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IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59 mΩ，可匹配广泛的功率要求。P 沟道 MOSFET 无需使用电平转换或充电泵电路，使其成为系统/负载开关应用非常理想的解决方案。
工商网监
湘ICP备 2023018690 号
|
器件编号 |
封装 |
BV (V) |
最大 Vgs (V) |
10V下的
典型 / 最大RDS(on) (mΩ) |
4.5V下的
典型 / 最大RDS(on)
(mΩ) |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
3.9 / 4.6 |
5.8 / 6.8 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
5.4 / 6.6 |
8.3 / 10.2 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
5.9 / 7.2 |
9.3 / 11.2 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
10.0 / 11.9 |
16.1 / 19.7 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
13.6 / 17.5 |
22.5 / 28.1 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
15.6 / 19.4 |
25.6 / 32.5 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
48 / 59 |
83 / 110 | |
|
SO-8 (dual) |
-30 |
20 |
17.0 / 21.0 |
25.7 / 32 |
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2023-11-02 09:28:15
AFN4634WSS8RG-VB-SOP8封装N沟道MOSFET
Ω @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.72Vth 封装 SOP8应用简介 AFN4634WSS8RG是一款N沟道MOSFET，适用于高电压和
2023-11-01 11:21:18
AO4425-VB-SOP8封装P沟道MOSFET
门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.42Vth 封装 SOP8应用简介 AO4425是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的高功率应用。
2023-11-01 10:37:54
MDD3754RH-VB-TO252封装P沟道MOSFET
Ω @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.6Vth 封装 TO252应用简介 MDD3754RH是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的
2023-10-31 16:14:45
NTR0202PLT1G-VB-SOT23封装P沟道MOSFET
Ω @2.5V 门源电压 12Vgs (±V) 门阈电压 0.81Vth 封装 SOT23应用简介 NTR0202PLT1G是一款P沟道MOSFET，适用于低压和中等电
2023-10-31 14:13:24
FDS8858CZ-NL-VB-SOP8封装N+P沟道MOSFET
型号 FDS8858CZNL丝印 VBA5311品牌 VBsemi参数 频道类型 N+P沟道 额定电压 ±30V 额定电流 10A / 8A RDS(ON) 11mΩ / 21m
2023-10-31 13:52:46
TPC8123-VB-SOP8封装沟道MOSFET
门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压 1.5Vth (V) 封装类型 SOP8应用简介 TPC8123是一款P沟道MOSFE
2023-10-31 11:58:20
FDN304P-NL-VB-SOT23封装P沟道MOSFET
门源电压范围 ±20V 门源阈值电压 1V 封装类型 SOT23应用简介 FDN304PNL（丝印 VB2355）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET
2023-10-31 11:24:55
AO4407A-VB-SOP8封装P沟道MOSFET
, 66mΩ @2.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.37Vth 封装 SOP8应用简介 AO4407A是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控
2023-10-30 15:56:14
CEM4435-VB-SOP8封装P沟道MOSFET
Ω @ 2.5V 门源电压范围 ±20V 门源阈值电压 1.37V 封装类型 SOP8应用简介 CEM4435（丝印 VBA2317）是VBsemi公司生产的一款P
2023-10-30 15:33:55
2SJ668-VB-TO252封装P沟道MOSFET
门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.3Vth 封装 TO252应用简介 2SJ668是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制或负载开关的高功率应用
2023-10-30 15:13:18
AO4407-VB-SOP8封装P沟道MOSFET
) 阈值电压 1.37Vth (V) 封装类型 SOP8应用简介 AO4407是一款P沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有负的额定电压和额
2023-10-30 14:46:07
FR5305-VB-TO252封装P沟道MOSFET
门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.76Vth 封装 TO252应用简介 FR5305是一款P沟道MOSFET，适用于需要负极电压控制和负载开关的高功率
2023-10-30 10:03:05
AP4563GH-VB-TO252-5封装 N+P沟道MOSFET
, 18.75mΩ @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 ±1Vth 封装 TO2525应用简介 AP4563GH是一款N+P沟道MOSFET，适用于需要
2023-10-28 16:06:13
SUD50P04-08-GE3-VB-TO252封装P沟道MOSFET
Ω@4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.6Vth 封装 TO252应用简介 SUD50P0408GE3是一款P沟道MOSFET，适用于高功率开关和
2023-10-28 15:35:51
IRF7314TRPBF-VB-SOP8封装2个P沟道MOSFET
) 阈值电压 1.5Vth (V) 封装类型 SOP8应用简介 IRF7314TRPBF是一款双P沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有负的额定电压和
2023-10-28 14:55:23
ME9435-VB-SOP8封装沟道MOSFET
门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.5Vth 封装 SOP8应用简介 ME9435是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制或负载开关的应用。其最大耐压
2023-10-28 14:24:47
FDD5614P-VB-TO252封装P沟道MOSFET
Ω @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.3Vth 封装 TO252应用简介 FDD5614P是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制或负载开关的应
2023-10-28 11:48:41
600 - 650V MDmesh DM9快速恢复SJ功率MOSFET提高了效率和稳健性
和功率水平。这些快速恢复硅基功率MOSFET的器件适用于工业和汽车应用，提供广泛的封装选项，包括长引线TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封装。
2023-09-08 06:00:53
面向SiC MOSFET的STGAP2SICSN隔离式单通道栅极驱动
单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制，采用节省空间的窄体SO-8封装，通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率，STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间，并增强了节能型动力系统、驱动器和控制的稳健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
美浦森N沟道超级结MOSFET SLH60R028E7
SLH60R028E7是一款600VN沟道多层外延工艺的超结MOS，由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，故在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要
2023-08-18 08:32:56513
513
IR Drop与封装（一）
大部分从事后端设计的同行应该没有接触过带封装的IR Drop分析（模块级别的IR分析不需要考虑封装），一般只有PA工程师、后端项目经理、封装同事等才会接触这一部分内容。
2023-06-16 10:05:18674
674MOSFET对使单刀双掷开关变得简单
以对 MOSFET 使用单个控制输入。这种拓扑结构中的Si4501DY MOSFET的主元件在5A时表现出小于0.1V的压降，并且两个MOSFET都采用SO-8封装。
2023-05-31 17:49:243200
3200如何使用P/N沟道MOSFET构建通用全桥或H桥MOSFET驱动电路
在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288
5288IR Drop与封装分析
大部分从事后端设计的同行应该没有接触过带封装的IR Drop分析（模块级别的IR分析不需要考虑封装），一般只有PA工程师、后端项目经理、封装同事等才会接触这一部分内容。
2023-04-21 09:31:091573
1573以工艺见长的东芝N沟道功率MOSFET为电源效率赋能
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常又称为N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691
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