电子发烧友网站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L内存电源解决方案同步降压控制器TPS51216数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 13:58:12
0 电子发烧友网站提供《适用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF缓冲基准的TPS51206 2A峰值灌电流/拉电流DDR终端稳压器数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 13:53:030 电子发烧友网站提供《具有同步降压控制器、2A LDO和缓冲基准的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存储器电源解决方案数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 11:24:340 电子发烧友网站提供《具有同步降压控制器、2A LDO和缓冲基准的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4内存电源解决方案数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 11:13:440 电子发烧友网站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3内存电源解决方案同步降压控制器数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 10:16:450 实时高性能需求尤其突出。面对以上挑战，合作伙伴翌控科技基于米尔STM32MP135开发板发布开放式高实时高性能PLC控制器解决方案，将高精准数据采集、预处理、存储、通信与高实时控制融为一体，为控制系统
2024-03-07 20:06:14
电子发烧友网站提供《TPS65295完整 DDR4 存储器电源解决方案数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-06 10:17:540 使用SC584外扩DDR3，no_boot启动模式，开发环境CCES-2.2.0版本，在线调试过程，程序可正常下载，但是在A5预加载过程中会出现SYS_FAULT拉高现象，经实际汇编单步调试发现
2024-01-12 08:11:46
）
DDR3内存条，240引脚（120针对每侧）
DDR4内存条，288引脚（144针对每侧）
DDR5内存条，288引脚（144针对每侧）
DDR芯片引脚功能如下图所示：
DDR数据线的分组
2023-12-25 14:02:58
）
DDR3内存条，240引脚（120针对每侧）
DDR4内存条，288引脚（144针对每侧）
DDR5内存条，288引脚（144针对每侧）
DDR芯片引脚功能如下图所示：
DDR数据线的分组
2023-12-25 13:58:55
使用集成 GaN 解决方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28
195 
法人方面解释说：“标准型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨国企业主导，因此，中台湾企业在半导体制造方面无法与之抗衡。”在ddr3 ddr3的情况下，台湾制造企业表现出强势。ddr3的价格也随之上涨，给台湾半导体企业带来了很大的帮助。
2023-11-14 11:29:36405 DDR4和DDR3内存都有哪些区别？ 随着计算机的日益发展，内存也越来越重要。DDR3和DDR4是两种用于计算机内存的标准。随着DDR4内存的逐渐普及，更多的人开始对两者有了更多的关注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003885 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，介绍MAX®II系列即时开启非易失性CPLD基于0.18-μ，6层金属闪存工艺，密度从240到2210个逻辑元件（LE）（128至22
2023-10-24 15:38:16
package, 0.5mm pitch封装。与现有产品相比，拥有最高的功率密度。效率比市场上的其他解决方案高 2 倍、先进的控制优化了对电机的电流传输、节省高达 50% 的 PCB 空间、集成一流
2023-10-22 11:41:32
DDR3是2007年推出的，预计2022年DDR3的市场份额将降至8%或以下。但原理都是一样的，DDR3的读写分离作为DDR最基本也是最常用的部分，本文主要阐述DDR3读写分离的方法。
2023-10-18 16:03:56516 
DDR存储器发展的主要方向一言以蔽之，是更高速率，更低电压，更密的存储密度，从而实现更好的性能。
2023-10-01 14:03:00488 
摘要：本文将对DDR3和DDR4两种内存技术进行详细的比较，分析它们的技术特性、性能差异以及适用场景。通过对比这两种内存技术，为读者在购买和使用内存产品时提供参考依据。
2023-09-27 17:42:101088 我们在买DDR内存条的时候，经常会看到这样的标签DDR3-1066、DDR3-2400等，这些名称都有什么含义吗？请看下表。
2023-09-26 11:35:331922 
时，就需要外扩DDR SRAM二级存储来满足需求。
本期的主角盘古PGL50H FPGA就贴心的在核心板上，为我们配备了两片DDR3的芯片，来完成二级存储的需求。
两片DDR3组成32bit的总线数据
2023-09-21 23:37:30
相对于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些变化，比如DDR4将内存下部设计为中间稍微突出，边缘变矮的形状，在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡，这样的设计可以保证金手指和内存插槽有足够的接触面
2023-09-19 14:49:441478 
以MT41J128M型号为举例：128Mbit=16Mbit*8banks 该DDR是个8bit的DDR3，每个bank的大小为16Mbit，一共有8个bank。
2023-09-15 15:30:09629 
DDR3带宽计算之前，先弄清楚以下内存指标。
2023-09-15 14:49:462497 
一看到DDR,联想到的就是高速，一涉及到高速板有些人就比较茫然。高速板主要考虑两个问题点,当然其它3W，2H是基本点。
2023-09-15 11:42:37757 
内置校准: DDR3和DDR4控制器通常具有内置的校准机制，如ODT (On-Die Termination)、ZQ校准和DLL (Delay Locked Loop)。这些机制可以自动调整驱动和接收电路的特性，以优化信号完整性和时序。
2023-09-11 09:14:34420 飞思卡尔的Kinetis设备提供FlexMemory技术，该技术为灵活的内存使用提供了多功能和强大的解决方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM组成。
FlexNVM是一种非易失
2023-09-04 06:29:35
本文介绍一个FPGA开源项目：DDR3读写。该工程基于MIG控制器IP核对FPGA DDR3实现读写操作。
2023-09-01 16:23:19741 
本文开源一个FPGA项目：基于AXI总线的DDR3读写。之前的一篇文章介绍了DDR3简单用户接口的读写方式：《DDR3读写测试》，如果在某些项目中，我们需要把DDR挂载到AXI总线上，那就要通过MIG IP核提供的AXI接口来读写DDR。
2023-09-01 16:20:371887 
电子发烧友网站提供《存储解决方案选型指南.pdf》资料免费下载
2023-08-23 14:28:100 MCU200T的DDR3在官方给的如下图两份文件中都没有详细的介绍。
在introduction文件中只有简略的如下图的一句话的介绍
在schematic文件中也没有明确表明每个接口的具体信息
2023-08-17 07:37:34
在配置DDR200T的DDR3时，一些关键参数的选择在手册中并没有给出，以及.ucf引脚约束文件也没有提供，请问这些信息应该从哪里得到？
2023-08-16 07:02:57
复制Vivado工程路径vivado_prj\at7.srcs\sources_1\ip\mig_7series_0下的mig_7series_0文件夹。粘贴到仿真路径testbench\tb_ddr3_cache（新建用于DDR3仿真的文件夹）下。
2023-08-12 11:08:27735 PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
，不知道出现啥问题？求助解决方案，同时有个疑问DDR4是否可以使用，论坛中都是使用DDR3的教程。
log如下
2023-08-11 06:17:58
xilinx平台DDR3设计教程之设计篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
电子发烧友网站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中应用.pdf》资料免费下载
2023-07-24 09:50:470 DDR是Double Data Rate的缩写，即“双倍速率同步动态随机存储器”。DDR是一种技术，中国大陆工程师习惯用DDR称呼用了DDR技术的SDRAM，而在中国台湾以及欧美，工程师习惯用DRAM来称呼。
2023-07-16 15:27:103362 
DDR3的速度较高，如果控制芯片封装较大，则不同pin脚对应的时延差异较大，必须进行pin delay时序补偿。
2023-07-04 09:25:38312 
型号的MT41J芯片）。该DDR3 存储系统直接连接到了 PGL22G 的 Bank L1 及 Bank L2 上。PGL22G的DDR IP为硬核IP，需选择正确的IP添加。
本次实验目的为生成DDR3 IP
2023-06-25 17:10:00
视频图形显示系统理想的架构选择。视频处理和图形生成需要存储海量数据，FPGA内部的存储资源无法满足存储需求，因此需要配置外部存储器。 与DDR2 SDRAM相比，DDR3 SDRAM带宽更好高、传输速率更快且更省电，能够满足吞吐量大、功耗低的需求，因此
2023-06-08 03:35:011024 解决方案，配置方式比较灵活，采用软核实现 DDR memory 的控制，有如下特点：
➢支持 DDR3
➢支持 x8、x16 Memory Device
➢最大位宽支持 32 bit
➢支持裁剪的 AXI4
2023-05-31 17:45:39
我正在使用带有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 连接到 T1040 处理器 DDR 控制器。
我尝试了这个序列，但未能成功生成 DDR 地址奇偶校验错误：
步骤1：
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
memory 控制器解决方案，配置方式比较灵活，采用软核实现 DDR memory 的控制，有如下特点：
➢支持 DDR3
➢支持 x8、x16 Memory Device
➢最大位宽支持 32 bit
2023-05-19 14:28:45
一种便携式存储设备，当插入计算机时，被解析为内置硬盘设备。这也是一种非易失性闪存。与MMC和SD卡一样，USB闪存驱动器是一种更受欢迎的可移动存储形式。
5、RAM
RAM是一个易失性内存选项。一旦设备
2023-05-18 14:13:37
你好 ：
专家，我们想使用S32R45和DDR3，你能帮我在哪里找到示例项目或用例吗？
2023-05-17 08:13:46
在 i.MX6 SOLO 中有没有办法读取芯片 DDR3 的大小？
2023-05-06 07:04:11
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
车规级认证，经过长期的技术沉淀和积累，凭借着产品的创新、可靠的质量和稳定便捷的供应和支持，兆易创新车规级存储产品累计出货量达1亿颗，这也进一步凸显了兆易创新持之以恒的投入和承诺。未来，兆易创新将紧跟市场，持续完善车规级相关产品和解决方案的布局，助力行业发展。
2023-04-13 15:18:46
HongKe—助力高性能视频存储解决方案-2—-虹科方案-上篇文章《虹科方案|助力高性能视频存储解决方案-1》，我们分享了虹科&ATTO和Avid共同创建协作解决方案，助力高性能视频存储
2023-04-11 11:24:50332 
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
的RAM或常规的非易失性存储。该存储器真正是非易失性的，而不是由电池供电的。引脚配置特征高集成度设备替代了多个零件•串行非易失性存储器•带闹钟的实时时钟（RTC）•低VDD检测驱动复位•看门狗窗口定时器
2023-04-07 16:23:11
在CH573存储中，分为用户应用程序存储区CodeFlash，用户非易失数据存储区DataFlash,系统引导程序存储区Bootloader，系统非易失配置信息存储区InfoFlash。一般在使用时
2023-04-07 11:46:50
DDR内存1代已经淡出市场，直接学习DDR3 SDRAM感觉有点跳跃；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之间的对比。
2023-04-04 17:08:472867 
SITE LICENSE DDR3 SDRAM ECP3
2023-03-30 12:01:46
IP CORE DDR3 SDRAM CTLR ECP3
2023-03-30 12:01:16
云存储监控工具正在成为电子监控生态系统的支柱。云存储监控解决方案提供完全私有的云数据存储和备份选项，并具有强大的安全措施。下面，我们来讨论一下云存储监控解决方案的8大优势。
2023-03-29 16:37:291725 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器
2023-03-28 18:30:16
DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器、2A LDO、缓冲基准
2023-03-28 18:25:17
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