电子发烧友网站提供《双P沟道增强型mosfet TPS1120数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-19 09:19:01
0 利用 SiC 功率器件开关频率高、开关损耗低等优点, 将 SiC MOSFET 应用于水下航行器大功率高速电机逆变器模块, 对软硬件进行设计。
2024-03-13 14:31:46
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电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在过去的2023年，国产SiC功率器件产品迎来了全面爆发，众多厂商宣布入局或是推出车规级SiC MOSFET产品，寻求打进汽车供应链。而今年春节后的新一轮新能源汽车降价
2024-03-13 01:17:002631 
在通用PWM发电机中，我可以用任何型号替换SiC MOSFET吗？
2024-03-01 06:34:58
电子发烧友网站提供《20 V，双N沟道沟槽MOSFET PMDPB30XNA数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-20 10:03:240 电子发烧友网站提供《60 V，P沟道沟槽MOSFET BUK9D120-60P数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-20 10:02:240 SiC MOSFET模块目前广泛运用于新能源汽车逆变器、车载充电、光伏、风电、智能电网等领域[2-9] ，展示了新技术的优良特性。
2024-02-19 16:29:22206 
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。
为使N沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间加正向电压，以形成漏极电流。N沟道场效应管在不加控制电压
2024-01-30 11:38:27
摘要： 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表现出巨大的应用前景，其中金属-氧化物-场效应晶体管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC MOSFET 可应用于轨道交通和智能电网
2024-01-04 09:41:54593 
电子发烧友网站提供《1200 V，80 mΩ，N沟道SiC MOSFET初步数据表.pdf》资料免费下载
2024-01-03 16:28:290 电子发烧友网站提供《NSF040120L4A0：1200 V，40 mΩ，N沟道SiC MOSFET初步数据表.pdf》资料免费下载
2024-01-03 16:26:191 SiC具有高效节能、稳定性好、工作频率高、能量密度高等优势，SiC沟槽MOSFET（UMOSFET）具有高温工作能力、低开关损耗、低导通损耗、快速开关速度等特点
2023-12-27 09:34:56466 
SIC MOSFET在电路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅场效应晶体管）是一种新型的功率晶体管，具有较高的开关速度和功率密度，广泛应用于多种电路中。 首先，让我们简要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686 怎么提高SIC MOSFET的动态响应？ 提高SIC MOSFET的动态响应是一个复杂的问题，涉及到多个方面的考虑和优化。在本文中，我们将详细讨论如何提高SIC MOSFET的动态响应，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET对驱动电路的基本要求 SIC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种新兴的功率半导体器件，具有良好的电气特性和高温性能，因此被广泛应用于各种驱动电路中。SIC
2023-12-21 11:15:49416 电子发烧友网站提供《NSF040L3A0：1200伏，40米Ω,NN沟道SiC MOSFET应用指南.pdf》资料免费下载
2023-12-19 15:37:520 电子发烧友网站提供《NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N沟道SiC MOSFET一般说明.pdf》资料免费下载
2023-12-19 15:36:290 PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3
2023-12-14 00:36:55
SiC SBD的高耐压（反压）特性
2023-12-13 15:27:55197 
瑞森半导体在工业电源上的应用上：主推碳化硅(SiC)二极管/超结MOS，助力厂家及品牌，打造高质、高性能产品。
2023-12-11 11:56:42207 
瑞森半导体在工业电源上的应用上：主推碳化硅(SiC)二极管/超结MOS，助力厂家及品牌，打造高质、高性能产品。
2023-12-11 11:33:13194 
SiC MOSFET的桥式结构
2023-12-07 16:00:26157 
SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作
2023-12-07 14:34:17221 
PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2
2023-12-06 21:55:36
近日，芯塔电子自主研发的1200V/80mΩTO-263-7封装 SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构（广电计量）全套AEC-Q101车规级可靠性认证。包括之前通过测试认证的650V
2023-12-06 14:04:49322 
有效的热管理对于防止SiC MOSFET失效有很大的关系，环境过热会降低设备的电气特性并导致过早失效，充分散热、正确放置导热垫以及确保充足的气流对于 MOSFET 散热至关重要。
2023-12-05 17:14:30332 SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
2023-12-05 17:10:21431 
如何选取SiC MOSFET的Vgs门极电压及其影响
2023-12-05 16:46:29482 
1000h SiC MOSFET体二极管可靠性报告
2023-12-05 14:34:46210 
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比
2023-12-05 14:31:21258 
深入剖析高速SiC MOSFET的开关行为
2023-12-04 15:26:12293 
SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:02345 
Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法
2023-11-29 16:16:06149 
使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗
2023-11-23 09:08:34333 
硬件面试中有遇到过这样的事吗？通常让你画一个增强型的MOSFET，或是N沟道MOSFET或是P沟道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
点击蓝字 关注我们 对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET与传统硅MOSFET和 IGBT相比具有显著优势。SiCMOSFET很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应
2023-11-09 10:10:02333 
FDV303N是一款N沟道 MOSFET。这种器件通常用于开关和放大电路中，可以控制电流流动并放大信号。
2023-11-03 14:56:23293 
下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列，进行详细介绍
2023-11-01 14:46:19736 
1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 
继1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件获AEC-Q101车规级认证后
2023-10-25 18:28:10422 
点击蓝字 关注我们 对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事
2023-10-18 16:05:02328 Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 额外的650和1200V SiC SBD型号满足当今交通、可再生能源和工业系统的功率密度要求。 Bourns宣布，它在现有的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)产品系列中增加了十种新的变体
2023-10-13 17:06:38866 我们知道，SiC MOSFET现阶段最“头疼”的问题就是栅氧可靠性引发的导通电阻和阈值电压等问题，最近，日本东北大学提出了一项新的外延生长技术，据说可以将栅氧界面的缺陷降低99.5%，沟道电阻可以降低85.71%，整体SiC MOSFET损耗可以降低30%。
2023-10-11 12:26:49611 
，有助于满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。
二、 SiC的性能优势
1、SiC SBD可将耐压提高到3.3kV，极大扩展了SBD的应用范围
肖特基二极管
2023-10-07 10:12:26
电子发烧友网站提供《PSMN2R6-80YSF N沟道MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-27 09:32:500 电子发烧友网站提供《P沟道增强模式功率MOSFET G040P04M规格书.pdf》资料免费下载
2023-09-19 17:29:110 碳化硅，或SiC，作为一种半导体材料，正在逐渐崭露头角，广泛应用于电源电子领域。相较于其他可用技术，碳化硅MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）表现出显著的性能提升，为众多电子应用带来了新的可能性。
2023-09-15 14:22:291250 
全球知名半导体制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块
2023-09-14 19:15:14351 在高功率应用中，碳化硅(SiC)MOSFET与硅(Si)IGBT相比具有多项优势。其中包括更低的传导和开关损耗以及更好的高温性能。
2023-09-11 14:55:31347 
单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制，采用节省空间的窄体SO-8封装，通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率，STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间，并增强了节能型动力系统、驱动器和控制的稳健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
碳化硅（SiC）MOSFET支持功率电子电路以超快的开关速度和远超100V/ns和10A/ns的电压和电流摆率下工作。
2023-08-28 14:46:53318 
谈谈SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131018 
据介绍，瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V，可提升应用兼容性，简化应用系统设计。在产品结构上，第二代SiC MOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET，但进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计，使器件比导通电阻降低约25%，并显著降低开关损耗，提升系统效率。
2023-08-23 15:38:01703 瞻芯电子依托自建的碳化硅(SiC)晶圆产线，开发了第二代碳化硅(SiC)MOSFET产品，其中IV2Q12040T4Z (1200V 40mΩ SiC MOSFET)于近日获得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285 
对于SiC功率MOSFET技术，报告指出，650-1700V SiC MOSFET技术快速迭代，单芯片电流可达200A。提升电流密度同时，解决好特有可靠性问题是提高技术成熟度关键。
2023-08-08 11:05:57428 首先，是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。
2023-08-06 10:49:071102 
在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>
2023-08-03 11:09:57740 
本文作者：安森美业务拓展工程师Didier Balocco 在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现
2023-07-18 19:05:01462 
在H桥电路中实现P沟道MOSFET可能看起来既简单又诱人，但可能需要一些严格的计算和参数才能实现最佳响应。
2023-06-29 15:28:02957 
在这个设计中，我们看到了使用N沟道MOSFET实现BPS电路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
点击蓝字 关注我们 SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC
2023-06-25 14:35:02377 
点击蓝字 关注我们 SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC
2023-06-16 14:40:01389 
SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT
2023-06-16 14:39:39538 
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域，如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再生能源、能源等存储系统、工业和电网基础设施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
HY1908D/U/V N沟道增强型MOSFET规格书免费下载。
2023-06-14 17:04:041 三菱电机集团近日（2023年6月1日）宣布，其开发出一种集成SBD的SiC-MOSFET新型结构，并已将其应用于3.3kV全SiC功率模块——FMF800DC-66BEW，适用于铁路、电力系统等大型
2023-06-09 11:20:09365 
点击蓝字 关注我们 SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC
2023-06-08 20:45:02281 
当前量产主流SiC MOSFET芯片元胞结构有两大类，是按照栅极沟道的形状来区分的，平面型和沟槽型。
2023-06-07 10:32:074304 
SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充电桩及太阳能逆变器等高频应用中日益得到重视。因为SiC MOSFET开关频率高达几百K赫兹，门极驱动的设计在应用中就变得格外关键。因为在短路
2023-06-01 10:12:07998 
在高压开关电源应用中,相较传统的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET 有明 显的优势。
2023-05-26 09:52:33462 
与硅相比，宽禁带半导体技术，如 Wolfspeed 的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基势垒二极管（SBD）可为电源设计人员带来诸多优势。更低的传导和开关损耗提高了效率，高频工作有助于减小电感
2023-05-24 10:40:05546 
2023年5月8日，三菱电机宣布将于5月31日开始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模块样品，该半桥模块额定电压为3.3kV，绝缘耐压为6.0kVrms。将有助于为铁路
2023-05-11 09:26:17833 高压SiC MOSFET的结构和技术存在着几个重要瓶颈：1）器件漂移区的导通电阻随电压等级相应增加，其他结构（沟道、JFET区等）的存在进一步提高了总导通电阻。
2023-05-04 09:43:181393 
在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288 
本文是“SiC MOSFET：栅极－源极电压的浪涌抑制方法”系列文章的总结篇。介绍SiC MOSFET的栅极－源极电压产生的浪涌、浪涌抑制电路、正电压浪涌对策、负电压浪涌对策和浪涌抑制电路的电路板
2023-04-13 12:20:02813 MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常又称为N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 MOSFET沟道会降低沟道密度并增加RonA。现在新的内嵌式SBD结构解决了这一问题，东芝证实这种方法显著提高了性能特征。通过将SBD按格子花纹分布，降低了SBD嵌入式SiC MOSFET的导通损耗，并
2023-04-11 15:29:18
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介
2023-04-06 09:11:46731 
SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。
2023-04-01 09:37:171329 在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异，PracticalAspectsandBod
2023-03-31 10:48:08529 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
1200V,5A,SIC SBD,TO-220AC PACKAG
2023-03-27 14:47:38
1200V,10A,SIC SBD,TO-247AD PACKA
2023-03-27 13:53:46
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
2023-03-27 13:53:43
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
2023-03-27 13:53:19
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
2023-03-27 13:53:05
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
2023-03-27 13:52:58
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
2023-03-27 13:52:43
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
2023-03-27 13:52:35
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6P
2023-03-27 13:52:06
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6P
2023-03-27 13:51:47
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
2023-03-27 13:51:45
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C
2023-03-27 13:51:13
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
2023-03-27 13:50:58
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
2023-03-27 13:50:41
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
2023-03-27 13:50:41
1200V,20A,SIC SBD,TO-247 PACKAGE
2023-03-27 13:39:39
LTC7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，选用高达 135V 的输入电压作业。该器材包括一个担任全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵，因此使其可以无限期地坚持导通。
2023-03-23 09:46:45514
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