电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2技术，据官方介绍，这是新一代的沟槽栅SiC MOSFET技术，相比上一代产品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:18
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供应商器件封装 P 14 x 8
2024-03-14 21:19:01
在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术——CoolSiC™ MOSFET Generation 2。这一创新技术的推出，标志着功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑，为行业的低碳化进程注入了强大动力。
2024-03-12 09:43:29125 电子发烧友网站提供《封装外形图34引线功率四平面无引线（PQFN）塑料封装介绍.pdf》资料免费下载
2024-01-31 10:04:17
0 Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了创新的双面散热 DFN 5 x 6 封装。这一创新型封装为 AOS 产品赋予了卓越的散热性能，使其在长期恶劣的运行条件下仍能保持稳定的性能。
2024-01-26 18:25:151382 碳化硅器件的快速开关特性时面临诸多问题，例如杂散电感参数大、高温工作可靠性差以及多功能集成封装与高功率密度需求等。 1.低杂散电感封装技术 单管翻转贴片封装： 借鉴BGA封装技术，采用单管的翻转贴片封装，通过金属连接件将芯片背部电极翻转到
2024-01-26 16:21:39218 
光伏IR相机是一种特殊的光电设备，它使用红外线（IR）技术来检测和捕捉光伏电池板上的热图像。这种相机的主要功能是检测光伏电池板上的热分布和异常，帮助工程师和科学家更好地了解光伏电池板的性能和存在的问题。
2024-01-23 11:36:23235 
2104全桥驱动电路原理 IR2104是一种高速、低成本的高和低电平电荷泵驱动器。它可通过逻辑输入信号控制两个N沟MOSFET或IGBT的驱动信号，实现全桥输出。IR2104内部集成了一个高压引发电荷泵、逻辑电平和电流检测电路。其主要包括低侧和高侧驱动器。 低侧驱动器：
2024-01-05 16:11:041106 近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316 英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
降低，为充分发挥 SiC 器件的优势需要改进现有的封装技术。针对上述挑战，对国内外现有的低寄生电感封装方式进行了总结。分析了现有的高温封装技术，结合新能源电力系统的发展趋势，对 SiC 器件封装技术进行归纳和展望。
2023-12-27 09:41:37621 
应用的80V 和 100V MOSFET，这两款车规级器件是TO-Leadless (TOLL) 封装。AOS TOLL 封装旨在优化功率半导体器件成为电动汽车发展中的重要组件，尤其是在两轮和三轮及其
2023-12-15 11:26:49279 应用的80V 和 100V MOSFET，这两款车规级器件是TO-Leadless (TOLL) 封装。AOS TOLL 封装旨在优化功率半导体器件成为电动汽车发展中的重要组件，尤其是在两轮和三轮及其
2023-12-14 16:55:24949 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，该器件采用新一代高压 GaN HEMT 技术和专有铜夹片 CCPAK 表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。
2023-12-13 10:38:17312 。 OptiMOS 7 功率MOSFET 该半导体产品组合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm²源极底置（Source-Down）封装，标准门级和门级居中
2023-12-12 18:04:37494 
工程师必看！MOSFET器件选型的3大法则
2023-12-06 15:58:49209 ，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-05 10:33:32177 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 随着晶圆级封装技术的不断提升，众多芯片设计及封测公司开始思考并尝试采用晶圆级封装技术替代传统封装。其中HRP（Heat Re-distribution Packaging）晶圆级先进封装工艺技术
2023-11-30 09:23:241119 
) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia
2023-11-30 09:12:02432 
为了扩大QSiC SiC模块的选择范围，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封装的200,227V MOSFET，可与或不与1,200V SiC肖特基二极管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:46862 （Double In-line Package，DIP），主要有塑料封装和金属封装，塑料封装用于消费类电子产品，金属封装主要用于军工或航天技术，这种封装方式的芯片有两排引脚，直插式元器件封装的焊盘一般贯穿整个
2023-11-22 11:30:40
在高功率和高电流方面，电源模块提供分立封装和集成模块，根据设备规格和使用条件为制造商提供竞争优势。领先的公司供应数百种分立功率器件，但其中一些最常见的包括通孔封装，例如带长银引线的 TO-247
2023-11-20 17:18:24498 
Wolfspeed 采用 TOLL 封装的碳化硅 MOSFET 产品组合丰富，提供优异的散热，极大简化了热管理。
2023-11-20 10:24:00319 
为了扩大QSiC SiC模块的选择范围，SemiQ推出了一系列采用SOT-227封装的1,200V MOSFET，可与或不与1,200V SiC肖特基二极管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-16 17:18:25570 管理应用的 MRigidCSP™ 封装技术。AOS首颗应用该新型封装技术的12V 共漏极双 N 沟道 MOSFET——AOCR33105E，实现在降低导通电阻的同时提高CSP产品的机械强度。这项新升级
2023-11-13 18:11:28219 
，能够像IGBT一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅MOSFET的开关频率。之前的文章中，我们介绍了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何优化SiC栅极驱动电路 。今天将带来本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封装、系统性能和应用 。 封装 WBG半导体使高压转换器能够在更接近
2023-11-09 10:10:02333 
1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 
、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像
2023-10-18 16:05:02328 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 传统的功率半导体封装技术是采用铅或无铅焊接合金把器件的一个端面贴合在热沉衬底上，另外的端面与10-20mil铝线楔或金线键合在一起。这种方法在大功率、高温工作条件下缺乏可靠性，而且不具备足够的坚固性。
2023-10-09 15:20:58299 
电子发烧友网站提供《MOSFET符合AEC-Q101标准 采用小型有引脚和无引脚DFN的SMD封装.pdf》资料免费下载
2023-09-26 15:36:081 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装
2023-09-24 10:42:40391 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出首批 80 V 和 100 V 热插拔专用 MOSFET(ASFET)，该系列产品采用紧凑型 8x8 mm
2023-09-22 09:08:10385 和功率水平。这些快速恢复硅基功率MOSFET的器件适用于工业和汽车应用，提供广泛的封装选项，包括长引线TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封装。
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2023-09-07 11:46:58
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。
2023-09-07 09:59:32731 
1 功率分立产品概述
2 IGBT 产品系列
3 HV MOSFET 产品系列
4 SiC MOSFET 产品系列
5 整流器及可控硅产品系列
6 能源应用
2023-09-07 08:01:40
。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431202 
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:10600 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-22 11:03:21557 
KUU推出采用DFN5*6-8L无铅塑料封装的N-SGTMOSFET产品KM4110N-568。产品使用先进的屏蔽栅沟槽（ShieldGateTrench）技术，同时降低了器件导通电阻Ronsp
2023-08-19 08:30:24391 
产品推荐 | TOLL封装MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
碳化硅(SiC)作为一个新兴的宽带隙半导体材料，已经吸引了大量的研究关注。其优越的电气性能、高温稳定性和高频响应使其在功率电子器件领域中具有巨大的应用潜力。但要完全发挥SiC功率器件的潜力，封装技术同样至关重要。本文主要探讨碳化硅功率器件封装的三个关键技术。
2023-08-15 09:52:11701 
微光电子机械系统（MOEMS）是一种新兴技术，日前已成为热门的技术之一。MOEMS是利用光子系统的微电子机械系统（MEMS），内含微机械光调制器、微机械光学开关、IC及其他构件，并利用了MEMS技术的小型化、多重性、微电子性，实现了光器件与电器件的无缝集成。
2023-08-14 11:21:42143 2023年8月1日，九峰山实验室6寸碳化硅（SiC）中试线全面通线，首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线。实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。
2023-08-11 17:00:54226 对于SiC功率MOSFET技术，报告指出，650-1700V SiC MOSFET技术快速迭代，单芯片电流可达200A。提升电流密度同时，解决好特有可靠性问题是提高技术成熟度关键。
2023-08-08 11:05:57428 MOEMS器件按其物理工作原理分为干涉、衍射、透射、反射型（见表1），大多数采用反射型器件。MOEMS在过去几年中已获得显著发展。近几年，由于对高速率通信和数据传输需求的增长，大大激发了对MOEMS技术及其器件的研发。已开发出所需的低损耗、低EMV敏感性、低串话的高数据率反射光型MOEMS器件。
2023-08-03 14:43:50217 及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业，主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模块、IGBT、二极管
2023-07-06 16:45:02520 
镓器件大约在2015年推出市场，与具有相同导通电阻和额定电压的硅功率MOSFET相比，其价格更低 。从那时起，产量继续提升、氮化镓器件的价格持续下降、氮化镓技术不断改进和芯片进一步更小化。下图显示了
2023-06-25 14:17:47
（VLSI）设备采用的设计方式有极大的不同，它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了MOSFET的器件原理图，传输特性和器件符号。双极结型晶体管（BJT)自身的局限性驱动了功率
2023-06-17 14:24:52591 
采用了GaNSense™技术的NV6169 PQFN 8×8 GaNFast™功率IC，适用于更高功率的应用
2023-06-16 11:12:02
大部分从事后端设计的同行应该没有接触过带封装的IR Drop分析（模块级别的IR分析不需要考虑封装），一般只有PA工程师、后端项目经理、封装同事等才会接触这一部分内容。
2023-06-16 10:05:18674 
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域，如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再生能源、能源等存储系统、工业和电网基础设施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
高速公路服务区的重要基础设施，确保电动汽车在日常驾驶和长途旅行中有地方充电。 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列产品，通过优化器件结构设计，采用先进的工艺制造技术，进一步提高了产品性能，具有
2023-06-13 16:30:37
兰奈梅亨--(美国商业资讯)--Nexperia(安世半导体)，分立器件、逻辑器件和 MOSFET 器件的全球领导者，今日宣布其已采用 Trench 11 技术实现具有史上最低导通阻抗
2023-06-08 13:57:21441 最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS™ 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有
2023-06-06 11:01:361026 
PRISEMI芯导产品推荐 | TOLL封装MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
Nexperia | 推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合 基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 TOLL（Transistor Outline Leadless）封装的MOSFET，由于其封装形式具有小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点，已经在电动自行车、电动摩托车、锂电保护、通信电源等终端客户得到广泛使用。
2023-05-26 09:52:42393 
“ 引言 ” 近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术
2023-05-23 17:14:18618 
为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道
2023-05-22 11:11:391173 TOLL（Transistor Outline Leadless）封装的MOSFET，由于其封装形式具有小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点，已经在电动自行车、电动摩托车、锂电保护、通信电源等终端客户得到广泛使用。
2023-05-13 17:38:521981 
不久前，英飞凌科技股份公司宣布其适用于高压MOSFET的QDPAK和DDPAK顶部散热（TSC）封装技术正式注册为JEDEC标准。
2023-04-29 03:28:004585 
大部分从事后端设计的同行应该没有接触过带封装的IR Drop分析（模块级别的IR分析不需要考虑封装），一般只有PA工程师、后端项目经理、封装同事等才会接触这一部分内容。
2023-04-21 09:31:091573 摘要半导体技术的进步使得芯片的尺寸得以不断缩小，倒逼着封装技术的发展和进步，也由此产生了各种各样的封装形式。当前功率器件的设计和发展具有低电感、高散热和高绝缘能力的属性特征，器件封装上呈现出模块化
2023-04-20 09:59:41710 
MOSFET作为功率开关管，已经是开关电源领域的绝对主力器件。虽然MOSFET作为电压型驱动器件，其驱动表面上看来是非常简单，但是详细分析起来并不简单。下面我会花一点时间，一点点来解析MOSFET的驱动技术，以及在不同的应用，应该采用什么样的驱动电路。
2023-04-18 09:19:31600 光电红外（EO/IR）系统是一种传感器技术，其采用光学和电子技术组合来检测、跟踪和识别红外光谱中的物体或目标。
2023-04-15 10:10:34870 了BGA封装的更多成本，直接采用板级封装，这种封装技术的进步是需要我们跟踪和学习的。我们国内的TCB热压键合已经推出几年了，取得了不错的效果。原作者：真空回流焊中科同志
2023-04-11 15:52:37
KUU推出超小型SOT-723封装MOSFET，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代MOSFET，这些新低阈值电压MOSFET采用KUU先进的沟槽工艺技术来取得能够和SOT-523等大上许多封装
2023-04-04 16:10:39987 采用沟槽MOSFET技术的超小型扁平引线SOT666表面安装器件（SMD）塑料封装中的双P沟道增强型场效应晶体管（FET）
2023-03-28 18:19:58
TSUS4300 是一款采用 GaAs 技术的红外 950 nm 发光二极管，采用蓝色塑料封装。
2023-03-28 13:02:41
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