电子发烧友网站提供《采用SOT-23封装的150mA、低噪声、低功耗、超低压降稳压器LP2985-N数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 14:19:44
0 电子发烧友网站提供《采用SOT-23封装的微功耗、50mA、超低压降稳压器LP2980-N数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 10:56:320 英飞凌科技股份公司，作为全球领先的半导体公司，近日推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列，这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装，为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:29
117 ELM13415CA-S-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel MOSFET，采用SOT23封装。以下是该器件的详细参数说明和应用简介：- **参数：** - 封装类型
2024-03-18 17:36:33
DMG3415U-13-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel MOSFET，采用SOT23封装。以下是该器件的详细参数说明和应用简介：- **参数：** - 封装类型
2024-03-16 16:53:22
FS61C27MR电压检测器芯片IC是泛海微公司推出的一款高性能、高可靠性的产品。这款芯片采用SOT-23封装形式，具有CMOS N沟道特性，其额定电压检测阈值为2.7V。凭借其出色的性能
2024-03-13 18:30:20
FS61C24MR电压检测器芯片IC是泛海微公司推出的一款高性能产品，广泛应用于各种电子设备中。这款芯片采用SOT-23封装，具有CMOS N沟道特性，其阈值电压为2.4V。接下来，我们将
2024-03-13 18:24:44
电子发烧友网站提供《SOT-23封装中的低功率DC-DC升压转换器TPS6104x-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 09:57:180 电子发烧友网站提供《采用SOT-23封装的高亮度白光LED驱动器TPS61165-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 09:40:230 电子发烧友网站提供《采用WSON和SOT-23封装的TPS61165高亮度白光LED驱动器数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 09:39:140 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝”）近日宣布，其最新研发的DTMOSVI系列高速二极管型功率MOSFET已正式推出。该系列产品特别适用于数据中心和光伏功率调节器等关键应用的开关电源，展现了东芝在功率半导体领域的深厚实力与持续创新。
2024-03-12 10:27:36255 领域具有广泛的应用前景。
首先，N531 Z K/中科 SOT23-5电磁炉驱动IC具有高效的特点。它采用了先进的功率控制算法，能够实现对电磁炉加热功率的精确控制，使得电磁炉在加热过程中能够保持
2024-03-07 17:14:52128 电子发烧友网站提供《SOT23降压控制器数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-07 10:14:310 的低RDS(ON)，80mΩ，满足USB电压降要求。PL2700还可以防止热过载，这限制了功率耗散和结温度。电流极限阈值是编程与一个电阻从设置到地面。在开启状态下的静止电源电流通常为15μA。在关闭状态下，电源电流下降小于1μA。PL2700有SOT23-5软件包特征符合USB规范集成80mΩ电源MO
2024-02-25 10:46:250 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41976 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08353 
电子发烧友网站提供《同步DC-DC降压转换器PL5900A SOT-23-5数据手册》资料免费下载
2024-02-22 14:52:110 电子发烧友网站提供《30VN通道MOSFET PL3902 SOT23数据手册》资料免费下载
2024-02-22 14:48:270 电子发烧友网站提供《单电池锂离子/聚合物电池保护集成PL5358A SOT23-5数据手册》资料免费下载
2024-02-22 14:46:250 电子发烧友网站提供《SOT-23-3 N通道高密度壕沟MOSFET PL2300GD数据手册》资料免费下载
2024-02-21 14:35:290 。内部软启动导致注入电流小，延长电池寿命。PL2628的特点是在光负载下自动切换到脉冲频率调制模式。PL2628包括欠压锁定保护、限流保护和热过载保护保护，以防止在输出过载时发生损坏。PL2628有一个小的6针SOT-23包。特点集成80mΩ电源MOSFET2 V至24V输入电压1.2 MHz固定开
2024-02-21 14:32:280 电子发烧友网站提供《PL7022/B SOT23-6 CMOS 双节可充电锂电池保护资料规格书》资料免费下载
2024-01-07 09:57:030 。内部软启动导致注入电流小，延长电池寿命。PL2628的特点是在光负载下自动切换到脉冲频率调制模式。PL2628包括欠压锁定保护、限流保护和热过载保护保护，以防止在输出过载时发生损坏。PL2628有一个小的6针SOT-23包。特征集成80mΩ电源MOSFET2 V至24V输入电压1.2 MHz固定开
2024-01-05 09:22:374 英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
晶体管 通用放大，高频 2 NPN（双） 60V 40mA 表面贴装型 SOT-23-6
2023-12-17 00:05:12
DIODE CUR REG 350MW SOT23-3
2023-12-16 07:52:48
DIODE CUR REG 350MW SOT23-3
2023-12-16 07:52:48
二极管 30 V 10mA 表面贴装型 SOT-23-3
2023-12-07 06:31:32
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-12-06 18:22:24522 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散热会比较好？漏极、源极铜箔面积大小是否需要一样？有公式可以计算吗？
2023-12-03 09:30:40408 
为了扩大QSiC SiC模块的选择范围，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封装的200,227V MOSFET，可与或不与1,200V SiC肖特基二极管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:46862 频率 （1.2MHz）操作
➢自动软启动可降低浪涌电流
➢关断电流 <1A
➢短路保护
➢无电感器
➢采用扁平 6 引脚 SOT23 封装
应用
➢2节AA电池至3.3V
➢移动中的 USB 设备
➢白光 LED 驱动器
➢手持设备
2023-11-21 12:12:53
为了扩大QSiC SiC模块的选择范围，SemiQ推出了一系列采用SOT-227封装的1,200V MOSFET，可与或不与1,200V SiC肖特基二极管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-16 17:18:25570 软启动时间
内部补偿功能
100%退出操作
功率良好的指标输出（仅SOT-23-6）
RoHS兼容和无卤素
SOT-23-5，TSOT-23-5和SOT-23-6包
应用
机顶盒
2023-11-14 13:24:55
的时间控制，提供快速的瞬态响应，抗噪声性和各种非常低的ESR输出电容器，以确保性能稳定。
FR9206采用TSOT-23-6封装，提供良好的导热性。
特征
低RDS（开）集成功率MOSFET（80m
2023-11-11 11:47:34
SOT-23-6包
应用
STB（机顶盒）
液晶显示器，电视
分布式电源系统
网络，XDSL调制解调器
2023-11-11 11:30:18
恢复
SOT-23-6包
应用
STB（机顶盒）
液晶显示器，电视
分布式电源系统
网络，XDSL调制解调器
2023-11-08 16:47:24
。在关闭状态下，电源电流下降小于1μA。PL2700有SOT23-5软件包
特征
符合USB规范
集成80mΩ电源MOSFET
低电源电流
15μA典型在开关状态
1μA典型在开关关闭状态
宽
2023-11-08 16:44:46
一般说明
PL5353A产品是锂硫离子/聚合物电池保护的高集成解决方案。
PL5353A包含先进的功率MOSFET，高精度电压检测电路和延迟电路。
PL5353A被放入超小型SOT23-5封装中
2023-11-07 10:23:19
KP3111LGA 是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关，适用于降压型和升降压型电路。采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集成有 500V 高压 MOSFET 和采用开关式峰值电流模式控制
2023-11-06 16:47:20269 
SOT-23, MOSFET
2023-11-01 13:42:06
JFET 2 N-通道（双） 25 V 500 mW 表面贴装型 SOT-23-6
2023-11-01 13:41:52
JFET N 通道 25 V 350 mW 表面贴装型 SOT-23-3
2023-11-01 13:41:45
功率MOSFET选型的几点经验在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的，这里不作赘述，只对实际
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse宣布推出首款汽车级PolarP P通道功率MOSFET产品 IXTY2P50PA。这个创新的产品设计能满足汽车应用的严苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率
2023-10-18 09:11:42621 
电子发烧友网为你提供ADI(ADI)MAX9634: nanoPower, 4-Bump UCSP/SOT23, Precision Current-Sense Amplifier Data
2023-10-16 19:17:55
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 新洁能NCE2301型NCEP通道增强模式电源MOSNCE2301型NCEP通道增强模式电源MOSFET采用先进的沟槽技术，具有优良的RDS（ON）性能，以及低栅极电荷和可低至2.5V操作的栅极电压
2023-10-11 21:25:150 MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09:39
PW5300是一种电流模式升压DC-DC转换器。其内置0.2Ω功率MOSFET的PWM电路使该调节器具有很高的功率效率。内部补偿网络也减少了多达6个外部元件的计数。误差放大器的非逆变输入连接0.6V
2023-09-22 07:09:11
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54:35590 
这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快快恢复时间（trr），以及出色的品质因数（RDS(on) x Qg），能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率
2023-09-08 06:00:53
。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431202 
供应AP2335 场效应管(MOSFET) SOT-23 丝印2335 P沟道 20V7A，是铨力半导体代理商，提供AP2335规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 16:24:490 世微 AP5160 DC-DC降压恒流IC 大功率LED电源手电筒车灯驱动芯片 SOT23-6
2023-08-16 22:04:01860 
SOT23封装是一种小型表面贴装封装，常用于集成电路（IC）和半导体器件。SOT23代表"Small Outline Transistor 23"，SOT23封装具有紧凑的尺寸、良好的散热性能和适应性，因此在许多电子设备中得到广泛应用。
2023-08-16 11:29:311306 随着现代电子设备对小型化和高效率的要求不断提高,对电源管理芯片的技术也提出了更高要求。针对此趋势,安森德半导体公司推出了新一代异步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。这款100V N沟道功率MOSFET凭借其卓越的静态和动态性能参数,将助您的设计实现更高功率密度和转换效率。
2023-08-14 15:04:45367 
电子设备和集成电路中，特别适用于需要紧凑空间和较低功耗的应用。 SOT23封装应用在哪些芯片上呢？ 比如：小功率晶体管、二极管、稳压器、LED驱动器、温度传感器、MCU等等。 SOT23最大的优势就是价格低，尺寸小，带来的好处就是成本降低，占用的pcb面积小，能更好的
2023-08-11 11:48:132092 SOT封装是一种常用的集成电路封装类型，常见的SOT封装类型包括3引脚（如SOT-23）、4引脚（如SOT-89和SOT-223）和6引脚（如SOT-363），可以适应不同的电路设计和功能要求。具有
2023-07-19 16:38:291729 SOT23-16封装是一种表面贴装技术（SMT）封装，具有许多优势。以下是一些关于SOT23-16封装的主要优势的简要说明，包括其尺寸、易用性、电气性能和热特性。 尺寸优势：SOT23-16封装
2023-07-18 17:43:26542 AP9235B DC-DC升压恒流IC PWM调光芯片 SOT23-6
2023-07-06 11:14:46662 
当今的便携式设备需要以最小电源电流运行的小型电源解决方案。为满足这些需求，凌力尔特推出了 LT1615、LT1615-1、LT1617 和 LT1617-1 微功率 SOT-23 DC/DC 转换器。这些器件的输入电压范围低至 1V，输出电压范围高达 ±35V，可提供相当大的电源设计灵活性。
2023-06-25 10:32:07532 
供应友顺UTC功率mos管BSS127G SOT-23-3 TR，提供BSS127G数据手册关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-09 16:39:450 功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
引言： 在现代高效能系统中，功率MOSFET扮演着至关重要的角色，它们是实现低功耗、高效率和精确控制的关键元件。为满足不断发展的市场需求，我们推出了全新的ASDM65N18S功率MOSFET，它以卓越的性能和创新特点引领着控制革新的浪潮。
2023-06-05 13:41:16434 Vishay MCB ISOA 器件通过 AEC-Q200 认证 采用 SOT-227 小型封装 可直接安装在散热器上 具有高脉冲处理能力 功率耗散达 120 W Vishay 推出一款通过
2023-06-03 08:25:02533 
23日，由全景网主办、南开大学参与推出的“全景投资者关系金奖”2022年度全国性评选正式揭晓，敏芯股份IR团队凭借优异表现荣获投资者关系金奖• 杰出IR团队奖项。
2023-05-25 11:00:18476 分享功率MOSFET驱动保护电路方案大全，希望能帮助大家
2023-05-24 10:22:02
功率MOSFET怎样关断？能否用PWM实现？怎样实现？
2023-05-08 16:16:27
通过使用凌力尔特的 LTC1695 来优化这些产品内部冷却风扇的运行，可以缩短笔记本电脑和其他便携式设备的电池运行时间并降低噪声。LTC1695 采用 SOT-23 封装，可提供系统控制器或微控制器
2023-05-08 11:06:37663 
ISL28113/14SOT23EVAL1Z 用户指南
2023-05-04 19:58:240 OC5864 是一款内置功率 MOSFET0.6A 的峰值输出电流的单片降压型开关模式转换器。OC58640.9Q 的内部功率 MOSFET在 5.5-60V 宽输入电源范围内实现 0.6 A峰值
2023-04-07 16:43:02
KUU推出超小型SOT-723封装MOSFET，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代MOSFET，这些新低阈值电压MOSFET采用KUU先进的沟槽工艺技术来取得能够和SOT-523等大上许多
2023-04-04 16:10:39987 
采用小型 6 引脚 SOT-23 封装。特征• 集成 80mΩ 功率场效应管• 2V 至 24V 输入电压• 1.2MHz 固定开关频率• 内部 4A 开关电流限制• 可调输出电压• 内部补偿
2023-03-31 14:43:38
DEMO FIXTURE FOR SOT-23 OPAMP'S
2023-03-30 11:51:40
ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片，可兼容代换IR2104，应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动
2023-03-29 09:24:35930 
电压基准芯片 SOT23-3
2023-03-28 12:54:33
PNP,Vce=25V,Ic=0.5A,hfe=200~350 H档 SOT-23
2023-03-24 14:48:10
P沟道 VDS=-20V VGS=±8V ID=-4A P=1W SOT23
2023-03-24 14:02:43
SOT-23塑料封装MOSFET
2023-03-24 13:42:35
电压基准芯片 SOT23-3
2023-03-24 13:42:32
电压基准芯片 min=2.487V max=36V 100mA ±0.5% SOT23-3
2023-03-24 13:36:44
电压基准芯片 min=2.487V max=36V 100mA ±0.5% SOT23-3
2023-03-24 13:36:44
电压基准芯片 min=2.475V max=36V 100mA ±1% SOT23-3
2023-03-24 13:36:44
电压基准芯片 min= max=36V 100mA ±1% SOT23-3
2023-03-24 13:36:44
电压基准芯片 min= max=18V 100mA ±1% SOT23-3
2023-03-24 13:36:44
PNP,Vce=25V,Ic=0.5A,hfe=120~400 L档 SOT-23
2023-03-24 10:49:45
PNP Vce=25V Ic=1.5A hfe=200~350 H档 SOT-23
2023-03-24 10:49:24
PNP Vce=25V Ic=1.5A hfe=120~200 L档 SOT-23
2023-03-24 10:49:24
PNP Vce=25V Ic=0.5A SOT-23
2023-03-24 10:48:56
PNP,Vceo=-25V Ic=-0.5A SOT-23
2023-03-24 10:31:47
SOT-23中的单和双微功率高端开关控制器
2023-03-23 04:51:16
SOCKET ADAPTER SOT-23 TO 6DIP
2023-03-23 03:44:05
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