你 IGBT7 S7和T7系列主要面向需要短路电流能力的应用，例如马达驱动。该系列可实现更高的功率输出以及更高的功率密度，无需重新设计散热器，缩短设计周期和降低设计成本。 H7采用最新型微沟槽栅技术，通过优化元胞结构，极大程度上降低了器件
2024-03-13 15:14:54
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意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 近日，全球知名的半导体及组件制造商Vishay宣布推出五款新型半桥IGBT功率模块，这些模块采用了经过改良设计的INT-A-PAK封装。新款产品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 随着人工智能（AI）技术的飞速发展，全球数据生成量呈现出爆炸式增长，进而推动了芯片对能源需求的急剧上升。在这一背景下，英飞凌科技近日宣布推出TDM2254xD系列双相功率模块，旨在为AI数据中心提供卓越的功率密度、质量和总体成本（TCO）优化方案。
2024-03-12 09:58:24226 随着人工智能（AI）技术的飞速发展，全球数据生成量呈现爆发式增长，进而推动数据中心对高效、可靠且成本优化的功率解决方案的需求日益增长。为满足这一市场需求，英飞凌科技近日正式推出TDM2254xD系列双相功率模块，旨在为AI数据中心提供卓越的基准性能，并有效降低总体拥有成本。
2024-03-12 09:44:23116 Vishay近期发布五款新型半桥IGBT功率模块，其改良设计的INT-A-PAK封装备受瞩目。这五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均运用Vishay领先
2024-03-08 11:45:51266 英飞凌新推出的IGBT7单管系列市场热度不减，本文为大家整理针对该产品系列的常见问题，一看就懂，牢牢码住!直播回放链接获取IGBT7都通过了哪些可靠性测试？答：IGBT不论单管和模块都需要通过
2024-03-05 08:17:27111 
开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司（VMAX）将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载充电器
2024-03-04 11:20:52128 
英飞凌IGBT7单管系列，作为目前炙手可热的光储应用新星产品，正受到众多玩家的追捧。本篇文章特地为大家贴心整理该系列产品的核心知识大全，希望大家买得放心，用得顺手~更全型号选择，总有一款适合
2024-02-23 08:13:15154 IGBT器件的结构和工作原理
2024-02-21 09:41:59284 
什么是IGBT的退饱和？为什么IGBT会发生退饱和现象？ IGBT是一种高性能功率半导体器件，结合了MOSFET和BJT的优点。它在高电压和高电流应用中具有低开启电阻、低导通压降和高开关速度等优点
2024-02-19 14:33:28472 IGBT过流和短路故障的区别 IGBT是绝缘栅双极型晶体管的缩写，是一种半导体功率开关器件。在工业和电力领域广泛应用，常常用于高压、高电流的开关电源和逆变器中。然而，由于各种原因，IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32274 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种半导体功率器件。它结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和双极型晶体管的特性。
2024-02-06 10:47:041016 Field-Effect Transistor）的控制性能，又具有异质结的管子功率特性。IGBT也是一个开关器件，可以在高电压和高电流条件下工作，并且被广泛应用于各种电力电子设备中。 IGBT由三个主要区域组成
2024-02-01 13:59:45447 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种功率半导体器件，结合了绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）和双极型晶体管（BJT）的特点。IGBT被广泛应用于电力
2024-01-22 11:14:57269 元件完成电路的升降压吗？尤其是在同步整流中，前级输入有LCL滤波装置，LCL仅仅起到一个滤波的作用吗，对整流的升降压有没有起到作用，低压三相380同步整流输出电压范围510-710V左右。
此时的功率器件是采用MOSFET还是IGBT什么的?
2024-01-17 16:26:41
IGBT是一种高性能功率半导体器件，常用于驱动大功率负载的电路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）两个器件构成。它结合
2024-01-12 14:43:521673 IGBT高压开关的优点说明 IGBT是一种高压开关器件，它结合了 MOSFET和BJT的优点，具有许多独特的优势。在本文中，我们将详细地探讨IGBT的优点，以便更好地理解其在不同领域的应用。 首先
2024-01-04 16:35:47787 英飞凌，全球半导体技术的领导者，于2023年12月23日荣获了年度国际功率器件行业卓越奖，其获奖产品为160V MOTIX™三相栅极驱动器IC。这一荣誉充分体现了英飞凌在宽禁带半导体技术和创新方面的杰出贡献。
2024-01-03 15:32:19319 逆变电路中的功率开关器件是实现直流电转换为交流电的关键元件，其主要作用是在控制信号的作用下，将直流电源输出的电能转换为交流电能。在逆变电路中，功率开关器件的性能直接影响到整个逆变器的效率、可靠性
2023-12-30 17:02:00702 英飞凌是全球半导体领域的领导者，12月23日，英飞凌160VMOTIX三相栅极驱动器IC获得年度国际功率器件行业卓越奖。本次评奖活动由世纪电源网举办，旨在通过客观、真实、公开的评选方式，评选
2023-12-30 08:14:04173 英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
众所周知，IGBT失效是IGBT应用中的难题。大功率IGBT作为系统中主电路部分的开关器件，失效后将直接导致系统瘫痪。宇宙射线作为一个无法预知的因素，可能就是导致IGBT发生意外故障的关键。
2023-12-27 09:39:34671 
开关器件。虽然它们的名称相似，但在构造、原理和应用方面存在一些不同之处。 结构与构造差异： IGBT是一种由晶体管和MOSFET结合而成的双极型功率开关器件。它由三个控制结构——门级结、PN结和PNP
2023-12-25 15:09:09399 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种电力开关装置，常被用于控制大电流和高电压的电力设备。IGBT软开关和硬开关是两种不同的IGBT工作模式，它们在开关
2023-12-21 17:59:32658 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 和二极管是电子设备中常见的两种功率开关器件。它们在许多应用中起着关键作用，主要用于交流电转换、能量转换和电流控制
2023-12-19 09:56:33566 半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上
2023-12-18 09:40:221150 
是一种重要的关键技术，被广泛应用于能源转换和能量控制系统中。 首先，我们来了解一下什么是IGBT模块。IGBT模块是一种功率半导体器件，是继MOSFET和BJT之后的第三代功率开关器件。它具有低导通压降、高开关速度和高耐受电压的特点，适用于高
2023-12-07 16:45:21469 igbt的作用和功能 IGBT，即绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种用于功率电子器件中的双极型晶体管。IGBT 融合了绝缘
2023-12-07 16:32:552936 这篇文章是英飞凌工业半导体微信公众号系列原创文章第205篇，IGBT单管数据手册参数解析（下）
2023-12-06 11:56:43
17 这篇文章是《英飞凌工业半导体》系列原创文章的第204篇，IGBT单管数据手册参数解析（上）
2023-12-06 11:54:3924 模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统
2023-12-05 17:03:49446 
这里，我们只关注IGBT芯片自身的短路，不考虑合封器件中并联的二极管或者是RC-IGBT的寄生二极管。
2023-12-05 16:22:312602 
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310 IGBT 属于功率半导体器件, 在新能源汽车领域, IGBT 作为电子控制系统和直流充电桩的核心器件, 直接影响电动汽车的动力释放速度,车辆加速能力和高速度.IGBT 功率器件作用新能源汽车应用中
2023-12-01 15:48:31
高压功率器件的开关技术简单的包括硬开关技术和软开关技术
2023-11-24 16:09:22534 
国内各家（英飞凌、安森美）车载IGBT的产品性能上的对比情况车载IGBT分为几个层级，主要分为A0/A00级以下，A级车，还有一些专用车例如物流和大巴车。在2015年以前是没有IGBT车规级的说法
2023-11-23 16:48:00556 
英飞凌IGBT模块命名规则
2023-11-23 09:09:36527 
英飞凌IGBT单管命名规则
2023-11-23 09:09:35646 
功率电子器件是PCS的核心组成部分，主要实现电能的转换和控制。而IGBT就是最为常用的功率器件，今天我们主要来学习IGBT。
2023-11-22 09:42:50513 
英飞凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，进一步扩展其TRENCHSTOPIGBT7产品阵容。全新器件配新一代发射极控制的EC7续流二极管，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求
2023-11-21 08:14:06255 电子发烧友网站提供《隔离驱动IGBT等功率器件的技巧.doc》资料免费下载
2023-11-14 14:21:590 MOSFET、IGBT、二极管等功率器件中起通流和开关作用的均是功率器件的有源区，那为什么还要在周围设计一圈终端区浪费芯片的一部分面积呢
2023-11-14 10:05:23560 
igbt芯片、igbt单管、igbt模块、igbt器件等这些的区别是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高压、高电流功率半导体器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281260 波老师那个年代上大学都是自己攒机装电脑，买CPU先问主频多少Hz？后来买手机也是，先看几个核，再看主频...所以估计大家都也差不多，都烙下病根儿了。 可是IGBT是个功率器件，它的开关频率上限并不是一个确定的值。
2023-11-10 09:38:461093 
开关器件，常用于控制高电压和高电流的电力电子设备中。IGBT短路测试是在IGBT生产和维修过程中常用的一项关键测试，旨在检测IGBT是否存在电路短路故障。 IGBT短路测试平台是一种用于进行IGBT
2023-11-09 09:18:291042 功率器件分为泛材类器件与IGBT器件两类，IGBT器件是开关器件，优势在于体积小、寿命长、可靠性高，现在市场上使用程度最大的是第4代器件，全球龙头企业为英飞凌，其现在的IGBT器件为商业化的第七代，主要应用于乘用车、光伏和风电能源领域。
2023-11-08 11:49:33282 11月2日，英飞凌科技的TRENSTOPIGBT71200V系列凭借其卓越的性能和广泛的应用领域，荣获2023年Aspencore电子成就奖
2023-11-04 08:14:47248 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49644 
IGBT模块（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一种集成了多个IGBT芯片、驱动电路、保护电路等功能的模块化电子元件。它是一种用于高功率电力电子设备中的半导体器件，常用于高压、高电流的交流/直流变换器、逆变器和直流/直流变换器中。
2023-10-27 11:40:052492 
IGBT元器件旁路连接的反向二极管起什么作用？ IGBT是绝缘栅双极型晶体管，它是一种强大的电力开关元件，广泛用于各种交流和直流电力电子应用中。IGBT的前向导通特性类似于单晶体管，而其反向阻止特性
2023-10-22 11:33:561063 igbt可以反向导通吗？如何控制igbt的通断？ IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔离栅双极晶体管的缩写，是一种功率半导体器件。IGBT 可以用
2023-10-19 17:08:051887 及IC，目前已形成IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等为营销主线的系列产品，产品种类基本覆盖功率半导体器件全部范围，广泛应用于汽车电子、电力电子、光伏逆变、工业控制与LED
2023-10-16 11:00:14
英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极晶体管的简称，其由双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)组成，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件，是实现电能转换的核心器件，也是目前MOS-双极型功率器件的主要发展方向之一。
2023-09-22 16:54:103325 
IGBT 功率模块的开关特性是由它的内部结构，内部的寄生电容和内部和外接的电阻决定的。
2023-09-22 09:06:14432 
IGBT 属于功率半导体器件, 在新能源汽车领域, IGBT 作为电子控制系统和直流充电桩的核心器件, 直接影响电动汽车的动力释放速度, 车辆加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:04358 近年来，新型功率开关器件IGBT(图1)已逐渐被人们所认识，IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件(图2)，IGBT
2023-09-11 10:42:41907 
功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。当然功率半导体元件除了IGBT之外，还有MOSFET、BIPOLAR等，这些都能用来作为半导体开关，今天单说IGBT的工艺流程。
2023-09-07 09:55:521082 
功率器件在工业应用中的解决方案，议程分为：功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化镓PowerGaN、工业电源中的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28
功率半导体器件在现代电力控制和驱动系统中发挥着重要作用。IGBT模块和IPM模块是其中两个最为常见的器件类型。它们都可以用于控制大功率负载和驱动电机等应用，但是它们的内部结构和功能有所不同，那么
2023-09-04 16:10:494672 
igbt反向并联二极管作用 IGBT是一种强劲的功率半导体器件，被广泛应用于高电压、高电流和高速开关的领域。与传统的大功率晶体管相比，IGBT能够提供更高的功率密度，同时也具有更高的效率和更低
2023-08-29 10:25:571118 深圳市萨科微半导体公司公司，是以研究制造第三代半导体新材料碳化硅功率器件元器件发展起来的公司，萨科微slkoric于2022年获授“国家级高新技术企业”，原始取得关于MOS管、IGBT管、元器件封测
2023-08-26 13:56:28286 
Infineon(英飞凌)作为一家全球领先的半导体解决方案提供商，其IGBT管产品在市场上备受瞩目。下面将介绍英飞凌IGBT管前10热门型号:一、英飞凌IGBT管前10热门
2023-08-25 16:58:531477 
igbt功率管怎么检测好坏？ 简介： 随着电力电子技术越来越先进和高效，IGBT已成为工业应用的热门选择。IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种三端半导体器件，支持高电压和高电流应用，同时提供快速开关
2023-08-25 15:03:352090 igbt的优缺点介绍 IGBT的优缺点介绍 IGBT是一种晶体管，是MOSFET和BJT集成而成的开关，具有高速开关能力和较低的导通电阻，用于高效率的功率调节。IGBT具有一些优点和缺点，下面将详细
2023-08-25 15:03:293998 代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）于近日宣布推出全新的TEGRION™系列安全控制器，这是英飞凌迄今为止最广泛的28 nm安全控制器产品组合。该系列安全控制器集成了全新的Integrity
2023-08-21 14:32:22514 
摘要: 针对传统结构超结 IGBT 器件在大电流应用时的电导调制效应较弱，削弱了 IGBT 器
件低饱和导通压降优点的问题，设计了 p 柱浮空的超结 IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 车用IGBT器件技术概述
2023-08-08 10:00:312 【 2023 年 8 月 4 日 ， 德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出搭载1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的62 mm
2023-08-07 11:12:56417 
在 IGBT驱动电源板 中有着广泛的应用。 IGBT驱动板是控制系统和开关器件中的中间环节，承担着接受控制系统信号并传输信号，确保IGBT执行开关、保护、和反馈器件工作状态的重任。 通常，IGBT驱动板由IGBT驱动芯片、驱动外围电路、驱动辅
2023-08-04 17:35:03609 近年来萨科微半导体发展神速，在掌握第三代半导体碳化硅功率器件技术的基础上，萨科微slkor投入大量精力和资金，推出了IGBT和电源管理芯片等系列高端产品。萨科微副总经理贺俊驹介绍，在功率器件应用市场
2023-07-31 11:14:43404 
，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩大其CoolMOS™ S7 系列高压超结（SJ）MOSFET 的产品阵容。该系列器件主要适用于开关电源（SMPS）、太阳能系统、电池保护、固态继电器（SSR）、电机启动器和固态断路器以及可编程逻辑控制器（PLC）
2023-07-28 15:05:301065 
IGBT模块动态参数是评估IGBT模块开关性能如开关频率、开关损耗、死区时间、驱动功率等的重要依据，本文重点讨论以下动态参数：模块内部栅极电阻、外部栅极电阻、外部栅极电容、IGBT寄生电容参数、栅极充电电荷、IGBT开关时间参数，结合IGBT模块静态参数可全面评估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543284 
森国科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。
2023-07-26 17:34:13355 
IGBT是继MOSFET之后，新一代的开关器件，主要用于高压和高电流的开关控制。IGBT的全称是Isolated Gate Bipolar Transistor，是由晶体管和MOSFET的优点相结合
2023-07-20 16:39:514479 除了这些新材料外，绝缘栅双极晶体管(IGBT)这一较老的技术在电力电子领域仍占有重要地位。本周，Nexperia首次进入IGBT市场，推出了一系列新的600 V设备。本文将介绍IGBT、trench-gate设备和Nexperia的新产品系列。
2023-07-18 15:35:53367 
电机控制器的功率模块，即IGBT器件和续流二极管，在开关和导通电流会产生损耗，损失的能量会转化成热能，表现为功率模块发热。
2023-07-12 15:53:142495 
IGBT : 是一种大功率的电力电子器件,是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线，断开时当做开路。三大特点就是高压、大电流、高速。它是电力电子领域非常理想的开关器件。 编辑：黄飞
2023-07-07 09:36:321089 
。Nexperia在其庞大的产品组合中增加了IGBT，满足了市场对于高效高压开关器件不断增长的需求以及在性能和成本方面的要求。这些器件有助于提高电源转换和电机驱动应用中的功率密度，包括工业电机驱动（例如
2023-07-05 16:34:291053 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮。Nexperia在其庞大的产品组合中增加了IGBT，满足了市场对于高效高压开关器件不断增长的需求以及在性能和成本方面的要求。这些器件有助于提高电源转换和电机驱动应用中的功率密度，包括工业电机驱
2023-07-05 09:20:27459 
地被开发出来。GaN器件的低导通内阻、低寄生电容和高开关速度等特性，使得对应的Class D功放系统能够具有更高的效率，更高的功率密度，同时因为更少的反馈需求所带来的非线性失真度将更低，由此Class
2023-06-25 15:59:21
IGBT技术在功率密度、工作频率、损耗控制等方面不断创新。新一代IGBT产品在提高开关速度、降低开关损耗、增强耐压能力等方面取得了显著进展，提高了系统效率和可靠性。
2023-06-21 11:24:33919 绝缘栅双极晶体管 （IGBT, InsulatedGate Bipolar Transistor）是一种三端功率半导体器件，主要用作电子开关，在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过
2023-06-14 20:15:012111 
IGBT是由MOSFET和GTR技术结合而成的复合型开关器件，是通过在功率MOSFET的漏极上追加p+层而构成的，性能上也是结合了MOSFET和双极型功率晶体管的优点。
2023-06-13 16:23:21414 【 2023 年 5 月 6 日，德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）继推出 EiceDRIVER™ 6ED223xS12T 系列
2023-06-06 11:03:03420 
【 2023 年 5 月 12 日，德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌
2023-06-06 11:01:361026 
每次谈到IGBT都要把它的优点先说一遍，就当我唠叨了。IGBT结合了电力场效应管和电力晶体管导通、关断机制的优点，相比于其他大功率开关器件，IGBT的驱动功率小、开关速度快、没有二次击穿效应且易于并联。
2023-05-25 17:31:342943 
英飞凌推出采用TO-247PLUS SMD封装的EDT2工业级分立IGBT，采用750V EDT2 IGBT技术，具有最低的导通损耗和开关损耗，这可以使电动商用车的电池电压达到450Vdc
2023-05-19 12:42:27453 半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。IGBT全称是绝缘栅极
2023-05-18 09:51:583446 
合作关系。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左） 赛米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938 
功率器件可以在各种非正常工况下保护自己并报错会大大提高功率器件自身的可靠性和整个系统的安全性。以下图中英飞凌的智能高边经典产品PROFET系列为例，它集成了诊断和保护功能（Protect）的功率器件
2023-05-02 15:44:00927 
对于不间断电源高频逆变电路是选择IGBT还是MOSFET的功率开关管呢？
2023-04-20 10:19:351433 ）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432097 绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有高输入阻抗和低导通压降的优点。
2023-04-15 14:23:581287 IGBT是高频开关器件，芯片内部的电流密度大。当发生过流或短路故障时，器件中流过的大于额定值的电流时，极易使器件管芯结温升高，导致器件烧坏。今天我们就来聊聊IGBT的过流和短路保护。
2023-04-06 17:31:175475 
IGBT是一种功率器件，在功率逆变器中承担功率转换和能量传输的功能。它是逆变器的心脏。同时，IGBT也是功率逆变器中最不可靠的元件之一。它对器件的温度、电压和电流非常敏感。稍有超出，就会变得无能
2023-03-30 10:29:45992 
IGBT芯片的开关特性，需要仿真确定D1和C1器件的参数； 02.仿真运行是慢速的时间点，需要等待缓慢运行，与CPU处理量有关； 03.修改电路后会存在参数报错无法运行，出现这种情况后让其自动修正
2023-03-27 14:57:37
【 2023 年 03 月 27 日， 德国慕尼黑 讯】 英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）日前宣布，推出全新的 iMOTION™ IMI110 系列智能
2023-03-27 14:42:30446 
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