恩智浦发布业界最低RDSon的30V MOSFET-PSMN

恩智浦发布业界最低RDSon的30V MOSFET-PSMN1R0-30YLC

中国上海，2010年12月6日讯--恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.（Nasdaq: NXPI）今天发布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，拥有业界最低R_DSon，4.5V时仅为1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，专门针对4.5V开关应用优化，采用LFPAK封装技术，是目前业界最牢固的Power-SO8封装。NextPower技术已专门针对高性能DC-DC转换应用进行了优化，例如隔离电源和电源OR-ing中的同步降压调节器、同步整流器。

技术要点：

• 特性和优势：
  针对4.5V栅极驱动的低R_DSon而专门优化的先进NextPower技术
  Power-SO8封装确保高可靠性，温度最高可达175˚C
  超低Q_G、Q_GD和Q_OSS确保了高系统效率
• PSMN1R0-30YLC现已开始供货。
• PSMN1R0-30YLC是25V和30V NextPower LFPAK系列MOSFET的首款产品，全系列产品将在未来几个月中陆续推出。

积极评论：

• 恩智浦半导体Power MOSFET营销经理Charles Limonard表示："恩智浦NextPower系列MOSFET将帮助设计者实现高性能（高效率）、小尺寸和低成本。恩智浦致力于开发和创新，并不断改善导通电阻R_DSon、开关速度和热效率等关键参数，从而推出具有业界领先水平的MOSFET器件。"
• Limonard还表示，"PSMN1R0-30YLC具有领先于同类器件的超低R_DSon，可显著降低功耗；这反过来能提高新一代电子产品的能效，使能效等级更高，尺寸更小"。