供应商器件封装 P 14 x 8
2024-03-14 21:19:01
Diodes 公司推出一款符合汽车规格* 的新型线性 LED 驱动器，让用户能独立控制三个通道的亮度和色彩。
2024-03-12 14:38:31
640 【2024 年 03月 11日美國德州普拉諾訊】 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出一款符合汽車規格* 的新型線性 LED 驅動器，讓使用者能獨立控制三個通道的亮度
2024-03-12 14:30:46195 
电子元器件的封装测试是确保元器件在正常工作条件下能够稳定运行的重要环节。
2024-02-23 18:17:171002 Diodes公司近日宣布推出三款符合汽车标准的新型双通道高侧电源开关，分别为ZXMS82090S14PQ、ZXMS82120S14PQ和ZXMS82180S14PQ。这些新品进一步丰富了其IntelliFET自我保护型MOSFET产品组合，为汽车行业带来了更强大的电源管理解决方案。
2024-02-03 11:03:25347 【 2024 年 1 月 31 日美国德州普拉诺讯】 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出首款符合汽车标准的双通道高侧电源开关 — ZXMS82090S14PQ
2024-02-01 18:01:201090 
我知道嵌入式软件构建工具报告程序闪存使用情况。我认为他们也报告了 RAM 使用情况，但他们是否报告了最大 RAM 使用率？
生成工具可能不知道在运行时将使用多少堆。是否还有其他构建工具不知道的 RAM 使用情况？
如何准确找出运行时使用的RAM量？
2024-01-31 07:48:58
Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了创新的双面散热 DFN 5 x 6 封装。这一创新型封装为 AOS 产品赋予了卓越的散热性能，使其在长期恶劣的运行条件下仍能保持稳定的性能。
2024-01-26 18:25:151382 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 将 AH371xQ 系列高电压霍尔效应锁存器加入产品组合。
2024-01-05 13:52:22334 近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316 应用的80V 和 100V MOSFET，这两款车规级器件是TO-Leadless (TOLL) 封装。AOS TOLL 封装旨在优化功率半导体器件成为电动汽车发展中的重要组件，尤其是在两轮和三轮及其
2023-12-15 11:26:49279 应用的80V 和 100V MOSFET，这两款车规级器件是TO-Leadless (TOLL) 封装。AOS TOLL 封装旨在优化功率半导体器件成为电动汽车发展中的重要组件，尤其是在两轮和三轮及其
2023-12-14 16:55:24949 工程师必看！MOSFET器件选型的3大法则
2023-12-06 15:58:49209 ，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-05 10:33:32177 器件可靠性与温度的关系
2023-12-04 16:34:45239 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 加拿大蒙特利尔 - 11月27日 - 全球知名的电子元器件分销商富昌电子最近荣获 Diodes 公司颁发的2023年最佳全球分销商奖。 Diodes公司是全球领先的高品质模拟、分立、逻辑和混合信号
2023-11-30 15:52:51131 
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出一款低功耗、高性能且符合 MIPI D-PHY 1.2 协议的信号 ReDriver。
2023-11-30 14:04:49370 为了扩大QSiC SiC模块的选择范围，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封装的200,227V MOSFET，可与或不与1,200V SiC肖特基二极管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:46862 TO-220-5,其中TO-220表示封装代号，后面的5表示管脚数，TO封装主要应用在照明设备开关电源，微波炉，电动汽车等电子产品的中高功率器件；
第二种：DIP封装，也叫双列直插式封装
2023-11-22 11:30:40
如果器件的最高工作温度为85℃，器件的储存温度为125℃，请教此器件如果在通电状态下，且温度达到120℃，此时器件是否会损坏？
2023-11-17 13:24:22
为了扩大QSiC SiC模块的选择范围，SemiQ推出了一系列采用SOT-227封装的1,200V MOSFET，可与或不与1,200V SiC肖特基二极管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-16 17:18:25570 ，能够像IGBT一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅MOSFET的开关频率。之前的文章中，我们介绍了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何优化SiC栅极驱动电路 。今天将带来本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封装、系统性能和应用 。 封装 WBG半导体使高压转换器能够在更接近
2023-11-09 10:10:02333 
1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 
点击蓝字 关注我们 对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事
2023-10-18 16:05:02328 众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率
2023-10-18 09:11:42621 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出一款适用于各种车用 LED 产品应用的升压/单端初级电感转换器 (SEPIC) 控制器。
2023-09-26 14:13:26586 供应商器件封装 P 9 x 5
2023-09-07 11:50:43
供应商器件封装 E 13 x 7 x 4
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供应商器件封装 E 13 x 7 x 4
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供应商器件封装 P 9 x 5
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供应商器件封装 P 9 x 5
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供应商器件封装 E 32 x 16 x 9
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供应商器件封装 RM 6
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供应商器件封装 E 32 x 16 x 9
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供应商器件封装 RM 8
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供应商器件封装 E 6 x 3
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供应商器件封装 RM 6
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供应商器件封装 RM 8
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供应商器件封装 E 8 x 8
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供应商器件封装
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供应商器件封装 RM 4
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供应商器件封装 E 6 x 3
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供应商器件封装 E 6 x 3
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供应商器件封装 E 6 x 3
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供应商器件封装 EP 7
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供应商器件封装 P 9 x 5
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供应商器件封装 P 7 x 4
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供应商器件封装 P 14 x 8
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供应商器件封装 P 14 x 8
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供应商器件封装 RM 6
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供应商器件封装 EP 7
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供应商器件封装 EP 7
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2023-09-07 11:46:58
。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431202 
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
产品推荐 | TOLL封装MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
森国科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。
2023-07-26 17:34:13355 
电子发烧友网站提供《DMC4040SSD可降低MOSFET损耗 确保可靠运行.pdf》资料免费下载
2023-07-25 16:07:11
0 /HEV 子系统中的马达驱动器、EV 牵引变流器及 DC-DC 转换器。凭借低 RDS(ON) 的特性，在需要高功率密度的产品应用中，此系列 MOSFET 能以较低的温度运作。
2023-07-20 15:43:45374 元器件温度预测在很多方面都有重要意义。一直以来，元器件温度关系到可靠性，早期研究认为现场故障率与稳态元器件温度相关。近来，基于物理学的可靠性预测将电子组件的故障率与工作周期（开机、关机又开机等）内的温度变化幅度和温度变化率关联起来，而这两个因素均受稳态工作温度的影响。
2023-07-11 10:31:14659 
及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业，主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模块、IGBT、二极管
2023-07-06 16:45:02520 
研发及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业，主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模块、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
（VLSI）设备采用的设计方式有极大的不同，它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了MOSFET的器件原理图，传输特性和器件符号。双极结型晶体管（BJT)自身的局限性驱动了功率
2023-06-17 14:24:52591 
PRISEMI芯导产品推荐 | TOLL封装MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
Nexperia | 推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合 基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 TOLL（Transistor Outline Leadless）封装的MOSFET，由于其封装形式具有小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点，已经在电动自行车、电动摩托车、锂电保护、通信电源等终端客户得到广泛使用。
2023-05-26 09:52:42393 
在电力电容器运行过程中，温度对电容器的影响非常大。如果电容器运行时温度过高，不仅会影响电容器的使用寿命，还有可能造成严重的故障。那么在电力电容器运行时，电容器温度多少才算正常呢？
2023-05-25 14:57:341923 Diodes 公司（Diodes） （Nasdaq：DIOD） 宣布推出同步降压转换器产品组合的新产品。AP62500和AP62800 的连续输出电流额定值分别为5A 和8A，让工程师在开发针对效率或尺寸进行优化的负载点（POL） 解决方案时，更具弹性。
2023-05-15 16:11:29556 TOLL（Transistor Outline Leadless）封装的MOSFET，由于其封装形式具有小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点，已经在电动自行车、电动摩托车、锂电保护、通信电源等终端客户得到广泛使用。
2023-05-13 17:38:521981 
•内部层-平均50%的面积覆盖 •散热过孔-在每个器件下，5×4散热过孔的图案为0.8mm内径器件间距d=25mm •每台器件的功耗为0.5W 第四章指出单个Mosfet的位置对他们的运行温度
2023-04-21 15:19:53
是最小的。 一般来说，主要的热路径是通过封装漏极片，进入任何连接到这个连接的平面，这是本指南中要考虑的配置。 通过对不同尺寸的“x”进行实验设计，我们可以确定器件结温度（Tj）随铜面积的变化情况
2023-04-20 16:54:04
在有限的封 装空间内，如何把芯片的耗散热及时高效的释放到外界环境中以降低芯片结温及器件内部各封装材料的工作温度，已成 为当前功率器件封装设计阶段需要考虑的重要问题之一。本文聚焦于功率器件封装结构
2023-04-18 09:53:235973 
场效应晶体管 (MOSFET) 的温度特性进行了分析， 阐述了本征载流子浓度、 载流子迁移率等参 数受温度的影响机理， 分析了器件阻断特性、 输出特性、 转移特性等参量， 以便找到能够表征结 温特性
2023-04-15 10:03:061452 Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
2023-04-13 16:30:16215 Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出 AP7387Q 低压差 (LDO) 线性稳压器。此装置可提供 150mA 的最大输出电流，具有 5V 至 60V 的宽广输入电压
2023-04-11 17:45:591461 KUU推出超小型SOT-723封装MOSFET，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代MOSFET，这些新低阈值电压MOSFET采用KUU先进的沟槽工艺技术来取得能够和SOT-523等大上许多封装
2023-04-04 16:10:39987 
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