么不会发生总线冲突呢？
2023-05-10 15:17:56
极高的运动定位精度和稳定性，在数据存储中具有着非常广泛的应用。在数据存储的领域，通常需要压电纳米定位台来实现纳米甚至亚纳米级别的运动控制精度。 压电纳米定位台用于读写头的高精度调节 压电纳米定位台可以在光盘数据存储
2023-04-26 16:23:02431 
白光干涉仪和激光共聚焦显微镜同为微纳米级表面光学分析仪器，都具有非接触式、高速度测量、高稳定性的特点，都有表征微观形貌的轮廓尺寸测量功能，适用范围广，可测多种类型样品的表面微细结构
2023-04-20 14:38:431595 
我正在尝试启动 IMX6ULL NAND 闪存。供您参考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功启动了 IMX6ULL NAND 闪存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
本章教程讲解DMA存储器到存储器模式。存储器到存储器模式可以实现数据在两个内存的快速拷贝。程序中，首先定义一个静态的源数据，存放在内部 FLASH，然后使用DMA传输把源数据拷贝到目标地址上（内部SRAM），最后对比源数据和目标地址的数据，判断传输是否准确。
2023-04-17 15:28:08
存储设备，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之间的差异Flash和EEPROM均被视为非易失性存储器。非易失性存储器意味着该设备能够保存数据且无需持续供电，即使关闭电源也能保存
2023-04-07 16:42:42
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一样
2023-04-07 16:41:05
这两个存储器，从而提高性能并允许在同一个周期访问程序和数据。存储器映射中包含片上RAM、外设I/O寄存器、程序ROM、数据闪存和外部存储器区域。 图13. RA2A1存储器映射 7.1 SRAM
2023-04-06 16:45:03466 除了SPI这种串行接口比较受存储器设计厂商的欢迎，还有比如由samsung和toshiba设计的Toggle NAND Interface，也被称为 Asynchronous DDR NAND
2023-04-04 15:16:19763 
我们正在尝试将内部 ROM 闪存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的辅助存储器（而不是 EEPROM）。是否可以将 FLASH 用作辅助存储器，如果可能，我们如何使用。请指导我们实现这一目标
2023-04-04 08:16:50
我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147 大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我对内存使用有一些疑问： XIP 是否通过 QSPI 支持 NAND 闪存？如果 IMXRT1170 从 NAND 闪存启动，则加载程序必须将应用程序复制到
2023-03-29 07:06:44
并行NOR闪存嵌入式存储器
2023-03-24 14:01:23
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