电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>新品快讯>科锐推出新型碳化硅肖特基二极管

科锐推出新型碳化硅肖特基二极管

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV

碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和压敏电阻 | MOV / 氧化锌 (ZnO) 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏电阻我们
2024-03-08 08:37:49

深圳萨微slkor

二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗⼆(Ge)和硅⼆(Si),现在也有用碳化硅做材料的二极管,美国的cree和深圳萨微slkor(www.slkoric.com)半导体推出
2024-03-05 14:23:46

二极管篇】二极管特性丨直流、交流、电流、转换时间

在本教程中,我们将学习一些重要的二极管特性。通过研究这些二极管特性,您将对二极管的一般工作原理有更好的了解。 常用二极管特性 概述 ⊙电流公式 ⊙直流电阻 ⊙交流电阻 ⊙过度电容 ⊙扩散电容 ⊙存储
2024-01-25 18:01:01

碳化硅功率器件简介、优势和应用

碳化硅二极管碳化硅晶体管。由于其出色的性能,碳化硅功率器件在电动汽车、可再生能源系统、智能电网、轨道交通等领域具有广泛的应用前景。
2024-01-09 09:26:49379

碳化硅肖特基二极管的优势和应用领域

在当今快速发展的电力电子领域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而备受关注。作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅在制造高效、高温和高速的电子器件方面具有巨大潜力。其中,碳化硅肖特基二极管作为一种重要
2023-12-29 09:54:29186

碳化硅器件领域,中外的现况如何?

导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层,得到碳化硅外延片后进一步加工制成,品种包括SBD(肖特基二极管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极性晶体管)等,主要用于电动汽车、光伏、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。
2023-12-27 10:08:56305

碳化硅二极管的优点和局限性分析

碳化硅二极管的优点和局限性分析 碳化硅(SiC)二极管是一种新型半导体材料,在高频电源电子装置中得到了广泛应用。与传统的硅(Si)材料相比,碳化硅二极管具有许多优点和局限性。下面是对碳化硅二极管
2023-12-21 11:31:27408

碳化硅的5大优势

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33455

碳化硅和igbt的区别

和IGBT的区别。 1. 结构差异: 碳化硅是一种化合物半导体材料,由碳原子和硅原子组成。它具有非常高的熔点和热导性,使其在高温和高功率应用中具有出色的性能。碳化硅晶体管的结构通常更复杂,由多个寄生二极管组成,因此其电子流动路径更复
2023-12-08 11:35:531782

光电二极管接到ADL5304,光电二极管偏置需要10V,是否必须双电源供电?

光电二极管接到ADL5304,光电二极管偏置需要10V,是否必须双电源供电?
2023-11-24 07:50:26

TOLL Schottky SKY 肖特基二极管,大电流应用时的应用注意事项

TOLL Schottky SKY 肖特基二极管,大电流应用时的应用注意事项! 48V PD3.1选用肖特基做240W,480W PD电源,48V 10A的注意事项Motive TMBS TOLL封装肖特基绍 V1.2_页面_3.jpg
2023-11-22 10:39:26

LLC电源 输出次级侧使用肖特基二极管产品整流

LLC电源 输出次级侧使用肖特基二极管产品整流 LLC次级侧使用肖特基二极管产品,灌胶电源有优秀的散热效果
2023-11-20 21:36:35

GeneSiC的起源和碳化硅的未来

公司之一, GeneSiC 为政府机构开发了尖端的碳化硅技术ⁱ, 重点关注性能和稳健性, 并发布了几代碳化硅二极管和 MOSFET 技术,额定值高达 6.5 kV 在各种封装中以及裸片. 2022年, 纳微半导体收购了GeneSiC半导体, 创建了业界唯一一家专注于SiC和GaN的纯下一代功率半导体公司
2023-10-25 16:32:01603

稳压二极管并联使用有什么问题?

稳压二极管并联使用,有什么问题
2023-10-17 07:18:20

碳化硅二极管器件在电子领域中有何优势

碳化硅材料的半导体,虽然随着技术的发展,目前碳化硅的成本已经下降了不少,但按市场性价比来看,同类型的硅材料与碳化硅半导体器件的价格相差十倍以上。碳化硅单晶可用于制造晶体管(二极管和晶体管)。由于
2023-10-09 17:00:45275

【转帖】华润微碳化硅/SiC SBD的优势及其在Boost PFC中的应用

,有助于满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。 、 SiC的性能优势 1、SiC SBD可将耐压提高到3.3kV,极大扩展了SBD的应用范围 肖特基二极管
2023-10-07 10:12:26

#电路知识 #二极管 #SiC碳化硅 1分钟带你了解碳化硅二极管的优势!

二极管电路
深圳市浮思特科技有限公司发布于 2023-09-28 17:01:37

二极管反向恢复速度怎么测试?

二极管是单向导通,那么反向恢复时间是什么,需要怎么测试
2023-09-27 07:51:57

碳化硅新型功率器件的优缺点

碳化硅(SiC)MOS管作为一种新型功率器件,与传统的硅基功率器件相比,在某些特定条件下具有独特的优势,但也存在一定的不足。KeepTops告诉你碳化硅MOS管的优点和缺点。
2023-09-26 16:59:07474

混合碳化硅分立器件的特性与优点

IGBT分立器件一般由IGBT和续流二极管(FWD)构成,续流二极管按材料可分为硅材料和碳化硅材料,按照器件结构可分为PIN二极管肖特基势垒二极管(SBD)。材料与结构两两组合就形成了4种结果
2023-09-22 10:26:25205

针对要求严苛的电源转换应用推出先进的 650 V 碳化硅二极管

基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650
2023-09-22 09:25:32260

碳化硅SiC功率器件,全球市场总体规模,前三十大厂商排名及市场份额

本文研究SiC碳化硅功率模块及分立器件,功率模块主要包括碳化硅MOSFET模块(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二极管(主要是碳化硅肖特二极管)。
2023-09-08 11:30:451805

二极管电流方向

  二极管的电流方向是从正极流向负极。   就是从二极管PN结的P区流向N区,在电路图中,二极管“三角形”所指示的方向就是它的正向电流方向。发光二极管的电流方向与电路的电流方向是一致的。并不矛盾
2023-09-06 17:37:23

功率器件在工业应用中的解决方案

功率器件在工业应用中的解决方案,议程分为:功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化镓PowerGaN、工业电源中的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28

不同类型的碳化硅功率器件

目前市场上出现的碳化硅半导体包括的类型相对较多,常见的主要有二极管、金属氧化物、半导体场效应、晶体管、晶闸管、结算场、效应晶体管等等这些不同类型的碳化硅器件,单元结构和漂移区参杂以及厚度之间存在较为明显的差异。那么下文主要针对不同类型的碳化硅功率器件的相关内容进行分析。
2023-08-31 14:14:22285

安世半导体热插拔MOSFET与碳化硅二极管入围年度功率半导体

和管理者。今年,Nexperia(安世半导体)的热插拔MOSFET与碳化硅肖特基二极管两款明星产品现已双双入围年度功率半导体! 采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET) 同时
2023-08-28 15:45:311140

碳化硅 SiC 可持续发展的未来 #碳化硅 #SiC #MCU #电子爱好者

工业控制碳化硅
Asd666发布于 2023-08-10 22:08:03

碳化硅二极管与硅相比的八大优势

宽带隙半导体使许多以前使用硅(Si)无法实现的高功率应用成为可能。本博客比较了两种材料的特性,并说明了为什么碳化硅二极管(SiC)在多个指标上具有明显的优势。
2023-08-04 11:04:17480

CPW6-1200-Z050A是一款二极管

1200 V、50 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 Gen 6 系列高电压、高性能 Z-Rec ©碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用无封装裸芯片格式,可
2023-07-31 10:15:57

C6D25170H是一款二极管

​​1700V,25A,至247-2包件,第六代离散的斯-肖特基二极管沃尔夫斯派特的1700V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的效率标准高于标准硅溶液,同时达到更高的频率和功率密度。碳化硅肖特基
2023-07-27 10:22:00

C6D10170H是一款二极管

1700V,10A,至247-2包件,第六代离散的斯-肖特基二极管沃尔夫斯派特的1700V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的效率标准高于标准硅溶液,同时达到更高的频率和功率密度。碳化硅肖特基二极管
2023-07-27 10:19:54

C6D05170H是一款二极管

1700V,5A,至247-2包件,第6代离散的斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1700V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的效率标准高于标准硅溶液,同时达到更高的频率和功率密度。碳化硅肖特基二极管可以很
2023-07-27 10:17:56

C4D40120D是一款二极管

1200V型,40A型,至247-3型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 10:16:08

C4D40120H是一款二极管

1200V,40A,至247-2包件,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的C4D40120H是一个1200V离散碳化硅肖特基二极管(40A),其特点是MPS(合并PIN肖特基)设计,是更强大和可靠
2023-07-27 10:14:00

C4D30120D是一款二极管

1200V型,30A型,至247-3型包件,第4代离散性肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:58:50

C4D30120H是一款二极管

1200V型,30A型,至247-2型包,第4代离散性肖特基二极管沃尔夫斯派特的C4D30120H是一个1200V离散碳化硅肖特基二极管(30A),其特点是MPS(合并PIN肖特基)设计,是更强
2023-07-27 09:46:22

E4D20120G是一款二极管

1200V型,20A型,-263-2型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:44:25

C4D20120A是一款二极管

1200V,20A,到220-2包件,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管
2023-07-27 09:40:47

C4D20120D是一款二极管

1200V型,20A型,至247-3型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:34:59

C4D20120H是一款二极管

1200V型,20A型,至247-2型包件,第4代离散性肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:32:48

E4D20120D是一款二极管

1200V型,20A型,至247-3型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:30:31

C4D15120A是一款二极管

1200V型,15A型,到220-2型包件,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:14:59

C4D15120D是一款二极管

1200V型,15A型,至247-3型包件,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:11:43

C4D15120H是一款二极管

1200V型,15A型,至247-2型包,第4代离散的SCHHOSTKY二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准
2023-07-27 09:09:11

C4D10120A是一款二极管

1200V型,10A型,到220-2型包件,第4代离散性肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将高速碳化硅二极管碳化硅 建立一个强大的组合,提高效率和降低组件价格
2023-07-26 17:49:42

C4D10120D是一款二极管

1200V型,10A型,至247-3型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-26 17:46:42

C4D10120E是一款二极管

1200V型,10A型,到252-2型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将高速碳化硅二极管碳化硅 建立一个强大的组合,提高效率和降低组件价格
2023-07-26 17:43:35

C4D10120H是一款二极管

1200V型,10A型,至247-2型包件,第4代离散性肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将高速碳化硅二极管碳化硅建立一个强大的组合,提高效率和降低组件价格 
2023-07-26 17:41:29

C4D08120A是一款二极管

1200V,8A,到220-2包件,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将高速碳化硅二极管碳化硅 建立一个强大的组合,提高效率和降低组件价格
2023-07-26 17:30:11

C4D08120E是一款二极管

1200V,8A,到252-2包件,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将高速碳化硅二极管碳化硅 建立一个强大的组合,提高效率和降低组件价格
2023-07-26 17:27:50

C4D05120A是一款二极管

1200V,5A,到220-2包件,第4代离散的斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将高速碳化硅二极管碳化硅建立一个强大的组合,提高效率和降低组件价格,
2023-07-26 17:25:50

C4D05120E是一款二极管

1200V型,5A型,至252-2型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将高速碳化硅二极管碳化硅建立一个强大的组合,提高效率和降低组件价格. 
2023-07-26 17:23:39

C4D02120A是一款二极管

1200V,2A-220-2包件,第4代离散S肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将
2023-07-26 17:19:54

C4D02120E是一款二极管

1200V,2A,至252-2包,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将
2023-07-26 17:17:31

E4D02120E是一款二极管

1200V,2A,至252-2包,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将
2023-07-26 17:15:10

C3D20060D是一款二极管

600 V、20 A、TO-247-3 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:50:38

C3D16060D是一款二极管

600 V、16 A、TO-247-3 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:46:45

C3D10060A是一款二极管

600 V、10 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:39:12

C3D10060G是一款二极管

600 V、10 A、TO-263-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:29:01

C3D08060A是一款二极管

600 V、8 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:24:29

C3D08060G是一款二极管

600 V、8 A、TO-263-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:21:52

C3D06060A是一款二极管

600 V、6 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:17:04

C3D06060F是一款二极管

600 V、6 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:14:55

C3D06060G是一款二极管

600 V、6 A、TO-263-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:12:16

C3D04060A是一款二极管

600 V、4 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:09:36

C3D04060F是一款二极管

600 V、4 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:07:08

C3D04060E是一款二极管

600 V、4 A、TO-252-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 09:51:09

C3D03060A是一款二极管

600 V、3 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 09:21:52

C3D03060F是一款二极管

600 V、3 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 09:18:50

C3D03060E是一款二极管

600 V、3 A、TO-252-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-24 17:45:09

C3D02060A是一款二极管

600 V、2 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-24 17:42:41

C3D02060F是一款二极管

600 V、2 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-24 17:37:00

C3D02060E是一款二极管

600 V、2 A、TO-252-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-24 17:32:22

CSD01060A是一款二极管

 600 V、1 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基
2023-07-24 17:29:42

CSD01060E是一款二极管

600 V、1 A、TO-252-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-24 17:23:06

AMEYA360:八英寸碳化硅成中外厂商必争之地!#碳化硅

碳化硅
jf_81091981发布于 2023-07-13 11:39:58

MSM06065G1碳化硅二极管,耐压650V 6A DFN5*6封装

深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1碳化硅二极管,耐压650V 6A DFN5*6封装,原装,库存现货热销 美浦森推出碳化硅二极管具有更高的过电压安全裕量,可提升全负载条件下
2023-07-05 16:00:20

MSM06065G1美浦森DFN5*6封装650V6A碳化硅二极管

深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1美浦森DFN5*6封装650V6A碳化硅二极管,原装,库存现货热销MSM06065G1  品牌:美浦森  封装:DFN5*6
2023-07-05 15:54:11

MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二极管DFN5*6

深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二极管DFN5*6,原装,库存现货热销 MSM06065G1  品牌:美浦森  封装:DFN5
2023-07-05 15:50:06

肖特基二极管介绍

二极管
YS YYDS发布于 2023-06-21 22:45:55

GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管可实现更快的开关瞬变

SiC JBS二极管提供卓越的功能,包括但不限于高温操作,高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比,GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能
2023-06-16 11:42:39

具有温度不变势垒高度和理想因数的GeneSiC 1200V SiC肖特基二极管

本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管,设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24

碳化硅肖特基二极管的原理及应用

碳化硅肖特基二极管是一种基于碳化硅材料的半导体器件,具有高速、高温、高功率特性。其原理基于肖特基效应,即在金属与半导体接触处形成一个肖特基势垒,使得半导体中的载流子向金属一侧偏移,形成整流效应。
2023-06-07 17:10:34800

碳化硅肖特基二极管的原理及应用

碳化硅肖特基二极管(Silicon Carbide Schottky Diode)是一种高性能半导体器件,具有低开启电压、高速开关、高温性能等优点,广泛应用于电源、驱动、逆变器、电动汽车等领域。
2023-06-04 16:09:002089

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件,其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180

碳化硅二极管是什么

碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性,因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点,广泛用于高功率、高频率、高温、高压等领域,如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。
2023-06-02 14:10:32747

碳化硅功率模组有哪些

碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱,本期为番外篇,前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游,本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场,以及未来的发展趋势,感谢各位
2023-05-31 09:43:20390

瀚薪科技完成B轮融资,已出货碳化硅二极管、MOSFET超3000万颗

根据公司披露:上海瀚薪具备多年的车规级SiC肖特基二极管与SiC MOSFET研发及量产经验。量产产品均在各市场龙头企业得到认可并大批量出货。碳化硅二极管涵盖650V、1200V和1700V电压范围
2023-05-25 10:34:27903

碳化硅肖特基二极管的基本原理

在典型的二极管中,p-n结由p型和n型半导体组合而成。然而,肖特基二极管是不同的:使用金属代替p型半导体。然后,你有一个被称为肖特基势垒的m-s结,而不是p-n结(这是这些二极管得名的地方)。
2023-05-24 11:19:54506

丽智芯片肖特基二极管-阻容1号

本帖最后由 jf_31420921 于 2023-5-23 14:51 编辑 肖特基二极管(Schottky Diode)是一种电子器件,因其具有低电压降和快速开关速度而广泛应用于电源电路
2023-05-23 14:47:57

使用SpeedFit 2.0设计模拟器快速启动基于碳化硅的设计

了解电源中碳化硅 (SiC) MOSFET 和肖特基二极管的在线行为是设计过程中的关键组件。与硅基技术相比,作为一项相对较新的技术,可视化这些碳化硅组件的性能可以帮助设计人员更轻松地利用这项技术。
2023-05-20 17:02:261014

碳化硅肖特基二极管B2D60120H1性能优势

碳化硅的RDS(ON)较低,因而开关损耗也较低,通常比硅低100倍。基于碳化硅肖特基二极管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在电力电子技术领域打破硅的极限,成为新能源及电力电子的首选器件。
2023-05-18 12:46:40277

碳化硅肖特基二极管B1D06065KS在PFC电路中的应用有哪些?

年来碳化硅材料应用于电子设备技术有了长足的发展,碳化硅材料比通用硅有更突出的优点
2023-05-05 17:00:1195

二极管单向导电是指电流只能从二极管一端流出吗?

二极管单向导电是指电流只能从二极管一端流出吗?单向导电的用途是什么呢?
2023-05-05 09:49:20

正向整流二极管和反向整流二极管作用是否一样呢?

正向整流二极管和反向整流二极管作用是否一样呢?
2023-05-05 09:46:10

Nexperia(安世半导体)针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管

基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319

Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管

合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率   奈梅亨, 2023 年 4 月 20 日: 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管
2023-04-20 09:39:30796

碳化硅肖特基二极管B1D06065KS在PFC电路中的应用

能力是硅的2~3倍。用碳化硅制成的肖特基二极管具有正温度系数及反向恢复时间接近零的特点,使得在PFC电路(功率因数校正)上的MOSFET开通损耗减少,效率得到进一步的提升。
2023-04-17 16:36:42384

碳化硅SiC MOSFET:低导通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管

Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体(MOSFET),其将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成格子花纹(check-pattern embedded SBD),以降低导通电
2023-04-11 15:29:18

C3D10065E

碳化硅肖特基二极管
2023-03-27 13:51:50

已全部加载完成