电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2技术，据官方介绍，这是新一代的沟槽栅SiC MOSFET技术，相比上一代产品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:18
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苹果公司在官网推出了新款MacBook Air，搭载高性能M3芯片，提供13英寸和15英寸两种尺寸选择。新款MacBook Air不仅性能卓越，还拥有出色的电池续航，最长可达18小时，满足
2024-03-13 17:37:56292 近日，全球电子组件领域的领军制造商美国柏恩Bourns，宣布推出两款全新的车规级高温屏蔽功率电感器——SRR0735HA和SRR0745HA系列。这两款电感器专为满足现代汽车及其他应用对高性能、高可靠性的需求而设计，展现了Bourns在电源、保护和传感解决方案领域的持续创新。
2024-03-13 10:52:03244 意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 在电子元件领域不断创新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正温度系数（PTC）热敏电阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。这款新型热敏电阻以其宽阻值范围、高电压处理能力和高能量吸收能力，为汽车和工业应用中的有源充放电电路带来了显著的性能提升。
2024-03-12 10:34:11105 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 近日，全球知名的半导体及组件制造商Vishay宣布推出五款新型半桥IGBT功率模块，这些模块采用了经过改良设计的INT-A-PAK封装。新款产品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝”）近日宣布，其最新研发的DTMOSVI系列高速二极管型功率MOSFET已正式推出。该系列产品特别适用于数据中心和光伏功率调节器等关键应用的开关电源，展现了东芝在功率半导体领域的深厚实力与持续创新。
2024-03-12 10:27:36255 在全球电力电子领域，英飞凌科技以其卓越的技术创新能力和领先的产品质量赢得了广泛赞誉。近日，该公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，标志着功率系统和能量转换领域迈入了新的发展阶段。
2024-03-12 09:53:5297 在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术——CoolSiC™ MOSFET Generation 2。这一创新技术的推出，标志着功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑，为行业的低碳化进程注入了强大动力。
2024-03-12 09:43:29125 日前，Vishay 推出了新系列浪涌限流正温度系数（PTC）热敏电阻，名为PTCEL系列，专为浪涌限流设计。这一系列热敏电阻在25°C时阻值范围广泛，能够处理高电压和高能量，有助于提升汽车和工业应用中有源充放电电路的性能。
2024-03-08 11:47:07262 Vishay近期发布五款新型半桥IGBT功率模块，其改良设计的INT-A-PAK封装备受瞩目。这五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均运用Vishay领先
2024-03-08 11:45:51266 日前，Vishay 推出新系列浪涌限流正温度系数（PTC）热敏电阻。Vishay BCcomponents PTCEL 系列器件 25 °C（R25）条件下阻值范围宽，具有高电压处理和高能量吸收能力，
2024-03-08 11:34:20293 
日前，Vishay 推出五款采用改良设计的 INT-A-PAK 封装新型半桥 IGBT 功率模块。新型器件由 VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 组成
2024-03-08 09:15:18177 
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41976 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08353 
英飞凌科技股份公司，凭借其丰富的磁性位置传感器技术经验与成熟的线性隧道磁阻（TMR）技术，成功研发出新款磁性位置传感器XENSIV™ TLI5590-A6W。
2024-01-31 11:08:26345 Vishay威世科技日前宣布，其光电子产品部推出了一款全集成超小型接近传感器——VCNL36828P。这款传感器专为提高消费类电子应用的效率和性能而设计。
2024-01-29 10:21:38283 Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了创新的双面散热 DFN 5 x 6 封装。这一创新型封装为 AOS 产品赋予了卓越的散热性能，使其在长期恶劣的运行条件下仍能保持稳定的性能。
2024-01-26 18:25:151382 MALVER N 、中国 上海 — 2024 年 1 月 25 日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其光电子产品部推出全集
2024-01-26 15:45:36925 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布推出新款低功耗蓝牙（LE）片上系统（SoC），即DA14592。这款产品凭借其超低功耗和微型尺寸，成为瑞萨电子系列中功耗最低、体积最小的多核（Cortex-M33、Cortex-M0+）低功耗蓝牙产品。
2024-01-19 16:18:15322 英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
2023-12-26 16:54:45
集特推出新款龙芯主板GM9-3003
2023-12-14 16:03:07209 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，该器件采用新一代高压 GaN HEMT 技术和专有铜夹片 CCPAK 表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。
2023-12-13 10:38:17312 Vishay 推出五款新型 10 MBd 低功耗高速光耦，有助于工业应用节能。
2023-12-08 09:27:10394 
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-12-06 18:22:24522 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散热会比较好？漏极、源极铜箔面积大小是否需要一样？有公式可以计算吗？
2023-12-03 09:30:40408 
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识
2023-11-23 09:06:38407 
电子发烧友网站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源.pdf》资料免费下载
2023-11-13 15:11:29
0 全球被动元件领导厂商-国巨集团，推出新款薄膜氮化钽晶片电阻-NT系列。 NT系列产品具备抗湿、抗硫、高精密度、高稳定表现的特性，外壳尺寸从0402到1206 ，电阻范围为100Ω-481KΩ，具有
2023-11-08 11:08:37370 MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
2023-11-07 21:16:18
MOSFET N-CH 30V SMD
2023-10-31 17:40:36
MOSFET P-CH 20V SC-70-6
2023-10-31 17:40:36
SiA400EDJ-T1-GE3是一款N沟道功率场效应管，具有以下参数 - 最大耐压 30V- 最大漏极电流 5.8A- 导通时的电阻（RDS(ON)） 22mΩ@10V, 28m
2023-10-27 15:55:27
功率MOSFET选型的几点经验在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的，这里不作赘述，只对实际
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse宣布推出首款汽车级PolarP P通道功率MOSFET产品 IXTY2P50PA。这个创新的产品设计能满足汽车应用的严苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率
2023-10-18 09:11:42621 
MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09:39
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54:35590 
V Vishay 推出新型 6 A、20 A 和 25 A microBRICK 同步降压稳压器，用来提高负载点 (POL) 转换器的功率密度和效率。 Vishay SiliconixSiC931
2023-09-15 10:41:09545 
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431202 
功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例，详细说明了上述概念。
2023-09-06 09:14:32446 
功率MOSFET数据表参数
2023-08-24 09:13:06552 
特斯拉决定在推出新产品的同时，在国内市场降低价格销售新型产品。8月14日，特斯拉在推特上表示，从今天起，Model Y长期型号的销售价格将从31万3900元下调到29万9900元，Model Y高性能型号的价格将从36万3900元下调到34万9900元，分别下调1.4万元。
2023-08-15 10:56:49860 随着现代电子设备对小型化和高效率的要求不断提高,对电源管理芯片的技术也提出了更高要求。针对此趋势,安森德半导体公司推出了新一代异步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。这款100V N沟道功率MOSFET凭借其卓越的静态和动态性能参数,将助您的设计实现更高功率密度和转换效率。
2023-08-14 15:04:45367 
海凌科推出新款百元左右的路由模块，集2.4G/5G双频段 + WiFi5 于一体，支持 5 路千兆路由，体积小巧，接口丰富，性价比高。 1 RM50产品介绍 HLK-RM50 是海凌科电子推出
2023-08-14 09:44:57657 Vishay 推出一种用于工业、计算机、消费和移动应用领域的新型反射式光传感器。
2023-08-11 12:32:58538 倍加福推出新款 VOC工业事件相机 ，再次扩展工业视觉产品系列。该相机可以实现 在触发信号前后长达 60 秒、以事件为驱动的视频记录 ，从而实现针对性的简单远程诊断以及 自动文档记录 。
2023-07-28 14:10:23513 MOSFET的漏伏安特性（输出特性）：截止区（对应GTR的截止区）;饱和区（对应于GTR的放大区）;非饱和区（对应于GTR的饱和区）。功率MOSFET在开关状态下工作，即截止区域和不饱和区之间的转换
2023-07-04 16:46:37975 
据麦姆斯咨询报道，近日，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新型固定增益红外（IR）传感器
2023-06-29 09:37:12404 功率 MOSFET 即金属氧化物半导体场效应晶体管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三个管脚，分别为栅极（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。
2023-06-27 17:41:20369 
英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。
2023-06-26 13:10:00302 
Vishay 推出四款新系列200 V FRED Pt 超快恢复整流器，这些器件采用薄型易于吸附焊锡的侧边焊盘 DFN3820A封装。1 A VS-1EAH02xM3
2023-06-21 17:25:00523 
Vishay VOMDA1271 器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平 Vishay 推出一款业内先进的新型汽车级光电压输出光耦，用于 MOSFET
2023-06-09 10:10:01426 
Vishay VOMDA1271 器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平 Vishay 推出一款业内先进的新型汽车级光伏 MOSFET 驱动器
2023-06-08 19:55:02374 
功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
Vishay MCB ISOA 器件通过 AEC-Q200 认证 采用 SOT-227 小型封装 可直接安装在散热器上 具有高脉冲处理能力 功率耗散达 120 W Vishay 推出一款通过
2023-06-03 08:25:02533 
分享功率MOSFET驱动保护电路方案大全，希望能帮助大家
2023-05-24 10:22:02
同步整流技术就是用功率MOSFET代替普通二极管或者肖特基二极管进行整流,所以,研究同步整流技术,就必须首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 
亮钻推出新款核心板Y-3566，其采用四核Cortex-A55内核的瑞芯微RK3566处理器，主频可达1.8GHz。邮票孔接口设计，支持8GB大内存，集成最高1Tops AI算力的NPU，为用户提供“嵌入式”+“AI”解决方案平台。
2023-05-17 15:57:27965 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出新款高速四通道数字隔离器“DCL54xx01”系列，该系列具有100kV/μs（最小值）的高共模瞬态抑制（CMTI）和150Mbps的高速数据速率。该系列六款产品于今日开始支持批量出货。
2023-05-10 09:37:18600 
功率MOSFET怎样关断？能否用PWM实现？怎样实现？
2023-05-08 16:16:27
KUU推出超小型SOT-723封装MOSFET，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代MOSFET，这些新低阈值电压MOSFET采用KUU先进的沟槽工艺技术来取得能够和SOT-523等大上许多
2023-04-04 16:10:39987 
Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出加强版0805封装抗浪涌厚膜电阻器Vishay Draloric RCS0805 e3，额定功率高达0.5
2023-03-29 17:00:06694 
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70
2023-03-29 15:12:30
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
2023-03-29 15:11:32
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
2023-03-29 15:08:46
MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
2023-03-29 15:08:42
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
2023-03-29 15:08:05
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6L
2023-03-29 15:07:51
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
2023-03-29 15:06:42
MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
2023-03-29 14:29:47
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
2023-03-29 14:29:24
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
2023-03-29 14:28:08
MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
2023-03-29 10:05:37
MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
2023-03-29 10:04:39
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
2023-03-28 22:31:15
MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
2023-03-28 22:31:07
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
2023-03-28 22:30:40
MOSFET P-CH 20V 9A SC70
2023-03-28 22:28:00
MOSFET N-CH 20V 25A SC-70-6
2023-03-28 22:24:41
MOSFET P-CH 12V 31A SC70-6
2023-03-28 22:24:35
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
2023-03-28 22:20:59
MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
2023-03-28 22:20:52
MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6
2023-03-28 22:20:38
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 4.5A 7.8W 表面贴装型 PowerPAK® SC-70-6 双
2023-03-28 18:20:06
MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=54mΩ@4.5V
2023-03-28 18:20:01
SIA471DJ-T1-GE3
2023-03-28 13:12:41
电子发烧友App
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