碳化硅功率器件市场领先者科锐公司 (Nasdaq: CREE) 继续其在碳化硅功率器件向主流功率应用的推广。与硅功率器件相比,科锐先进的碳化硅技术可降低系统成本、提高可靠性,并为能源效率建立新的标准。科锐公司最新推出的1200V Z-Rec™ 碳化硅肖特基二极管产品均采用行业标准的TO-252 D-Pak表面贴装封装,提供额定电流分别为2A,5A,8A 和 10A的表面贴装器件。科锐公司是目前世界上首家提供使用D-Pak表面贴装封装的可应用于全范围额定电流的商用1200V碳化硅肖特基二极管制造商。如太阳能微型逆变器等系统设计人员现在能拥有更多的选择来研发出更小、更轻以及成本更低的电源转换电路。新型表面贴装器件以更小的 PCB 尺寸和面积,并具备与科锐 TO-220 肖特基二极管相同的性能。
科锐副总裁兼功率和射频 (RF) 产品研发部门总经理 Cengiz Balkas 指出:“这些新型碳化硅肖特基二极管表面贴装器件能够以更小的尺寸和更低的板载实现包括零反向恢复损耗、不受温度影响的开关、在更高频率下工作并能够支持低电磁干扰(EMI)信号、以及更高的浪涌额定值和电子雪崩性能等优点。额定电流为2A的新型器件充分发挥碳化硅材料本身的优势,非常适合于较低功率的应用,能够提供最佳的性能及成本选择。此外,具有相同尺寸和节约成本的8A 和 10A 器件则适用于更高功率的应用中。”
Balkas 进一步指出:“在高效功率电子系统中使用碳化硅功率器件,能够具有以更少的器件数量实现更高的额定电流和额定电压等显著设计优势。通过减少器件数量,设计人员能够降低整体系统成本的同时,提高整体系统可靠性和实现最高效率。在全碳化硅设计中配合科锐最新系列1200V碳化硅MOSFET使用时,这些肖特基二极管使得高功率电子系统成为可能,其开关频率较传统以硅为材料的解决方案可高出5倍至8倍。在更高的开关频率下可使用较小磁性和电容性的元件,从而可以缩减系统体积、降低重量和成本。”
科锐C4D02120E系列肖特基二极管的额定电流/电压为2A/1200V;C4D05120E系列肖特基二极管的额定电流/ 电压为5A/1200V;C4D08120E系列肖特基二极管的额定电流/电压为8A/1200V;C4D10120E系列肖特基二极管的额定电流为10A/1200V。所有C4DXX120E器件的工作结温为-55°C 至 +175°C。
科锐C4DXX120E表面贴装肖特基二极管已经发布并完全具备生产使用资格。欲了解器件的供货情况,敬请与科锐联系。
科锐推出新型碳化硅肖特基二极管
- 二极管(160828)
- 科锐(23529)
相关推荐
碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 (ZnO) 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏电阻我们
2024-03-08 08:37:49
深圳萨科微slkor
二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗⼆极管(Ge管)和硅⼆极管(Si管),现在也有用碳化硅做材料的二极管,美国的cree和深圳萨科微slkor(www.slkoric.com)半导体推出
2024-03-05 14:23:46
【二极管篇】二极管特性丨直流、交流、电流、转换时间
在本教程中,我们将学习一些重要的二极管特性。通过研究这些二极管特性,您将对二极管的一般工作原理有更好的了解。
常用二极管特性
概述
⊙电流公式
⊙直流电阻
⊙交流电阻
⊙过度电容
⊙扩散电容
⊙存储
2024-01-25 18:01:01
碳化硅功率器件简介、优势和应用
碳化硅二极管和碳化硅晶体管。由于其出色的性能,碳化硅功率器件在电动汽车、可再生能源系统、智能电网、轨道交通等领域具有广泛的应用前景。
2024-01-09 09:26:49379
碳化硅肖特基二极管的优势和应用领域
在当今快速发展的电力电子领域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而备受关注。作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅在制造高效、高温和高速的电子器件方面具有巨大潜力。其中,碳化硅肖特基二极管作为一种重要
2023-12-29 09:54:29186
碳化硅器件领域,中外的现况如何?
导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层,得到碳化硅外延片后进一步加工制成,品种包括SBD(肖特基二极管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极性晶体管)等,主要用于电动汽车、光伏、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。
2023-12-27 10:08:56305
碳化硅二极管的优点和局限性分析
碳化硅二极管的优点和局限性分析 碳化硅(SiC)二极管是一种新型半导体材料,在高频电源电子装置中得到了广泛应用。与传统的硅(Si)材料相比,碳化硅二极管具有许多优点和局限性。下面是对碳化硅二极管
2023-12-21 11:31:27408
碳化硅和igbt的区别
和IGBT的区别。 1. 结构差异: 碳化硅是一种化合物半导体材料,由碳原子和硅原子组成。它具有非常高的熔点和热导性,使其在高温和高功率应用中具有出色的性能。碳化硅晶体管的结构通常更复杂,由多个寄生二极管组成,因此其电子流动路径更复
2023-12-08 11:35:531782
TOLL Schottky SKY 肖特基二极管,大电流应用时的应用注意事项
TOLL Schottky SKY 肖特基二极管,大电流应用时的应用注意事项!
48V PD3.1选用肖特基做240W,480W PD电源,48V 10A的注意事项Motive TMBS TOLL封装肖特基绍 V1.2_页面_3.jpg
2023-11-22 10:39:26
GeneSiC的起源和碳化硅的未来
公司之一, GeneSiC 为政府机构开发了尖端的碳化硅技术ⁱ, 重点关注性能和稳健性, 并发布了几代碳化硅二极管和 MOSFET 技术,额定值高达 6.5 kV 在各种封装中以及裸片. 2022年, 纳微半导体收购了GeneSiC半导体, 创建了业界唯一一家专注于SiC和GaN的纯下一代功率半导体公司
2023-10-25 16:32:01603
碳化硅二极管器件在电子领域中有何优势
碳化硅材料的半导体,虽然随着技术的发展,目前碳化硅的成本已经下降了不少,但按市场性价比来看,同类型的硅材料与碳化硅半导体器件的价格相差十倍以上。碳化硅单晶可用于制造晶体管(二极管和晶体管)。由于
2023-10-09 17:00:45275
【转帖】华润微碳化硅/SiC SBD的优势及其在Boost PFC中的应用
,有助于满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。
二、 SiC的性能优势
1、SiC SBD可将耐压提高到3.3kV,极大扩展了SBD的应用范围
肖特基二极管
2023-10-07 10:12:26
碳化硅新型功率器件的优缺点
碳化硅(SiC)MOS管作为一种新型功率器件,与传统的硅基功率器件相比,在某些特定条件下具有独特的优势,但也存在一定的不足。KeepTops告诉你碳化硅MOS管的优点和缺点。
2023-09-26 16:59:07474
混合碳化硅分立器件的特性与优点
IGBT分立器件一般由IGBT和续流二极管(FWD)构成,续流二极管按材料可分为硅材料和碳化硅材料,按照器件结构可分为PIN二极管和肖特基势垒二极管(SBD)。材料与结构两两组合就形成了4种结果
2023-09-22 10:26:25205
针对要求严苛的电源转换应用推出先进的 650 V 碳化硅二极管
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650
2023-09-22 09:25:32260
碳化硅SiC功率器件,全球市场总体规模,前三十大厂商排名及市场份额
本文研究SiC碳化硅功率模块及分立器件,功率模块主要包括碳化硅MOSFET模块(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二极管(主要是碳化硅肖特二极管)。
2023-09-08 11:30:451805
二极管电流方向
二极管的电流方向是从正极流向负极。
就是从二极管PN结的P区流向N区,在电路图中,二极管“三角形”所指示的方向就是它的正向电流方向。发光二极管的电流方向与电路的电流方向是一致的。并不矛盾
2023-09-06 17:37:23
功率器件在工业应用中的解决方案
功率器件在工业应用中的解决方案,议程分为:功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化镓PowerGaN、工业电源中的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28
不同类型的碳化硅功率器件
目前市场上出现的碳化硅半导体包括的类型相对较多,常见的主要有二极管、金属氧化物、半导体场效应、晶体管、晶闸管、结算场、效应晶体管等等这些不同类型的碳化硅器件,单元结构和漂移区参杂以及厚度之间存在较为明显的差异。那么下文主要针对不同类型的碳化硅功率器件的相关内容进行分析。
2023-08-31 14:14:22285
安世半导体热插拔MOSFET与碳化硅二极管入围年度功率半导体
和管理者。今年,Nexperia(安世半导体)的热插拔MOSFET与碳化硅肖特基二极管两款明星产品现已双双入围年度功率半导体! 采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET) 同时
2023-08-28 15:45:311140
碳化硅二极管与硅相比的八大优势
宽带隙半导体使许多以前使用硅(Si)无法实现的高功率应用成为可能。本博客比较了两种材料的特性,并说明了为什么碳化硅二极管(SiC)在多个指标上具有明显的优势。
2023-08-04 11:04:17480
CPW6-1200-Z050A是一款二极管
1200 V、50 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 Gen 6 系列高电压、高性能 Z-Rec ©碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用无封装裸芯片格式,可
2023-07-31 10:15:57
C6D25170H是一款二极管
1700V,25A,至247-2包件,第六代离散的斯-肖特基二极管沃尔夫斯派特的1700V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的效率标准高于标准硅溶液,同时达到更高的频率和功率密度。碳化硅肖特基
2023-07-27 10:22:00
C6D10170H是一款二极管
1700V,10A,至247-2包件,第六代离散的斯-肖特基二极管沃尔夫斯派特的1700V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的效率标准高于标准硅溶液,同时达到更高的频率和功率密度。碳化硅肖特基二极管
2023-07-27 10:19:54
C6D05170H是一款二极管
1700V,5A,至247-2包件,第6代离散的斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1700V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的效率标准高于标准硅溶液,同时达到更高的频率和功率密度。碳化硅肖特基二极管可以很
2023-07-27 10:17:56
C4D40120D是一款二极管
1200V型,40A型,至247-3型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 10:16:08
C4D40120H是一款二极管
1200V,40A,至247-2包件,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的C4D40120H是一个1200V离散碳化硅肖特基二极管(40A),其特点是MPS(合并PIN肖特基)设计,是更强大和可靠
2023-07-27 10:14:00
C4D30120D是一款二极管
1200V型,30A型,至247-3型包件,第4代离散性肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:58:50
C4D30120H是一款二极管
1200V型,30A型,至247-2型包,第4代离散性肖特基二极管沃尔夫斯派特的C4D30120H是一个1200V离散碳化硅肖特基二极管(30A),其特点是MPS(合并PIN肖特基)设计,是更强
2023-07-27 09:46:22
E4D20120G是一款二极管
1200V型,20A型,-263-2型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:44:25
C4D20120A是一款二极管
1200V,20A,到220-2包件,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管
2023-07-27 09:40:47
C4D20120D是一款二极管
1200V型,20A型,至247-3型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:34:59
C4D20120H是一款二极管
1200V型,20A型,至247-2型包件,第4代离散性肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:32:48
E4D20120D是一款二极管
1200V型,20A型,至247-3型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:30:31
C4D15120A是一款二极管
1200V型,15A型,到220-2型包件,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:14:59
C4D15120D是一款二极管
1200V型,15A型,至247-3型包件,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:11:43
C4D15120H是一款二极管
1200V型,15A型,至247-2型包,第4代离散的SCHHOSTKY二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准
2023-07-27 09:09:11
C4D10120A是一款二极管
1200V型,10A型,到220-2型包件,第4代离散性肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将高速碳化硅二极管与碳化硅 建立一个强大的组合,提高效率和降低组件价格
2023-07-26 17:49:42
C4D10120D是一款二极管
1200V型,10A型,至247-3型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-26 17:46:42
C4D10120E是一款二极管
1200V型,10A型,到252-2型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将高速碳化硅二极管与碳化硅 建立一个强大的组合,提高效率和降低组件价格
2023-07-26 17:43:35
C4D10120H是一款二极管
1200V型,10A型,至247-2型包件,第4代离散性肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将高速碳化硅二极管与碳化硅建立一个强大的组合,提高效率和降低组件价格
2023-07-26 17:41:29
C4D08120A是一款二极管
1200V,8A,到220-2包件,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将高速碳化硅二极管与碳化硅 建立一个强大的组合,提高效率和降低组件价格
2023-07-26 17:30:11
C4D08120E是一款二极管
1200V,8A,到252-2包件,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将高速碳化硅二极管与碳化硅 建立一个强大的组合,提高效率和降低组件价格
2023-07-26 17:27:50
C4D05120A是一款二极管
1200V,5A,到220-2包件,第4代离散的斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将高速碳化硅二极管与碳化硅建立一个强大的组合,提高效率和降低组件价格,
2023-07-26 17:25:50
C4D05120E是一款二极管
1200V型,5A型,至252-2型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将高速碳化硅二极管与碳化硅建立一个强大的组合,提高效率和降低组件价格.
2023-07-26 17:23:39
C4D02120A是一款二极管
1200V,2A-220-2包件,第4代离散S肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将
2023-07-26 17:19:54
C4D02120E是一款二极管
1200V,2A,至252-2包,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将
2023-07-26 17:17:31
E4D02120E是一款二极管
1200V,2A,至252-2包,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将
2023-07-26 17:15:10
C3D20060D是一款二极管
600 V、20 A、TO-247-3 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:50:38
C3D16060D是一款二极管
600 V、16 A、TO-247-3 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:46:45
C3D10060A是一款二极管
600 V、10 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:39:12
C3D10060G是一款二极管
600 V、10 A、TO-263-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:29:01
C3D08060A是一款二极管
600 V、8 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:24:29
C3D08060G是一款二极管
600 V、8 A、TO-263-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:21:52
C3D06060A是一款二极管
600 V、6 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:17:04
C3D06060F是一款二极管
600 V、6 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:14:55
C3D06060G是一款二极管
600 V、6 A、TO-263-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:12:16
C3D04060A是一款二极管
600 V、4 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:09:36
C3D04060F是一款二极管
600 V、4 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:07:08
C3D04060E是一款二极管
600 V、4 A、TO-252-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 09:51:09
C3D03060A是一款二极管
600 V、3 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 09:21:52
C3D03060F是一款二极管
600 V、3 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 09:18:50
C3D03060E是一款二极管
600 V、3 A、TO-252-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-24 17:45:09
C3D02060A是一款二极管
600 V、2 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-24 17:42:41
C3D02060F是一款二极管
600 V、2 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-24 17:37:00
C3D02060E是一款二极管
600 V、2 A、TO-252-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-24 17:32:22
CSD01060A是一款二极管
600 V、1 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基
2023-07-24 17:29:42
CSD01060E是一款二极管
600 V、1 A、TO-252-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-24 17:23:06
MSM06065G1碳化硅二极管,耐压650V 6A DFN5*6封装
深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1碳化硅二极管,耐压650V 6A DFN5*6封装,原装,库存现货热销 美浦森推出的碳化硅二极管具有更高的过电压安全裕量,可提升全负载条件下
2023-07-05 16:00:20
MSM06065G1美浦森DFN5*6封装650V6A碳化硅二极管
深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1美浦森DFN5*6封装650V6A碳化硅二极管,原装,库存现货热销MSM06065G1 品牌:美浦森 封装:DFN5*6
2023-07-05 15:54:11
MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二极管DFN5*6
深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二极管DFN5*6,原装,库存现货热销 MSM06065G1 品牌:美浦森 封装:DFN5
2023-07-05 15:50:06
GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管可实现更快的开关瞬变
SiC JBS二极管提供卓越的功能,包括但不限于高温操作,高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比,GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
具有温度不变势垒高度和理想因数的GeneSiC 1200V SiC肖特基二极管
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管,设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24
碳化硅肖特基二极管的原理及应用
碳化硅肖特基二极管是一种基于碳化硅材料的半导体器件,具有高速、高温、高功率特性。其原理基于肖特基效应,即在金属与半导体接触处形成一个肖特基势垒,使得半导体中的载流子向金属一侧偏移,形成整流效应。
2023-06-07 17:10:34800
碳化硅肖特基二极管的原理及应用
碳化硅肖特基二极管(Silicon Carbide Schottky Diode)是一种高性能半导体器件,具有低开启电压、高速开关、高温性能等优点,广泛应用于电源、驱动、逆变器、电动汽车等领域。
2023-06-04 16:09:002089
碳化硅MOSFET什么意思
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件,其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180
碳化硅二极管是什么
碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性,因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点,广泛用于高功率、高频率、高温、高压等领域,如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。
2023-06-02 14:10:32747
碳化硅功率模组有哪些
碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱,本期为番外篇,前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游,本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场,以及未来的发展趋势,感谢各位
2023-05-31 09:43:20390
瀚薪科技完成B轮融资,已出货碳化硅二极管、MOSFET超3000万颗
根据公司披露:上海瀚薪具备多年的车规级SiC肖特基二极管与SiC MOSFET研发及量产经验。量产产品均在各市场龙头企业得到认可并大批量出货。碳化硅二极管涵盖650V、1200V和1700V电压范围
2023-05-25 10:34:27903
碳化硅肖特基二极管的基本原理
在典型的二极管中,p-n结由p型和n型半导体组合而成。然而,肖特基二极管是不同的:使用金属代替p型半导体。然后,你有一个被称为肖特基势垒的m-s结,而不是p-n结(这是这些二极管得名的地方)。
2023-05-24 11:19:54506
丽智芯片肖特基二极管-阻容1号
本帖最后由 jf_31420921 于 2023-5-23 14:51 编辑
肖特基二极管(Schottky Diode)是一种电子器件,因其具有低电压降和快速开关速度而广泛应用于电源电路
2023-05-23 14:47:57
使用SpeedFit 2.0设计模拟器快速启动基于碳化硅的设计
了解电源中碳化硅 (SiC) MOSFET 和肖特基二极管的在线行为是设计过程中的关键组件。与硅基技术相比,作为一项相对较新的技术,可视化这些碳化硅组件的性能可以帮助设计人员更轻松地利用这项技术。
2023-05-20 17:02:261014
碳化硅肖特基二极管B2D60120H1性能优势
碳化硅的RDS(ON)较低,因而开关损耗也较低,通常比硅低100倍。基于碳化硅的肖特基二极管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在电力电子技术领域打破硅的极限,成为新能源及电力电子的首选器件。
2023-05-18 12:46:40277
Nexperia(安世半导体)针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管
合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率 奈梅亨, 2023 年 4 月 20 日: 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管
2023-04-20 09:39:30796
碳化硅肖特基二极管B1D06065KS在PFC电路中的应用
能力是硅的2~3倍。用碳化硅制成的肖特基二极管具有正温度系数及反向恢复时间接近零的特点,使得在PFC电路(功率因数校正)上的MOSFET开通损耗减少,效率得到进一步的提升。
2023-04-17 16:36:42384
碳化硅SiC MOSFET:低导通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成格子花纹(check-pattern embedded SBD),以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
评论
查看更多