耐压30V降压恒压芯片的工作原理如下：
该芯片内部集成了开关管和同步整流管，通过它们进行电压的转换，将输入的30V电压降至所需的输出电压（如12V或5V）。在工作过程中，该芯片通过PWM
2024-03-22 11:31:10
F7314-VB是VBsemi品牌推出的双P沟道场效应晶体管，具有两个P—Channel沟道，支持-30V电压，电流特性为-7A，在VGS为10V和20V时，RDS(ON)为35mΩ。阈值电压
2024-03-19 11:46:22
, VGS=20V- 阈值电压：Vth=-1.42V封装：SOP8应用简介：DTM4407-VB是一款高性能P-Channel沟道功率场效应管，具有-30V额定电压、-
2024-03-18 11:57:29
无线充低压MOS管3G03 SOT23-6 30V N+P沟道MOS常用场效应管，是电子工程领域中常用的电子元器件之一。它在现代电子设备中扮演着重要的角色，特别是在无线充电领域，其应用更是广泛。首先
2024-03-07 20:19:09
在一般情况下，场效应管（FET）的导通电阻越小越好，因为较小的导通电阻意味着在导通状态下，FET可以提供更低的电阻，允许更大的电流通过。
2024-03-06 16:44:50
537 
超导场效应管（Superconducting Field Effect Transistor，SFET）是一种新型的半导体器件，它结合了超导电性和晶体管的场效应特性，提供了低噪声、低功耗和高速等优异特性。
2024-03-06 16:23:39279 
逆变器中场效应管发热的原因有哪些 逆变器中场效应管发热的原因有以下几个方面： 1. 导通电阻发热：在工作过程中，场效应管处于导通状态，电流会通过导体。根据欧姆定律，通过导体的电流与电阻成正比，因此
2024-03-06 15:17:20185 如何区分和选用晶体三极管和场效应管 晶体三极管（BJT）和场效应管（FET）是两种常用的半导体器件，用于电子设备中的放大、开关和调节电流。为了正确选择并区分它们，我们需要了解它们的工作原理、结构
2024-03-06 14:22:33199 场效应管，即场效应晶体管（简称FET），是一种电压控制型半导体器件。
2024-02-20 15:31:17514 
三极管和场效应管是如何实现信号放大的呢？ 三极管和场效应管是两种常见的电子元件，被广泛用于电子设备中的信号放大器电路。它们的工作原理不同，但都能实现信号放大。下面将详细介绍三极管和场效应管的工作原理
2024-02-04 09:32:12349 逆变器的场效应管发热原因 逆变器是一种将直流电转换为交流电的装置，常用于太阳能发电、风能发电等可再生能源系统中。其中，场效应管（MOSFET）是逆变器中的关键元件，负责开关直流电，实现直流电的变换
2024-01-31 17:17:01423 1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。这里的沟道是指导电的主要离子，N沟道为电子，P沟道为空穴。
为使N沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间
2024-01-30 11:51:42
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。
为使N沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间加正向电压，以形成漏极电流。N沟道场效应管在不加控制电压
2024-01-30 11:38:27
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
不会有明显的改变。此时三极管功率基本不变，电流达到饱和，电压降也已经是最小值。
场效应管以N增强型为例，其本质是一个压控电阻，通过控制栅源电压控制漏源电阻，具有互导特性，输出阻值的变化比上输入电压
2024-01-18 16:34:45
举例而言，一个结型场效应管，采用自偏置结构，即栅极和源极短接在一起源极也有一个电阻，在电源和漏极接一个负载，此时场效应管可以看做是一个互导放大器，压控电流源，请问此时这种电路的输入输出电阻应该怎么求
2024-01-15 18:06:15
2586场效应管能不能使用3205场效应管代替？ 场效应管(也称为晶体管)作为一种重要的电子元件，广泛应用于各种电路中，包括放大器、开关和数字逻辑电路等。然而，在一些场合下，我们可能需要找到一个能够
2024-01-15 15:49:57317 电机是在电动割草机、电动链锯、电动碎枝机、电动吹风机等园林工具的核心部件。对于在研发此类适用园林工具电机的电机厂家而言，如何选对MOS管厂家来供应场效应管则是非常重要的一环。
2024-01-12 09:17:49169 
场效应管和IGBT的驱动经常听到米勒效应这个词，查阅了一些资料是栅极和漏极之间的等效电容，这个等效电容在场效应管或者IGBT开通的时候在某一阶段会放大较多倍，进而导致驱动电路需要提供的电压电流增多
2024-01-11 16:47:48
Multisim是一种基于电路仿真的软件，可以用于仿真和分析各种电路，包括场效应管MOS。要修改MOS的参数，首先需要了解MOS的基本原理和参数，然后使用Multisim的工具来修改这些参数
2024-01-04 11:03:541294 (ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V- 阈值电压：Vth=-1.7V应用简介：STU417S-VB是一款P—Channel沟道的功率场效应管，封装为TO252。
2023-12-29 11:24:58
场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件，其主要场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种广泛应用
2023-12-28 14:53:31471 场效应管两端并二极管有什么用处 场效应管和二极管是电子器件中常见的两类元件，它们在电路设计和应用中有着重要的作用。 一、场效应管的原理、结构和特点 场效应管是半导体元件中的一种，其工作原理基于电场
2023-12-21 11:27:16430 场效应管是一种常用的电子元件，其特点是控制端电流小、输入电阻高、功耗低等优点，广泛应用于电子设备中。场效应管的放大电路可以分为三种接法，包括共源放大电路、共漏放大电路和共栅放大电路。本文将详尽、详实
2023-12-20 10:45:02806 场效应晶体管栅极电流是多大 场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种基于电场控制的电子器件，常用于放大、开关和调制等电子电路中。在FET中，栅极电流是其关键特性
2023-12-08 10:27:08655 场效应管放大电路的原理 场效应管（FET）是一种三极管，常用于电子放大电路中。FET的原理是利用半导体材料的特性来控制电流和电压，以实现放大作用。通过理解FET工作的原理，我们可以了解到FET
2023-12-07 15:48:241317 动，其PN结没有电流通过，二极管截止。
2. MOSFET工作原理
MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect
2023-11-28 15:53:49
如图：这个N沟道场效应管，这样接行不行？
2023-11-26 22:22:46
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管
2023-11-24 16:54:18632 N沟道场效应管栅极（G极）电压是否可以大于漏极（D极）电压？ 大部分情况下，场效应管的栅极电压（G极）不会大于漏极电压（D极）。这是因为场效应管的工作原理是通过改变栅极与漏极之间的电场来控制漏极电流
2023-11-23 09:13:451045 场效应管与igbt管区别 怎样区分场效应管与IGBT管 场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）和绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar
2023-11-22 16:51:143242 如何区分场效应管的三个电极？场效应管可以算是三极管吗？ 场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种使用电场效应来控制电流的电子器件。它由源极（source）、栅极
2023-11-21 16:05:231291 CP8331是同步转换器，其输入电压范围为6V的30V。它有一个集成的低侧开关场效应管，消除了外部二极管的需要，减少组件数。通过集成的90mΩ和65mΩ MOSFETs，低智商和在光负荷下的脉冲跳跃，使效率最大化。
2023-11-21 15:59:58161 
电子发烧友网站提供《结型场效应管的工作原理.zip》资料免费下载
2023-11-20 14:45:56
3 场效应管是一种半导体器件，它可以用来放大或者控制电流 。根据结构的不同，场效应管可以分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）。其中，JFET是由一个pn结构组成，而MOSFET
2023-11-17 16:29:521226 
如何简单判断一个场效应管的好坏？ 场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种广泛应用于电子设备中的晶体管类型之一。要判断一个场效应管的好坏，需要考虑其性能参数、制造
2023-11-17 11:41:30690 环路24V电压接的场效应管的漏极，VCC接源极，DRIVE接栅极，AD421的电路就是按数据手册上接的，COM没有接24V的地。
为什么通电后场效应管的三个管脚都是24V，换了芯片跟FET也依然是这样。
2023-11-16 07:23:24
利用AD5522怎么设计一个正负30V的PPMU? AD5522输出电压最大只能输出正负11V左右。但我们客户的需求是30V的。不知道用AD5522能否设计出30V的ppmu?。如果利用升压电路可以解决，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
MOS管和场效应管有什么关系？对于初学者来说，这两个名字常常让人混淆，MOS管到底是不是场效应管？
2023-11-13 17:23:05756 
大功率场效应管的漏极（D）和源极（S）之间并联了一只二极管，我们测量出有阻值的一次也就是D、S并联的那只二极管的阻值。
2023-11-13 11:35:37575 
与三极管一样，场效应管不仅可以对模拟信号放大，也可作为控制开关使用，之所以我们将开关电路（而不是放大电路）的应用提前介
2023-11-10 14:19:59846 
场效应管不导通，LED能亮吗？
2023-10-17 07:09:53
场效应管(MOSFET)也叫场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件
2023-10-08 17:23:34559 
在过去的十几年中，大功率场效应管引发了电源工业的革命，而且大大地促进了电子工业的发展。由于MOSFET管具有更快的开关速度,电源开关频率可以做得更高,可以从50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
供应AP3400A N沟道 30V 5.8A MOS场效应管-mos3400规格参数，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供mos3400规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 11:28:260 供应AP30N03K 低结电容 30V MOS-30N03K场效应管参数，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP30N03K规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 11:14:000 供应AP30H150KA 30V 150A N沟道MOS管-30h150场效应管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP30H150KA规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 10:39:500 既然效率这么好，在国内能有什么优质MOS管使用呢？除市场中的IPT020N10N5参数型号，我们还是选择飞虹半导体的FHL300N1F2A型号场效应管。
2023-09-23 11:22:33797 
为什么MOS管又称为场效应管呢？ MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种重要的半导体器件，由于其结构和特点被广泛应用
2023-09-20 17:05:41933 场效应晶体管简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(10^7^~10^15^Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。 一、场效应管的作用
2023-09-20 15:26:061369 
结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别是什么？ 场效应管是一种半导体器件，利用半导体中电荷分布的特性控制电流的流动。常见的场效应管有结型场效应管和绝缘栅型场效应管，它们虽然在功能上有相似之处，但在
2023-09-18 18:20:512222 可控硅（Thyristor，缩写为SCR）和场效应管（Field Effect Transistor，缩写为FET）是两种常见的半导体器件，它们在电子电路中有着广泛的应用。尽管它们都属于半导体器件，但它们之间存在着一些显著的区别。本文将详细介绍可控硅和场效应管的区别。
2023-09-09 16:09:591282 可控硅与场效应管区别工作原理 可控硅（SCR）和场效应管（FET）是电子领域中两个常见的器件，它们在不同的应用领域中都有着广泛的应用。本文将重点介绍SCR和FET的工作原理及它们之间的区别
2023-09-08 11:47:03887 ，因此需要进行严格的测试和检测，以确保其可靠性和稳定性。 一、场效应管的类型 场效应管有两种类型：N沟道场效应管（N-channel FET）和P沟道场效应管（P-channel FET）。这两种类型的场效应管具有相似的结构和工作原理，但具有不同的尺寸和性能特征，
2023-09-02 11:31:243310 场效应管MOSFET是mos管吗？场效应管mos管的区别？场效应管和mos管有什么不一样的地方？ MOSFET和场效应管（FET）都属于半导体器件中的一种，类似晶体管。MOSFET是MOS（金属
2023-09-02 11:31:152542 场效应管的原理与作用 场效应管在电路中起什么作用？ 场效应管，也被称为晶体管，是一种重要的电子元件。它由一个半导体材料制成，可以调节电流的流动，被广泛应用于电路的放大和开关控制。 场效应管
2023-09-02 11:31:132852 场效应管好坏测量方法 mos怎么测量好坏？ 场效应管（MOS）是一种半导体器件，其被广泛应用于各种电路中。在使用场效应管前，我们需要先测量其好坏，以确保其正常工作，否则可能导致电路故障。本文将介绍
2023-09-02 11:20:101063 n沟道增强型绝缘栅场效应管 n沟道增强型绝缘栅场效应管，又称nMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），是一种非常
2023-09-02 10:05:251531 场效应管怎么区分n沟道p沟道 场效应管是一种常见的半导体器件，可以用于电子器件中的信号放大、开关等应用。场效应管有两种类型：n沟道型（n-channel）和p沟道型（p-channel），它们
2023-09-02 10:05:176875 晶闸管和场效应管的主要区别 晶闸管（SCR）和场效应管（FET）是电子元件中最为常见的两种半导体器件。SCR是一种双极型半导体器件，传统应用在直流电路的开关和耦合等方面，而FET则是一种单极型半导体
2023-08-25 15:54:061026 场效应管常用驱动芯片有哪些？ 场效应管（FET）是一种可以控制电流的半导体器件，是现代电子技术中应用广泛的一种器件。在这种器件中，输入电压可以控制输出电流的大小，因此可以应用在很多电子电路中。而为
2023-08-25 15:47:392608 ，电流可以流过二极管，而在反向偏置条件下，电流几乎无法通过。因此，二极管通常用于整流器和保护电路中。 而场效应管，缩写为FET，是一种三极器件，包括源极、漏极和栅极。与二极管不同，它需要用外部电场控制栅极与源极之间的
2023-08-25 15:41:401172 工作原理 场效应管（FET）是一种三极管，可以通过改变栅极电压调节源极和漏极之间的电阻。场效应管的原理是利用电场控制载流子浓度，其主要特点是输入电阻大，高频特性好。场效应管可以分为N沟道和P沟道两种结构。 可控硅（SCR）是一种双
2023-08-25 15:41:381547 场效应管和晶体管的主要区别 场效应管和晶体管是两种不同的半导体器件，它们的工作原理和应用场合各有不同。虽然这两种器件都属于半导体器件，但它们在制造、结构、特性和应用方面有着显著的区别，下面将详细介绍
2023-08-25 15:41:362301 晶体管和场效应管的区别 晶体管和场效应管是电子设备中常用的两种元器件，它们都是半导体器件，用于放大和控制电流的流动。虽然它们在某些方面可能有一些相似之处，但它们也有很多明显的不同点。下面将会详细
2023-08-25 15:29:343024 供应AP2080Q 场效应管（MOSFET）20V 30A参数，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP2080Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 16:45:380 场效应晶体管简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
2023-08-18 16:01:28591 
商品名称：绝缘栅场效应管型号：KHB2D0N60P品牌：KEC封装：TO-220VDSS ：600VVGSS:±30VID:2APW:54WT stg :-55-155°R DS(ON)：5.0ΩVGS:10VQg(typ.): 10.9nC
2023-08-17 15:25:40
结型场效应管栅极反偏但仍有电流，MOS场效应管栅极绝缘，没有电流。
2023-08-17 09:19:34616 
下图是一个由 RC 电路和 P 沟道场效应管组成的延时关机电路
2023-08-14 17:02:131018 
场效应管（英语：field-effect transistor，缩写：FET）是一种通过电场效应控制电流的电子器件。
2023-07-28 10:06:295251 
FET电流源是一种有源电路，它使用场效应晶体管为电路提供恒定量的电流。但是，为什么还要恒定电流呢？恒流源和吸电流（吸电流与电流源相反）是一种非常简单的方法，只需使用单个FET和电阻即可形成具有恒定电流值的偏置电路或基准电压源，例如100uA、1mA或20mA。
2023-07-17 15:52:502153 
HAT1108C 数据表 (-30V -1.5A Silicon P Channel MOS FET / Power Switching)
2023-07-13 18:31:360 Transistor，简称FET）,由结型场效应管（Junction Field Effect Transistor，简称JFET，1952年诞生）和应用更为广泛的金属氧化物半导体场效应管（Meta
2023-06-29 09:21:342017 
Transistor，简称FET ）,由结型场效应管（ Junction Field Effect Transistor，简称JFET，1952年诞生 ）和应用更为广泛的金属氧化物半导体场效应管
2023-06-28 08:39:283644 
供应PTS4842 MOS场效应管-30V/7.7A双N沟道高级功率MOSFET，提供PTS4842双mos管关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-10 14:45:17
场效应管防反接电路其功能和二极管防反接电路一样，其目的都是防止电源的正负输入端接反而导致负载电路烧毁等意外情况发生。场效应管防反接电路相比二极管防反接电路最大的优势是几乎零压降，二极管的压降一般
2023-06-10 09:30:48673 
场效应晶体管（FET）是利用电场效应来控制晶体管电流的半导体器件，因此叫场效应管。它是一种用输入电压控制型的半导体器件。按基本结构分为结型场效应管和金属-氧化物-半导体场效应管（又叫绝缘栅型场效应管）。
2023-06-10 09:27:33411 
场效应管可以分成两大类，一类是结型场效应管（JFET），另一类是绝缘栅场效应管（MOSFET）。
2023-06-08 09:20:14430 
FET是Field effect transistor的缩写，称为场效应管。它是晶体管的一种，也被称为单极晶体管。另一种晶体管是我们常说的双极晶体管。它们的工作原理完全不同。
2023-05-25 17:27:362957 
场效应管是由多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。
2023-05-16 15:29:45948 场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
2023-05-16 15:24:34847 1.是N沟道，耗尽型的场效应管，是耗尽型。像图上这样的话，带？的那端应该是什么极？是源极还是漏极？
2.电路不接管子之前电流还可以，接上场效应管，上电就短路，焊下来后测量栅极和源极之间不导通，源漏
2023-05-16 14:24:38
根据提问者的意思，N沟道场效应管栅极（G极）电压是否可以大于漏极（D极）电压？为什么？
2023-05-09 09:06:062437 
为什么测量场效应管的输入电阻时要用测量输出电压的方法呢？
2023-05-06 16:15:01
功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率
2023-05-01 18:36:131102 
NMOS场效应管通过D管脚和S管脚串接于电源和负载之间，电阻R1、R2为MOS管提供电压偏置，VR1用于限制VGS间电压，防止被击穿。正接时候，R1、R2提供VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候
2023-04-19 09:11:441286 场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。就其性能而言，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能。两者对比如下表。
2023-04-17 11:53:131411 
HAT1108C 数据表 (-30V -1.5A Silicon P Channel MOS FET / Power Switching)
2023-03-30 18:59:570 30V N 沟道增强型 MOS 场效应管
2023-03-24 13:58:22
电子发烧友App
工商网监
湘ICP备 2023018690 号
评论