飞思卡尔推出射频高功率LDMOS晶体管

2011年9月9日，德克萨斯州奥斯汀市 – 飞思卡尔半导体 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射频LDMOS晶体管，该产品结合了业界最高的输出功率、效率和其同类竞争器件中最强的耐用性，专门面向UHF广播电视应用而设计。
 
作为飞思卡尔RF功率LDMOS晶体管系列的最新成员，MRFE6VP8600H与其上一代产品相比输出功率提高39%，其设计在满足ATSC、DVB-T和ISDB-T等许多主要数字电视传输标准要求的同时带来业界最高性能。MRFE6VP8600H 为电视发射机制造商和广播公司提供了显著优势。例如，晶体管可以在完整广播频段中交付125W的线性功率（超过600W峰值包络功率），并可以带来极高的效率（通常在860 MHz时为30%，当采用Doherty配置时可高达45%）。
 
UHF频段范围从470 MHz到860 MHz，广播公司使用这些频段传输无线电视信号。目前，绝大多数采用数字广播的电视台都在使用UHF频段。
 
飞思卡尔RF部门副总裁兼总经理Ritu Favre表示，“新的MRFE6VP8600H再次加强了飞思卡尔提供客户发展所需的卓越性能和效率的持续承诺，即便在面对极为严格的市场要求的行业中亦是如此。该新产品的推出强调了飞思卡尔具有标志性的运营方针，即利用其对网络市场的深入了解，通过智能、系统级的设计流程实现性能和效率收益。”
 
MRFE6VP8600H具有更高的RF输出功率和效率，可降低晶体管的总数和指定输出功率所需的合成阶段，与上一代固态系统相比，可帮助简化发射器设计并提高可靠性。与上一代产品相比，基于MRFE6VP8600H的发射器使用的电量最高可节省15%，从而可节省大量运营成本。
 
MRFE6VP8600H是同类产品中最耐用的RF功率LDMOS晶体管。当驱动其全额定RF输出功率时，该设备在所有相位角驱动超过65:1的阻抗失配(VSWR)时都不会出现性能下降，即使由两倍的额定输入功率驱动。晶体管的耐用性使它在天线结冰、输电线路故障或操作错误等不利条件下能够更加可靠，即便是在由预失真系统创建的驱动峰值出现时。
 
另外，MRFE6VP8600H可轻松应对由高选择性信道滤波器导致的频段外反射负载条件，以及采用DVB-T (8k OFDM)等高阶调制技术的数字传输方案的高峰均比(PAR)特性。 MRFE6VP8600H的增强耐用特点也使其可以采用经简化的发射器保护电路。

MRFE6VP8600H的主要规格包括：

• 860 MHz时具有125W平均RF输出功率（DVB-T [8k OFDM] 信号），19.3 dB 增益和30%的效率。
• 600 W峰值RF功率。
• 可以采用Class AB、Doherty或漏极调制放大器架构设计，消除了对于针对每种架构而优化的专用设备的需求。
• 集成静电放电(ESD)保护在装配过程中针对出现的杂散电压提供电阻。
• 当作为Doherty放大器的峰值阶段运行时，-6V至+10V的扩展负栅-源电压范围可提高性能。
•  封装在飞思卡尔的NI-1230螺栓式陶瓷气腔封装(MRFE6VP8600H)或NI-1230S焊接式陶瓷气腔封装中