Ω@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.81V- **封装：** SOT23**详细参数说明和应用简介:**1. **SOT23封装：** 小型SOT
2024-03-18 17:49:37
ELM13415CA-S-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel MOSFET，采用SOT23封装。以下是该器件的详细参数说明和应用简介：- **参数：** - 封装类型
2024-03-18 17:36:33
DTS03K16-VB是VBsemi品牌的SOT23封装N沟道场效应晶体管。以下是其详细参数和应用简介：**详细参数：**- 封装类型：SOT23- 沟道类型：N沟道- 额定电压（Vds）：20V-
2024-03-18 14:03:01
额定电流：6A- 开态电阻（RDS(ON)）：24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V- 阈值电压（Vth）：0.45~1V**封装：** SOT23**详细参
2024-03-16 17:26:20
）：6A - 开态电阻（RDS(ON)）：24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V - 阈值电压（Vth）：0.45~1V- 封装：SOT23应用
2024-03-16 17:07:03
VBsemi DMG3420U-7-F-VB是一款SOT23封装的N—Channel沟道场效应晶体管，适用于各种电子应用。以下是该产品的详细参数说明和应用简介：- **参数说明:**
2024-03-16 16:58:32
DMG3415U-13-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel MOSFET，采用SOT23封装。以下是该器件的详细参数说明和应用简介：- **参数：** - 封装类型
2024-03-16 16:53:22
(ON)）：30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压（Vth）：1.2~2.2V封装：SOT23详细参数说明和应用简介：CTN2304-VB是一款N-沟道类
2024-03-16 16:22:53
：4A- 开通电阻：RDS(ON)=85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压：Vth=1~3V**封装：** SOT23**产品应用简介：**CMN
2024-03-16 14:49:20
型号：CJK3407-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi封装：SOT23**详细参数说明：**- 沟道类型：P—Channel- 最大承受电压：-30V- 最大电流：-5.6A- 开态电阻
2024-03-16 14:44:56
CES2304-VB是VBsemi品牌的SOT23封装的N—Channel沟道MOSFET。以下是详细参数和应用简介：- 参数： - 工作电压：30V - 额定电流
2024-03-15 15:55:09
BSS314PE-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管，采用SOT23封装。以下是详细参数说明和应用简介：- **参数说明:** - 丝印: VB2355
2024-03-15 14:06:39
型号：BSH203-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi封装：SOT23参数：- 沟道类型：P—Channel- 最大漏极电压：-30V- 最大漏极电流：-5.6A- 静态漏极-源极电阻：RDS
2024-03-15 11:42:57
VBsemi BSH108-VB是一款SOT23封装的N—Channel沟道场效应晶体管，适用于多种电子应用。以下是该产品的详细参数说明和应用简介：- **参数说明:** - 封装类型
2024-03-15 11:35:18
：-5.6A- 开启电阻：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压：-1V**封装：** SOT23**详细参数说明：**- **沟道类型（Ch
2024-03-15 11:26:16
(ON)：30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压：Vth=1.2~2.2V应用简介：BM3406-VB是一款SOT23封装的N—Channel沟道场效
2024-03-15 11:24:03
=4.5V, VGS=8V- 阈值电压：0.45~1V应用简介：BM2300-VB是一款N-Channel沟道类型的SOT23封装MOSFET。具有20V的额定电压，6A
2024-03-15 11:12:23
APM2314AC-TRL-VB是VBsemi品牌的SOT23封装N-Channel沟道场效应晶体管。以下是详细参数和应用简介：**详细参数：**- 封装：SOT23- 极性：N-Channel-
2024-03-14 17:38:56
APM2312AC-VB是VBsemi品牌的SOT23封装N沟道场效应晶体管。以下是其详细参数和应用简介：**详细参数：**- 封装类型：SOT23- 沟道类型：N沟道- 额定电压（Vds
2024-03-14 17:35:35
APM2305BAC-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel MOSFET，采用SOT23封装。以下是该器件的详细参数说明和应用简介：- **参数：** - 封装类型
2024-03-14 17:21:36
=4.5V、VGS=12V时）- 阈值电压：-0.81V应用简介：APM2301BAC-VB适用于需要P—Channel MOSFET的电路设计。其SOT23封装和稳
2024-03-14 16:57:40
APM2301AAC-TRL-VB是VBsemi品牌的SOT23封装的P-Channel沟道场效应晶体管。以下是详细参数和应用简介：- 参数： - 工作电压：-20V
2024-03-14 16:55:31
最大电流：-5.6A- 开启电阻：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压：-1V**封装：** SOT23**详细参数说明：**- **沟道
2024-03-14 14:11:32
VBsemi AP2324GN-HF-VB是一款N-Channel沟道的SOT23封装场效应晶体管。以下是详细参数说明和应用简介：- 额定电压（VDS）: 30V- 额定电流（ID）: 6.5A-
2024-03-14 13:52:19
：AP2322GN-VB是VBsemi品牌的N—Channel沟道场效应晶体管，采用SOT23封装。具有20V的额定电压和6A的额定电流，RDS(ON)在VGS=
2024-03-14 13:47:22
~1V；封装：SOT23**详细规格：**- 封装类型：SOT23- 晶体管类型：N-Channel- 电压额定：20V- 电流额定：6A- 导通电阻：24mΩ
2024-03-14 11:59:54
电阻: RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压: Vth = 1.2~2.2V封装: SOT23详细参数说明和应用简介:AP23
2024-03-14 11:47:58
AP2302N-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应晶体管，采用SOT23封装。以下是详细参数说明和应用简介：- 参数： - 工作电压（VDS）：20V - 连续漏极电流（ID
2024-03-13 17:50:07
电子发烧友网站提供《SOT-23封装中的低功率DC-DC升压转换器TPS6104x-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 09:57:18
0 **封装：** SOT23**参数：**- **沟道类型：** P—Channel- **最大漏极电压：** -30V- **最大漏极电流：** -5.6A-
2024-03-11 17:44:58
通电阻(RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压(Vth): -1V应用简介:41YA-VB是一款SOT23封装的P-Cha
2024-03-08 15:12:51
: RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压: Vth = -1V应用简介:3J14-VB是一款SOT23封装的P-Channel
2024-03-08 14:45:47
以下是VBsemi品牌的SOT23封装N沟道场效应晶体管359B-VB的详细参数说明和应用简介：- **参数说明：** - 封装：SOT23 - 沟道类型：N沟道
2024-03-08 14:41:59
VBsemi的3403A-VB是一款SOT23封装的P-Channel沟道MOSFET，以下是详细参数说明和应用简介：- **电压规格（VDS）：** -30V- **电流规格（ID
2024-03-08 14:13:51
**VBsemi 3401-VB**- **丝印：** VB2355- **品牌：** VBsemi- **封装：** SOT23**参数：**- 沟道类型：P—Channel- 最大耐压
2024-03-08 14:06:26
型号：3401A-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi封装：SOT23**详细参数说明：**- 沟道类型：P—Channel- 最大承受电压：-30V- 最大电流：-5.6A- 开态电阻（RDS
2024-03-08 13:55:48
3400-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应管，丝印为VB1330，采用SOT23封装。以下是详细参数和应用简介：- 参数： - 沟道类型：N沟道 - 额定电压
2024-03-08 13:53:58
=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.81V- **封装：** SOT23**详细参数说明和应用简介:**1. **SOT23封装：** 小型SOT23封装适合
2024-03-08 13:46:20
(ON)：30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压：Vth=1.2~2.2V应用简介：3338-VB是一款SOT23封装的N—Channel沟道场效应晶体管
2024-03-08 11:39:26
Ω@VGS=10V,VGS=20V- 阈值电压：Vth=-1.87V封装：SOT23详细参数说明：该器件采用SOT23封装，为P—Channel沟道MOSFET，
2024-03-08 11:11:15
(ON)：3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V- 阈值电压：Vth=-1.87V封装：SOT23详细参数说明：该器件采用SOT23封装，为P—Channel沟
2024-03-07 17:16:16
=-2.5V 封装：SOT23详细参数说明：- 型号：2SJ209-VB- 丝印：VB2101K- 品牌：VBsemi- 参数： - 封装类型：SOT23&
2024-03-07 17:02:31
**2369-VB 详细参数说明和应用简介:****产品概述:**2369-VB是由VBsemi生产的P-通道MOSFET，采用SOT23封装。具有-20V的最大电压额定和-4A的最大电流额定，该
2024-03-07 16:15:36
(ON)）：在VGS=10V、VGS=20V时为30mΩ- 阈值电压（Vth）：1.2~2.2V应用概述：2344GEN-HF-VB 是一款SOT23封装的N-通道MOSF
2024-03-07 16:08:05
型号：2343-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi封装：SOT23**详细参数说明：**- 沟道类型：P—Channel- 最大承受电压：-30V- 最大电流：-5.6A- 开态电阻（RDS
2024-03-07 16:05:07
2318GEN-VB 是VBsemi 品牌的N沟道场效应晶体管，采用 SOT23 封装。以下是详细参数说明和应用简介：- 参数： - 额定电压：30V - 额定电流
2024-03-07 15:49:16
RDS(ON)：30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压：Vth=1.2~2.2V应用简介：该产品适用于SOT23封装，属于N—Channel沟道类
2024-03-07 15:41:53
：-5.6A- 开启电阻：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压：-1V**封装：** SOT23**详细参数说明：**- **沟道类型（Ch
2024-03-07 15:39:47
静态导通电阻 (RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压 (Vth): -1V**封装:**- 封装类型: SOT23**
2024-03-07 15:36:57
, VGS=20V- 阈值电压：1.2~2.2V**应用简介：**适用于SOT23封装的2316GN-HF-VB可广泛用于各种领域的电路设计，特别是在需要N—Ch
2024-03-07 15:31:10
2315GN-VB是VBsemi品牌的P—Channel场效应晶体管，采用SOT23封装。以下是详细参数和应用简介：- **参数说明:** - 额定电压（VDS）: -30V
2024-03-07 15:25:35
电流：-5.2A- 开启电阻：RDS(ON)=40mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压：Vth=-2V**封装：**- 封装类型：SOT23**详
2024-03-07 15:00:30
2311GN-HF-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道MOSFET，采用SOT23封装。以下是该产品的详细参数和应用简介：- **参数说明：** - 类型：P—Channel
2024-03-07 14:56:30
: 4A- 开通电阻 (RDS(ON)): 85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压 (Vth): 1~3V**应用简介:**适用于SOT23封装的
2024-03-07 14:53:03
Ω @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压（Vth）：1~3V封装：SOT23应用简介：2310N-VB是一款N沟道场效应晶体管，采用SOT23封装。其主
2024-03-07 14:48:16
：4A- 开通电阻：RDS(ON)=85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压：Vth=1~3V**封装：** SOT23**产品应用简介：**2310
2024-03-07 14:44:49
VBsemi的2309-VB是一款SOT23封装的P-Channel沟道MOSFET，以下是详细参数说明和应用简介：- **电压规格（VDS）：** -30V- **电流规格（ID
2024-03-07 14:23:26
2309GN-HF-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管，采用SOT23封装。以下是该器件的详细参数说明和应用简介：- **型号：** 2309GN-HF-VB- **丝印
2024-03-07 14:15:01
Ω @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压（Vth）：-1V封装为SOT23。该器件适用于SOT23封装。**应用简介：**这款晶体管适用于各种电源管理和开关
2024-03-07 14:12:00
型号：2309AGN-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi封装：SOT23参数：- 沟道类型：P—Channel- 最大漏极电压：-30V- 最大漏极电流：-5.6A- 静态漏极-源极电阻
2024-03-07 14:05:34
2307-VB 是 VBsemi 公司生产的 P-Channel 沟道场效应晶体管，采用 SOT23 封装。以下是详细参数说明和应用简介：- **参数说明：** - 封装类型
2024-03-07 13:53:59
(ON)：30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压：Vth=1.2~2.2V应用简介：10ABC-VB是一款SOT23封装的N—Channel沟道场效应晶
2024-03-07 10:26:41
电子发烧友网站提供《SOT23降压控制器数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-07 10:14:310 电子发烧友网站提供《30VN通道MOSFET PL3902 SOT23数据手册》资料免费下载
2024-02-22 14:48:270 一般说明PL2628是一个恒定频率、6引脚SOT23电流模式升压转换器，旨在用于小型、低功耗的应用。PL2628的开关频率为1.2MHz，并允许使用2毫米或更低高度的微小、低成本的电容器和电感器
2024-02-21 14:32:280 ：0.3A- 静态导通电阻（RDS(ON)）：2800mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压（Vth）：1.6V**封装：** SOT23**详细参
2024-02-19 17:11:11
(ON)=47mΩ@VGS=10V, VGS=20V；Vth=-1V **封装：** SOT23 **详细参数说明：** -
2024-02-19 16:52:37
；RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V；Vth=-0.81V **封装：** SOT23 **详细参数说明：** &
2024-02-19 16:00:18
开通电阻(RDS(ON)): 2800mΩ @ VGS=10V, 20V- 阈值电压(Vth): 1.6V应用简介:BSS138N-VB是一款SOT23封装的N-
2024-02-03 11:47:04
一般说明PL2628是一个恒定频率、6引脚SOT23电流模式升压转换器，旨在用于小型、低功耗的应用。PL2628的开关频率为1.2MHz，并允许使用2毫米或更低高度的微小、低成本的电容器和电感器
2024-01-05 09:22:374 ；Vth=-1V；封装: SOT23**详细参数说明:**- **型号**: SM2323PSA-VB- **丝印**: VB2355- **品牌**: VBsemi
2024-01-02 11:44:24
(ON)）：30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压（Vth）：1.2~2.2V应用简介：AO3434A-VB是VBsemi推出的一款SOT23封装的N—C
2024-01-02 10:44:45
)；SOT23封装：SOT23详细参数说明：- 型号：FDN327N-NL-VB- 丝印：VB1240- 品牌：VBsemi- 沟道类型：N沟道- 最大耐压：20V-
2023-12-20 15:22:40
)；SOT23封装：SOT23详细参数说明：- 型号：PMV48XP-VB- 丝印：VB2290- 品牌：VBsemi- 沟道类型：P沟道- 最大耐压：-20V- 最大电
2023-12-20 14:58:54
, 8Vgs (±V)- 阈值电压：0.45~1V (Vth)- 封装：SOT23应用简介:ST2300S23RG-VB是一款低压降的N沟道MOSFET器件，适用于多种
2023-12-19 17:24:07
的RDS(ON)为30mΩ，在4.5V下为33mΩ，阈值电压范围为1.2V到2.2V，使得这款MOSFET具有多种用途。其SOT23封装确保了安装和布局的便利性。N
2023-11-30 14:14:09
低导通电阻，在10V下为47mΩ，4.5V下为56mΩ，且阈值电压为-1V。采用SOT23封装，便于安装与布局。该款IRLML5203TRPBF MOS管在电子领
2023-11-30 14:00:33
阻，在10V下为47mΩ，4.5V下为56mΩ，且阈值电压为-1V。采用SOT23封装，便于安装与布局。该款APM2305AC MOS管在电子领域具有广泛的应用，特
2023-11-29 17:03:33
的RDS(ON)为30mΩ，在4.5V下为33mΩ，阈值电压范围为1.2V到2.2V，使得这款MOSFET具有多种用途。其SOT23封装确保了安装和布局的便利性。AP2
2023-11-29 16:57:41
阻为47mΩ，4.5V时为56mΩ。阈值电压为-1V，采用SOT23封装，便于安装和布局。AO3401 MOSFET在电子领域有广泛的应用，尤其在以下领域：电源管理
2023-11-23 11:58:58
(ON)为30mΩ，在4.5V下为33mΩ，阈值电压范围为1.2V到2.2V，使得这款MOSFET具有多种用途。其SOT23封装确保了安装和布局的便利性。AO3400
2023-11-23 11:57:19
这期我们将给大家分享另外四种常见封装。
第一种：TO晶体管外形封装（Transistor Outline），主要分为通孔插装类TO封装和表面贴装类TO封装，命名规则都是由封装代号加管脚数组成，例如
2023-11-22 11:30:40
频率 （1.2MHz）操作
➢自动软启动可降低浪涌电流
➢关断电流 <1A
➢短路保护
➢无电感器
➢采用扁平 6 引脚 SOT23 封装
应用
➢2节AA电池至3.3V
➢移动中的 USB 设备
➢白光 LED 驱动器
➢手持设备
2023-11-21 12:12:53
请问LT1175-5这种固压版本的LDO，输出是5V还是-5V？SOT-223封装没有SHDN引脚，最大输出电流是多少呢？
2023-11-15 06:14:56
今天我们来结合SS8050 SOT23封装手册说下三极管选型。
2023-11-05 17:23:50
1331 
该SDB2F5是一个恒定频率，5引脚SOT23电流模式升压转换器的小低功耗应用的目的。SDB2F5交换机位于1.2MHz，并允许使用微小的，低成本的电容器和电感器高度2毫米或更小内部软启动导致小浪涌
2023-10-27 15:59:010 的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，MAX9634: nanoPower, 4-Bump UCSP/SOT23, Precision Current-Sense Amplifier Data
2023-10-16 19:17:55
UCSP and 5 SOT23 Data Sheet的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，MAX9060-MAX9064: Ultra-Small, nanoPower Single
2023-10-16 18:38:05
Transceiver with ±40V Fault Protection, ±25V CMR, and ±40kV ESD in 8-Pin SOT23 Data Sheet的引脚图、接线图、封装手册
2023-10-13 18:33:18
SDB628是一个恒定频率、6针脚SOT23电流模式升压转换器，旨在用于小、低功率的应用。开关为1.2MHz，并允许使用2mm或更低高度的微型、低成本的电容器和电感器。内部软启动导致小的涌电流，延长电池寿命。SDB628的特点是在光负载下自动切换到脉冲调频模式。
2023-08-23 15:32:501064 
SOT23封装是一种小型表面贴装封装，常用于集成电路（IC）和半导体器件。SOT23代表"Small Outline Transistor 23"，SOT23封装具有紧凑的尺寸、良好的散热性能和适应性，因此在许多电子设备中得到广泛应用。
2023-08-16 11:29:311306 什么是SOT23封装，你知道吗？ SOT23是一种非常常见的表面贴装封装，它是一种小型封装，具有三个引脚（也有其他版本有5个或6个引脚），引脚之间的间距为0.95mm。SOT23封装广泛应用于各种
2023-08-11 11:48:132092 SOT封装是一种常用的集成电路封装类型，常见的SOT封装类型包括3引脚（如SOT-23）、4引脚（如SOT-89和SOT-223）和6引脚（如SOT-363），可以适应不同的电路设计和功能要求。具有
2023-07-19 16:38:291729 SOT23-16封装是一种表面贴装技术（SMT）封装，具有许多优势。以下是一些关于SOT23-16封装的主要优势的简要说明，包括其尺寸、易用性、电气性能和热特性。 尺寸优势：SOT23-16封装
2023-07-18 17:43:26542 是否可以获得HVQFN148 SOT2111-1封装的3D STEP模型？
2023-05-12 07:21:34
如图这颗芯片是一颗DC-DC降压IC，SOT23-6封装的，请问下这颗芯片的型号是什么？ 哪个品牌的？ 谢谢！
2023-05-08 12:59:59
KUU推出超小型SOT-723封装MOSFET，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代MOSFET，这些新低阈值电压MOSFET采用KUU先进的沟槽工艺技术来取得能够和SOT-523等大上许多封装
2023-04-04 16:10:39987 
一般说明FSB628 是一款恒定频率、6 引脚 SOT23 电流模式升压转换器，适用于小型低功耗应用。FSB628 的开关频率为 1.2MHz，允许使用纤巧、低成本的电容器和高度为 2mm 或更小
2023-03-31 14:43:38
ASDM2301ZA/SOT23
2023-03-29 21:56:48
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