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IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59 mΩ，可匹配广泛的功率要求。P 沟道 MOSFET 无需使用电平转换或充电泵电路，使其成为系统/负载开关应用非常理想的解决方案。
工商网监
湘ICP备2023018690号-1
产品规格
|
器件编号 |
封装 |
BV (V) |
最大 Vgs (V) |
10V下的
典型 / 最大RDS(on) (mΩ) |
4.5V下的
典型 / 最大RDS(on)
(mΩ) |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
3.9 / 4.6 |
5.8 / 6.8 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
5.4 / 6.6 |
8.3 / 10.2 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
5.9 / 7.2 |
9.3 / 11.2 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
10.0 / 11.9 |
16.1 / 19.7 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
13.6 / 17.5 |
22.5 / 28.1 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
15.6 / 19.4 |
25.6 / 32.5 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
48 / 59 |
83 / 110 | |
|
SO-8 (dual) |
-30 |
20 |
17.0 / 21.0 |
25.7 / 32 |
- MOSFET(230957)
- IR(58208)
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2025-03-01 16:36:543
3LTH004FPB互补增强型功率MOSFET(N和P沟道)规格书
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2025-03-01 16:35:550
0LTH004FP互补增强型功率MOSFET(N和P沟道)规格书
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2025-03-01 16:33:590
0设计SO-8封装的详细步骤和注意事项
设计 SO-8（Small Outline-8）芯片的 PCB 封装需要遵循一定的规范和步骤。SO-8 是一种常见的表面贴装封装，具有 8 个引脚，引脚间距通常为 1.27mm（50 mil）。以下是设计 SO-8 封装的详细步骤和注意事项：
2025-02-06 15:24:265108
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