Cypress推出新款序列非挥发静态随机存取内存(nv

　　Cypress Semiconductor公司推出新款序列非挥发静态随机存取内存(nvSRAM)，可支持仪表、工业以及汽车等应用所常用的I2C与SPI界面。新款组件提供高达104MHz的运作频率，支持各种 SPI 组件(I2C产品则支持至3.4MHz)，并提供一款可选购的整合式实时频率(RTC)，针对备份的关键数据提供时戳功能。

　　Cypress的 nvSRAM 采用储存在外部电容器的电荷，而不是电池内的电荷，因此能兼容于标准 PCB 电路板的组装制程。该 nvSRAM 并符合 RoHS 环保规格，可直接取代 SRAM 、电池供电SRAM (BBSRAM) 、以及 EEPROM 组件，提供高速非挥发数据储存功能。在关闭电源时，系统会自动把 SRAM 内的数据传送到组件内的非挥发储存区。而启动电源时，数据再从非挥发性内存回存至 SRAM 。

　　针对仪表、工业、汽车以及磁盘阵列等应用中，Cypress的 nvSRAM 可提供高速数据传输，并在供电中断时确保数据完整性，而无需要电池供电。该 nvSRAM 以Cypress S8 0.13微米 SONOS (硅氧化硅)嵌入式非挥发内存技术，实现卓越可靠性与效能，对于智慧电表、电力线通讯(PLC)、马达驱动器、行车记录器、磁盘阵列、医疗以及数据通讯系统等各种要求绝对非挥发数据安全性的应用而言， nvSRAM 是理想的解决方案。

　　新款序列式 nvSRAM 系列组件包含1-Mbit、512-Kbit、256-Kbit以及64-Kbit等各种组态版本。这些组件具备卓越的效能，以及高达104MHz的 SPI 运作频率，支持 SPI Modes 0 与3模式、无限的读/写与 RECALL 记忆次数、以及长达20年的数据保存期。这些组件符合业界标准的小底面积8-SOIC与16-SOIC封装。

　　Cypress正将 S8 技术套用到新一代 PSoC 混合讯号数组组件、可程序频率等众多产品。 SONOS 兼容于标准 CMOS 技术，并提供高耐用度、低功耗以及抗辐射等多项优点。Cypress的 S8 0.13微米 SONOS 技术已在其内部晶圆厂与多家晶圆代工伙伴的工厂中通过测试验证。 SONOS 提供更卓越的扩充性与可制性，胜过其他磁性或铁电型非挥发内存技术。

　　Cypress的序列 nvSRAM 提供I2C (1-Mbit: CY14B101J) 与 SPI (1-Mbit: CY14B101QA)接口，采用小底面积的8-SOIC与16-SOIC封装。此款组件提供512-Kbit、256-Kbit、以及64-Kbit 等密度版本，还可选购内建实时频率的版本。新款组件目前开始送样，预计4月起开始量产。