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电子发烧友网>新品快讯>英飞凌推出IGBT系列RC-D功率开关器件

英飞凌推出IGBT系列RC-D功率开关器件

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2025-04-22 10:30:151796

Microchip推出BR235和BR235D系列功率继电器

MIL-PRF-83536规范和ISO-9001认证标准的BR235和BR235D系列25A QPL气密封装机电功率继电器。该系列新型功率继电器专为任务关键型商用航空、防务和航天应用而设计。这些设备提供可靠的供货和全球技术支持,为航空航天和防务客户提供其执行任务所需的可靠性和长期保障。
2025-04-21 14:48:451247

科士达与英飞凌深入合作,全栈创新方案引领高频大功率UPS市场新趋势

™MOSFET器件以及EiceDRIVER™系列单通道磁隔离驱动器等全套功率半导体解决方案,助力科士达大功率高频UPS系统实现技术突破。英飞凌与科士达已共同携手三十余年,
2025-04-16 10:26:26826

功率半导体器件IGBT模块:PPS注塑加工案例

IGBT模块是一种重要的功率半导体器件,具有结构简单、容量大、损耗低等优点,被广泛应用于各种高功率电子设备中。绝缘栅极双极晶体管(IGBT功率模块将MOSFET的高效和快速开关能力与双极晶体管
2025-04-16 08:06:431298

电机控制中IGBT驱动为什么需要隔离?

结构与双极性晶体管特性的复合型功率开关器件,兼具功率MOSFET的高速、高输入阻抗与双极性晶体管的低导通电阻性能。这使得IGBT在高压、大电流功率变换应用中成为主要的功率半导体器件。在电机控制器中,IGBT的主要作用是将直流电转换为交流电,以驱动
2025-04-15 18:27:451075

开关电源环路开关电源技术的十个关注点

”(Super-Junction)结构,故又称超结功率MOSFET。工作电压600V~800V,通态电阻几乎降低了一个数量级,仍保持开关速度快的特点,是一种有发展前途的高频功率半导体器件IGBT刚出现时,电压、电流额定值
2025-04-09 15:02:01

碳化硅VS硅基IGBT:谁才是功率半导体之王?

在半导体技术的不断演进中,功率半导体器件作为电力电子系统的核心组件,其性能与成本直接影响着整个系统的效率与可靠性。碳化硅(SiC)功率模块与硅基绝缘栅双极型晶体管(IGBT功率模块作为当前市场上
2025-04-02 10:59:415531

英飞凌推出用于超高功率密度设计的全新E型XDP混合反激控制器IC

【2025年3月26日, 德国慕尼黑讯】 继推出业界首款PFC和混合反激(HFB)组合IC后,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码
2025-03-28 16:42:13758

MOSFET与IGBT的区别

做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前英飞凌的新一代IGBT开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了.不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百
2025-03-25 13:43:17

英飞凌与富士等外资品牌IGBT模块价格战策略的本质与深层危机分析

英飞凌与富士等外资品牌IGBT模块大幅度降价策略的本质与深层危机分析 英飞凌、富士等外资品牌IGBT模块在中国市场掀起了降价超过30%的IGBT模块价格战,其背后的逻辑不仅是市场份额争夺的“回光返照
2025-03-21 13:18:121053

国产SiC模块如何应对25年英飞凌富士IGBT模块疯狂的价格绞杀战

进入2025年伊始,外资品牌IGBT模块比如英飞凌,富士等大幅度降价超过30%来绞杀国产功率模块,面对外资功率模的疯狂价格绞杀,国产SiC碳化硅功率模块需通过技术、成本、产业链协同等多维度策略应对
2025-03-21 07:00:50933

英飞凌iSSI固态隔离器评估板免费申领

英飞凌iSSI系列固态隔离器通过电气隔离屏障提供强大的能量传输能力,采用无磁芯变压器技术,体积小巧,无需隔离电源就能驱动非高频调制工况的MOS型功率晶体管,IGBT或MOSFET,适用于固态开关
2025-03-17 16:06:23605

全球功率半导体变革:SiC碳化硅功率器件中国龙崛起

SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级! 倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然,勇立功率半导体器件变革潮头: 倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必
2025-03-13 00:27:37767

人形机器人设计中,哪些关键部位需要功率器件?典型电压/电流参数如何设计?

我们正在研究人形机器人,想了解在关节驱动、电源管理、热控制等子系统中使用功率器件(如MOSFET、IGBT、IPM)。目前遇到以下问题: ​ 功率器件分布不明确 :不清楚哪些关键部位必须使用高功率
2025-03-12 14:05:28

英飞凌推出新款辐射耐受P沟道MOSFET,助力低地球轨道应用

英飞凌(Infineon)近日宣布,扩大其辐射耐受功率MOSFET系列,新增P沟道功率MOSFET,以满足日益增长的低地球轨道(LEO)空间应用需求。这一新产品的推出,标志着英飞凌在为新一代“新空间
2025-03-11 11:39:53736

金属基板 | 全球领先技术DOH工艺与功率器件IGBT热管理解决方案

DOH:DirectonHeatsink,热沉。DOH工艺提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT功率器件性能提升,解决孔洞和裂纹问题提升产品良率及使用寿命。金属基板
2025-03-09 09:31:372315

国巨RC系列电阻的精度如何?

用户更好地了解这一系列产品。 一、国巨RC系列电阻的精度范围 国巨RC系列电阻提供了多种精度等级供用户选择,以满足不同应用场景的需求。具体而言,该系列电阻的精度等级包括: B级 :±0.1% D级 :±0.5% F级 :±1.0% J级 :±5.0% 这些精
2025-03-07 14:29:13791

汽车48V、AI数据中心驱动,英飞凌OptiMOS 7系列器件解析

英飞凌的OptiMOS 7系列产品。   官网产品列表 来源:英飞凌 OptiMOS系列英飞凌面向中低压领域的产品,产品覆盖10V到300V区间,主打一个高性能和高性价比。OptiMOS系列的特点包括极低的RDS(on)以及高效率和高功率密度,适合于较高开关频率的应用,像通信应
2025-02-27 00:58:002676

英飞凌车规级IGBT功率模块FF300R08W2P2_B11A产品概述

英飞凌车规级IGBT功率模块FF300R08W2P2_B11A,这款750V模块是英飞凌著名的“EasyPACK™”产品家族中的最新成员,它基于EDT2技术,封装形式为EasyPACK™ 2B半桥
2025-02-20 17:52:392919

英飞凌发布全新高性能PSOC Control微控制器系列

英飞凌推出基于Arm Cortex-M33的最新高性能微控制器(MCU)系列PSOC Control。在ModusToolbox系统设计工具和软件的支持下,这款综合全面的解决方案使开发人员能够轻松创建高性能、高效率且安全的电机控制和功率转换系统。
2025-02-20 09:22:201192

中微爱芯推出CBTLVD系列模拟开关

中微爱芯推出四款CBTLVD系列模拟开关
2025-02-12 14:21:301117

高频感应电源国产SiC碳化硅模块替代英飞凌IGBT模块损耗计算对比

模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级! 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然,勇立功率半导体器件变革潮头: 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势! 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势! 倾佳
2025-02-10 09:41:151007

英飞凌推出PSOC™ Control MCU,提升电机控制与功率转换效能

全球功率系统及物联网半导体领导者英飞凌科技股份公司,近期推出了基于Arm®Cortex®-M33的高性能微控制器(MCU)系列——PSOC™ Control。这款MCU系列专为电机控制和功率转换
2025-02-06 11:16:381238

功率器件热设计基础知识

功率器件热设计是实现IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠运行的基础。掌握功率半导体的热设计基础知识,不仅有助于提高功率器件的利用率和系统可靠性,还能有效降低系统成本。本文将从热设计的基本概念、散热形式、热阻与导热系数、功率模块的结构和热阻分析等方面,对功率器件热设计基础知识进行详细讲解。
2025-02-03 14:17:001354

高压护航,性能领先!纳芯微推出智能隔离驱动NSI67X0系列

纳芯微正式推出具有隔离模拟采样功能的智能隔离驱动 NSI67X0 系列,该系列适用于驱动 SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件,兼具车规等级(满足 AEC-Q100 标准)和工规等级,可广泛适用于新能源汽车、空调、电源、光伏等应用场景。
2025-01-24 15:44:06867

纳芯微推出车规级D类音频功率放大器

纳芯微今日宣布推出可用于汽车音频系统的数字输入车规级D类(Class D)音频功率放大器NSDA6934-Q1,可实现四个通道音频输出,每通道可输出最大75W功率,支持低延迟模式和最高192kHz的采样率,具备灵活的开关频率、调制方式和多种保护功能,可适配不同的汽车音频系统设计。
2025-01-24 09:10:472425

英飞凌推出新型MOTIX BTM90xx系列全桥IC

英飞凌科技股份公司近期推出了专为有刷直流电机应用设计的全新全桥/H桥集成电路(IC)产品系列——MOTIX™ Bridge BTM90xx。这一创新产品的问世,不仅进一步丰富了英飞凌的产品阵容,还完善了其从驱动器IC到高度集成化系统级芯片(SoC)的MOTIX™低压电机控制IC产品组合。
2025-01-22 17:07:061019

Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析

大电流 Si IGBT 和小电流 SiC MOSFET 两者并联形成的混合器件实现了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT器件特性很大不同。为了尽可能在不同工况下分别利用
2025-01-21 11:03:572634

功率器件热设计基础(十三)——使用热系数Ψth(j-top)获取结温信息

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件
2025-01-20 17:33:501975

英飞凌IGBT7系列芯片大解析

上回书(英飞凌芯片简史)说到,IGBT自面世以来,历经数代技术更迭,标志性的技术包括平面栅+NPT结构的IGBT2,沟槽栅+场截止结构的IGBT3和IGBT4,表面覆铜及铜绑定线的IGBT5等。现今
2025-01-15 18:05:212260

功率器件热设计基础(十二)——功率半导体器件的PCB设计

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件
2025-01-13 17:36:111819

双面散热IGBT功率器件 | DOH 封装工艺

IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管,特点是可以使用电压控制、耐压高、饱和压降小、切换速度快、节能等。功率模块是电动汽车逆变器的核心部件,其封装技术对系统性能和可靠性有着至关重要的影响。传统的单面冷却
2025-01-11 06:32:432272

多维精密测量:半导体微型器件的2D&3D视觉方案

精密视觉检测技术有效提升了半导体行业的生产效率和质量保障。友思特自研推出基于深度学习平台和视觉扫描系统的2D和3D视觉检测方案,通过9种深度学习模型、60+点云处理功能,实现PCB元器件IGBT质量检测等生产过程中的精密测量。
2025-01-10 13:54:191362

功率器件热设计基础(十一)——功率半导体器件功率端子

设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。功率器件的输出电流能力器件的输出电流能力首先是由芯片决定的,但是IGBT芯片的关断电流能力很强,
2025-01-06 17:05:481328

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