我有一个 CYUSB3KIT-003。 我需要集成一个 NOR 闪存，我可以从中将固件读取到 RAM，然后 NOR 闪存的一部分内存应该EVAL_2K4W_ACT_BRD_S7作为大容量存储设备。
我应该采取什么方法？
2024-03-05 07:23:50
芯片烧录行业领导者-昂科技术近日发布最新的烧录软件更新及新增支持的芯片型号列表，其中Macronix旺宏电子的256Mb位串行NOR闪存MX25L25673GM已经被昂科的通用烧录平台AP8000所支持。
2024-03-01 19:19:30
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与NAND Flash相比，NOR Flash具有较低的存储密度和较高的成本，但具有较快的读取速度、较低的读取延迟和较好的随机访问性能。
2024-02-19 11:45:24641 
该方案是以 NXP S32K311 芯片为主控制器的评估板方案，S32K311 是基于 ARM Cortex-M7 的嵌入式应用微控制器，有 64 KB 的 Dflash、1 MB 的 Pflash
2024-02-18 11:22:01
我希望使用 PDL 将 S25FL512SAGMFI010 闪存 IC 初始化并使用到 XIP 模式，供 QSPI 在 CY8C6145 MCU 上使用。
我对如何做到这一点的理解是 main 中
2024-01-22 06:55:15
对于 MB96F346RSBPMC，我不知道如何向闪存读取/写入数据。
有人可以指定用于读/写编程的编程引脚和接口吗？
2024-01-19 06:27:39
NOR Flash是一种基于NOR门结构的闪存，NOR是逻辑门电路中的“或非”门。NOR Flash具有并行访问结构，这意味着每个存储单元都有一个地址，可以直接访问任何存储单元，这使NOR Flash具有快速的随机访问能力，适用于执行代码和读取关键数据。
2023-12-27 14:37:05292 请问如何通过AD2S1210的A,B和NM信号来计算转速
2023-12-15 07:54:43
AD2S1210读取的速度计算：
1. rps是 “弧度每秒” 还是 ”转每秒”？
2. 我的时钟是由DSP给出的8MHz，分辨率是10-bit的情况下，最大值是不是代表3125rps/10.24MHz*8MHz=2441rps。
每LSB代表2441rps/512=4.7683rps?
2023-12-13 06:48:23
tempBuf1是0x7E，紧接着再读取后tempBuf2就不是0x7E了，试了其它寄存器也一样，只能读取一次，第二次就返回默认值了？
ad2s
2023-12-12 06:52:45
选择Nor Flash作为存储解决方案的一个主要原因就是Nor Flash的并行访问结构可实现快速读取速度和低读取延迟。
2023-12-05 14:32:31275 NAND Flash和NOR Flash是两种常见的闪存类型。
2023-11-30 13:53:20734 
读取AD2S1210的速度寄存器，得到的速度值有±200rpm误差，且呈正弦波动。旋转变压器设置为4对极，波形频率为电机电流频率的4倍。
由于采用的激励不是AD芯片输出，将锁相范围设置为了360
2023-11-30 06:56:38
闪速存储器 （Flash Memory）简称闪存器或闪存，是一种非易失性存储器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的两种闪存器是或非闪存器 (NOR Flash）和与非闪存
2023-11-23 09:36:17910 
使用AD2S1210并行读取角度和速度，在普通模式下读取位置和速度，出现如下问题：
1.位置读取完全正确，在电机不转时，速度寄存器的值却在-1和768之间跳变。
请问这是怎么回事，位置读取正确，速度却出现问题？
2023-11-20 07:14:18
我们使用微量序列 NOR MT25QL256ABA( 32MB) 鞭笞, 无法使用“ flexspi_ nor_flash_ page_ page_ progragram” API 程序到 16MB
2023-11-13 06:39:52
作为西门子性能最强的通用变频器，原则上S120支持所有的电机；但是1FL6电机却不在starter的配置范围内，无法选择。是否意味着S120不能支持1FL6？如果非把1FL6当成普通的第三方同步伺服电机来用，会遇到哪些问题还是可以直接使用
2023-11-09 07:54:53
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市场上主要的非易失性闪存技术，但是据我了解，还是有很多工程师分不清NAND FLASH与NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00468 
电子发烧友网站提供《使用STARTUPE3对并行NOR闪存进行配置后访问的UltraScale FPGA应用说明.pdf》资料免费下载
2023-09-14 15:18:20
1 点击上方 蓝字 关注我们 NOR闪存已作为FPGA（现场可编程门列阵）的配置器件被广泛部署。其为FPGA带来的低延迟和高数据吞吐量特性使得FPGA在工业、通信和汽车ADAS（高级驾驶辅助系统
2023-08-15 13:55:02330 
使用寿命。该芯片几乎达到了协议的最高理论速度（25MB/s），连续读取最高速度可以到达20.6MB/s,连续写入最高速度可以达到19.4MB/s。
pSLC SD Nand在文件传输时无论是大文件还是
2023-08-11 10:48:34
NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，即可以根据地址随机读写，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。因为其读取速度快，多用来存储程序、操作系统等重要信息。
2023-08-07 09:47:03763 
制造商: Winbond 产品种类: NOR闪存
2023-08-04 12:46:29
聚辰半导体推出SPI NOR Flash产品，可以覆盖从消费级，到工业级，直至汽车级的所有应用，产品在可靠性，功耗，温度和速度等关键性能指标方面达到国内外前沿水准。
2023-07-31 16:34:01339 Flash（闪存）是一种可擦除的只读存储器，按照实现方式和运行特性Flash一般还会分为NOR和NAND两种。其中NOR Flash支持随机地址的读取方式，在读取操作上类似于RAM，比较适合程序
2023-07-24 10:00:281845 
基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25% 此前美光推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案，采用了232层3D TLC NAND闪存；速度提升很大，可以达到最高
2023-07-19 19:02:21864 [e2studio] Renesas Starter Kit+ for RX65N-2MB 快速入门指南
2023-07-07 20:41:030 [CS+] Renesas Starter Kit+ for RX65N-2MB 快速入门指南
2023-07-07 20:40:510 [e2studio] Renesas Starter Kit+ for RX65N-2MB Smart Configurator Tutorial 手册
2023-07-07 20:40:380 [CS+] Renesas Starter Kit+ for RX65N-2MB Smart Configurator Tutorial 手册
2023-07-07 20:40:240 [e2studio] Renesas Starter Kit+ for RX65N-2MB Tutorial 手册
2023-07-07 20:40:130 [CS+] Renesas Starter Kit+ for RX65N-2MB Tutorial 手册
2023-07-07 20:40:020 Renesas Starter Kit+ for RX65N-2MB CPU Board 原理图s
2023-07-07 20:01:330 Renesas Starter Kit+ for RX65N-2MB 用户手册
2023-07-07 19:49:520 PG-FP5 V2.17 闪存编程器用户手册 RH850, RX64x, RX65x, RX66x, RX71x
2023-07-06 18:53:110 将 AWS 云与 FreeRTOS 连接 Renesas Starter Kit+ for RX65N-2MB Rev.1.00 入门指南
2023-07-03 20:23:020 RYZ014A Pmod LTE 连接与 RSK-RX65N-2MB – 快速入门指南
2023-06-30 19:14:500 RYZ024A PMOD LTE 连接与 RSK-RX65N-2MB MCU 快速入门指南
2023-06-29 19:14:220 华邦电子在过去多年都以 W25QxxDV 系列产品支持客户对 8Mb Serial Flash 的需求，应用领域包括仪器仪表、联网设备、PC、打印机、车用及游戏设备。如今，W25QxxRV 的推出
2023-06-15 15:25:00404 2023 年 6 月 15 日，中国，苏州 —— 全球半导体存储解决方案领导厂商华邦电子今日宣布推出Serial NOR Flash的首款产品 8Mb 3V W25Q80RV。该产品具备更强的读取
2023-06-15 15:03:07475 
我正在使用 LPCXpresso55S16，我想从闪存中动态分配内存，向其中写入数据，从中读取数据，并在需要时释放它。是否有教程或任何人都可以帮助我吗？
2023-06-09 06:57:01
我打算在我的项目中使用带有 2MB 板载闪存的 ESP-WROOM-S2，但我似乎无法让用户代码从板载闪存工作。
与其他模块的不同之处在于，S2 已通过闪存连接到 HSPI（与 SPI 相对）。
我
2023-05-31 06:38:49
S32ds Studio 3.4 版是否支持 S32K388 或 S32K358 系列？
2023-05-30 08:08:10
（MicroSD）存储卡U1 C10 A1至尊高速移动版内存储卡读速140MB/s
并且我们安装了sysbench并进行了IO测试，只得到读取速度14.7 M /s。我们还测试了随机写入速度，达到
2023-05-29 07:58:38
我正在使用 S32K312，我需要使用 RTD 连接 Spansion S25 闪存，我正在使用 Lpspi_Ip_SyncTransmit() 函数来传输和接收数据，但是函数描述告诉长度参数是要发送的字节数，但是我们如何才能使用相同的函数接收所需的字节数？
2023-05-29 06:05:57
当我使用mtd_debug工具读取nor flash的内存时，输出结果中每128字节的前7字节为0。
以下是mtd命令：
#mtd_debug 擦除/dev/mtd0 0x5a0000
2023-05-24 13:14:51
S9S12G128的wafer有多少nm？
2023-05-24 07:38:27
中找到 LUT 和 WRITE_REG 操作的图像 (QSPI_IP_OP_TYPE_WRITE_REG.png)。
我需要这个 WriteRegiter 指令来设置 QUAD SPI S25FL
2023-05-24 07:34:42
记：S32G_QSPI_NOR_20211125_V3.pdf。不幸的是，在中文中，为 MT35XU256ABA1G12-0AAT 提供了 QSPI 重新配置数据，与我们的非常相似：
LUT@0x244（从闪存基地址 0
2023-05-22 09:35:01
我对从 S32G274A 控制 Micron MT35XU512ABA QSPI 串行 NOR 闪存感到头疼。
该板是定制板（不是 NXP RDB2 或 EVP 之一）。
我使用 NXP
2023-05-18 08:48:37
我正在使用 S32G274A 板（不是 NXP 产品之一，它是由第三方制造的），它安装了 Micron
MT35XU512ABA 八进制串行 NOR 闪存。对于 M7_0，我必须调整 RTD
2023-05-16 06:04:49
RYZ024A PMOD LTE 连接与 RSK-RX65N-2MB MCU 快速入门指南
2023-05-12 19:22:390 BOOT_MODE[1:0]= x00 从保险丝启动后，尝试通过 FLEXSPI NOR（次级引脚，见图 2）连接到引导实用程序，但出现图 1 中的错误。
设备类型：试过 QuadSPI SDR NOR 和 QuadSPI DDR NOR。
我们的闪存部件号：I S25LP080D-JNLE-TR
可能是什么问题？
2023-05-10 08:53:24
我正在为我们的原型使用 IMXRT1172xx 微控制器。因为我们计划将 LittleFS 与在 Ext 中运行的应用程序代码一起使用。64MB的闪存。
出于测试目的，我能够成功运行 SDK 中提
2023-05-08 06:44:03
;;
compatible = \\\"spansion,s25fl256l\\\", \\\"jedec,spi-nor\\\"
2023-05-06 06:23:09
（1MB*2^2）
所有 OTP 保险丝均为出厂结果
引导模式[0] = 0
引导模式 [1] = 1
引导模式 [2] = 1
引导模式 [3] = 0
当我擦除 NOR 闪存的“boot0”分区
2023-05-05 10:40:17
从 NOR 闪存启动时，Core0 如何获取启动代码？
电路板设置 (T1024RDB) 是：
开关将 RCW_SRC 设置为 NOR 闪存
PBL/RCW 设置为 BOOT_LOC = NOR
2023-05-04 07:16:23
我查看了 S32DS IDE 中的现有示例 Fls_Example_S32K344，它可以与外部 NOR 闪存MX25L6433FM2I-08G 64Mb通信 。移植 Nand 闪存 ，其读/写协议
2023-04-28 08:29:07
（E/E）架构。英飞凌 SEMPER™ X1 LPDDR 闪存为汽车域和区域控制器提供至关重要的安全、可靠和实时的代码执行。该器件的性能是当前NOR 闪存的8 倍，实时应用程序的随机读取事务速度提高了 20
2023-04-26 11:10:57591 
我们将 S32G-VNP-RDB2 开发板与 S32G274 SoC 一起使用。我们的目标是编写我们自己的第一阶段引导加载程序并运行专有操作系统。如果我们让 U-Boot 运行并中断 Linux
2023-04-19 09:23:38
ESP32-S2 和 SPI 闪存的 CS 线有一些奇怪的行为。我希望整个交易的 CS 线都较低。但它仅在非常短的周期和时钟脉冲期间处于低电平。写入和读取闪存工作正常。但是我们时不时会出现闪电腐败
2023-04-11 13:13:33
的普及应用将大致分为两个阶段。第一阶段,它将取代车载MCU中应用的嵌入式存储器，其后在第二阶段,它将取代手机中的MCP以及独立DRAM和独立NOR闪存等。图1 65nm产品会取代嵌入式存储器，45nm
2023-04-07 16:41:05
系列，也没有任何时间计划。 S32K144 和 S32K144W 之间的闪存编程是否有编程工具必须注意的差异？还有哪些其他编程工具可用，哪些支持 S32K144W？
2023-04-07 12:35:09
我正在尝试使用 S32K314 和 LpSpi 实现 SPI 闪存。因为有一个函数“Lpspi_Ip_SyncTransmit”，我假设它可以写入和读取数据。在此函数中，有一个参数 length
2023-04-04 09:04:28
在查看 S32DS 中 S32K 闪存分区的示例代码时，我发现生成的配置文件 (peripherals_flash_FTFC.c) 存在问题。闪存配置生成如下：/* 闪存用户配置 0
2023-03-30 07:47:57
客户想使用S32FlashTool来操作“MX66UM1G45GXDQ00”Flash memory，而S32FlashTool只支持少数flash芯片，例如：MX25UM51245G.bin
2023-03-29 08:00:43
目前，我使用的是 S32R294。我想从 S32 Design Studio for Power Architecure 下载 S32R294 的外部闪存。据我所知，外部闪存的代码在启动时被复制到 SRAM 中，因为 s32r294 中没有内部闪存。你能告诉我上述两项的文件吗？
2023-03-29 07:34:28
目前，我使用的是 S32R294。我想从 S32 Design Studio for Power Architecture 下载 S32R294 的外部闪存。据我所知，外部闪存的代码在启动时被复制到 SRAM 中，因为 s32r294 中没有内部闪存。
2023-03-29 06:13:04
我正在使用 S32K148 EVB 测试闪存中的 EEPROM 仿真。我想使用 EEE Size = 1KB，那么如何在 FlexRAM 中配置这个大小。是否有任何示例代码可用于分区 D 闪存
2023-03-28 08:28:20
我正在使用 i.MXRT1176 并计划使用 FlexSPI 模块将固件更新写入外部 NOR 闪存。该应用程序将从同一外部存储器运行，但是，更新将写入不同的部分。我以前没有使用过带有外部程序存储器
2023-03-24 08:08:30
我有一个有趣的问题，我确定是配置问题。这是我第一次使用 QSPI 闪存设备和 i.MX 系列部件。我通常在 M4 或更小的机器上跑得慢很多。我有 2 个 NOR 闪存设备连接到 RT1062
2023-03-24 07:52:57
你好：我的板子用的是S29GL256S，配置是32x16x1。但是，我只能在flash programmer中选择32x8x1。尝试擦除具有 32x8x1 配置的闪存时，发生错误。错误信息如下：fl
2023-03-24 06:50:00
我正在尝试使用 CodeWarrior（版本：11.5.5）来刻录我的 QSPI 闪存（MT25QU256ABA），似乎我遇到了一些随机超时问题，fl_erase 在小内存范围内工作正常，但如果我
2023-03-24 06:46:12
我正在尝试编写代码来测试 LPC54s018-EVK 上的串行闪存。我需要首先确认逐个扇区擦除闪存是可行且有效的，然后继续我测试的其他阶段。（我不想一次擦除整个芯片，因为我们的主要软件需要从闪存中
2023-03-23 06:06:43
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