半导体放电管TSS：原理及在电子领域的应用？|深圳比创达电子EMC半导体放电管TSS是一种高压、高速、低电流的电子元件，广泛用于电力电子、通讯、光电子等领域。本文将从TSS的定义、工作原理、应用场
2024-03-06 10:07:51
可以用于控制光通讯设备的输出功率和波长，实现高速数据传输；2、射频开关TSS可用于射频开关中，用于控制高频信号的开关和调制，实现信号的放大和捕获。五、半导体放电管TSS的优势和发展趋势TSS具有响应速度
2024-03-06 10:03:11
ART1K6FHG功率LDMOS晶体管 这款 1600 W LDMOS RF 功率晶体管基于先进耐用技术 (ART)，旨在涵盖 ISM、广播和通信的广泛应用。不匹配的晶体管的频率范围为 1
2024-02-29 20:57:46
BLF888B,112Ampleon 的射频功率晶体管射频功率晶体管，0.47 至 0.86 GHz，650 W，20 dB，50 V，LDMOS，SOT-539A零件号： BLF888B
2024-02-29 16:14:13
BLP15H9S30GXYAmpleon 的射频功率晶体管射频功率晶体管，0.001 至 1.5 GHz，30 W，21 dB，50 V，SOT1483-1，LDMOS零件号：
2024-02-29 16:13:32
ART150PEGXYAmpleon 的 RF 功率晶体管RF功率晶体管，0.001至0.65 GHz，150 W，31.2 dB，65 V，LDMOSMMFEB21PP6-预分
2024-02-29 14:46:47
C4H27W400AVYAmpleon 的射频功率晶体管射频功率晶体管，2.3 至 2.69 GHz，400 W，15 dB，48 V，SOT1275-1
2024-02-29 14:00:41
BLP9G0722-20G 功率LDMOS晶体管20 W 塑料 LDMOS 功率晶体管，适用于频率为 100 MHz 至 2700 MHz 的基站应用。BLP9G0722-20G
2024-02-29 13:46:41
？
再者在场效应管这种单极性导电半导体中，为什么只是有一种离子导电，而非两种离子，不像晶体管那种两种离子导电，请问这是为什么？同样对于场效应管也有上面的问题？
2024-02-21 21:39:24
双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT），也被称为半导体三极管或三极管，是一种具有三个终端的电子器件。它由三部分掺杂程度不同的半导体组成，这三部分分别是发射区、基区和集电区。这种晶体管的工作方式涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此被称为双极性的。
2024-02-19 15:15:05
290 
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
管子多用于集成放大电路中的电流源电路。
请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析？按照我的理解，在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时，如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的电源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半导体元件还有利用一个PN结构成的具有负阻特性的器件一单结晶体管，请问这个单结晶体管是什么？能够实现负阻特性？
2024-01-21 13:25:27
相比较，GaN具有更加优异的性能；包含更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移效率和更高的导热系数。与GaAs晶体管相比较，GaN HEMT还推出更高的功率密度和更宽的带宽。CGHV96050F1使用金属/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
三极管功率会先上升后下降，因为电压降在下降而电流在上升。功率最大点在中间位置。
3、当基射极电流增大到一定水平，集射极电压降低到不能再降的程度时，晶体管进入饱和，此时无论基射极电流如何增大，集射极电流也
2024-01-18 16:34:45
半导体工艺的历史可以追溯到20世纪40年代末至50年代初，当时的科学家们开始使用锗（Ge）和硅（Si）这类半导体材料来制造晶体管。1947年，贝尔实验室的威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿发明
2024-01-15 14:02:37202 IGBT）是一种半导体器件，它将MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）的优点集于一身，具有高输入阻抗、低导通压降、高电流密度等优点。IGBT广泛应用于电力电子、轨道交通
2024-01-03 15:14:22268 
事通讯设备产品规格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管最低频率(MHz)：0最高频率(MHz)：2000最高值输出功率(W)：200增益值(分贝)：24.0效率（％）：70额定电压(V)：27类型：封装分立晶体管封装类别：法兰盘、丸状技术应用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
100米UHF发射电路图进行详细的介绍。 首先，我们需要了解UHF频段。UHF（Ultra High Frequency）超高频，是指频率在300MHz-3GHz之间的无线电波。UHF频段具有传输距离远、抗干扰能力强、绕射能力好等特点，因此在无线通信领域得到了广泛的应用。
2023-12-30 11:32:00480 
晶体管是一种半导体器件，用于放大电信号、开关电路和逻辑运算等。它是现代电子技术和计算机科学的核心之一。在晶体管中，有三个电极：基极、发射极和集电极。这三个电极的电压之间的关系对于理解晶体管的工作原理
2023-12-20 14:50:491193 。超高频RFID读写器其实是一种智能化的无线射频识别设备，它可以一次性读取多个标签、识别距离远、传送数据速度快，可靠性高和寿命长、耐受户外恶劣环境等特点，应用领域越
2023-12-13 16:32:44332 
【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
该陪审员同意了普度的意见，即电动汽车用充电器及其他产品使用的碳化物金属氧化物半导体电场效果晶体管（mosfet）侵害了高电压电源应用（high power power application）使用的晶体管的专利。
2023-12-06 13:55:23420 ，如功率二极管、功率晶体管、功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）等。它们主要在电源、变频器、电机驱动等功率电子领域中使用。 集成电路是将大量电子器件（如晶体管、电阻、电容等）集成在单个芯片上，形成一个完整的
2023-12-04 17:00:57682 [半导体前端工艺：第一篇] 计算机、晶体管的问世与半导体
2023-11-29 16:24:59193 
功率半导体有多种类型，我们可以使用它们的应用甚至更多。基本上，所有功率半导体器件都可以分为三类：二极管、晶闸管和晶体管。
2023-11-27 13:24:26239 来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
RFID技术在安全门禁领域的应用已经十分成熟，根据不同的应用场景，可以将其细分为不同的设备，目前超高频RFID在安全门禁中主要有会议通道、智能门禁、隐形门禁、安全通道这几种。 RFID超高频门禁类型
2023-11-17 10:58:48257 据悉，汇芯半导体成立于2020年，是一家专注于功率芯片及模块开发和生产的企业，其主要产品包括高压集成电路（HVIC）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、功率场效应晶体管（PowerMOS）、微控制单元（MCU）、传感器（Sensor）及其集成化。
2023-11-09 14:41:48470 电子发烧友网站提供《超高频RFID读写器部分电路设计.pdf》资料免费下载
2023-11-07 15:11:23
0 电子发烧友网站提供《一种超高频RFID读写器的软件设计与实现.pdf》资料免费下载
2023-11-06 16:07:531 电子发烧友网站提供《超高频RFID无源读写器的硬件设计.pdf》资料免费下载
2023-11-06 10:15:072 有熟悉超高频电磁加热电路的工程师吗？振荡频率为18MHz，请联系我。
2023-10-18 17:29:31
根据专利摘要，该公开是关于半导体元件及其制造方法的。半导体器件包括电装效应晶体管。电场效应晶体管包括栅极、漏极、源极和氧化物半导体沟道。漏极和源极分别位于氧化物半导体通道的两端。
2023-10-11 14:23:08417 
请问有熟悉18MHz超高频电磁感应加热电路的吗？
2023-10-10 15:25:59
专业图书47-《新概念模拟电路》t-I晶体管
2023-09-28 08:04:05
电源设计者只要熟悉双极型晶体管的设计，掌握关于MOSFET管特性的基本信息，就可以很快学会使用MOSFET管进行电路设计。对电路设计者来说,决定MOSFET管特性的制造材料和固态物理结构并不太重要,这里
2023-09-28 06:33:09
晶体管是通常用于放大器或电控开关的半导体器件。晶体管是调节计算机、移动电话和所有其他现代电子电路运行的基本构件。
2023-09-27 10:59:402306 
介绍：
晶体管是一种用于放大或切换电子信号和电力的半导体器件。它是一种三端口半导体器件，这些引脚分别标记为集电极（C）、基极（B）和发射极（E）。现在，我将展示如何使用万用表检查晶体管。
2023-09-21 13:48:18832 
2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01190 免费开放，点击文末“阅读原文”可获取电子参观证。 RFID的采用在衣物的识别与管理发挥重要的作用，采用超高频RFID技术
2023-09-13 11:45:02284 
意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 2023 年 9 月 6 日，中国 ——意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低了物料清单成本，能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 深圳触觉智能研发的PX30核心板应用于智能档案柜，可采用先进的超高频RFID（无线射频识别即射频识别技术），以RFID电子标签作为信息存储媒介并粘贴在档案袋上，在RFID电子标签中存储该档案
2023-09-07 08:35:15342 
绝缘栅双极晶体管也简称为IGBT ，是传统双极结型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET)的交叉体，使其成为理想的半导体开关器件。
2023-09-06 15:12:291490 
复旦微电子单口模块是一款高性能的嵌入式UHF超高频电子标签读写模块，完全自主知识产权设计，结合专有的高效碰撞处理算法，在保持高识读率的同时，实现对电子标签的快速读写处理，可广泛应用于物流、个人身份识别、会议签到系统、门禁系统、防伪系统及生产过程控制等多种无线射频识别（RFID）系统。
2023-08-30 17:39:37346 
晶体管是一种半导体元器件，它由三个层叠在一起的材料构成，分别是 P 型半导体、N 型半导体和 P 型半导体。其中 NPN 和 PNP 型晶体管是最常用的两种。晶体管有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。
2023-08-25 17:17:47651 晶闸管和晶体管区别是什么？ 晶闸管和晶体管都属于半导体器件的范畴，它们的出现都彻底改变了电子行业的发展。但是，晶闸管和晶体管之间存在着一些关键的区别，这些区别在分析它们的工作原理、特点、应用等方面
2023-08-25 15:47:411278 晶体管的工作原理介绍 晶体管是一种电子器件，它是现代电子设备的基础，如计算机、手机、电视等。晶体管是一个半导体器件，它可以放大或开关电流信号。晶体管的工作原理是由三个不同类型的材料组成：N型半导体
2023-08-25 15:35:141791 晶体管和芯片的关系介绍 晶体管和芯片是现代电子技术中最重要的两个概念，二者有密不可分的关系。晶体管是一种半导体材料制造的电子器件，而芯片则是晶体管等电子器件及相关电路的集成体。 一、晶体管 晶体管
2023-08-25 15:29:372440 晶体管和芯片的关系是什么？ 晶体管和芯片是相互关联的两个概念，晶体管是芯片的核心组成部分之一。 晶体管是一种能够控制电流的电子器件，由美国贝尔实验室的William Shockley、John
2023-08-25 15:21:051513 、胸腔晶体管、双极交接晶体管、金属-氧化半导体外效晶体管和隔热双极晶体管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在电子应用中,二极管发挥简单的开关功能,只允许电流向一个方向流动,电极二极管拥有更大的动力、电压和当前处理能力,在电
2023-08-15 17:17:32699 
的制造商生产半导体（晶体管是该设备家族的成员），因此有数千种不同的类型。有低功率、中功率和高功率晶体管，用于高频和低频工作，用于非常高电流和/或高电压工作。本文概述了什么是晶体管、不同类型的晶体管及其应用。
2023-08-02 12:27:481044 
的制造商生产半导体（晶体管是该设备家族的成员），因此有数千种不同的类型。有低功率、中功率和高功率晶体管，用于高频和低频工作，用于非常高电流和/或高电压工作。本文概述了什么是晶体管、不同类型的晶体管
2023-08-02 12:26:53
MRF300AN/MRF300BN射频功率LDMOS晶体管规格书，这些设备被设计用于HF和VHF通信，工业、科学和医疗（ISM）以及广播和航空航天应用程序。这些设备非常坚固，表现出高性能高达250MHz。
2023-07-28 17:45:470 这款UHF宽带放大器（超高频放大器）在10 – 15 MHz域频率下的总增益为400至850 dB，因此可用于电视信号较弱的地方。
2023-07-26 15:42:231525 
功率半导体包括功率半导体分立器件（含模块）以及功率 IC 等。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、晶闸管和晶体管等。
2023-07-26 09:31:035043 
MRF427 NPN硅射频功率晶体管规格书
2023-07-24 14:27:530 MRF428射频功率晶体管规格书。主要设计用于高电压应用，作为2.0至30 MHz的高功率线性放大器。适用于船舶和基站设备。·规定的50伏、30 MHz特性-输出功率=150 W（PEP）最小增益=13 db效率=45%·150 W时的互调失真
2023-07-24 14:26:520 MRF422射频功率晶体管规格书
2023-07-24 14:24:070 这款UHF变送器专为低功率应用而设计，可作为车库门和操作系统的遥控器、无线报警。这款UHFFM发射器只有一个晶体管，其工作频率保留给低功率电波信号。
2023-07-23 17:15:561028 产品发射区结构设计为梳状结构。晶体管版图中发射区半宽度选择为30μm。
2023-07-05 11:23:34360 
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
本文介绍如何使用ADI信号链进行超高频(UHF)局部放电在线监测系统的RF前端设计。该前端灵敏度低，动态范围高，可以满足中国国家电网企业标准Q/GDW11059.8-2013"电气设备通电试验装置技术规范第8部分：超高频局部放电检测器的技术规范"的要求，并且提供不错的裕量。
2023-06-15 16:28:01704 
和设计师的首选。本文将深入探讨RX65T125HS1B功率晶体管的工作原理，并介绍其在不同应用领域中的突出应用。 一、RX65T125HS1B功率晶体管的工作原理 功率晶体管简介： 功率晶体管是一种用于控制和放大电力信号的半导体器件。与传统的小信号晶体管相比
2023-06-12 16:48:161016 器件的大规模集成化、大功率小型化、高效率低损耗、超高频的发展而引发的电路发热也迅速提高，电子封装对基板材料的要求有：热导率高、介电常数低、与芯片材料的热膨胀系数相匹配、力学强度优良、加工性能好、成本低、耐热冲击和冷热循环等。
2023-06-09 15:49:241816 
晶体管是什么控制型器件 晶体管属于电流控制电流控制型器件。 晶体管是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种
2023-05-30 15:32:362177 我正在寻找摩托罗拉收音机 VHF 射频末级中使用的这些旧射频晶体管的数据表，有人可以帮我吗？
2023-05-30 07:40:02
Nexperia | 为什么使用双极性晶体管驱动功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
栅型场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
2023-05-20 15:19:12583 
防爆三防工业平板 超高频 激光扫描头Model:P1000功能 IP67 MTK6771 GGB+128GB 21MPCamera 8500mAH可拆卸 Androld10 NFC系统
2023-05-19 14:56:17
双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor，简称BJT)是一种半导体器件，它是一种基于电子和空穴的双极性导电性质的三极管。与场效应晶体管相比，双极型晶体管的控制电流较大，但具有高电流放大系数和高频特性等优点。
2023-05-17 15:23:134370 光电晶体管是基极端子暴露的晶体管，来自撞击光的光子不会向基极发送电流，而是激活晶体管。这是因为光电晶体管由双极半导体制成，并集中在通过它的能量上。
2023-05-16 15:59:06286 
迅远P6300超高频RFID三防平板电脑，采用防水、防尘、防跌落设计，并搭载了先进的超高频RFID射频模块，读写距离可达0~7米。
2023-05-12 11:04:23284 差分放大电路输入共模信号时
为什么说RE对每个晶体管的共模信号有2RE的负反馈效果
这里说的每个晶体管的共模信号是指什么信号 是指输入信号 还是指ie1 ie2 uoc ?
另外为什么是负的反馈
2023-04-25 16:15:31
为什么使用双极性晶体管驱动功率LED？
2023-04-24 09:09:55413 
我在 AWR 中模拟 LDMOS MRFE6VS25N 时遇到问题。我使用 12 和 13 版本 64 位，但模型只有 32 位。我如何使用我的 AWR 软件模拟这个晶体管？
2023-04-23 09:07:17
）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432097 
M2216模块是基于IMPINJ 第二代射频芯片R2000设计的十六通道超高频读写模块，专为高挑战性RFID应用环境而设计的高性能读写模块。
2023-04-17 14:57:31345 一个传统的宏蜂窝包含覆盖配置中多个小蜂窝(或准宏蜂窝)。在该方案中，宏蜂窝使用现有系统所采用的超高频(UHF)频带(0.3～3 GHz)，而覆盖小小区使用更高的频带，即低超高频(SHF)频带(3～6 GHz)、高SHF频带(6～30 GHz)和甚高频(EHF)频带(30～300 GHz)。
2023-04-08 10:04:37635 有没有负触发导通正的晶体管呢？哪位大神知道请赐教。谢谢啦！
2023-03-31 11:47:46
DU2860U 射频功率 MOSFET 晶体管 60W，2-175MHz，28V 射频功率 MOSFET 晶体管 60W，2-175MHz，28V
2023-03-31 10:37:00
DU2840S 射频功率 MOSFET 晶体管 40W，2-175MHz，28V 射频功率 MOSFET 晶体管
2023-03-30 18:07:32
半导体分立器件是由单个半导体晶体管构成的具有独立、完整功能的器件。例如：二极管、三极管、双极型功率晶体管(GTR)、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管(结型场效应晶体管、MOSFET)、IGBT
2023-03-29 16:59:37404 
半导体分立器件是由单个半导体晶体管构成的具有独立、完整功能的器件。例如：二极管、三极管、双极型功率晶体管(GTR)、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管(结型场效应晶体管、MOSFET)、IGBT
2023-03-28 13:10:04457 超高频晶体管阵列 SOIC14_150MIL 12V 8GHz
2023-03-28 13:04:45
超高频晶体管阵列 SOIC14_150MIL 12V 8GHz
2023-03-28 13:04:45
我在设计 PCB 时犯了一个错误，我的一些晶体管在原理图上将集电极和发射极调换了。“正常”方式是有 1：基极，2：发射极，3：集电极，但我需要一个晶体管，1：基极，2：集电极，3：发射极。引脚号与此图像相关：你知道有这种封装的晶体管吗？我知道我可以将它倒置并旋转，但我想知道我是否可以正确使用一个。
2023-03-28 06:37:56
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